電子元器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子元器件，能夠在使通過特性窄帶化的同時，還能夠減少高頻信號的傳輸損耗。層疊體(12)通過層疊多層絕緣體層(16)而得以構成。LC并聯(lián)諧振器(LC1、LC2)具有在z軸方向上延伸的過孔導體以及設置在絕緣體層上的導體層，并呈環(huán)形，構成帶通濾波器。由LC并聯(lián)諧振器(LC1)包圍的環(huán)形面(S1)與由LC并聯(lián)諧振器(LC2)包圍的環(huán)形面(S2)平行，并且，在從x軸方向俯視時，落在環(huán)形面(S2)內。
【專利說明】電子元器件
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種電子元器件，尤其涉及一種內置有帶通濾波器的電子元器件。
【背景技術】
[0002]作為現(xiàn)有的電子元器件，例如，已知有專利文獻I中記載的層疊帶通濾波器。圖9是專利文獻I所記載的層疊帶通濾波器500的分解立體圖。
[0003]層疊帶通濾波器500包括:層疊體502以及LC并聯(lián)諧振器504、506、508、510、512。層疊體502通過層疊多層絕緣體層而得以構成。LC并聯(lián)諧振器504、506、508、510、512由導體層以及過孔導體構成，在從與層疊方向正交的方向俯視時，呈環(huán)形。LC并聯(lián)諧振器504、506、508、510、512的環(huán)形面相互重疊。
[0004]如上那樣構成的層疊帶通濾波500中，LC并聯(lián)諧振器504、506、508、510、512的環(huán)形面稍有偏離。由此，LC并聯(lián)諧振器504、506、508、510、512之間的耦合度得以下降，從而能夠使層疊帶通濾波器500的通頻帶變窄。
[0005]然而，在LC并聯(lián)諧振器504、506、508、510、512之間的耦合度下降的情況下，高頻信號變得難以通過LC并聯(lián)諧振器之間，從而產(chǎn)生通頻帶內的高頻信號的傳輸損耗。其結果是，層疊帶通濾波器500的插入損耗增大。
[0006]現(xiàn)有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:國際公開專利第2007/119356號公報
【發(fā)明內容】

[0009]發(fā)明所要解決的技術問題
[0010]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電子元器件，能夠在使通頻帶變窄的同時，減少通頻帶內的高頻信號的傳輸損耗。
[0011 ] 解決技術問題所采用的技術方案
[0012]本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電子元器件包括:層疊體，該層疊體通過層疊多層絕緣體層而得以構成；以及第ILC并聯(lián)諧振器以及第2LC并聯(lián)諧振器，該第ILC并聯(lián)諧振器以及第2LC并聯(lián)諧振器具有在層疊方向上延伸的過孔導體、以及設置在上述絕緣體層上的導體層，且呈環(huán)形，并構成帶通濾波器，由上述第ILC并聯(lián)諧振器包圍的第I環(huán)形面與由上述第2LC并聯(lián)諧振器包圍的第2環(huán)形面平行，并且，在從該第2環(huán)形面的法線方向俯視時，該第I環(huán)形面落在該第2環(huán)形面內。
[0013]發(fā)明效果
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能夠在使通頻帶變窄的同時，減少通頻帶內的高頻信號的傳輸損耗?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明的實施方式所涉及的電子元器件的外觀立體圖。[0016]圖2是電子元器件的層疊體的分解立體圖。
[0017]圖3是電子元器件的等效電路圖。
[0018]圖4是表示模擬結果的曲線圖。
[0019]圖5是第I變形例所涉及的電子元器件的層疊體的分解立體圖。
[0020]圖6是第2變形例所涉及的電子元器件的層疊體的分解立體圖。
[0021]圖7是第3變形例所涉及的電子元器件的層疊體的分解立體圖。
[0022]圖8(a)及圖8(b)分別是第4變形例所涉及的電子元器件及第5變形例所涉及的電子元器件的截面結構圖。
[0023]圖9是專利文獻I所記載的層疊帶通濾波器的分解立體圖。
[0024]實施方式
[0025]下面，對本發(fā)明的實施方式所涉及的電子元器件進行說明。
[0026](電子元器件的結構)
[0027]下面，參照附圖、對本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電子元器件的結構進行說明。圖1是本發(fā)明的實施方式所涉及的電子元器件10的外觀立體圖。圖2是電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。圖3是電子元器件10的等效電路圖。圖1及圖2中，z軸方向表示絕緣體層16的層疊方向。另外，X軸方向表示沿著電子元器件10的長邊的方向，而y軸方向表示沿著電子元器件10的短邊的方向。
