Cr振蕩電路的制作方法
【專利摘要】在一種CR振蕩電路中，形成串聯(lián)電路的電阻元件包括具有顯著電阻溫度系數(shù)的第一電阻元件以及具有比第一電阻元件小的電阻溫度系數(shù)的第二電阻元件。用于振蕩的電容器和/或電阻元件是可微調(diào)的。如果所述比較器的輸出信號指示高電平，則連接于串聯(lián)電路和比較器的非反相輸入端子之間的第一開關(guān)電路導(dǎo)通，并且如果所述輸出信號處在低電平，則第二開關(guān)電路導(dǎo)通。
【專利說明】CR振蕩電路
[0001]對相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請基于2011年12月28日提交的日本專利申請N0.2011-287616和2012年7月2日提交的日本專利申請N0.2012-148429，在此通過引用將該日本專利申請的公開文本并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開涉及一種CR振蕩電路。

【背景技術(shù)】
[0004]CR振蕩電路的振蕩頻率隨著溫度而變化。于是，已經(jīng)提出了用于進(jìn)行校正以維持恒定振蕩頻率的各種技術(shù)。例如，在專利文獻(xiàn)I中，不校正CR振蕩電路自身的振蕩頻率，并且在基于振蕩時鐘信號確定通信速率的通信電路中，設(shè)置用于維持恒定通信速率的校正值。
[0005][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0006][專利文獻(xiàn)]
[0007][專利文獻(xiàn)l]JP-A-2006-270917(對應(yīng)于 US2006/0195711A1)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008][技術(shù)問題]
[0009]不過，在專利文獻(xiàn)I的配置中，必需要有檢測溫度的電路、存儲校正值的存儲器、基于校正值對CR振蕩電路的振蕩時鐘信號進(jìn)行倍增的數(shù)字PLL電路等。于是，存在電路尺寸增大且設(shè)置校正值的過程變復(fù)雜的問題。
[0010]鑒于以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種能夠利用簡單配置調(diào)節(jié)溫度特性的CR振蕩電路。
[0011][問題的解決方案]
[0012]根據(jù)本公開第一方面的CR振蕩電路包括電容器、振蕩電阻元件、比較器、串聯(lián)電路、第一開關(guān)電路和第二開關(guān)電路。比較器具有經(jīng)由電容器連接到地并經(jīng)由振蕩電阻元件連接到輸出端子的反相輸入端子。串聯(lián)電路包括串聯(lián)連接于電源和地之間的至少三個電阻元件。第一開關(guān)電路的一端連接到處于所述串聯(lián)電路中并連接到所述電源的電阻元件的低電勢側(cè)端子，另一端連接到所述比較器的非反相輸入端子。第二開關(guān)電路的一端連接到處在所述串聯(lián)電路中并連接到所述地的電阻元件的高電勢側(cè)端子，另一端連接到所述非反相輸入端子。在所述比較器的輸出信號處在高電平時，導(dǎo)通所述第一開關(guān)電路，在所述輸出信號處在低電平時，導(dǎo)通所述第二開關(guān)電路。形成串聯(lián)電路的電阻元件包括具有大電阻溫度系數(shù)的第一電阻元件以及具有比第一電阻元件的電阻溫度系數(shù)更小的電阻溫度系數(shù)的第二電阻元件。所述電容器和所述振蕩電阻元件中的至少一個被配置成可微調(diào)。
[0013]根據(jù)第一方面的CR振蕩電路能夠利用簡單的配置調(diào)節(jié)溫度特性。
