一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路，包括一次連接的第一階濾波器、第二階濾波器和第三階濾波器，三個濾波器組合起來構(gòu)成一個三階的無源多相濾波器。本發(fā)明通過同相正向輸入端、正交正向輸入端、同相反向輸入端和正交反向輸入端四個端口接收四路正交差分信號，輸出端口為同相正向輸出端、正交正向輸出端、同相反向輸出端和正交反向輸出端；通過調(diào)節(jié)第一偏置電壓、第二偏置電壓和第三偏置電壓，可以改變MOS晶體管的導通電阻，從而改變無源多相濾波器的帶寬。本發(fā)明與傳統(tǒng)現(xiàn)有技術(shù)相比，具有的優(yōu)點和效果是：簡化了電路結(jié)構(gòu)、減小了芯片面積。
【專利說明】一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻集成電路【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，對射頻接收機提出了越來越高的要求，需要射頻前端芯片能夠接收多個頻點的射頻信號，不同頻點的射頻信號往往信號帶寬也不相同，所以需要使用帶寬不同的鏡頻抑制濾波器。鏡頻抑制濾波器的核心部分是無源多相濾波器，針對不同帶寬的信號需要設(shè)計不同帶寬的無源多相濾波器。
[0003]傳統(tǒng)的射頻前端芯片，往往集成多個無源多相濾波器，針對不同的應(yīng)用環(huán)境根據(jù)信號帶寬不同，選擇切換其中的某個無源多相濾波器使用。因為芯片內(nèi)部集成了多個無源多相濾波器，所以電路結(jié)構(gòu)復雜、芯片面積大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出了一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路，可實現(xiàn)無源多相濾波器帶寬的調(diào)節(jié)，電路結(jié)構(gòu)簡單、芯片面積小。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路，包括一次連接的第一階濾波器、第二階濾波器和第三階濾波器，三個濾波器組合起來構(gòu)成一個三階的無源多相濾波器。
[0006]本發(fā)明的進一步改進是:所述第一階濾波器包括:第一 MOS晶體管、第二 MOS晶體管、第三MOS晶體管、第四MOS晶體管、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；所述第一MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的同相正向輸出端，所述第一 MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第一 MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的同相正向輸入端；所述第二 MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的正交正向輸出端，第二 MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第二 MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的正交正向輸入端；所述第三MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的同相反向輸出端，第三MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第三MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的同相反向輸入端；所述第四MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的正交反向輸出端，第四MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第四MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的正交反向輸入端；所述第一電容的一端連接至第一階濾波器的同相正向輸入端，第一電容的另一端連接至第一階濾波器的正交正向輸出端；所述第二電容的一端連接至第一階濾波器的正交正向輸入端，第二電容的另一端連接至第一階濾波器的同相反向輸出端；所述第三電容的一端連接至第一階濾波器的同相反向輸入端，第三電容的另一端連接至第一階濾波器的正交反向輸出端；所述第四電容的一端連接至第一階濾波器的正交反向輸入端，第四電容的另一端連接至第一階濾波器的同相正向輸出端。
[0007]所述第二階濾波器包括:第五MOS晶體管、第六MOS晶體管、第七MOS晶體管、第八MOS晶體管、第五電容、第六電容、第七電容和第八電容；所述第五MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的同相正向輸出端，第五MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第五MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的同相正向輸入端；所述第六MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的正交正向輸出端，第六MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第六MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的正交正向輸入端；所述第七MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