[0028]如圖1和圖2所示，電子元器件10包括:層疊體12、外部電極14 (14a?14d)、LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3、電容器Ca?Ce、以及引出導體層20 (20a、20b)、34 (34a、34b)。
[0029]如圖2所示，層疊體12通過將由陶瓷電介質所構成的絕緣體層16 (16a?16i)進行層疊而得以構成，且呈長方體狀。另外，層疊體12內置有LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3以及電容器Ca?Ce。
[0030]如圖1所示，外部電極14設置于X軸方向的負方向側的側面上，且被用作為輸入電極。外部電極14b設置于X軸方向的正方向側的側面上,且被用作為輸出電極。外部電極14c設置于y軸方向的負方向側的側面上，且被用作為接地電極。外部電極14d設置于I軸方向的正方向側的側面上，且被用作為接地電極。
[0031]如圖2所示，絕緣體層16呈長方形狀，例如由陶瓷電介質構成。絕緣體層16a?16i以在z軸方向上按此順序排列的方式進行層疊。下面，將絕緣體層16的z軸方向的正方向側的面稱為表面，而將絕緣體層16的z軸方向的負方向側的面稱為背面。
[0032]在從z軸方向俯視時，LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3按照該順序從x軸方向的負方向側向正方向側排列，并構成帶通濾波器。
[0033]LC并聯(lián)諧振器LCl包含線圈LI和電容器Cl。更具體而言，LC并聯(lián)諧振器LCl由過孔導體bl?bll、電容器導體層22a、23a、線圈導體層24a以及接地導體層32構成，且呈環(huán)形。
[0034]電容器Cl由電容器導體層22a、23a以及接地導體層32構成。接地導體層32是幾乎覆蓋絕緣體層16i整個表面的、呈長方形的導體層。電容器導體層22a是隔著絕緣體層16g、16h來與接地導體層32相對的導體層，并設于絕緣體層16g的表面上。由此，在電容器導體層22a與接地導體層32之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導體層22a呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于較絕緣體層16g的對角線交點、更靠X軸方向的負方向側。
[0035]電容器導體層23a是隔著絕緣體層16h來與接地導體層32相對的導體層，并設置于絕緣體層16h的表面上。由此，在電容器導體層23a與接地導體層32之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導體層23a呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于較絕緣體層16h的對角線交點、更靠X軸方向的負方向側。
[0036]線圈LI包含過孔導體bl?bll以及線圈導體層24a。線圈導體層24a設置在絕緣體層16c的表面上，是沿y軸方向延伸的線狀導體。線圈導體層24a設置于較絕緣體層16c的對角線交點、更靠X軸方向的負方向側。
[0037]過孔導體bl?b5分別在z軸方向上貫通絕緣體層16c?16g。過孔導體bl在z軸方向的正方向側的端部與線圈導體層24a在Y軸方向的負方向側的端部相連接。另外，過孔導體b4在z軸方向的負方向側的端部與電容器導體層22a相連接。過孔導體b5在z軸方向的負方向側的端部與電容器導體層23a相連接。由此，過孔導體bl?b5構成從線圈導體層24a的y軸方向的負方向側的端部向z軸方向的負方向側延伸的一根過孔導體BI，并與電容器導體層22a、23a相連接。
[0038]過孔導體b6?bll分別在z軸方向上貫通絕緣體層16c?16h，并設置在較過孔導體bl?b5、更靠Y軸方向的正方向側。過孔導體b6在z軸方向的正方向側的端部與線圈導體層24a在y軸方向的正方向側的端部相連接。另外，過孔導體bll在z軸方向的負方向側的端部與接地導體層32相連接。由此，過孔導體b6?bll構成從線圈導體層24a的y軸方向的正方向側的端部向z軸方向的負方向側延伸的一根過孔導體B2，并與接地導體層32相連接。
[0039]如上所述，線圈LI在yz平面上呈環(huán)形，其將過孔導體b5與電容器導體層23a的連接點作為一端，并經(jīng)由過孔導體bl?b5、線圈導體層24a、過孔導體b6?bll，將過孔導體bll與接地導體層32的連接點作為另一端。
[0040]如上所述構成的LC并聯(lián)諧振器LCl形成平行于yz平面的環(huán)形面SI。環(huán)形面SI是指由LC并聯(lián)諧振器LCl所包圍的長方形假想平面。
