專利名稱：射頻功率放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種射頻功率放大器。
背景技術(shù)：
GSM (Global System for Mobile Communication,全球移動通信系統(tǒng))及 EDGE(Enhanced Data Rate for GSM Evolution,增強(qiáng)數(shù)據(jù)速率的GSM演進(jìn))移動通信標(biāo)準(zhǔn)是目前世界上應(yīng)用最為廣泛的移動通信標(biāo)準(zhǔn)，GSM手持設(shè)備的出貨量，占據(jù)了目前所有移動通信設(shè)備出貨量的絕大多數(shù)。盡管CDMA (Code Division Multiple Access,碼分多址)/WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access,寬帶碼分多址)等新一代移動通信系統(tǒng)正在全球范圍內(nèi)越來越廣泛地進(jìn)行部署和應(yīng)用，其手持設(shè)備仍然需要支持GSM/EDGE等通信標(biāo)準(zhǔn)。因此，對于手持設(shè)備制造廠商來說，降低GSM/EDGE部分器件成本對于提升其產(chǎn)品競爭力具有非常重要的意義。在GSM/EDGE通信系統(tǒng)中，射頻功率放大器是必不可少的關(guān)鍵組成部分，并且射頻功率功率放大器的成本占據(jù)了所有射頻前端成本的絕大部分，而且其性能也是影響整個GSM/EDGE手持設(shè)備性能的重要因素。目前，大多數(shù)GSM射頻功率放大器的管芯是采用砷化嫁異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(GaAs Heterojunction Bipolar Transistor,簡稱:GaAsHBT)或者金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor, MOSFET)工藝制造,而這些半導(dǎo)體工藝相對于常用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,簡稱:CMOS)工藝來說，價格高昂且供應(yīng)商集中于有限的幾家半導(dǎo)體公司。眾所周知，通信系統(tǒng)的數(shù)字基帶芯片采用CMOS半導(dǎo)體工藝，隨著CMOS制造工藝和電路設(shè)計技術(shù)進(jìn)步，芯片集成度越來越高。因此，產(chǎn)業(yè)界的一個趨勢是研究用廉價的CMOS工藝制造GSM/EDGE射頻功率放大器的方案，以提高系統(tǒng)集成度，降低成本。近年來，基于CMOS工藝的射頻功率放大器取得了一些進(jìn)展，然而目前面世的CMOS射頻功率放大器產(chǎn)品僅能支持GSM通信且性能較低，還不能實現(xiàn)同時支持EDGE以及第三代通信標(biāo)準(zhǔn)。在US6701138發(fā)明專利中，公開了一種GSM射頻功率放大器功率控制的方法，其基本思想是通過控制GSM射頻功率放大器管芯的供電電源電壓來控制其輸出射頻功率的大小。這種功率控制方法及其類似方法在業(yè)界被廣泛使用，然而眾所周知，GSM射頻功率放大器供電電源通常需要輸出高達(dá)IA以上的電流，因此這種功率控制方式需要較為復(fù)雜的電路處理，并需要較大尺寸的芯片面積來實現(xiàn)。綜上所述，需要提供一種CMOS射頻功率放大器，能夠支持GSM/EDGE以及第三代UMTS (Universal Mobile Telecommunications System,通用移動通信系統(tǒng))通信甚至第四代LTE (Long Term Evolution,長期演進(jìn))等通信標(biāo)準(zhǔn)，同時具有高性能及低成本優(yōu)勢,是亟待解決的問題
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種射頻功率放大器，可以支持GSM/EDGE通信標(biāo)準(zhǔn)，具有高性能、低成本優(yōu)勢，可以有效降低GSM/EDGE手持設(shè)備的整體功率消耗和生產(chǎn)成本，并具有可與GSM/EDGE移動通信終端中其他CMOS芯片進(jìn)行集成的優(yōu)勢。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種射頻功率放大器，包括射頻信號處理單元、驅(qū)動單元和輸出單元，其中:射頻信號處理單元，用于利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中將第一射頻信號和第二射頻信號在具有相同相位時稱為零角度參考矢量信號，第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的范圍為0°到90° ;驅(qū)動單元，用于分別對第一射頻信號和第二射頻信號進(jìn)行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號；輸出單元，用于利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號。優(yōu)選的，射頻信號處理單兀包括分配器、第一移相器、第二移相器、第一矢量信號處理器、第二矢量信號處理器，其中:分配器，用于將輸入射頻信號分別分配到第一移相器和第二移相器；第一移相器，用于利用接收的輸入射頻信號生成第一相位信號；第二移相器，用于利用接收的輸入射頻信號生成第二相位信號，其中第一相位信號和第二相位信號的相位差為90° ;第一矢量信號處理器，用于利用第一相位信號和第二相位信號生成第一射頻信號;第二矢量信號處理器，用于利用第一相位信號和第二相位信號生成第二射頻信號。