[0014]根據(jù)本公開第二方面的CR振蕩電路包括電容器、振蕩電阻元件、比較器、串聯(lián)電路、第一開關(guān)電路和第二開關(guān)電路。比較器具有經(jīng)由電容器連接到地并經(jīng)由振蕩電阻元件連接到輸出端子的反相輸入端子。串聯(lián)電路包括串聯(lián)連接于電源和地之間的至少三個電阻元件。第一開關(guān)電路的一端連接到處于所述串聯(lián)電路中并連接到所述電源的電阻元件的低電勢側(cè)端子，另一端連接到所述比較器的非反相輸入端子。第二開關(guān)電路的一端連接到處在所述串聯(lián)電路中并連接到所述地的電阻元件的高電勢側(cè)端子，另一端連接到所述非反相輸入端子。在所述比較器的輸出信號處在高電平時，導(dǎo)通所述第一開關(guān)電路，在所述輸出信號處在低電平時，導(dǎo)通所述第二開關(guān)電路。振蕩電阻元件由具有比形成串聯(lián)電路的電阻元件的電阻溫度系數(shù)更小的電阻溫度系數(shù)的第一電阻元件和配置成可微調(diào)的第二電阻元件的串聯(lián)電路形成。
[0015]根據(jù)第二方面的CR振蕩電路也能夠利用簡單的配置調(diào)節(jié)溫度特性。
[0016]根據(jù)本公開第三方面的CR振蕩電路包括電容器、振蕩電阻元件、比較器、串聯(lián)電路、第一開關(guān)電路和第二開關(guān)電路。比較器具有經(jīng)由電容器連接到地并經(jīng)由振蕩電阻元件連接到輸出端子的反相輸入端子。串聯(lián)電路包括串聯(lián)連接于電源和地之間的至少三個電阻元件。第一開關(guān)電路的一端連接到處于所述串聯(lián)電路中并連接到所述電源的電阻元件的低電勢側(cè)端子，另一端連接到所述比較器的非反相輸入端子。第二開關(guān)電路的一端連接到處在所述串聯(lián)電路中并連接到所述地的電阻元件的高電勢側(cè)端子，另一端連接到所述非反相輸入端子。在所述比較器的輸出信號處在高電平時，導(dǎo)通所述第一開關(guān)電路，在所述輸出信號處在低電平時，導(dǎo)通所述第二開關(guān)電路。振蕩電阻元件比形成串聯(lián)電路的電阻元件具有更小的電阻溫度系數(shù)，電容器被配置成可微調(diào)。
[0017]根據(jù)第三方面的CR振蕩電路也能夠利用簡單的配置調(diào)節(jié)溫度特性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]根據(jù)參考附圖做出的以下詳細(xì)描述，本公開的以上和其他目的、特征和優(yōu)點將變得更加明顯。在附圖中:
[0019]圖1是示出了根據(jù)本公開的第一實施例的CR振蕩電路的圖；
[0020]圖2是示出了電容器的端電壓Vc和比較器的輸出信號Vo的波形的圖；
[0021]圖3A是示出了溫度和振蕩頻率之間的關(guān)系的圖；
[0022]圖3B是示出了比較器的溫度和輸出響應(yīng)延遲時間之間的關(guān)系的圖；
[0023]圖4是解釋調(diào)節(jié)CR振蕩電路的溫度特性的方法的圖；
[0024]圖5是解釋CR振蕩電路的振蕩頻率被最終調(diào)節(jié)的狀態(tài)的圖；
[0025]圖6是示出了根據(jù)本公開的第二實施例的CR振蕩電路的圖；
[0026]圖7是解釋調(diào)節(jié)根據(jù)第二實施例的CR振蕩電路的溫度特性的方法的圖；
[0027]圖8是不出了根據(jù)本公開的第三實施例的CR振蕩電路的圖；
[0028]圖9是示出了根據(jù)本公開的第四實施例的CR振蕩電路的圖；
[0029]圖10是示出了電容器的端電壓Vc和比較器的輸出信號Vo的波形的圖；
[0030]圖11是解釋調(diào)節(jié)根據(jù)第四實施例的CR振蕩電路的溫度特性的方法的圖；
[0031]圖12是解釋根據(jù)第四實施例的CR振蕩電路的振蕩頻率被最終調(diào)節(jié)的狀態(tài)的圖；以及
[0032]圖13是示出了根據(jù)本公開的第五實施例的CR振蕩電路的圖。

