專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件，更特定而言，涉及具備多個(gè)絕緣體層層疊而成的層疊體的電子元器件。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有電子元器件，已知有例如專利文獻(xiàn)I揭示的表面安裝元器件。圖11是具備專利文獻(xiàn)I揭示的表面安裝元器件510的電子裝置500的剖面構(gòu)造圖。圖11的電子裝置500具備表面安裝元器件510及母基板523。表面安裝元器件510包含模塊基板521、連接盤導(dǎo)體522及內(nèi)部電極526。模塊基板521呈將導(dǎo)電體與非導(dǎo)電體層疊的層疊結(jié)構(gòu)。連接盤導(dǎo)體522設(shè)在模塊基板521的底面。內(nèi)部電極526設(shè)在模塊 基板521內(nèi)，隔著非導(dǎo)電體與連接盤導(dǎo)體522相對(duì)。母基板523為包含對(duì)應(yīng)電極524且安裝有表面安裝元器件510的基板。對(duì)應(yīng)電極524設(shè)在母基板523的上表面。在電子裝置500，連接盤導(dǎo)體522與對(duì)應(yīng)電極524通過(guò)焊料等相連接，藉此將表面安裝元器件510安裝在母基板523。在以上的表面安裝元器件510，連接盤導(dǎo)體522與內(nèi)部電極526相對(duì)，從而構(gòu)成電容器。因此，模塊基板521的內(nèi)部的電路與母基板523經(jīng)由該電容器電連接。然而，如以下說(shuō)明，表面安裝元器件510具有以下問(wèn)題，即在由連接盤導(dǎo)體522及內(nèi)部電極526構(gòu)成的電容器中，不易獲得期望電容值。更詳細(xì)而言，在從上側(cè)俯視時(shí)，連接盤導(dǎo)體522與內(nèi)部電極526呈一致的狀態(tài)且相對(duì)。因此，若印刷連接盤導(dǎo)體522或內(nèi)部電極526的位置稍有偏移，則連接盤導(dǎo)體522與內(nèi)部電極526相對(duì)的部分的面積變化。其結(jié)果，由連接盤導(dǎo)體522及內(nèi)部電極526構(gòu)成的電容器的電容值變動(dòng)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本專利特開2003-68569號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題因此，本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)設(shè)有具有期望電容值的電容器的電子元器件。用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案本發(fā)明的一方式所涉及的電子元器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體通過(guò)層疊多個(gè)絕緣體層而成；連接盤電極，該連接盤電極設(shè)在所述層疊體的底面；第I電容器導(dǎo)體，該第I電容器導(dǎo)體在所述層疊體內(nèi)隔著所述絕緣體層與所述連接盤電極相對(duì)，該第I電容器導(dǎo)體具有比該連接盤電極的面積要大的面積且從層疊方向俯視時(shí)，該第I電容器導(dǎo)體包含該連接盤電極；以及第2電容器導(dǎo)體，該第2電容器導(dǎo)體比所述第I電容器導(dǎo)體更靠層疊方向的上側(cè)而設(shè)置，且與該第I電容器導(dǎo)體相對(duì)。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可獲得內(nèi)設(shè)有電容器的電子元器件，該電容器即使在層疊時(shí)產(chǎn)生重疊偏移也具有期望電容值。


圖I是本發(fā)明第I實(shí)施方式的電子元器件的外觀立體圖。圖2是本發(fā)明第I實(shí)施方式的電子元器件的分解立體圖。圖3是本發(fā)明第I實(shí)施方式的電子元器件的等效電路圖。
圖4是第2實(shí)施方式的電子元器件的分解立體圖。圖5是第2實(shí)施方式的電子元器件的等效電路圖。圖6是層疊有絕緣體層的圖。圖7是表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。圖8是層疊有絕緣體層的圖。圖9是第3實(shí)施方式的電子元器件的分解立體圖。圖10是第3實(shí)施方式的電子元器件的等效電路圖。圖11是專利文獻(xiàn)I揭示的、具備表面安裝元器件的電子裝置的剖面構(gòu)造圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的電子元器件。(第I實(shí)施方式)(電子元器件的結(jié)構(gòu))以下，參照

本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的電子元器件的結(jié)構(gòu)。圖I是本發(fā)明第I實(shí)施方式的電子元器件10的外觀立體圖。圖2是本發(fā)明第I實(shí)施方式的電子元器件10的分解立體圖。圖3是本發(fā)明第I實(shí)施方式的電子元器件10的等效電路圖。以下，將電子元器件10的層疊方向定義成z軸方向。又，從z軸方向俯視時(shí)，將沿著電子元器件10的長(zhǎng)邊的方向定義成X軸方向，將沿著電子元器件10的短邊的方向定義成y軸方向。如圖I及圖2所示，電子元器件10具備層疊體12、連接盤電極14 (14a 14c)、內(nèi)部導(dǎo)體18 (18a 18m)、接地導(dǎo)體19及通孔導(dǎo)體b (bl b41)。如圖2所示，層疊體12通過(guò)層疊長(zhǎng)方形的多個(gè)絕緣體層16(16a 16i)來(lái)構(gòu)成，呈長(zhǎng)方體狀。絕緣體層16呈長(zhǎng)方形，由例如Ba-Al-Si類的陶瓷電介質(zhì)構(gòu)成。絕緣體層16a 16i，在z軸方向從正方向側(cè)往負(fù)方向側(cè)依次排列層疊。以下，將絕緣體層16的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱為表面，將絕緣體層16的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱為背面。連接盤電極14a 14c設(shè)在絕緣體層16i的背面(層疊體12的底面)，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。即，電子元器件10呈所謂LGA(Land Grid Array :觸點(diǎn)陣列封裝)結(jié)構(gòu)。此外，為了容易理解，圖2中，連接盤電極14a 14c以從絕緣體層16i的背面分離開的狀態(tài)記載。連接盤電極14a"l4c從X軸方向的負(fù)方向側(cè)往正方向側(cè)依次排列。連接盤電極14a用作輸入端子。連接盤電極14b用作接地端子。連接盤電極14c用作輸出端子。內(nèi)部導(dǎo)體18及接地導(dǎo)體19由以Cu為主成分的導(dǎo)電性材料構(gòu)成，設(shè)在絕緣體層16的表面上。通孔導(dǎo)體b通過(guò)在z軸方向貫通絕緣體層16的通孔中填充以Cu為主成分的導(dǎo)電性材料而構(gòu)成。如以下說(shuō)明，連接盤電極14、內(nèi)部導(dǎo)體18、接地導(dǎo)體19及通孔導(dǎo)體b構(gòu)成內(nèi)設(shè)在層疊體12中的線圈LsfLs3及電容器CsfCs3、Cml、Cm2、Cpl(參照?qǐng)D3)。如圖2及圖3所示，線圈Lsl由內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d及通孔導(dǎo)體bl b3、b8 bl3構(gòu)成。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d分別設(shè)在絕緣體層16b、16c的表面上，在y軸方向延伸，呈在I軸方向的正方向側(cè)的端部往X軸方向的正方向側(cè)折曲的L字狀。內(nèi)部導(dǎo)體18a與內(nèi)部導(dǎo)體18d呈相同形狀，從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。又，通孔導(dǎo)體bl在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18a的一端與內(nèi)部導(dǎo)體18d的一端相連接。