優(yōu)選的，第一矢量信號處理器還用于根據(jù)第一控制信號，調(diào)整第一角度的大??；第二矢量信號處理器還用于根據(jù)第一控制信號，調(diào)整第二角度的大小。優(yōu)選的，第一矢量信號處理器還用于根據(jù)第二控制信號，使第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差；和/ 或第二矢量信號處理器還用于根據(jù)第二控制信號，使第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差。優(yōu)選的，驅(qū)動單元包括第一放大器和第二放大器，其中:第一放大器，用于對第一射頻信號進(jìn)行放大，以得到第一放大信號；第二放大器，用于對第二射頻信號進(jìn)行放大，以得到第二放大信號。優(yōu)選的，射頻功率放大器還包括控制單元，用于控制驅(qū)動單元和輸出單元中有源器件的偏置電壓。優(yōu)選的，不同發(fā)射功率值對應(yīng)的第一角度和第二角度之和不同。優(yōu)選的，輸出單元包括至少一個射頻輸出模塊，在每個射頻輸出模塊中，包括兩組晶體管和電磁耦合變壓器，電磁耦合變壓器包括初級線圈和次級線圈，其中在第一組晶體管中，第一晶體管和第二晶體管的柵極分別與第一放大信號連接，第一晶體管的源極接地，第一晶體管的漏極與第二晶體管的漏極連接，第二晶體管的源極與第一電源連接；在第二組晶體管中，第三晶體管和第四晶體管的柵極分別與第二放大信號連接，第三晶體管的源極接地，第三晶體管的漏極與第四晶體管的漏極連接，第四晶體管的源極與第一電源連接；第一晶體管和第二晶體管的漏極還與初級線圈的第一端連接，第三晶體管和第四晶體管的漏極還與初級線圈的第二端連接；當(dāng)輸出單元僅包括一個射頻輸出模塊時，次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，次級線圈的第二端接地；當(dāng)輸出單元包括N個射頻輸出模塊時，N為大于I的自然數(shù)，第i個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端與第1-Ι個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端連接，l〈i < N，第I個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，第N個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端接地。優(yōu)選的，在每個射頻輸出模塊中，初級線圈的第一端通過第一堆疊晶體管集合與第一晶體管連接，在第一堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊晶體管的源極與第一晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，M為大于I的自然數(shù)，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+1個堆疊晶體管的漏極連接，I ( j〈M，第I個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第一晶體管的漏極連接；初級線圈的第一端通過第二堆疊晶體管集合與第二晶體管連接，在第二堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)诙询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊晶體管的源極與第二晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+Ι個堆疊晶體管的漏極連接，第I個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第二晶體管的漏極連接；初級線圈的第二端通過第三堆疊晶體管集合與第三晶體管連接，在第三堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)谌询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊晶體管的源極與第三晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+Ι個堆疊晶體管的漏極連接，第I個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第三晶體管的漏極連接；初級線圈的第二端通過第四堆疊晶體管集合與第四晶體管連接，在第四堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)谒亩询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊晶體管的源極與第四晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+Ι個堆疊晶體管的漏極連接，第I個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第四晶體管的漏極連接。