[0041]LC并聯(lián)諧振器LC2包含線圈L2和電容器C2。更具體而言，LC并聯(lián)諧振器LC2由過孔導體b21?b33、電容器導體層22b、23b、線圈導體層24b以及接地導體層32構成，且
呈環(huán)形。
[0042]電容器C2由電容器導體層22b、23b以及接地導體層32構成。接地導體層32是幾乎覆蓋絕緣體層16i整個表面的、呈長方形的導體層。電容器導體層22b是隔著絕緣體層16g、16h來與接地導體層32相對的導體層，并設于絕緣體層16g的表面上。由此，在電容器導體層22b與接地導體層32之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導體層22b呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于絕緣體層16g的對角線交點上。
[0043]電容器導體層23b是隔著絕緣體層16h來與接地導體層32相對的導體層，并設置于絕緣體層16h的表面上。由此，在電容器導體層23b與接地導體層32之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導體層23b呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于絕緣體層16h的對角線上。
[0044]線圈L2包含過孔導體b21?b33以及線圈導體層24b。線圈導體層24b設置在絕緣體層16b的表面上，是沿y軸方向延伸的線狀導體。線圈導體層24b設置于絕緣體層16b的對角線交點上。由此，線圈導體層24b設置于較線圈導體層24a、更靠z軸方向的正方向偵U。另外，線圈導體層24b的y軸方向的長度比線圈導體層24a的y軸方向的長度要長。
[0045]過孔導體b21?b26分別在z軸方向上貫通絕緣體層16b?16g。過孔導體b21在z軸方向的正方向側的端部與線圈導體層24b在Y軸方向的負方向側的端部相連接。另夕卜，過孔導體b25在z軸方向的負方向側的端部與電容器導體層22b相連接。過孔導體b26在z軸方向的負方向側的端部與電容器導體層23b相連接。由此，過孔導體b21?b26構成從線圈導體層24b的y軸方向的負方向側的端部向z軸方向的負方向側延伸的一根過孔導體B3，并與電容器導體層22b、23b相連接。過孔導體B3比過孔導體BI要長。
[0046]過孔導體b27?b33分別在z軸方向上貫通絕緣體層16b?16h，并設置在較過孔導體b21?b26、更靠y軸方向的正方向側。過孔導體b27在z軸方向的正方向側的端部與線圈導體層24b在y軸方向的正方向側的端部相連接。另外，過孔導體b33在z軸方向的負方向側的端部與接地導體層32相連接。由此，過孔導體b27?b33構成從線圈導體層24b的y軸方向的正方向側的端部向z軸方向的負方向側延伸的一根過孔導體B4，并與接地導體層32相連接。過孔導體B4比過孔導體B2要長。
[0047]另外，線圈導體層24b的y軸方向的長度比線圈導體層24a的y軸方向的長度要長。由此，過孔導體B3與過孔導體B4之間的間隔要大于過孔導體BI與過孔導體B2之間的間隔。
[0048]如上所述，線圈L2在yz平面上呈環(huán)形，其將過孔導體b26與電容器導體層23b的連接點作為一端，并經(jīng)由過孔導體b21?b26、線圈導體層24b、過孔導體b27?b33，將過孔導體b33與接地導體層32的連接點作為另一端。
[0049]如上所述構成的LC并聯(lián)諧振器LC2形成平行于yz平面的環(huán)形面S2。環(huán)形面S2是指由LC并聯(lián)諧振器LC2所包圍的長方形假想平面。
[0050]LC并聯(lián)諧振器LC3包含線圈L3和電容器C3。更詳細而言，LC并聯(lián)諧振器LC3由過孔導體b41?b51、電容器導體層22c、23c、線圈導體層24c以及接地導體層32構成，且
呈環(huán)形。
[0051]電容器C3由電容器導體層22c、23c以及接地導體層32構成。接地導體層32是幾乎覆蓋絕緣體層16i整個表面的、呈長方形的導體層。電容器導體層22c是隔著絕緣體層16g、16h來與接地導體層32相對的導體層，并設于絕緣體層16g的表面上。由此，在電容器導體層22c與接地導體層32之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導體層22c呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于較絕緣體層16g的對角線交點、更靠X軸方向的正方向側。
[0052]電容器導體層23c是隔著絕緣體層16h來與接地導體層32相對的導體層，并設置于絕緣體層16h的表面上。由此，在電容器導體層23c與接地導體層32之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導體層23c呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于較絕緣體層16h的對角線交點、更靠X軸方向的正方向側。