通孔導(dǎo)體b8在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18a的另一端與內(nèi)部導(dǎo)體18d的另一端相連接。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d彼此連接。通孔導(dǎo)體b2、b3分別在z軸方向貫通絕緣體層16c、16d。通孔導(dǎo)體b2、b3串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b2在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18d的一端。通孔導(dǎo)體b3在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18h的一端。 通孔導(dǎo)體b9飛13在z軸方向貫通絕緣體層16C 16g。通孔導(dǎo)體b9飛13串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b9在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18d的另一端。如上所述，從X軸方向的正方向側(cè)俯視時(shí)，線圈Lsl呈構(gòu)成“ 3 ”字狀的環(huán)型線圈。內(nèi)部導(dǎo)體181設(shè)在絕緣體層16i的表面上，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體181在層疊體12內(nèi)隔著絕緣體層16i與連接盤電極14a相對(duì)，具有比連接盤電極14a要大的面積，且從z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向)觀察時(shí)，包含連接盤電極14a。電容器Csl由內(nèi)部導(dǎo)體18h、181及接地導(dǎo)體19構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體18h設(shè)在絕緣體層16e的表面上，呈由在y軸方向延伸部分與在該部分的y軸方向的中央部往X軸方向的正方向側(cè)突出部分構(gòu)成的T字狀。接地導(dǎo)體19設(shè)在絕緣體層16h上，呈十字型。接地導(dǎo)體19比內(nèi)部導(dǎo)體18h更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)(積層方向的下側(cè))而設(shè)置且比內(nèi)部導(dǎo)體181更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。內(nèi)部導(dǎo)體18h與接地導(dǎo)體19隔著絕緣體層16e、16f、16g彼此相對(duì)，內(nèi)部導(dǎo)體181與接地導(dǎo)體19隔著絕緣體層16h彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體18h、181與接地導(dǎo)體19之間形成有電容器Csl。通孔導(dǎo)體b4 b7在z軸方向貫通絕緣體層16e 16h。通孔導(dǎo)體b4 b7串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b4在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于通孔導(dǎo)體b3在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部。通孔導(dǎo)體b7在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體181。又，通孔導(dǎo)體bl3在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體19。藉此，線圈Lsl與電容器Csl并聯(lián)連接，從而構(gòu)成LC并聯(lián)諧振器LCl。又，通孔導(dǎo)體bl4在z軸方向貫通絕緣體層16i。通孔導(dǎo)體bl4在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體181。通孔導(dǎo)體b 14在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于連接盤電極14a。藉此，由線圈Lsl與電容器Csl構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LCl經(jīng)由通孔導(dǎo)體bl4連接于連接盤電極14a。又，通孔導(dǎo)體bl5、bl6在z軸方向貫通絕緣體層16h、16i。通孔導(dǎo)體bl5、bl6串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體bl5在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體19。通孔導(dǎo)體bl6在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于連接盤電極14b。藉此，由線圈Lsl與電容器Csl構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LCl經(jīng)由通孔導(dǎo)體bl5、b 16連接于連接盤電極14b。如圖2及圖3所示,線圈Ls2由內(nèi)部導(dǎo)體18b、18e及通孔導(dǎo)體b31 b34、b36 b41構(gòu)成。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體18b、18e分別在絕緣體層16b、16c的表面設(shè)在內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d在X軸方向的正方向側(cè)，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體18b與內(nèi)部導(dǎo)體18e呈相同形狀，從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。又，通孔導(dǎo)體b31在z軸方向貫通絕緣體層16b,將內(nèi)部導(dǎo)體18b的一端與內(nèi)部導(dǎo)體18e的一端相連接。通孔導(dǎo)體b36在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18b的另一端與內(nèi)部導(dǎo)體18e的另一端相連接。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體18b、18e彼此連接。通孔導(dǎo)體b32飛34分別在z軸方向貫通絕緣體層16C 16e。通孔導(dǎo)體b32飛34串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b32在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18e的一端。通孔導(dǎo)體b37飛41在z軸方向貫通絕緣體層16C 16g。通孔導(dǎo)體b37飛41串聯(lián)連 接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b37在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18e的另一端。如上所述，從X軸方向的正方向側(cè)俯視時(shí)，線圈Ls2呈構(gòu)成字狀的環(huán)型線圈。電容器Cs2由內(nèi)部導(dǎo)體18j、18k及接地導(dǎo)體19構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體18j、18k分別設(shè)在絕緣體層16f、16g的表面上，呈長(zhǎng)方形。通孔導(dǎo)體b35在z軸方向貫通絕緣體層16f。通孔導(dǎo)體b35在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18 j。通孔導(dǎo)體b35在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18k。內(nèi)部導(dǎo)體18j與接地導(dǎo)體19隔著絕緣體層16f、16g彼此相對(duì)。