本發(fā)明通過利用第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有的順時針角度差、以及第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有的逆時針角度差，可以對射頻功率放大器的輸出功率大小進(jìn)行控制，從而滿足通信系統(tǒng)的功率控制要求。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明射頻功率放大器一個實施例的示意圖。圖2為本發(fā)明射頻信號處理單元一個實施例的示意圖。圖3為本發(fā)明第一射頻信號的示意圖。圖4為本發(fā)明第二射頻信號的示意圖。圖5為本發(fā)明驅(qū)動單元一個實施例的示意圖。圖6為本發(fā)明相位失配補(bǔ)償?shù)氖疽鈭D。圖7為本發(fā)明第一射頻信號相位補(bǔ)償?shù)氖疽鈭D。圖8為本發(fā)明第二射頻信號相位補(bǔ)償?shù)氖疽鈭D。圖9為本發(fā)明射頻功率放大器另一實施例的示意圖。圖10為GSM通信標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的發(fā)射機(jī)功率發(fā)射時隙的示意圖。圖11為本發(fā)明發(fā)射時隙中第一角度與第二角度之和的示意圖。圖12為本發(fā)明輸出單元一個實施例的示意圖。圖13為本發(fā)明輸出單元另一實施例的示意圖。圖14為本發(fā)明輸出單元又一實施例的示意圖。圖15為本發(fā)明輸出單元又一實施例的示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。同時，應(yīng)當(dāng)明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個部分的尺寸并不是按照實際的比例關(guān)系繪制的。對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它示例可以具有不同的值。應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
圖1為本發(fā)明射頻功率放大器一個實施例的示意圖。如圖1所示，射頻功率放大器包括射頻信號處理單元101、驅(qū)動單元102和輸出單元103。其中:射頻信號處理單元101，用于利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中將第一射頻信號和第二射頻信號在具有相同相位時稱為零角度參考矢量信號，第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的范圍為0°到90°。驅(qū)動單元102，用于分別對第一射頻信號和第二射頻信號進(jìn)行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號。輸出單元103，用于利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號?；诒景l(fā)明上述實施例提供的射頻功率放大器，通過利用第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有的順時針角度差、以及第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有的逆時針角度差，可以對射頻功率放大器的輸出功率大小進(jìn)行控制，從而滿足通信系統(tǒng)的功率控制要求。圖2為本發(fā)明射頻信號處理單元101 —個實施例的示意圖。如圖2所示，射頻信號處理單兀包括分配器201、第一移相器202、第二移相器203、第一矢量信號處理器204、第二矢量信號處理器205。其中:分配器201，用于將輸入射頻信號分別分配到第一移相器201和第二移相器202。第一移相器202,用于利用接收的輸入射頻信號生成第一相位信號。第二移相器203,用于利用接收的輸入射頻信號生成第二相位信號,其中第一相位信號和第二相位信號的相位差為90°。第一矢量信號處理器204,用于利用第一相位信號和第二相位信號生成第一射頻信號。第二矢量信號處理器205,用于利用第一相位信號和第二相位信號生成第二射頻信號。例如，來自于射頻收發(fā)器(Transceiver)的輸入射頻信號RFin輸入到射頻信號處理單元101中，輸入射頻信號RFin被等功率分配到第一移相器202和第二移相器203中。對于本發(fā)明涉及的GSM通信系統(tǒng)應(yīng)用中，輸入射頻信號RFin為恒定包絡(luò)的相位調(diào)制信號。經(jīng)過第一移相器202和第二移相器203處理之后，輸入射頻信號RFin被處理為相互相位差為90°的第一相位信號和第二相位信號。例如，第一相位信號和第二相位信號可以分別記為O。和90。，分別用sin ω t及cos ω t來表示。第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205的功能是分別對輸入的第一相位信號sin ω t及第二相位信號cos ω t進(jìn)行矢量運(yùn)算。第一矢量信號處理器204對第一相位信號sin ω t及第二相位信號cos ω t進(jìn)行處理，得到第一射頻信號V1 (t)。第二矢量信號處理器205對第一相位信號sin ω t及第二相位信號cos ω t進(jìn)行處理，得到第二射頻信號^⑴。其中:V1 (t) =Cos ( ω t+ Θ ^V2 (t) =cos ( ω t- θ 2)