【具體實施方式】
[0033](第一實施例)
[0034]將參考圖1到圖5描述根據(jù)本公開的第一實施例的CR振蕩電路6。如圖1中所示，電阻元件R1-R3在電源VDD和地之間串聯(lián)連接并形成串聯(lián)電路I。電阻元件R1、R3(第一電阻元件)具有正溫度特性。選擇電阻元件R2以具有比電阻元件Rl，R3的電阻溫度系數(shù)更小的電阻溫度系數(shù)且由可微調(diào)元件形成?？梢詰?yīng)用任何微調(diào)方法。例如，可以使用可變電阻元件或可以進(jìn)行激光微調(diào)。
[0035]在將CR振蕩電路6形成為例如集成電路時，可以將電阻的溫度系數(shù)大約為9000ppm/°C的P阱電阻器用作電阻元件Rl、R3。作為電阻元件R2，可以使用比電阻元件RU R3具有更小電阻溫度系數(shù)的元件，例如CrSi電阻器(其電阻溫度系數(shù)大約為土幾個I Oppm/°C )。
[0036]電阻元件Rl、R2的公共連接點(電阻元件Rl的低電勢側(cè)端子)經(jīng)由第一開關(guān)電路2連接到比較器4的非反相輸入端子。電阻元件R2、R3的公共連接點(電阻元件的高電勢側(cè)端子)經(jīng)由第二開關(guān)電路3連接到非反相輸入端子。比較器4的反相輸入端子經(jīng)由電容器Cl連接到地，并經(jīng)由電阻元件R4(振蕩電阻元件)連接到比較器4的輸出端子。
[0037]施加比較器4的輸出信號Vo作為切換第一開關(guān)電路2和第二開關(guān)電路3的控制信號。第二開關(guān)電路3接收經(jīng)由非門5反相的信號。在控制信號處于高電平時導(dǎo)通開關(guān)電路2和3。在輸出信號Vo處在高電平時,僅導(dǎo)通第一開關(guān)電路2。在輸出信號Vo處在低電平時，僅導(dǎo)通第二開關(guān)電路3。開關(guān)電路2、3可以由晶體管或模擬開關(guān)等形成。以上部件形成CR振蕩電路6。
[0038]接下來，將參考圖2到圖5描述本實施例的操作。圖2是示出了電容器Cl的端電壓(反相輸入端子的電勢)Vc和比較器的輸出信號Vo的波形的圖。在輸出信號Vo處在高電平的期間，電容器Cl被充電,端電壓Vc升高。在輸出信號Vo處在低電平的期間，電容器Cl被放電，端電壓Vc降低。
[0039]在圖2中，由虛線示出了施加到比較器4的反相輸入端子的兩個閾值電壓VrefH、VrefL0在輸出信號Vo處在高電平的期間，因為第一開關(guān)電路2被導(dǎo)通，所以閾值電壓變成更高電平的VrefH。在輸出信號Vo處在低電平的期間，因為第二開關(guān)電路3被導(dǎo)通，所以閾值電壓變成更低電平的VrefL。圖2中所示的“延遲”是由比較器4的溫度特性導(dǎo)致的，并且表示由于溫度升高，輸出信號Vo的變化的時間比端電壓Vc與閾值電壓VrefH、VrefL相交的時間點延遲。
[0040]圖3A是示出了溫度和未進(jìn)行調(diào)節(jié)的CR振蕩電路的振蕩頻率之間關(guān)系的圖。換言之，圖3A示出了由于比較器4的輸出響應(yīng)延遲時間增大而導(dǎo)致的振蕩頻率變化。圖3B示出了溫度和比較器4的輸出響應(yīng)延遲時間之間的關(guān)系。CR振蕩電路的振蕩頻率隨著溫度升高而減小。另一方面，因為電阻元件R1、R3具有正的溫度特性，所以電阻元件R1、R3的電阻值隨著溫度升高而增大，并且圖2中所示的閾值電壓VrefH、VrefL的電勢差減小(延遲時間減小)。此外，如果微調(diào)電阻元件R2以減小電阻值，閾值電壓VrefH、VrefL的電勢差減小。于是，如果改變電阻元件R2的電阻值，閾值VrefH、VrefL的電勢差的收縮程度隨著溫度升高而變化，并且可以調(diào)節(jié)比較器4的溫度特性。