內(nèi)部導(dǎo)體18k與接地導(dǎo)體19隔著絕緣體層16g彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體18j、18k與接地導(dǎo)體19之間形成有電容器Cs2。通孔導(dǎo)體b34在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18j。又，通孔導(dǎo)體b41在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體19。藉此，線圈Ls2與電容器Cs2并聯(lián)連接，從而構(gòu)成LC并聯(lián)諧振器LC2。又，由線圈Ls2與電容器Cs2構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC2經(jīng)由通孔導(dǎo)體bl5、bl6連接于連接盤電極14b。如圖2及圖3所示，線圈Ls3由內(nèi)部導(dǎo)體18c、18f 及通孔導(dǎo)體bl7 bl9、b24 b29構(gòu)成。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體18c、18f分別設(shè)在絕緣體層16b、16c的表面上，在y軸方向延伸，呈在I軸方向的正方向側(cè)的端部往X軸方向的負(fù)方向側(cè)折曲的L字狀。內(nèi)部導(dǎo)體18c與內(nèi)部導(dǎo)體18f呈相同形狀，從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。又，通孔導(dǎo)體bl7在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18c的一端與內(nèi)部導(dǎo)體18f的一端相連接。通孔導(dǎo)體b24在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18c的另一端與內(nèi)部導(dǎo)體18f的另一端相連接。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體18c、18f彼此連接。通孔導(dǎo)體bl8、bl9分別在z軸方向貫通絕緣體層16c、16d。通孔導(dǎo)體bl8、bl9串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體bl8在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18f的一端。通孔導(dǎo)體bl9在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18i的一端。通孔導(dǎo)體b25飛29在z軸方向貫通絕緣體層16C 16g。通孔導(dǎo)體b25飛29串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b25在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18f的另一端。如上所述，從X軸方向的正方向側(cè)俯視時(shí)，線圈Ls3呈構(gòu)成字狀的環(huán)型線圈。
內(nèi)部導(dǎo)體18m設(shè)在絕緣體層16i的表面上，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體18m在層疊體12內(nèi)隔著絕緣體層16i與連接盤電極14c相對(duì)，具有比連接盤電極14c要大的面積，且從z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向)觀察時(shí)，包含連接盤電極14c。電容器Cs3由內(nèi)部導(dǎo)體18i、18m及接地導(dǎo)體19構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體18i設(shè)在絕緣體層16e的表面上，呈由在I軸方向延伸部分與在該部分的I軸方向的中央部往X軸方向的負(fù)方向側(cè)突出部分構(gòu)成的T字狀。接地導(dǎo)體19比內(nèi)部導(dǎo)體18i更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)(層疊方向的下側(cè))而設(shè)置且比內(nèi)部導(dǎo)體18m更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。內(nèi)部導(dǎo)體18i與接地導(dǎo)體19隔著絕緣體層16e、16f、16g彼此相對(duì)，內(nèi)部導(dǎo)體18m與接地導(dǎo)體19隔著絕緣體層16h彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體18i、18m與接地導(dǎo)體19之間形成有電容器Cs3。通孔導(dǎo)體b20 b23在z軸方向貫通絕緣體層16e 16h。通孔導(dǎo)體b20 b23串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b20在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于通孔導(dǎo)體bl9在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部。通孔導(dǎo)體b23在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18m。又，通孔導(dǎo)體b29在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體19。藉此，線 圈Ls3與電容器Cs3并聯(lián)連接，從而構(gòu)成LC并聯(lián)諧振器LC3。又，通孔導(dǎo)體b30在z軸方向貫通絕緣體層16i。通孔導(dǎo)體b30在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18m。通孔導(dǎo)體b30在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于連接盤電極14c。藉此，由線圈Ls3與電容器Cs3構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC3經(jīng)由通孔導(dǎo)體b30連接于連接盤電極14c。又，由線圈Ls3與電容器Cs3構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC3經(jīng)由通孔導(dǎo)體bl5、bl6連接于連接盤電極14b。電容器Cml由內(nèi)部導(dǎo)體18h及內(nèi)部導(dǎo)體18j構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體18h及內(nèi)部導(dǎo)體18j隔著絕緣體層16e彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體18h、18j間形成有電容器Cml。電容器Cm2由內(nèi)部導(dǎo)體18i及內(nèi)部導(dǎo)體18j構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體18i及內(nèi)部導(dǎo)體18j隔著絕緣體層16e彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體18i、18j間形成有電容器Cm2。電容器Cpl由內(nèi)部導(dǎo)體18g及內(nèi)部導(dǎo)體18h、18i構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體18g設(shè)在絕緣體層16d的表面上，呈在X軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體18g與內(nèi)部導(dǎo)體18h、18i隔著絕緣體層16d彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體18h、18g之間及內(nèi)部導(dǎo)體18g、18i之間形成二個(gè)電容器。這二個(gè)電容器串聯(lián)連接以構(gòu)成電容器Cpl。以上述方式構(gòu)成的電子元器件10例如被用作帶通濾波器。更詳細(xì)而言，LC并聯(lián)諧振器LCf LC3的阻抗在它們的諧振頻率下會(huì)最大。