其中，當(dāng)?shù)谝皇噶啃盘柼幚砥?04和第二矢量信號處理器205輸出信號的相位相同時，此時第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205的輸出為VtlU) = coscot,在本發(fā)明中將VtlU) = C0S t被稱作零角度參考矢量信號。圖3為本發(fā)明第一射頻信號的示意圖，圖4為本發(fā)明第二射頻信號的示意圖。從圖中可以看出，第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第一角度Θ i的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第二角度θ2的逆時針角度差，第一角度G1和第二角度92的范圍為0°到90°。優(yōu)選的，第一矢量信號處理器204還用于根據(jù)第一控制信號，調(diào)整第一角度的大小。第二矢量信號處理器205還用于根據(jù)第一控制信號，調(diào)整第二角度的大小。第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205的相位旋轉(zhuǎn)角度θ ρ Θ 2的大小由其外部輸入信號Vramp來決定。Vramp信號通常來自于基帶處理器或者射頻收發(fā)器，用于指示系統(tǒng)輸出功率等級。Vramp信號經(jīng)過一個低通濾波器處理之后輸入到第一矢量信號處理器204和第二矢量信號處理器205中。需要說明的是,在大多數(shù)實現(xiàn)中,Vramp信號是一個模擬電壓信號，但是Vramp也可以用多比特的數(shù)字信號表示。圖5為本發(fā)明驅(qū)動單元一個實施例的示意圖。如圖5所示,驅(qū)動單元102包括第一放大器501和第二放大器502。其中:第一放大器501,用于對第一射頻信號進(jìn)行放大，以得到第一放大信號。第二放大器502，用于對第二射頻信號進(jìn)行放大，以得到第二放大信號。驅(qū)動單元102中的放大器，可以是單級或多級放大器，為輸入的第一射頻信號V1U)、第二射頻信號V2(t)提供足夠的功率增益。驅(qū)動單元的電源供電由Vccl管腳提供。需要說明的是，本實施例中的驅(qū)動單元可以工作于開關(guān)模式，輸出的飽和功率大小和具體實現(xiàn)中Vccl電壓大小相關(guān)。輸出單元利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號，其電源供電由Vcc2管腳提供。設(shè)射頻輸出信號為P0(t)，則其可以表達(dá)為:
權(quán)利要求
1.一種射頻功率放大器，其特征在于，包括射頻信號處理單元、驅(qū)動單元和輸出單元，其中: 射頻信號處理單元，用于利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中將第一射頻信號和第二射頻信號在具有相同相位時稱為零角度參考矢量信號，第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的范圍為O。到90° ; 驅(qū)動單元，用于分別對第一射頻信號和第二射頻信號進(jìn)行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號； 輸出單元，用于利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，射頻信號處理單元包括分配器、第一移相器、第二移相器、第一矢量信號處理器、第二矢量信號處理器，其中: 分配器，用于將輸入射頻 信號分別分配到第一移相器和第二移相器； 第一移相器，用于利用接收的輸入射頻信號生成第一相位信號； 第二移相器，用于利用接收的輸入射頻信號生成第二相位信號，其中第一相位信號和第二相位信號的相位差為90° ; 第一矢量信號處理器，用于利用第一相位信號和第二相位信號生成第一射頻信號； 第二矢量信號處理器，用于利用第一相位信號和第二相位信號生成第二射頻信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于: 第一矢量信號處理器還用于根據(jù)第一控制信號，調(diào)整第一角度的大??； 第二矢量信號處理器還用于根據(jù)第一控制信號，調(diào)整第二角度的大小。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻功率放大器，其特征在于: 第一矢量信號處理器還用于根據(jù)第二控制信號，使第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差； 和/或 第二矢量信號處理器還用于根據(jù)第二控制信號，使第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位具有第三角度的額外角度差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于: 驅(qū)動單元包括第一放大器和第二放大器，其中: 第一放大器，用于對第一射頻信號進(jìn)行放大，以得到第一放大信號； 第二放大器，用于對第二射頻信號進(jìn)行放大，以得到第二放大信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，射頻功率放大器還包括控制單元，用于控制驅(qū)動單元和輸出單元中有源器件的偏置電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，不同發(fā)射功率值對應(yīng)的第一角度和第二角度之和不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于: 