[0041 ] 圖4是解釋通過微調(diào)電阻元件R2的電阻值來調(diào)節(jié)CR振蕩電路6的溫度特性的方法的圖?；谔摼€例示的比較器4的溫度特性的振蕩頻率特性隨著溫度升高而以類似于圖3A的方式向右下方減小。此外，由于電阻元件Rl、R3的溫度特性與電阻元件R2的電阻值增大或減小的結(jié)果的組合，圖中點劃線例示的基于比較器4閾值電壓的溫度特性的振蕩頻率特性從向右下側(cè)減小的特性連續(xù)變化到向右上側(cè)增加的特性。然后，CR振蕩電路6的溫度特性變成兩種特性的合成。
[0042]于是，操作員監(jiān)測輸出信號Vo的頻率，同時改變CR振蕩電路6的操作環(huán)境溫度，并微調(diào)電阻元件R2的電阻值。結(jié)果，如圖4中的實線所示，將振蕩頻率調(diào)節(jié)為在預(yù)期工作溫度范圍中幾乎恒定。圖5是解釋CR振蕩電路6的振蕩頻率被最終調(diào)節(jié)的狀態(tài)的圖。在通過圖4所示的調(diào)節(jié)將溫度特性調(diào)節(jié)到幾乎平坦之后，微調(diào)電阻元件R4的電阻值，使得振蕩頻率接近目標(biāo)值。
[0043]也可以微調(diào)電容器Cl的電容，或者也可以并行微調(diào)兩者。簡而言之，僅必須調(diào)節(jié)CR振蕩電路6的CR時間常數(shù)。在微調(diào)電容的情況下，例如，可以準(zhǔn)備多個電容器，并且可以改變并聯(lián)的數(shù)量。
[0044]如上所述，在本實施例中，包括三個電阻元件R1-R3的串聯(lián)電路I設(shè)置于電源VDD和地之間，電阻元件Rl、R3被選擇為具有正的溫度特性，電阻元件R2被選擇為具有比電阻元件Rl、R3小的電阻溫度系數(shù)。此外，電容器Cl和電阻元件R4中的至少一個被選擇為是可微調(diào)的。在比較器4的輸出信號Vo處在高電平時，導(dǎo)通在串聯(lián)電路I和比較器4的非反相輸入端子之間連接的第一開關(guān)電路2。在輸出信號Vo處在低電平時，導(dǎo)通第二開關(guān)電路
3。于是，在微調(diào)電阻元件R2的電阻值時，可以通過與具有正溫度特性的電阻元件R1、R3的電阻值的改變組合，改變閾值電壓VrefHJrefL之間的電勢差，并可以調(diào)節(jié)比較器4的溫度特性，使得即使在溫度變化時，輸出信號Vo的頻率也幾乎恒定。
[0045](第二實施例)
[0046]將參考圖6和圖7描述根據(jù)本公開的第二實施例的CR振蕩電路11。與第一實施例相同的部分由相同附圖標(biāo)記表不并將省略關(guān)于這些部分的描述。下文將描述與第一實施例不同的部分。CR振蕩電路11與CR振蕩電路6不同之處在于由串聯(lián)電路12取代了串聯(lián)電路I。串聯(lián)電路12包括串聯(lián)連接的電阻元件Rlx-R3x。在這種情況下，電阻元件R2x是具有負(fù)溫度特性的元件(第一電阻元件)。電阻元件Rlx、R3x是具有比電阻元件R2x小的電阻溫度系數(shù)且可微調(diào)的元件(第二電阻元件)。
[0047]接下來，將參考圖7描述CR振蕩電路11的工作。在CR振蕩電路11中，形成串聯(lián)電路12的電阻元件Rlx-R3x的溫度特性的組合和可微調(diào)元件與第一實施例相反。因為電阻元件R2x具有負(fù)溫度特性，所以電阻元件R2x的電阻值隨著溫度升高而減小，并且閾值電壓VrefH、VrefL的電勢差減小。此外，在通過微調(diào)來增大電阻元件Rlx、R3x的電阻值時，電勢差減小，并且在電阻值減小時，電勢差增大。于是，通過組合以上特性，可以如圖7所示，以類似于第一實施例的方式調(diào)節(jié)輸出信號Vo的頻率。在這種情況下，優(yōu)選微調(diào)電阻元件Rlx、R3x,使得Rlx、R3x的增加/減小值彼此相等。
[0048]如上所述，根據(jù)本實施例，在串聯(lián)電路12中，一端連接到電源的電阻元件Rlx和一端連接到地的電阻元件R3x是可微調(diào)的，并且連接于兩個電阻元件之間的電阻元件R2x具有負(fù)特性。于是，可以通過組合來調(diào)節(jié)比較器4的輸出響應(yīng)的延遲，并且可以獲得類似于第一實施例的效果。