因此，LC并聯(lián)諧振器LCf LC3使具有它們的諧振頻率附近的頻率的高頻信號(hào)不通過(guò)。即，具有LC并聯(lián)諧振器LCf LC3的諧振頻率附近的頻率的高頻信號(hào)不會(huì)從外部電極14a流向外部電極14b，而從外部電極14a流向外部電極14c。另一方面，在LC并聯(lián)諧振器LCf LC3的諧振頻率附近的頻率外的頻率下，LC并聯(lián)諧振器LCf LC3的阻抗較低。因此，LC并聯(lián)諧振器LCf LC3的諧振頻率附近的頻率外的頻率通過(guò)LC并聯(lián)諧振器LCf LC3，經(jīng)由外部電極14b流向接地。如上所述，在電子元器件10，作為僅使LC并聯(lián)諧振器LCnX3的諧振頻率附近的頻率的高頻信號(hào)通過(guò)的帶通濾波器起作用。(效果)在上述電子元器件10，在具有期望電容值的電容器Csl，Cs3可獲得期望電容值。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體181、18m分別在層疊體12內(nèi)隔著絕緣體層16i與連接盤電極14a, 14c相對(duì)，具有比連接盤電極14a、14c要大的面積，且從z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向)觀察時(shí)包含連接盤電極14a、14c。因此，即使印刷構(gòu)成電容器Csl、Cs3的內(nèi)部導(dǎo)體181、18m、18h、18i或連接盤電極14a、14c的位置稍微偏移，從z軸方向俯視時(shí)，也維持連接盤電極14a、14c包含在內(nèi)部導(dǎo)體181、18m內(nèi)的狀態(tài)。因此，在電子元器件10，可抑制連接盤電極14a、14c從內(nèi)部導(dǎo)體181、18m露出以與接地電極19相對(duì)從而形成電容。因而，可抑制電容器Csl, Cs3從期望電容值偏移。又，在電子元器件10，即使在獲得了具有期望電容值的電容器Csl、Cs3的情況下，也能維持連接盤電極14a 14c間的絕緣性。更詳細(xì)而言，為了獲得期望電容值而加大連接盤電極14a、14c的面積的情況下，連接盤電極14a 14c間的間隔變小。另一方面，將電子元器件10安裝在基板時(shí)，利用焊料將連接盤電極14a 14c與基板的連接盤相連接。因此，若連接盤電極14a 14c間的間隔變小，則在焊料安裝時(shí)，會(huì)有連接盤電極14a 14c之間因焊料而連接的風(fēng)險(xiǎn)。即，無(wú)法維持連接盤電極14a 14c間的絕緣性。 因此，在電子元器件10，內(nèi)部導(dǎo)體181、18m的面積比連接盤電極14a、14c的面積要大。由于內(nèi)部導(dǎo)體181、18m內(nèi)設(shè)在電子元器件10中，因此無(wú)法如連接盤電極14a 14c那樣進(jìn)行焊料安裝。因此，將電子元器件10安裝到基板時(shí)，沒有在內(nèi)部導(dǎo)體181、18m間產(chǎn)生短路的風(fēng)險(xiǎn)。因此，內(nèi)部導(dǎo)體181、18m之間相比于連接盤電極14a 14c容易接近。S卩，內(nèi)部導(dǎo)體181、18m相比于連接盤電極14a 14c容易大型化。根據(jù)以上說(shuō)明，在電子元器件10，即使在獲得了具有期望電容值的電容器Csl、Cs3的情況下，也能維持連接盤電極14a 14c間的絕緣性。(第2實(shí)施方式)(電子元器件的結(jié)構(gòu))以下，參照

第2實(shí)施方式的電子元器件IOa的結(jié)構(gòu)。圖4是第2實(shí)施方式的電子元器件IOa的分解立體圖。圖5是第2實(shí)施方式的電子元器件IOa的等效電路圖。此外，電子元器件IOa的外觀立體圖援引圖I。此外，對(duì)電子元器件IOa的結(jié)構(gòu)內(nèi)的、與電子元器件10相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同參照標(biāo)號(hào)。如圖4所示，電子元器件IOa具備層疊體12、連接盤電極14 (14a 14c)、內(nèi)部導(dǎo)體18 (18a 18g、181、18m)、38 (38a 38h)、接地導(dǎo)體 39 (39a,39b)及通孔導(dǎo)體 b (b51 b97)。如圖4所示，層疊體12通過(guò)層疊多個(gè)長(zhǎng)方形絕緣體層16 (16a^l6j)而構(gòu)成，呈長(zhǎng)方體狀。絕緣體層16呈長(zhǎng)方形，由例如Ba-Al-Si類的陶瓷電介質(zhì)構(gòu)成。絕緣體層16a 16j在z軸方向從正方向側(cè)往負(fù)方向側(cè)依次排列層疊。以下，將絕緣體層16的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱為表面，將絕緣體層16的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱為背面。連接盤電極14a 14c設(shè)在絕緣體層16 j的背面(層疊體12的底面)，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。S卩，電子元器件IOa呈所謂LGA(Land Grid Array)結(jié)構(gòu)。此外，為了容易理解，圖4中，連接盤電極14a 14c以從絕緣體層16j的背面分離開的狀態(tài)記載。連接盤電極14a 14c從X軸方向的負(fù)方向側(cè)往正方向側(cè)依次排列。連接盤電極14a用作輸入端子。連接盤電極14b用作接地端子。連接盤電極14c用作輸出端子。內(nèi)部導(dǎo)體18、38及接地導(dǎo)體39由以Cu為主成分的導(dǎo)電性材料構(gòu)成，設(shè)在絕緣體層16的表面上。通孔導(dǎo)體b通過(guò)在z軸方向貫通絕緣體層16的通孔中填充以Cu為主成分的導(dǎo)電性材料而構(gòu)成。連接盤電極14、內(nèi)部導(dǎo)體18、38、接地導(dǎo)體39及通孔導(dǎo)體b，如以下說(shuō)明，構(gòu)成內(nèi)設(shè)在層疊體12的線圈LsfLs3及電容器CsfCs3、Cml、Cm2、Cpl(參照?qǐng)D5)。如圖4及圖5所示，線圈Lsl由內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d及通孔導(dǎo)體b51 b53、b57 b61構(gòu)成。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d分別設(shè)在絕緣體層16b、16c的表面上，在y軸方向延伸，呈在I軸方向的正方向側(cè)的端部往X軸方向的正方向側(cè)折曲的L字狀。內(nèi)部導(dǎo)體18a與內(nèi)部導(dǎo)體18d呈相同形狀，從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。又，通孔導(dǎo)體b51在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18a的一端與內(nèi)部導(dǎo)體18d的一端相連接。通孔導(dǎo)體b57在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18a的另一端與內(nèi)部導(dǎo)體18d的另一端相連接。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d彼此連接。通孔導(dǎo)體b52、b53分別在z軸方向貫通絕緣體層16c、16d。通孔導(dǎo)體b52、b53串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b52在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18d的一端。