[0053]線圈L3包含過孔導體b41?b51以及線圈導體層24c。線圈導體層24c設置在絕緣體層16c的表面上，是沿y軸方向延伸的線狀導體。線圈導體層24c設置于較絕緣體層16c的對角線交點、更靠X軸方向的正方向側。線圈導體層24c的y軸方向的長度與線圈導體層24a的y軸方向的長度相等。[0054]過孔導體b41?b45分別在z軸方向上貫通絕緣體層16c?16g。過孔導體b41在z軸方向的正方向側的端部與線圈導體層24c在Y軸方向的負方向側的端部相連接。另夕卜，過孔導體b44在z軸方向的負方向側的端部與電容器導體層22c相連接。過孔導體b45在z軸方向的負方向側的端部與電容器導體層23c相連接。由此，過孔導體b41?b45構成從線圈導體層24c的y軸方向的負方向側的端部向z軸方向的負方向側延伸的一根過孔導體B5，并與電容器導體層22c、23c相連接。過孔導體B5的長度與過孔導體BI的長度相
坐寸ο
[0055]過孔導體b46?b51分別在z軸方向上貫通絕緣體層16c?16h，并設置在較過孔導體b41?b45、更靠y軸方向的正方向側。過孔導體b46在z軸方向的正方向側的端部與線圈導體層24c在y軸方向的正方向側的端部相連接。另外，過孔導體b51在z軸方向的負方向側的端部與接地導體層32相連接。由此，過孔導體b46?b51構成從線圈導體層24c的y軸方向的正方向側的端部向z軸方向的負方向側延伸的一根過孔導體B6，并與接地導體層32相連接。過孔導體B6的長度與過孔導體B2的長度相等。
[0056]另外，線圈導體層24c的y軸方向的長度與線圈導體層24a的y軸方向的長度相等。由此，過孔導體B3與過孔導體B4之間的間隔要大于過孔導體B5與過孔導體B6之間的間隔。
[0057]如上所述，線圈L3在yz平面上呈環(huán)形，其將過孔導體b45與電容器導體層23c的連接點作為一端，并經(jīng)由過孔導體b41?b45、線圈導體層24c、過孔導體b46?b51,將過孔導體b51與接地導體層32的連接點作為另一端。
[0058]如上所述構成的LC并聯(lián)諧振器LC3形成平行于yz平面的環(huán)形面S3。環(huán)形面S3是指由LC并聯(lián)諧振器LC3所包圍的長方形假想平面。
[0059]LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3的環(huán)形面SI?S3與yz平面平行(即，與z軸方向平行，且與y軸方向平行)。環(huán)形面SI和環(huán)形面S3夾著環(huán)形面S2。由此，如圖3所示，LC并聯(lián)諧振器LCl的線圈LI與LC并聯(lián)諧振器LC2的線圈L2電磁耦合。另外，LC并聯(lián)諧振器LC2的線圈L2與LC并聯(lián)諧振器LC3的線圈L3電磁耦合。
[0060]另外，線圈導體層24b設置于較線圈導體層24a、24c、更靠z軸方向的正方向側。并且，線圈導體層2仙的7軸方向的長度比線圈導體層24&、24(3的7軸方向的長度要長。由此，在從X軸方向(即、環(huán)形面SI?S3的法線方向)俯視時，環(huán)形面S1、S3落在環(huán)形面S2中。即，從X軸方向俯視時，環(huán)形面S1、S3不會超出環(huán)形面S2。
[0061]電容器Ca由電容器導體層22a、26a以及f禹合導體層28構成。I禹合導體層28設置在絕緣體層16f的表面上，呈T字形。并且，耦合導體層28與過孔導體b24的z軸方向的負方向側的端部及過孔導體b25的z軸方向的正方向側的端部相連接。電容器導體層22a是隔著絕緣體層16f來與耦合導體層28相對的導體層，設置于絕緣體層16g的表面上。電容器導體層26a是隔著絕緣體層16e來與耦合導體層28相對的導體層，設置于絕緣體層16e的表面上。由此，在電容器導體層22a、26a與耦合導體層28之間產(chǎn)生靜電電容，從而形成電容器Ca。電容器導體層26a呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于較絕緣體層16e的對角線交點、更靠X軸方向的負方向側。
[0062]另外，電容器導體層26b是經(jīng)由過孔導體b24來與耦合導體層28相連接的導體層，設置于絕緣體層16e的表面上。電容器導體層26b呈現(xiàn)為在7軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于絕緣體層16e的對角線交點上。另外，電容器導體層22b經(jīng)由過孔導體b25與稱合導體層28相連接，電容器導體層23b經(jīng)由過孔導體b25、b26與稱合導體層28相連接。如上所述，LC并聯(lián)諧振器LCl與LC并聯(lián)諧振器LC2通過電容器Ca進行電容耦合。