的同相反向輸出端，第七MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第七MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的同相反向輸入端；所述第八MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的正交反向輸出端，第八MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第八MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的正交反向輸入端；所述第五電容的一端連接至第二階濾波器的同相正向輸入端，第五電容的另一端連接至第二階濾波器的正交正向輸出端；所述第六電容的一端連接至第二階濾波器的正交正向輸入端，第六電容的另一端連接至第二階濾波器的同相反向輸出端；所述第七電容的一端連接至第二階濾波器的同相反向輸入端，第七電容的另一端連接至第二階濾波器的正交反向輸出端；所述第八電容的一端連接至第二階濾波器的正交反向輸入端，第八電容的另一端連接至第二階濾波器的同相正向輸出端。
[0008]所述第三階濾波器包括:第九MOS晶體管、第十MOS晶體管、第十一MOS晶體管、第十二MOS晶體管、第九電容、第十電容、第i^一電容和第十二電容；所述第九MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的同相正向輸出端，第九MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第九MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的同相正向輸入端；所述第十MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的正交正向輸出端，第十MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第十MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的正交正向輸入端；所述第十一 MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的同相反向輸出端，第十一 MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第十一MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的同相反向輸入端；所述第十二MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的正交反向輸出端，第十二 MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第十二 MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的正交反向輸入端；所述第九電容的一端連接至第三階濾波器的同相正向輸入端，第九電容的另一端連接至第三階濾波器的正交正向輸出端；所述第十電容的一端連接至第三階濾波器的正交正向輸入端，第九電容的另一端連接至第三階濾波器的同相反向輸出端；所述第十一電容的一端連接至第三階濾波器的同相反向輸入端，第十一電容的另一端連接至第三階濾波器的正交反向輸出端；所述第十二電容的一端連接至第三階濾波器的正交反向輸入端，第十二電容的另一端連接至第三階濾波器的同相正向輸出端。
[0009]本發(fā)明通過同相正向輸入端、正交正向輸入端、同相反向輸入端和正交反向輸入端四個端口接收四路正交差分信號，輸出端口為同相正向輸出端、正交正向輸出端、同相反向輸出端和正交反向輸出端；通過調(diào)節(jié)第一偏置電壓、第二偏置電壓和第三偏置電壓，可以改變MOS晶體管的導通電阻，從而改變無源多相濾波器的帶寬。
[0010]本發(fā)明與傳統(tǒng)現(xiàn)有技術(shù)相比，具有的優(yōu)點和效果是:簡化了電路結(jié)構(gòu)、減小了芯片面積。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明所述的一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路原理圖。

【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做詳細說明。
[0013]參見圖1，一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路包括第一階濾波器100、第二階濾波器200和第三階濾波器300，三個濾波器組合起來構(gòu)成一個三階的無源多相濾波器。
[0014]所述第一階濾波器100包括:第一 MOS晶體管Ml、第二 MOS晶體管M2、第三MOS晶體管M3、第四MOS晶體管M4、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第四電容C4。
[0015]其中第一MOS晶體管Ml的漏極連接至第一階濾波器100的同相正向輸出端netl，第一MOS晶體管Ml的柵極連接至第一偏置電壓Vbl，第一MOS晶體管Ml的源級連接至第一階濾波器100的同相正向輸入端IP ；
[0016]第二MOS晶體管M2的漏極連接至第一階濾波器100的正交正向輸出端net2，第二MOS晶體管M2的柵極連接至第一偏置電壓Vbl，第二 MOS晶體管M2的源級連接至第一階濾波器100的正交正向輸入端QP ；
[0017]第三MOS晶體管M3的漏極連接至第一階濾波器100的同相反向輸出端net3，第三MOS晶體管M3的柵極連接至第一偏置電壓Vbl，第三MOS晶體管M3的源級連接至第一階濾波器100的同相反向輸入端IN ；