通孔導(dǎo)體b58飛61在z軸方向貫通絕緣體層16c 16f。通孔導(dǎo)體b58飛61串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b58在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18d的另一端。如上所述，從X軸方向的正方向側(cè)俯視時(shí)，線圈Lsl呈構(gòu)成“ 3 ”字狀的環(huán)型線圈。內(nèi)部導(dǎo)體181設(shè)在絕緣體層16j的表面上，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體181在層疊體12內(nèi)隔著絕緣體層16 j與連接盤電極14a相對(duì)，具有比連接盤電極14a要大的面積，且從z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向)觀察時(shí)，包含連接盤電極14a。在內(nèi)部導(dǎo)體181與連接盤電極14a之間未設(shè)有導(dǎo)體層。電容器Csl由內(nèi)部導(dǎo)體181、38c、38f及接地導(dǎo)體39a、39b構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體38c、38f 分別設(shè)在絕緣體層16f、16h的表面上，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。接地導(dǎo)體39a設(shè)在絕緣體層16g的表面上，呈由在X軸方向延伸部分與在該部分的X軸方向的中央部往y軸方向的負(fù)方向側(cè)突出部分構(gòu)成的T字狀。接地導(dǎo)體39b設(shè)在絕緣體層16i的表面上，呈長(zhǎng)方形。然而，在接地導(dǎo)體39b設(shè)有缺口 Al及缺口 A2，該缺口 Al從X軸方向的負(fù)方向側(cè)的邊(外緣)朝向X軸方向的正方向側(cè)凹陷，該缺口 A2從X軸方向的正方向側(cè)的邊(外緣)朝向X軸方向的負(fù)方向側(cè)凹陷。此處，參照

電子元器件IOa的缺口 Al、A2的形狀。圖6是層疊有絕緣體層16h 16j的圖。但,為了易于理解,省略內(nèi)部導(dǎo)體38g。缺口 Al、A2在X軸方向的深度Dl、D2分別比內(nèi)部導(dǎo)體181、18m、38f、38h與缺口A1、A2重疊的部分在x軸方向的寬度D3、D4要大。再者，接地導(dǎo)體39b比內(nèi)部導(dǎo)體181更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。又，內(nèi)部導(dǎo)體38f比接地導(dǎo)體39b更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體181與接地導(dǎo)體39b隔著絕緣體層16i彼此相對(duì)。同樣地，內(nèi)部導(dǎo)體38f與接地導(dǎo)體39b隔著絕緣體層16h彼此相對(duì)。即，在內(nèi)部導(dǎo)體181、38f與接地導(dǎo)體39b之間分別形成有電容。再者，接地導(dǎo)體39a比內(nèi)部導(dǎo)體38f更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。又，內(nèi)部導(dǎo)體38c比接地導(dǎo)體39a更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體38f與接地導(dǎo)體39a隔著絕緣體層16g彼此相對(duì)。同樣地，內(nèi)部導(dǎo)體38c與接地導(dǎo)體39a隔著絕緣體層16f彼此相對(duì)。即，在內(nèi)部導(dǎo)體38c、38f與接地導(dǎo)體39a之間分別形成有電容。又,通孔導(dǎo)體b54 b56在z軸方向貫通絕緣體層16e 16g。通孔導(dǎo)體b54 b56串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b54在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于通孔導(dǎo)體b53在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部。通孔導(dǎo)體b54在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38c。通孔導(dǎo)體b56在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38f。又，通孔導(dǎo)體b64、b65在z軸方向貫通絕緣體層16h、16i。通孔導(dǎo)體b64、b65串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體，且通過(guò)缺口 Al內(nèi)。通孔導(dǎo)體b64在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38f。通孔導(dǎo)體b65在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體181。S卩，通孔導(dǎo)體b64、b65將內(nèi)部導(dǎo)體181與內(nèi)部導(dǎo)體38f相連接。通過(guò)按以上述方式連接內(nèi)部導(dǎo)體181、38c、38f，從而將由內(nèi)部導(dǎo)體181、38c、38f及接地導(dǎo)體39a、39b構(gòu)成的四個(gè)電容器相連接。此外，利用四個(gè)電容器形成有電容器Csl。 又，如上所述，通孔導(dǎo)體b65在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體181。再者，通孔導(dǎo)體b62、b63在z軸方向貫通絕緣體層16g、16h。通孔導(dǎo)體b62、b63串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b62在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于通孔導(dǎo)體b61在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部。通孔導(dǎo)體b63在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體39b。藉此，線圈Lsl與電容器Csl并聯(lián)連接，從而構(gòu)成LC并聯(lián)諧振器LCl。又，通孔導(dǎo)體b66在z軸方向貫通絕緣體層16j。通孔導(dǎo)體b66在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體181。通孔導(dǎo)體b66在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于連接盤電極14a。藉此，由線圈Lsl與電容器Csl構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LCl經(jīng)由通孔導(dǎo)體b66連接于連接盤電極14a。又，通孔導(dǎo)體b67、b68在z軸方向貫通絕緣體層16i、16j。通孔導(dǎo)體b67、b68串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b67在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體39b。通孔導(dǎo)體b68在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于連接盤電極14b。藉此，由線圈Lsl與電容器Csl構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LCl經(jīng)由通孔導(dǎo)體b67、b68連接于連接盤電極14b。如圖4及圖5所示，線圈Ls2由內(nèi)部導(dǎo)體18b、18e及通孔導(dǎo)體b85 b88、b9Tb95構(gòu)成。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體18b、18e分別在絕緣體層16b、16c的表面設(shè)在內(nèi)部導(dǎo)體18a、18d在X軸方向的正方向側(cè)，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體18b與內(nèi)部導(dǎo)體18e呈相同形狀，從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。又，通孔導(dǎo)體b85在z軸方向貫通絕緣體層16b,將內(nèi)部導(dǎo)體18b的一端與內(nèi)部導(dǎo)體18e的一端相連接。通孔導(dǎo)體b91在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18b的另一端與內(nèi)部導(dǎo)體18e的另一端相連接。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體18b、18e并聯(lián)連接。通孔導(dǎo)體b86飛88分別在z軸方向貫通絕緣體層16c 16e。通孔導(dǎo)體b86飛88串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b86在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18e的一端。通孔導(dǎo)體b92飛95在z軸方向貫通絕緣體層16C 16f。通孔導(dǎo)體b92飛95串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b92在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18e的另一端。