[0049](第三實施例)
[0050]將參考圖8描述根據(jù)本公開的第三實施例的CR振蕩電路6A。在本實施例中，作為第二電阻元件的電阻元件R2a與電阻元件R2并聯(lián)連接。可以通過類似于第一實施例的方式對電阻元件R2進(jìn)行微調(diào)。否則，可以將電阻元件R2a與電阻元件R2串聯(lián)連接，或者可以將其他電阻元件(其溫度特性等于電阻元件R1、R3的溫度特性)與作為第一電阻元件的電阻元件Rl、R3串聯(lián)或并聯(lián)連接。換言之，第一到第三電阻元件中的每個都可以由超過一個元件形成。
[0051](第四實施例)
[0052]將參考圖9到圖12描述根據(jù)本公開的第四實施例的CR振蕩電路21。在根據(jù)本實施例的CR振蕩電路21中，由電阻元件R2b替代形成第一實施例的串聯(lián)電路I的電阻元件R2，以形成串聯(lián)電路22。電阻元件R2b與電阻元件R1、R3具有相同的電阻溫度系數(shù)(相同的材料)并被配置成可以通過類似于電阻元件R2的方式微調(diào)。此外，在運算放大器4的輸出端子和電阻元件R4(對應(yīng)于第二電阻元件)之間，插入電阻元件R5(對應(yīng)于第一電阻元件)。
[0053]電阻元件R5比電阻元件R4具有更小的電阻溫度系數(shù)。例如，可以將CrSi電阻器以類似于根據(jù)第一實施例的電阻元件R2的方式用作電阻元件R5，或者電阻元件R5可以由具有負(fù)溫度特性的材料，以類似于第二實施例的電阻元件R2x的方式制造。電阻元件R4、R5的串聯(lián)復(fù)合電阻器被稱為Rf(振蕩電阻元件)。
[0054]接下來，將參考圖10到圖12描述第四實施例的工作。如上所述，基于比較器4的溫度特性的振蕩頻率特性隨著溫度升高而減小。在本實施例中，電阻元件R5比電阻元件R4具有更小的電阻溫度系數(shù)，或者具有負(fù)溫度特性，存在調(diào)節(jié)比較器4的溫度特性的關(guān)系。在微調(diào)電阻元件R4的電阻值時，復(fù)合電阻器Rf的電阻值變化，并且電阻元件R5的溫度特性對振蕩頻率的貢獻(xiàn)權(quán)重也變化。
[0055]如圖10中所示，在復(fù)合電阻器Rf的電阻值減小時，電容器Cl的充電和放電速度增大，并且振蕩頻率增大。在復(fù)合電阻器Rf的電阻值增大時，充電和放電速度減小，并且振蕩頻率減小。在對應(yīng)于圖4的圖11中，以點劃線示出的基于比較器4溫度特性的振蕩頻率特性基本上具有向右下側(cè)減小的特性?；趶?fù)合電阻器Rf的溫度特性的振蕩頻率特性基本上具有向右上側(cè)增大的特性。因為兩者的合成是CR振蕩電路21的振蕩頻率特性，所以可以在通過微調(diào)電阻元件R4來改變復(fù)合電阻器Rf的電阻值時，調(diào)節(jié)上述特性。
[0056]于是，操作員監(jiān)測輸出信號Vo的頻率，同時改變CR振蕩電路21的操作環(huán)境溫度，并微調(diào)電阻元件R4的電阻值。結(jié)果，如圖11中的實線所示，將振蕩頻率調(diào)節(jié)到在預(yù)期工作溫度范圍中幾乎恒定。然后，如圖12中所示，在將溫度特性調(diào)節(jié)到幾乎平坦之后，微調(diào)串聯(lián)電路22中的電阻元件R2b的電阻值(在這里，改變比較器4的閾值)，使得CR振蕩電路21的振蕩頻率最終接近目標(biāo)值。
[0057]如上所述，在本實施例中，形成串聯(lián)電路22的電阻元件Rl、R2b、R3由具有相同電阻溫度系數(shù)的材料制造，并且振蕩電阻元件Rf由被配置成可微調(diào)的電阻元件R4和電阻元件R5的串聯(lián)電路形成，電阻元件R5比電阻元件R4具有更小溫度特性或具有負(fù)溫度特性。