輸出單元包括至少一個射頻輸出模塊，在每個射頻輸出模塊中，包括兩組晶體管和電磁耦合變壓器，電磁耦合變壓器包括初級線圈和次級線圈，其中在第一組晶體管中，第一晶體管和第二晶體管的柵極分別與第一放大信號連接，第一晶體管的源極接地，第一晶體管的漏極與第二晶體管的漏極連接，第二晶體管的源極與第一電源連接；在第二組晶體管中，第三晶體管和第四晶體管的柵極分別與第二放大信號連接，第三晶體管的源極接地，第三晶體管的漏極與第四晶體管的漏極連接，第四晶體管的源極與第一電源連接；第一晶體管和第二晶體管的漏極還與初級線圈的第一端連接，第三晶體管和第四晶體管的漏極還與初級線圈的第二端連接； 當(dāng)輸出單元僅包括一個射頻輸出模塊時，次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，次級線圈的第二端接地； 當(dāng)輸出單元包括N個射頻輸出模塊時，N為大于I的自然數(shù)，第i個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端與第i_l個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端連接，Ki < N，第I個射頻輸出模塊中次級線圈的第一端為射頻信號輸出端，第N個射頻輸出模塊中次級線圈的第二端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻功率放大器，其特征在于: 在每個射頻輸出模塊中，初級線圈的第一端通過第一堆疊晶體管集合與第一晶體管連接，在第一堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊晶體管的源極與第一晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，M為大于1的自然數(shù)，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+1個堆疊晶體管的漏極連接，1 < j〈M，第1個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第一晶體管的漏極連接； 初級線圈的第一端 通過第二堆疊晶體管集合與第二晶體管連接，在第二堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)诙询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，堆疊晶體管的源極與第二晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+1個堆疊晶體管的漏極連接，第1個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第一端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第二晶體管的漏極連接； 初級線圈的第二端通過第三堆疊晶體管集合與第三晶體管連接，在第三堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)谌询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊晶體管的源極與第三晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+1個堆疊晶體管的漏極連接，第I個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第三晶體管的漏極連接； 初級線圈的第二端通過第四堆疊晶體管集合與第四晶體管連接，在第四堆疊晶體管集合中包括至少一個堆疊晶體管，堆疊晶體管的柵極均與第二電源連接，當(dāng)?shù)谒亩询B晶體管集合中僅包括一個堆疊晶體管時，堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，堆疊晶體管的源極與第四晶體管的漏極連接；當(dāng)?shù)谝欢询B晶體管集合中包括M個堆疊晶體管，則第j個堆疊晶體管的源極與第j+Ι個堆疊晶體管的漏極連接，第I個堆疊晶體管的漏極與初級線圈的第二端連接，第M個堆疊晶體管的源極與第四晶體管的漏極連接。
全文摘要
本發(fā)明公開一種射頻功率放大器，該射頻功率放大器包括射頻信號處理單元、驅(qū)動單元和輸出單元。射頻信號處理單元利用輸入射頻信號生成第一射頻信號和第二射頻信號，其中第一射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第一角度的順時針角度差，第二射頻信號的相位相對于零角度參考矢量信號的相位有第二角度的逆時針角度差，第一角度和第二角度的范圍為0°到90°；驅(qū)動單元分別對第一射頻信號和第二射頻信號進(jìn)行放大，以分別得到第一放大信號和第二放大信號；輸出單元利用第一放大信號和第二放大信號的差作為射頻輸出信號。通過利用第一角度和第二角度，可以對射頻功率放大器的輸出功率大小進(jìn)行控制，從而滿足通信系統(tǒng)的功率控制要求。
文檔編號H03F3/189GK103095229SQ20131002327
公開日2013年5月8日 申請日期2013年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月22日
發(fā)明者祁琦 申請人:北京安邁澤成科技有限公司