[0063]電容器Cb由電容器導體層22c、26c以及I禹合導體層28構成。I禹合導體層28設置在絕緣體層16f的表面上，呈T字形。并且，耦合導體層28與過孔導體b24的z軸方向的負方向側的端部及過孔導體b25的z軸方向的正方向側的端部相連接。電容器導體層22c是隔著絕緣體層16f來與耦合導體層28相對的導體層，設置于絕緣體層16g的表面上。電容器導體層26c是隔著絕緣體層16e來與耦合導體層28相對的導體層，設置于絕緣體層16e的表面上。由此，在電容器導體層22c、26c與耦合導體層28之間產(chǎn)生靜電電容，從而形成電容器Cb。電容器導體層26c呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并設置于較絕緣體層16e的對角線交點、更靠X軸方向的正方向側。
[0064]如上所述，LC并聯(lián)諧振器LC3與LC并聯(lián)諧振器LC2通過電容器Cb進行電容耦合。從而形成電容器Cb。
[0065]電容器Ce由電容器導體層26a、26c以及I禹合導體層30構成。I禹合導體層30設置在絕緣體層16d的表面上，并在X軸方向上延伸。由此，耦合導體層30隔著絕緣體層16d來與電容器導體層26a、26c相對。其結果是，在電容器導體層26a與稱合導體層30之間，產(chǎn)生靜電電容，并在電容器導體層26c與耦合導體層30之間，產(chǎn)生靜電電容。如上所述，電容器導體層26a、26c通過稱合導體層30進行電容稱合。從而形成電容器Ce。
[0066]此外，電容器導體層26b的y軸方向的長度比電容器導體層26a、26c的y軸方向的長度要短。由此，從z方向俯視時，耦合導體層30不與電容器導體層26b相重疊。
[0067]引出導體層20a設置于絕緣體層16g的表面上，與電容器導體層22a相連接，并向絕緣體層16g的X軸方向的負方向側的短邊引出。由此，引出導體層20a與外部電極14a相連接。其結果是，LC并聯(lián)諧振器LCl經(jīng)由引出導體層20a來與外部電極14a電連接。
[0068]引出導體層20b設置于絕緣體層16g的表面上，與電容器導體層22c相連接，并向絕緣體層16g的X軸方向的正方向側的短邊引出。由此，引出導體層20b與外部電極14b相連接。其結果是，LC并聯(lián)諧振器LC3經(jīng)由引出導體層20b來與外部電極14b電連接。
[0069]引出導體層34a設置于絕緣體層16i的表面上，與接地導體層32相連接，并向絕緣體層16i的y軸方向的負方向側的長邊引出。由此，引出導體層34a與外部電極14c相連接。其結果是，LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3分別經(jīng)由引出導體層34a來與外部電極14c電連接。
[0070]引出導體層34b設置于絕緣體層16i的表面上，與接地導體層32相連接，并向絕緣體層16i的y軸方向的正方向側的長邊引出。由此，引出導體層34b與外部電極14d相連接。其結果是，LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3分別經(jīng)由引出導體層34b來與外部電極14d電連接。
[0071]接下來，參照圖1至圖3，對電子元器件10的動作的一個示例進行說明。如圖3所示，首先，從外部電極14a輸入的高頻信號Sigl流過LC并聯(lián)諧振器LCl。
[0072]線圈LI與線圈L2電磁耦合。由此，在高頻信號Sigl流過LC并聯(lián)諧振器LCl后，高頻信號Sig2由于電磁感應而流過LC并聯(lián)諧振器LC2。
[0073]線圈L2與線圈L3電磁耦合。由此，在高頻信號Sig2流過LC并聯(lián)諧振器LC2后，高頻信號Sig3由于電磁感應而流過LC并聯(lián)諧振器LC3。由此，從外部電極14b輸出高頻信號 Sig3。
[0074]這里，LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3分別具有由線圈LI?L3以及電容器Cl?C3所確定的固有的諧振頻率。而且，LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3的阻抗在這些諧振頻率下會變大。由此，從外部電極14b輸出由這些諧振頻率所確定的規(guī)定頻帶的高頻信號Sig3。
[0075](電子元器件的制造方法)
[0076]接下來，參照圖1和圖2，對電子元器件10的制造方法進行說明。
[0077]首先，準備要成為絕緣體層16的陶瓷生片。接下來，分別在要成為絕緣體層16b?16h的陶瓷生片上形成過孔導體bl?bll, b21?b33, b41?b51。具體而言,用激光束照射要成為絕緣體層16b?16h的陶瓷生片，從而形成過孔。接下來，利用印刷涂布等方法將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等導電性糊料填充到該過孔中。
[0078]接下來，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法在要成為絕緣體層16b?16i的陶瓷生片上涂布以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主要成分的導電性糊料，從而形成引出導體層20a、20b、電容器導體層22a?22c、23a?23c、26a?26c、線圈導體層24a?24c、耦合導體層28、30、接地導體層32以及引出導體層34a、34b。此外，也可以在形成引出導體層20a、20b、電容器導體層22a?22c、23a?23c、26a?26c、線圈導體層24a?24c、耦合導體層28、30、接地導體層32以及引出導體層34a、34b時，對過孔填充導電性糊料。