如上所述，從x軸方向的正方向側(cè)俯視時(shí)，線圈Ls2呈構(gòu)成字狀的環(huán)型線圈。電容器Cs2由內(nèi)部導(dǎo)體38d、38g及接地導(dǎo)體39a、39b構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體38d、38g分別設(shè)在絕緣體層16f、16h的表面上，呈T字狀。通孔導(dǎo)體b89、b90在z軸方向貫通絕緣體層16f、16g。通孔導(dǎo)體b89、b90串聯(lián)連接,從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b89在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38d。通孔導(dǎo)體b90在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38g。內(nèi)部導(dǎo)體38d、38g與接地導(dǎo)體39a隔著絕緣體層16f、16g相對(duì)。內(nèi)部導(dǎo)體38g與接地導(dǎo)體39b隔著絕緣體層16h彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體38d、38g與接地導(dǎo)體39a、39b之間形成有電容器Cs2。通孔導(dǎo)體b88在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38d。又，通孔導(dǎo)體b95在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體39a。再者，通孔導(dǎo)體b96、b97在z軸方向貫通絕緣體層16g、16h。通孔導(dǎo)體b96、b97串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b96在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體39a。通孔導(dǎo)體b97在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體39b。藉此，線圈Ls2與電容器Cs2并聯(lián)連接，從而構(gòu)成LC并 聯(lián)諧振器LC2。又，由線圈Ls2與電容器Cs2構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC2經(jīng)由通孔導(dǎo)體b67、b68連接于連接盤電極14b。如圖4及圖5所示，線圈Ls3由內(nèi)部導(dǎo)體18c、18f及通孔導(dǎo)體b69 b71、b75 b79構(gòu)成。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體18c、18f分別設(shè)在絕緣體層16b、16c的表面上，在y軸方向延伸，呈在I軸方向的正方向側(cè)的端部往X軸方向的負(fù)方向側(cè)折曲的L字狀。內(nèi)部導(dǎo)體18c與內(nèi)部導(dǎo)體18f呈相同形狀，從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。又，通孔導(dǎo)體b69在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18c的一端與內(nèi)部導(dǎo)體18f的一端相連接。通孔導(dǎo)體b75在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內(nèi)部導(dǎo)體18c的另一端與內(nèi)部導(dǎo)體18f的另一端相連接。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體18c、18f彼此連接。通孔導(dǎo)體b70、b71分別在z軸方向貫通絕緣體層16c、16d。通孔導(dǎo)體b70、b71串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b70在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18f的一端。通孔導(dǎo)體b76飛79在z軸方向貫通絕緣體層16c 16f。通孔導(dǎo)體b76飛79串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b76在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18f的另一端。如上所述，從X軸方向的正方向側(cè)俯視時(shí)，線圈Ls3呈構(gòu)成字狀的環(huán)型線圈。內(nèi)部導(dǎo)體18m設(shè)在絕緣體層16j的表面上，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體18m在層疊體12內(nèi)隔著絕緣體層16 j與連接盤電極14c相對(duì)，具有比連接盤電極14c要大的面積，且從z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向)觀察時(shí)，包含連接盤電極14c。在內(nèi)部導(dǎo)體18m與連接盤電極14c之間未設(shè)有導(dǎo)體層。電容器Cs3由內(nèi)部導(dǎo)體18m、38e、38h及接地導(dǎo)體39a、39b構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體38e、38h分別設(shè)在絕緣體層16f、16h的表面上，呈在y軸方向延伸的長(zhǎng)方形。再者，接地導(dǎo)體39b比內(nèi)部導(dǎo)體18m更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。又，內(nèi)部導(dǎo)體38h比接地導(dǎo)體39b更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體18m與接地導(dǎo)體39b隔著絕緣體層16i彼此相對(duì)。同樣地，內(nèi)部導(dǎo)體38h與接地導(dǎo)體39b隔著絕緣體層16h彼此相對(duì)。即，在內(nèi)部導(dǎo)體18m、38h與接地導(dǎo)體39b之間分別形成有電容。再者，接地導(dǎo)體39a比內(nèi)部導(dǎo)體38h更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。又，內(nèi)部導(dǎo)體38e比接地導(dǎo)體39a更靠z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向的上側(cè))而設(shè)置。藉此，內(nèi)部導(dǎo)體38h與接地導(dǎo)體39a隔著絕緣體層16g彼此相對(duì)。同樣地，內(nèi)部導(dǎo)體38e與接地導(dǎo)體39a隔著絕緣體層16f彼此相對(duì)。即，在內(nèi)部導(dǎo)體38e、38h與接地導(dǎo)體39a之間分別形成有電容。又，通孔導(dǎo)體b72飛74在z軸方向貫通絕緣體層16e 16g。通孔導(dǎo)體b72飛74串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b72在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于通孔導(dǎo)體b71的負(fù)方向側(cè)的端部。