[0058]于是，可以通過使用電阻元件R5來限制振蕩頻率相對于溫度升高而減小。在微調(diào)電阻元件R4的電阻值時，振蕩電阻元件Rf中的電阻元件R5的權(quán)重改變，電容器Cl的充電和放電速度改變，并且可以調(diào)節(jié)振蕩頻率。因此，調(diào)節(jié)比較器4的輸出響應(yīng)延遲，并且可以調(diào)節(jié)振蕩頻率的溫度特性。因為形成串聯(lián)電路22的電阻元件R2b被配置成可微調(diào)，所以即使在形成串聯(lián)電路22的電阻元件的電阻值變化時，也可以之后通過微調(diào)來調(diào)節(jié)電阻值，并可以以更高的精確度調(diào)節(jié)溫度特性。
[0059](第五實施例)
[0060]將參考圖13描述根據(jù)本公開第五實施例的CR振蕩電路31。根據(jù)本實施例的CR振蕩電路31與根據(jù)第四實施例的CR振蕩電路21不同之處在于，省略了電阻元件R2，并且用可微調(diào)的電容器C2替代了電容器Cl。也是在這種配置中，因為可以通過改變電容器C2的電容來調(diào)節(jié)充電和放電速度，所以可以獲得類似于第四實施例的效果。
[0061]本公開不僅限于上文或附圖所述的實施例，并且以下修改或擴(kuò)展是可能的。
[0062]在第一到第三實施例中，第二電阻元件是可微調(diào)的元件。不過，并非始終需要第二電阻元件可微調(diào)。如果可以事先掌握CR振蕩電路的溫度特性和第一電阻元件的溫度特性，則可以考慮溫度特性來選擇第二電阻元件的電阻值。
[0063]例如，也可以使用金屬膜電阻器作為第一實施例中的第一電阻元件。例如，也可以使用碳膜電阻器作為第二實施例中的第一電阻元件。例如，也可以使用除CrSi電阻器之外的金屬膜電阻器作為第二電阻元件。還是在第四和第五實施例中，可以根據(jù)需要將電阻元件R2b配置成可微調(diào)的。
【權(quán)利要求】
1.一種CR振蕩電路,包括: 電容器(Cl)； 振蕩電阻元件(R4)； 具有反相輸入端子的比較器(4)，所述反相輸入端子經(jīng)由所述電容器(Cl)連接到地，并且經(jīng)由所述振蕩電阻元件(R4)連接到輸出端子； 串聯(lián)電路(l，la，12)，其包括至少三個串聯(lián)連接于電源和所述地之間的電阻元件(R1，Rlx, R2, R2a, R2x, R3, R3x)； 第一開關(guān)電路(2)，其一端連接到處于所述串聯(lián)電路(l，la，12)中的、并且連接到所述電源的所述電阻元件(Rl，Rlx)的低電勢側(cè)端子，并且所述第一開關(guān)電路(2)的另一端連接到所述比較器⑷的非反相輸入端子；以及 第二開關(guān)電路(3)，其一端連接到處于所述串聯(lián)電路(l，la，12)中的、并且連接到所述地的電阻元件(R3，R3x)的高電勢側(cè)端子，并且第二開關(guān)電路(3)的另一端連接到所述非反相輸入端子，其中 在所述比較器(4)的輸出信號處于高電平時，所述第一開關(guān)電路(2)被導(dǎo)通，并且在所述輸出信號處于低電平時，所述第二開關(guān)電路(3)被導(dǎo)通， 形成所述串聯(lián)電路(I, Ia, 12)的所述電阻元件(R1, Rlx, R2，R2a，R2x, R3，R3x)包括具有大電阻溫度系數(shù)的第一電阻元件(Rl，R2x, R3)和具有比所述第一電阻元件(Rl，R2x,R3)的電阻溫度系數(shù)小的電阻溫度系數(shù)的第二電阻元件(Rlx，R2，R2a，R3x)， 并且 所述電容器(Cl)和所述振蕩電阻元件(R4)中的至少一個被配置成可調(diào)整。