[0079]接下來，將各陶瓷生片進行層疊。具體而言，配置要成為絕緣體層16i的陶瓷生片。接下來，在要成為絕緣體層16i的陶瓷生片上配置要成為絕緣體層16h的陶瓷生片。之后，在要成為絕緣體層16i的陶瓷生片上壓接要成為絕緣體層16h的陶瓷生片。之后，對要成為168、161166、16(1、16(3、1613、16&的陶瓷生片也同樣地按照該順序進行層疊與壓接。通過上述工序，形成母層疊體。利用靜水壓沖壓等來對該母層疊體實施正式壓接。
[0080]接著，利用切刀刃將母層疊體切割成規(guī)定尺寸的層疊體12。對該未燒成的層疊體12進行脫粘合劑處理及燒成。
[0081]通過上述工序，得到燒成后的層疊體12。對層疊體12實施滾筒加工，并進行倒角。之后，通過利用例如浸潰法等方法、在層疊體12的表面上涂布主要成分為銀的電極糊料并進行燒結，從而形成要成為外部電極14的銀電極。
[0082]最后，通過對銀電極的表面實施鍍Ni/鍍Sn，從而形成外部電極14。經(jīng)過上述工序，圖1所示的電子元器件10得以完成。
[0083](效果)
[0084]根據(jù)上述那樣構成的電子元器件10，能夠使通頻帶變窄。更詳細而言，在電子元器件10中，從X軸方向俯視時，環(huán)形面S1、S3落在環(huán)形面S2內。由此，從X軸方向俯視時，過孔導體B3不與過孔導體B1、B5相重疊。同樣，從X軸方向俯視時，過孔導體B4不與過孔導體B2、B6相重疊。另外，從X軸方向俯視時，線圈導體層24b不與線圈導體層24a、24c相重疊。由此,在電子元器件10中，過孔導體B3與過孔導體B1、B5間的電磁耦合、過孔導體B4與過孔導體B2、B6間的電磁耦合、以及線圈導體層24b與線圈導體層24a、24c間的電磁耦合變弱。由此，能夠使電子元器件10中，LC并聯(lián)諧振器LC1、LC2間的耦合度、以及LC并聯(lián)諧振器LC2、LC3間的耦合度降低。其結果是，在電子元器件10中，可以使通頻帶變窄。
[0085]另外，根據(jù)電子元器件10，能減少高頻信號的傳輸損耗。更詳細而言，從X軸方向俯視時，環(huán)形面S1、S3落在環(huán)形面S2內。即，在電子元器件10中，使環(huán)形面S2大于環(huán)形面
S1、S3。由此，使得從X軸方向觀察到的線圈L2的內徑比線圈L1、L3的內徑要大。其結果是，線圈L2的阻抗值變大，LC并聯(lián)諧振器LC2的Q值變大。在LC并聯(lián)諧振器LC2的Q值變大的情況下，LC并聯(lián)諧振器LC2中的高頻信號的傳輸損耗得以減少。由此，根據(jù)電子元器件10，通頻帶內的高頻信號的傳輸損耗得以減少。
[0086]另外，根據(jù)電子元器件10，設置在3個LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3內的x軸方向中央的LC并聯(lián)諧振器LC2的Q值變大。由此，在電子元器件10中，特別是通頻帶的低頻區(qū)域中的插入損耗得以減少。
[0087]另外，根據(jù)電子元器件10，能夠抑制因制造偏差而造成通過特性發(fā)生變動。更詳細而言，電子元器件10中，在從X軸方向俯視時，環(huán)形面S1、S3落在環(huán)形面S2內。因此，即使由于層疊偏離等使得環(huán)形面SI?S3上產(chǎn)生偏差，也能抑制環(huán)形面S1、S3超出環(huán)形面S2。其結果是，抑制了因層疊偏離而引起的LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3間的耦合度變動。如上所述，根據(jù)電子元器件10，抑制了因制造偏差而引起的通過特性的變動。
[0088]另外，根據(jù)電子元器件10，從z軸方向觀察，形成電容器Ce的耦合導體層30不與電容器導體層26b相重疊。因此，在形成諧振器LCl與諧振器LC3間的耦合電容時，不會在耦合導體層30與諧振器LC2之間形成不需要的電容。由此，諧振器間的耦合電容的設計變得容易。
[0089]本申請的發(fā)明人為了明確電子元器件10所起到的效果，進行了如下說明的計算機模擬。更詳細而言，生成了電子元器件10的第I模型以及比較例所涉及的電子元器件的第2模型。從X軸方向俯視時，比較例所涉及的電子元器件的三個LC并聯(lián)諧振器的環(huán)形面的大小相等，從X軸方向觀察，具有三個環(huán)形面幾乎相重疊的結構。本申請的發(fā)明人對第I模型以及第2模型的通過特性進行了研究。所謂通過特性就是從外部電極14b輸出的輸出信號相對于從外部電極14a輸入的輸入信號的衰減量。
[0090]圖4是表示模擬結果的曲線圖?？v軸表示衰減量,而橫軸表示頻率。圖4(a)是表示2.0GHz?3.5GHz內的通過特性的曲線圖，而圖4(b)是將圖4(a)的曲線圖的2.0GHz?3.0GHz放大后的曲線圖。