通孔導(dǎo)體b72在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38e。通孔導(dǎo)體b74在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38h。又，通孔導(dǎo)體b82、b83在z軸方向貫通絕緣體層16h、16i。通孔導(dǎo)體b82、b83串 聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體，且通過(guò)缺口 A2內(nèi)。通孔導(dǎo)體b82在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體38h。通孔導(dǎo)體b83在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18m。S卩，通孔導(dǎo)體b82、b83將內(nèi)部導(dǎo)體18m與內(nèi)部導(dǎo)體38h相連接。通過(guò)按以上述方式連接內(nèi)部導(dǎo)體18m、38e、38h，將由內(nèi)部導(dǎo)體18m、38e、38h及接地導(dǎo)體39a、39b構(gòu)成的四個(gè)電容器相連接。此外，利用四個(gè)電容器形成有電容器Cs3。又，如上所述，通孔導(dǎo)體b83在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18m。再者，通孔導(dǎo)體b80、b81在z軸方向貫通絕緣體層16g、16h。通孔導(dǎo)體b80、b81串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b80在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于通孔導(dǎo)體b79在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部。通孔導(dǎo)體b81在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體39b。藉此，線圈Ls3與電容器Cs3并聯(lián)連接，從而構(gòu)成LC并聯(lián)諧振器LC3。又，通孔導(dǎo)體b84在z軸方向貫通絕緣體層16j。通孔導(dǎo)體b84在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于內(nèi)部導(dǎo)體18m。通孔導(dǎo)體b84在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于連接盤電極14c。藉此，由線圈Ls3與電容器Cs3構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC3經(jīng)由通孔導(dǎo)體b84連接于連接盤電極14c。又，通孔導(dǎo)體b67、b68在z軸方向貫通絕緣體層16i、16j。通孔導(dǎo)體b67、b68串聯(lián)連接，從而構(gòu)成一條通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體b67在z軸方向的正方向側(cè)的端部連接于接地導(dǎo)體39b。通孔導(dǎo)體b68在z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部連接于連接盤電極14b。藉此，由線圈Ls3與電容器Cs3構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC3經(jīng)由通孔導(dǎo)體b67、b68連接于連接盤電極14b。電容器Cml由內(nèi)部導(dǎo)體38a及內(nèi)部導(dǎo)體38d構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體38a設(shè)在絕緣體層16e的表面上，在y軸方向延伸，呈在I軸方向的正方向側(cè)的端部往X軸方向的正方向側(cè)折曲的L字狀。又，內(nèi)部導(dǎo)體38a連接于通孔導(dǎo)體b53、b54。如上所述，內(nèi)部導(dǎo)體38d設(shè)在絕緣體層16f的表面上，呈T字狀。又，內(nèi)部導(dǎo)體38d連接于通孔導(dǎo)體b88、b89。內(nèi)部導(dǎo)體38a及內(nèi)部導(dǎo)體38d隔著絕緣體層16e彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體38a、38d間形成有電容器Cmlo電容器Cm2由內(nèi)部導(dǎo)體38b及內(nèi)部導(dǎo)體38d構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體38b設(shè)在絕緣體層16e的表面上，在y軸方向延伸，呈在I軸方向的正方向側(cè)的端部往X軸方向的負(fù)方向側(cè)折曲的L字狀。又，內(nèi)部導(dǎo)體38b連接于通孔導(dǎo)體b71、b72。如上所述，內(nèi)部導(dǎo)體38d設(shè)在絕緣體層16f的表面上，呈T字狀。內(nèi)部導(dǎo)體38b及內(nèi)部導(dǎo)體38d隔著絕緣體層16e彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體38b、38d間形成有電容器Cm2。電容器Cpl由內(nèi)部導(dǎo)體18g及內(nèi)部導(dǎo)體38a、38b構(gòu)成。內(nèi)部導(dǎo)體18g設(shè)在絕緣體層16d的表面上，呈在X軸方向延伸的長(zhǎng)方形。內(nèi)部導(dǎo)體18g及內(nèi)部導(dǎo)體38a、38b隔著絕緣體層16d彼此相對(duì)。藉此，在內(nèi)部導(dǎo)體38a、18g之間及內(nèi)部導(dǎo)體18g、38b之間形成二個(gè)電容器。這二個(gè)電容器串聯(lián)連接，從而構(gòu)成電容器Cpl。以上述方式構(gòu)成的電子元器件IOa例如被用作帶通濾波器。但由于電子元器件IOa的動(dòng)作與電子元器件10的動(dòng)作相同，因此省略說(shuō)明。(效果)在上述電子元器件10a，與電子元器件10同樣地，在具有期望電容值的電容器CsU Cs3可獲得期望電容值。再者，在電子元器件10a，與電子元器件10同樣地，即使在獲得了具有期望電容值的電容器Csl、Cs3的情況下，也能維持連接盤電極14a 14c間的絕緣 性。又，根據(jù)電子元器件10a，在層疊絕緣體層16tTl6j時(shí)，即使絕緣體層16tTl6j在x軸方向偏移，電容器Csl、Cs3的電容值也不易變動(dòng)。更詳細(xì)而言，如圖6所示，缺口 Al、A2在X軸方向的深度D1、D2分別比內(nèi)部導(dǎo)體181、18m、38f、38h與缺口 A1、A2重疊的部分在x軸方向的寬度D3、D4要大。因此，即使絕緣體層16tTl6j在X軸方向偏移，內(nèi)部導(dǎo)體181、18m、38f、38h與接地導(dǎo)體39b相對(duì)的部分的面積也不會(huì)變化。其結(jié)果，根據(jù)電子元器件10a，在層疊絕緣體層16tTl6j時(shí)，即使絕緣體層16tTl6j在X軸方向偏移，電容器Csl、Cs3的電容值也不易變動(dòng)。本申請(qǐng)的發(fā)明人為了使能抑制電容器Csl、Cs3的電容值變動(dòng)的情況更明確，進(jìn)行了以下說(shuō)明的實(shí)驗(yàn)。具體而言，將電子元器件IOa制作成第I樣本，將未設(shè)置缺口 A1、A2的電子元器件制作成第2樣本。第2樣本中缺口 Al、A2以外的結(jié)構(gòu)與第I樣本相同。接著，使用第I樣本及第2樣本調(diào)查頻率與插入損耗之間的關(guān)系。圖7是表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。縱軸表示插入損耗，橫軸表示頻率。根據(jù)圖7，在第2樣本，可知在高頻信號(hào)的通帶中，插入損耗比第I樣本大。認(rèn)為其原因在于，在第2樣本中產(chǎn)生層疊偏移,從而電容器Csl、Cs3的電容值變小。因此,可知若采用電子元器件10a，電容器Csl、Cs3的電容值不易變動(dòng)。又，在電子元器件10a，可抑制電容器Csf Cs3的電容值變動(dòng)。更詳細(xì)而言，電容器Csf Cs3分別通過(guò)將多個(gè)電容器并聯(lián)連接來(lái)構(gòu)成，該多個(gè)電容器由多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體18、38與多個(gè)接地導(dǎo)體39所形成。因此，構(gòu)成各電容器Csf Cs3的多個(gè)電容器的電容值較小。因此，即使多個(gè)電容器中任一個(gè)電容器的電容值因?qū)盈B偏移等而變動(dòng)，電容器Csl Cs3的電容值變動(dòng)量也較小。因此，在電子元器件10a，可抑制電容器CsfCs3的電容值變動(dòng)。(變形例)以下，參照