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CR振蕩電路，其中 所述第二電阻元件(Rlx，R2, R2a，R3x)被配置成可微調(diào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CR振蕩電路，其中 所述第一電阻元件(Rl，R3)具有正溫度特性并包括一端連接到所述電源的電阻元件(Rl)和一端連接到所述串聯(lián)電路(I)中的所述地的電阻元件(R3)，并且所述第二電阻元件(R2)連接于兩個所述第一電阻元件(R1，R3)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CR振蕩電路，其中 所述第二電阻元件(Rlx，R3x)包括一端連接到所述電源的電阻元件(Rlx)和一端連接到所述串聯(lián)電路中的所述地的電阻元件(R3x)，并且 所述第一電阻元件(R2x)連接于兩個所述第二電阻元件(Rlx，R3x)之間，并具有負(fù)溫度特性。
5.—種CR振蕩電路包括: 電容器(Cl)； 振蕩電阻元件(Rf)； 具有反相輸入端子的比較器(4)，所述反相輸入端子經(jīng)由所述電容器(Cl)連接到地，并且經(jīng)由所述振蕩電阻元件(Rf)連接到輸出端子； 串聯(lián)電路(22)，其包括至少三個串聯(lián)連接于電源和所述地之間的電阻元件(Rl，R2b，R3)； 第一開關(guān)電路(2)，其一端連接到處于所述串聯(lián)電路(22)中的、并且連接到所述電源的電阻元件(Rl)的低電勢側(cè)端子，并且所述第一開關(guān)電路(2)的另一端連接到所述比較器(4)的非反相輸入端子；以及 第二開關(guān)電路(3)，其一端連接到處在所述串聯(lián)電路(22)中的、并且連接到所述地的電阻元件(R3)的高電勢側(cè)端子，并且所述第二開關(guān)電路(3)的另一端連接到所述非反相輸入端子，其中 在所述比較器(4)的輸出信號處于高電平時，所述第一開關(guān)電路(2)被導(dǎo)通，并且在所述輸出信號處于低電平時，所述第二開關(guān)電路(3)被導(dǎo)通， 所述振蕩電阻元件(Rf)由第一電阻元件(R5)和被配置成能夠被調(diào)整的第二電阻元件(R4)的串聯(lián)電路形成，所述第一電阻元件(R5)的電阻溫度系數(shù)比形成所述串聯(lián)電路的電阻元件(Rl，R2b，R3)的電阻溫度系數(shù)小。
6.—種CR振蕩電路包括: 電容器(Cl)； 振蕩電阻元件(R5)； 具有反相輸入端子的比較器(4)，所述反相輸入端子經(jīng)由所述電容器(Cl)連接到地，并且經(jīng)由所述振蕩電阻元件(R5)連接到輸出端子；串聯(lián)電路(22)，其包括至少三個串聯(lián)連接于電源和所述地之間的電阻元件(Rl，R2b，R3)； 第一開關(guān)電路(2)，其一端連接到處于所述串聯(lián)電路(22)中并且連接到所述電源的電阻元件(Rl)的低電勢側(cè)端子，并且另一端連接到所述比較器(4)的非反相輸入端子；以及第二開關(guān)電路(3)，其一端連接到處于所述串聯(lián)電路(22)中并且連接接到所述地的電阻元件(R3)的高電勢側(cè)端子，并且另一端連接到所述非反相輸入端子，其中 在所述比較器(4)的輸出信號處在高電平時，所述第一開關(guān)電路(2)被導(dǎo)通，并且在所述輸出信號處在低電平時，所述第二開關(guān)電路(3)被導(dǎo)通， 所述振蕩電阻元件(R5)比起形成所述串聯(lián)電路(22)的電阻元件(Rl，R2b，R3)具有更小的電阻溫度系數(shù)，并且 所述電容器(Cl)被配置成可微調(diào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的CR振蕩電路，其中 形成所述串聯(lián)電路(22)的電阻元件(Rl，R2b，R3)中的一個被配置成是可微調(diào)的。
【文檔編號】H03K3/0231GK104054262SQ201280064970
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月28日
【發(fā)明者】松尾一心 申請人:株式會社電裝