[0091]如圖4(a)所示可知:例如，在衰減量為-1.8dB時，第I模型的通頻帶要比第2模型的通頻帶窄。即，可知:在從X軸方向俯視時，環(huán)形面S1、S3落在環(huán)形面S2內，由此，在電子元器件10中，高頻信號的通頻帶變窄。
[0092]另外，如圖4(b)所示可知:第I模型的通頻帶的低頻區(qū)域(2.5GHz附近)的衰減量要比第2模型的通頻帶的低頻區(qū)域(2.5GHz附近)的衰減量小。由此可知:在電子元器件10中，設置在三個LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3內的x軸方向中央的LC并聯(lián)諧振器LC2的Q值變大，由此，通頻帶的低頻區(qū)域的插入損耗得以下降。
[0093](第I變形例)
[0094]下面，參照附圖、對第I變形例所涉及的電子元器件IOa進行說明。圖5是第I變形例所涉及的電子元器件IOa的層疊體12a的分解立體圖。圖5中，對與電子元器件10相同的結構賦予與電子元器件10相同的參照標號。對于電子元器件IOa的外觀立體圖，使用圖1。
[0095]電子元器件10與電子元器件IOa的不同處在于設置電容器C2的位置。更詳細而言，如圖2所示，在電子元器件10中，電容器C2與過孔導體B3相連接。另一方面，在電子元器件IOa中，電容器C2與過孔導體B4相連接。電子元器件10的其它結構與電子元器件10相同，因此省略說明。
[0096]在如上構成的電子元器件IOa中，也與電子元器件10相同，能夠在使通頻帶變窄的同時，減少高頻信號的傳輸損耗。特別是，根據(jù)電子元器件10a，與電子元器件10相同，能夠減少通頻帶的低頻區(qū)域的插入損耗。另外，根據(jù)電子元器件10a，與電子元器件10相同，因制造偏差而造成的通過特性的變動得以抑制。
[0097](第2變形例)
[0098]下面，參照附圖、對第2變形例所涉及的電子元器件IOb進行說明。圖6是第2變形例所涉及的電子元器件IOb的層疊體12b的分解立體圖。圖6中，對與電子元器件10相同的結構賦予與電子元器件10相同的參照標號。對于電子元器件IOb的外觀立體圖，使用圖1。
[0099]電子元器件10與電子元器件IOb的不同處在于線圈導體層24b的線寬。更詳細而言，在電子元器件10中，線圈導體層24a?24c的線寬相等。另一方面，在電子元器件IOb中，線圈導體層24b的線寬比線圈導體層24a、24c的線寬要寬。由此，LC并聯(lián)諧振器LC2的直流電阻值得以減小，LC并聯(lián)諧振器LC2的Q變大。其結果是，在電子元器件IOb中，能夠進一步減小通頻帶內的高頻信號的傳輸損耗。特別是，在電子元器件IOb中，通頻帶的低頻區(qū)域中的插入損耗得以進一步減少。
[0100](第3變形例)
[0101]下面，參照附圖、對第3變形例所涉及的電子元器件IOc進行說明。圖7是第3變形例所涉及的電子元器件IOc的層疊體12c的分解立體圖。圖7中，對與電子元器件IOa相同的結構賦予與電子元器件IOa相同的參照標號。對于電子元器件IOc的外觀立體圖，使用圖1。
[0102]電子元器件IOa與電子元器件IOc的不同處在于過孔導體B3、B4的粗細。更詳細而言，在電子元器件IOa中，過孔導體BI?B6的粗細相等。另一方面，在電子元器件IOc中，過孔導體B3、B4的粗細比過孔導體B1、B2、B5、B6的粗細要粗。由此，LC并聯(lián)諧振器LC2的直流電阻值得以減小，LC并聯(lián)諧振器LC2的Q值變大。其結果是，在電子元器件IOc中，能夠減小通頻帶內的高頻信號的傳輸損耗。特別是，在電子元器件IOc中，通頻帶內的低頻區(qū)域中的插入損耗得以進一步減少。
[0103](第4變形例以及第5變形例)
[0104]電子元器件10、10a?IOc包括LC并聯(lián)諧振器LCl?LC3。然而，電子元器件10、IOa?IOc所內置的LC并聯(lián)諧振器的數(shù)量并不局限于此。圖8 (a)及圖8(b)分別是第4變形例所涉及的電子元器件IOd及第5變形例所涉及的電子元器件IOe的截面結構圖。
[0105]電子兀器件IOd包括LC并聯(lián)諧振器LCl?LC4。電子兀器件IOd中，在從x軸方向俯視時，LC并聯(lián)諧振器LC1、LC4的環(huán)形面S1、S4落在LC并聯(lián)諧振器LC2、LC3的環(huán)形面
S2、S3內。在電子元器件IOd中，通過增大第2級及第3級的LC并聯(lián)諧振器LC2、LC3的環(huán)形面S2、S3，由此與電子元器件10同樣，減小了通頻帶的低頻區(qū)域中的插入損耗。另外，也可以增大第2級及第3級的LC并聯(lián)諧振器LC2、LC3的環(huán)形面S2、S3中的某一個。也可以在增大環(huán)形面S2的情況下，增大環(huán)形面S4。也可以在增大環(huán)形面S3的情況下，增大環(huán)形面SI。