變形例的內(nèi)部導(dǎo)體18’ I、18’ m、38’ f、38’ h及接地導(dǎo)體39’ b。圖8是層疊有絕緣體層16tTl6j的圖。如圖8所示，缺口 Al、A2在X軸方向的深度Dl、D2分別比內(nèi)部導(dǎo)體18，1、18，m、38’f、38’h與缺口 A1/A2重疊的部分在X軸方向的寬度D3、D4要大。然而，內(nèi)部導(dǎo)體18’I、18’ m、38’ f、38’ h與缺口 Al、A2重疊的部分在x軸方向的寬度D3、D4比內(nèi)部導(dǎo)體18’ I、18’ m、38’ f、38’ h的其他部分在x軸方向的寬度D5、D6小。藉此，能使缺口 A1、A2在x軸方向的深度Dl、D2變小。(第3實(shí)施方式)(電子元器件的結(jié)構(gòu))以下，參照

第3實(shí)施方式的電子元器件IOb的結(jié)構(gòu)。圖9是第3實(shí)施方式的電子元器件IOb的分解立體圖。圖10是第3實(shí)施方式的電子元器件IOb的等效電路圖。此外，電子元器件IOb的外觀立體圖援引圖I。此外，對(duì)電子元器件IOb的結(jié)構(gòu)內(nèi)的、與電子元器件10相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同參照標(biāo)號(hào)。電子元器件IOb與電子元器件10的不同點(diǎn)在于是否有通孔導(dǎo)體bl4、b30。更詳細(xì)而言，如圖9所示，在電子元器件10b，在連接盤電極14a與內(nèi)部電極181之間未設(shè)置通孔導(dǎo)體。因此，連接盤電極14a與內(nèi)部電極181在彼此絕緣的狀態(tài)下隔著絕緣體層16i彼此相對(duì)。藉此，在連接盤電極14a與內(nèi)部電極181之間形成有電容器Cxi。又，在連接盤電極14c與內(nèi)部電極18m之間也未設(shè)置通孔導(dǎo)體。因此，連接盤電極14c與內(nèi)部電極18m在彼此絕緣的狀態(tài)下隔著絕緣體層16i彼此相對(duì)。藉此，在連接盤電極14c與內(nèi)部電極18m之間形成有電容器Cx2。以上述方式構(gòu)成的電子元器件IOb例如被用作帶通濾波器。但由于電子元器件IOb的動(dòng)作與電子元器件10的動(dòng)作相同，因此省略說(shuō)明。(效果)在上述電子元器件10b，與電子元器件10同樣地，在電容器Csl、Cs3可獲得期望電容值。又,根據(jù)電子元器件IOb,在印刷連接盤電極14a、14c時(shí)，即使連接盤電極14a、14c稍微偏移，電容器Cxl、Cx2的電容值也不易變動(dòng)。更詳細(xì)而言，內(nèi)部導(dǎo)體181、18m分別在層疊體12內(nèi)隔著絕緣體層16i與連接盤電極14a、14c相對(duì)，具有比連接盤電極14a、14c要大的面積，且從z軸方向的正方向側(cè)(層疊方向)俯視時(shí)，包含連接盤電極14a、14c。因此，即使構(gòu)成電容器CxI、Cx2的內(nèi)部導(dǎo)體181、18m或連接盤電極14a、14c稍微偏移，內(nèi)部導(dǎo)體181、18m與連接盤電極14a、14c相對(duì)的部分的面積也不會(huì)變化。其結(jié)果,在電子元器件IOb,在印刷連接盤電極14a、14c時(shí)，即使連接盤電極14a、14c稍微偏移，電容器Cxl、Cx2的電容值也不易變動(dòng)。再者，根據(jù)電子元器件10b，即使印刷連接盤電極14a、14c的位置稍微偏移，從z軸方向俯視時(shí)，也會(huì)維持連接盤電極14a、14c包含在內(nèi)部導(dǎo)體181、18m內(nèi)的狀態(tài)。因此，在電子元器件10，可抑制連接盤電極14a、14c從內(nèi)部導(dǎo)體181、18m露出并與接地導(dǎo)體19相對(duì)從而形成電容。因而，可抑制電容器Cxl、Cx2從期望電容值偏離，且能防止電子元器件IOb的特性因不需要的電容而變化。如上所述，本發(fā)明對(duì)于電子元器件有用，尤其在可獲得具有期望電容值的電容器的方面較優(yōu)異。標(biāo)號(hào)說(shuō)明10、10a、IOb 電子元器件12 層疊體14 (14a 14c) 連接盤電極、
16(16a 16j) 絕緣體層18 (18a 18m)、38 (38a 38h) 內(nèi)部導(dǎo)體19,39 (39a, 39b)接地導(dǎo)體b (bl b41、b51 b97) 通孔導(dǎo)體
Lsl Ls3 線圈Csl Cs3、Cml、Cm2、Cpl、Cxl、Cx2 電容器
權(quán)利要求
1.一種電子元器件，其特征在于，包括 層疊體，該層疊體通過(guò)層疊多個(gè)絕緣體層而成； 連接盤電極，該連接盤電極設(shè)在所述層疊體的底面； 第I電容器導(dǎo)體，該第一電容器導(dǎo)體在所述層疊體內(nèi)隔著所述絕緣體層與所述連接盤電極相對(duì)，該第一電容器導(dǎo)體具有比該連接盤電極的面積要大的面積且從層疊方向俯視時(shí)，該第一電容器導(dǎo)體包含該連接盤電極；以及 第2電容器導(dǎo)體，該第2電容器導(dǎo)體比所述第I電容器導(dǎo)體更靠層疊方向的上側(cè)而設(shè)置，且與該第I電容器導(dǎo)體相對(duì)。
2.如權(quán)利要求I所述的電子元器件，其特征在于，在所述連接盤電極與所述第I電容器導(dǎo)體之間設(shè)有導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求I或2所述的電子元器件，其特征在于，還包括 第3電容器導(dǎo)體，該第3電容器導(dǎo)體比所述第2電容器導(dǎo)體更靠層疊方向的上側(cè)而設(shè)置，且與該第2電容器導(dǎo)體相對(duì)；以及 第I通孔導(dǎo)體，該第I通孔導(dǎo)體將所述第I電容器導(dǎo)體與所述第3電容器導(dǎo)體相連接； 在所述第2電容器導(dǎo)體設(shè)有從外緣朝向規(guī)定方向凹陷的缺口 ； 所述第I通孔導(dǎo)體通過(guò)所述缺口內(nèi)； 所述缺口在規(guī)定方向的深度大于所述第3電容器導(dǎo)體中的與該缺口重疊的部分在規(guī)定方向的寬度。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于， 所述第2電容器導(dǎo)體是接地導(dǎo)體。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于， 所述第I電容器導(dǎo)體及所述第2電容器導(dǎo)體形成電容器； 所述電容器構(gòu)成內(nèi)設(shè)在所述層疊體的LC濾波器的一部分。
6.如權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，還包括將所述連接盤電極與所述第I電容器導(dǎo)體相連接的第2通孔導(dǎo)體。
全文摘要
提供一種內(nèi)設(shè)有具有期望電容值的電容器的電子元器件。層疊體(12)由多個(gè)絕緣體層(16)層疊而成。連接盤電極(14a、14c)設(shè)在層疊體(12)的底面。內(nèi)部導(dǎo)體(18l、18m)分別在層疊體(12)內(nèi)隔著絕緣體層(16i)與連接盤電極(14a、14c)相對(duì)，具有比連接盤電極(14a、14c)的面積要大的面積且從z軸方向俯視時(shí)，包含連接盤電極(14a、14c)。電容器導(dǎo)體(19)比電容器導(dǎo)體(18l、18m)更靠z軸方向的正方向側(cè)而設(shè)置，且與電容器導(dǎo)體(18l、18m)相對(duì)。
文檔編號(hào)H03H7/12GK102754339SQ201280000446
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月16日
發(fā)明者佐佐木宏幸, 田丸育生 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所