[0106]電子元器件IOe包括LC并聯(lián)諧振器LCl?LC5。電子元器件IOe中，在從x軸方向俯視時，LC并聯(lián)諧振器LCl、LC3、LC5的環(huán)形面S1、S3、S5落在LC并聯(lián)諧振器LC2、LC4的環(huán)形面S2、S4內。在電子元器件IOe中，通過增大第2級及第4級的LC并聯(lián)諧振器LC2、LC4的環(huán)形面S2、S4，由此與電子元器件10同樣，減小了通頻帶的低頻區(qū)域中的插入損耗。另外，也可以增大第2級及第4級的LC并聯(lián)諧振器LC2、LC4的環(huán)形面S2、S4中的某一個。也可以在增大環(huán)形面S2的情況下，增大環(huán)形面S5。也可以在增大環(huán)形面S4的情況下，增大環(huán)形面SI。
[0107](其它的實施方式)
[0108]此外，電子元器件10并不局限于上述實施方式所示的電子元器件10、10a?10e，可以在其主旨的范圍內進行變更。
[0109]此外，LC并聯(lián)諧振器的數(shù)量也可以是2個。
[0110]另外，也可以將電子元器件10、IOa?IOe的結構組合起來。
[0111]工業(yè)上的實用性
[0112]本發(fā)明適用于電子元器件，特別是在如下方面較有優(yōu)勢，即能夠在使通頻帶變窄的同時，還能減少通頻帶內的高頻信號的傳輸損耗。
[0113]標號說明
[0114]BI?B6過孔導體
[0115]Cl?C3，Ca?Ce 電容器
[0116]LI ?L3 線圈
[0117]LCl?LC5 LC并聯(lián)諧振器
[0118]SI?S5環(huán)形面
[0119]10，IOa?IOe 電子元器件
[0120]12層疊體
[0121]16a?16i絕緣體層
[0122]24a?24c線圈導體層
【權利要求】
1.一種電子元器件，包括: 層疊體，該層疊體通過層疊多層絕緣體層而得以構成；以及 第ILC并聯(lián)諧振器以及第2LC并聯(lián)諧振器，該第ILC并聯(lián)諧振器以及第2LC并聯(lián)諧振器具有在層疊方向上延伸的過孔導體、以及設置在所述絕緣體層上的導體層，且呈環(huán)形，并構成帶通濾波器， 由所述第ILC并聯(lián)諧振器包圍的第I環(huán)形面與由所述第2LC并聯(lián)諧振器包圍的第2環(huán)形面平行，并且，在從該第2環(huán)形面的法線方向俯視時，落在該第2環(huán)形面內。
2.如權利要求1所述電子元器件，其特征在于， 所述電子元器件還包括: 第3LC并聯(lián)諧振器，該第3LC并聯(lián)諧振器具有在層疊方向上延伸的過孔導體、以及設置在所述絕緣體層上的導體層，且呈環(huán)形，并與所述第ILC并聯(lián)諧振器以及所述第2LC并聯(lián)諧振器一起構成帶通濾波器， 在從層疊方向俯視時，所述第ILC并聯(lián)諧振器、所述第2LC并聯(lián)諧振器以及所述第3LC并聯(lián)諧振器以該順序進行排列。
3.如權利要求2所述電子元器件，其特征在于， 由所述第3LC并聯(lián)諧振器包圍的第3環(huán)形面與所述第2環(huán)形面平行，并且，在從該第2環(huán)形面的法線方向俯視時，落在該第2環(huán)形面內。
4.如權利要求1至3中任一項所述的電子元器件，其特征在于， 所述第ILC并聯(lián)諧振器包 含:線狀的第I導體層、以及從該第I導體層的兩端向層疊方向的下側延伸的第I過孔導體以及第2過孔導體， 所述第2LC并聯(lián)諧振器包含:線狀的第2導體層、以及從該第2導體層的兩端向層疊方向的下側延伸的第3過孔導體以及第4過孔導體。
5.如權利要求4所述的電子元器件，其特征在于， 所述第2導體層設置在較所述第I導體層、更靠層疊方向的上側。
6.如權利要求4或5所述的電子元器件，其特征在于， 所述第3過孔導體與所述第4過孔導體間的間隔比所述第I過孔導體與所述第2過孔導體間的間隔要大。
7.如權利要求4至6中任一項所述的電子元器件，其特征在于， 所述第2導體層的線寬比所述第I導體層的線寬要寬。
8.如權利要求4至7中任一項所述的電子元器件，其特征在于， 所述第3過孔導體的粗細及所述第4過孔導體的粗細比所述第I過孔導體的粗細及所述第2過孔導體的粗細要粗。
9.如權利要求2至8中任一項所述的電子元器件，其特征在于， 還包括電容器， 所述第ILC并聯(lián)諧振器包含第I電容器導體層， 所述第3LC并聯(lián)諧振器包含第3電容器導體層， 所述電容器包括: 所述第I電容器導體層； 所述第3電容器導體層；以及耦合導體層，該耦合導體層與所述第I電容器導體層以及所述第3電容器導體層相對。
10.如權利要求9所述的電子元器件，其特征在于， 所述第2LC并聯(lián)諧振器包含第2 電容器導體層，該第2電容器導體層不與所述耦合導體層相對。
【文檔編號】H03H7/12GK103457563SQ201310185056
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年5月17日 優(yōu)先權日:2012年5月28日
【發(fā)明者】佐佐木宏幸 申請人:株式會社村田制作所