[0018]第四MOS晶體管M4的漏極連接至第一階濾波器100的正交反向輸出端net4，第四MOS晶體管M4的柵極連接至第一偏置電壓Vbl，第四MOS晶體管M4的源級連接至第一階濾波器100的正交反向輸入端QN ；
[0019]第一電容Cl的一端連接至第一階濾波器100的同相正向輸入端IP,第一電容Cl的另一端連接至第一階濾波器100的正交正向輸出端net2 ；
[0020]第二電容C2的一端連接至第一階濾波器100的正交正向輸入端QP，第二電容C2的另一端連接至第一階濾波器100的同相反向輸出端net3 ；
[0021]第三電容C3的一端連接至第一階濾波器100的同相反向輸入端IN，第三電容C3的另一端連接至第一階濾波器100的正交反向輸出端net4 ；
[0022]第四電容C4的一端連接至第一階濾波器100的正交反向輸入端QN，第四電容C4的另一端連接至第一階濾波器100的同相正向輸出端IP ；
[0023]所述第二階濾波器200包括:第五MOS晶體管M5、第六MOS晶體管M6、第七MOS晶體管M7、第八MOS晶體管M8、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7和第八電容C8。
[0024]其中第五MOS晶體管M5的漏極連接至第二階濾波器200的同相正向輸出端net5,第五MOS晶體管M5的柵極連接至第二偏置電壓Vb2，第五MOS晶體管M5的源級連接至第二階濾波器200的同相正向輸入端netl ；
[0025]第六MOS晶體管M6的漏極連接至第二階濾波器200的正交正向輸出端net6，第六MOS晶體管M6的柵極連接至第二偏置電壓Vb2，第六MOS晶體管M6的源級連接至第二階濾波器200的正交正向輸入端net2 ；
[0026]第七MOS晶體管M7的漏極連接至第二階濾波器200的同相反向輸出端net7，第七MOS晶體管M7的柵極連接至第二偏置電壓Vb2，第七MOS晶體管M7的源級連接至第二階濾波器200的同相反向輸入端net3 ；
[0027]第八MOS晶體管M8的漏極連接至第二階濾波器200的正交反向輸出端net8，第八MOS晶體管M8的柵極連接至第二偏置電壓Vb2，第八MOS晶體管M8的源級連接至第二階濾波器200的正交反向輸入端net4 ；
[0028]第五電容C5的一端連接至第二階濾波器200的同相正向輸入端netl，第五電容C5的另一端連接至第二階濾波器200的正交正向輸出端net6 ；
[0029]第六電容C6的一端連接至第二階濾波器200的正交正向輸入端net2，第六電容C6的另一端連接至第二階濾波器200的同相反向輸出端net7 ；
[0030]第七電容C7的一端連接至第二階濾波器200的同相反向輸入端net3，第七電容C7的另一端連接至第二階濾波器200的正交反向輸出端nets ；
[0031]第八電容CS的一端連接至第二階濾波器200的正交反向輸入端net4，第八電容CS的另一端連接至第二階濾波器200的同相正向輸出端net5 ；
[0032]所述第三階濾波器300包括:第九MOS晶體管M9、第十MOS晶體管M10、第i^一 MOS晶體管Mil、第十二 MOS晶體管M12、第九電容C9、第十電容C10、第i^一電容Cll和第十二電容C12。
[0033]其中第九MOS晶體管M9的漏極連接至第三階濾波器300的同相正向輸出端ΙΡ0，第九MOS晶體管M9的柵極連接至第三偏置電壓Vb3，第九MOS晶體管M9的源級連接至第三階濾波器300的同相正向輸入端net5 ；
[0034]第十MOS晶體管MlO的漏極連接至第三階濾波器300的正交正向輸出端QP0，第十MOS晶體管MlO的柵極連接至第三偏置電壓Vb3，第十MOS晶體管MlO的源級連接至第三階濾波器300的正交正向輸入端net6 ；
[0035]第H^一 MOS晶體管MlI的漏極連接至第三階濾波器300的同相反向輸出端ΙΝ0，第十一MOS晶體管Mll的柵極連接至第三偏置電壓Vb3，第十一MOS晶體管Mll的源級連接至第三階濾波器300的同相反向輸入端net7 ；
[0036]第十二 MOS晶體管M12的漏極連接至第三階濾波器300的正交反向輸出端QN0，第十二 MOS晶體管M12的柵極連接至第三偏置電壓Vb3，第十二 MOS晶體管M12的源級連接至第三階濾波器300的正交反向輸入端nets ；
[0037]第九電容C9的一端連接至第三階濾波器300的同相正向輸入端net5，第九電容C9的另一端連接至第三階濾波器300的正交正向輸出端QPO ；
[0038]第十電容ClO的一端連接至第三階濾波器300的正交正向輸入端net6,第九電容C9的另一端連接至第三階濾波器300的同相反向輸出端INO ；
[0039]第十一電容Cll的一端連接至第三階濾波器300的同相反向輸入端net7，第十一電容Cll的另一端連接至第三階濾波器300的正交反向輸出端QNO ；
[0040]第十二電容C12的一端連接至第三階濾波器300的正交反向輸入端net8,第十二電容C12的另一端連接至第三階濾波器300的同相正向輸出端IPO ；
[0041]本發(fā)明通過同相正向輸入端IP、正交正向輸入端QP、同相反向輸入端IN和正交反向輸入端QN四個端口接收四路正交差分信號，輸出端口為同相正向輸出端ΙΡ0、正交正向輸出端QP0、同相反向輸出端INO和正交反向輸出端QP0;通過調(diào)節(jié)第一偏置電壓Vbl、第二偏置電壓Vb2和第三偏置電壓Vb3，可以改變MOS晶體管的導通電阻，從而改變無源多相濾波器的帶寬。
[0042]本發(fā)明與傳統(tǒng)現(xiàn)有技術(shù)相比簡化了電路結(jié)構(gòu)、減小了芯片面積。
[0043]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路，其特征在于，包括一次連接的第一階濾波器、第二階濾波器和第三階濾波器，三個濾波器組合起來構(gòu)成一個三階的無源多相濾波器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路，其特征在于，所述第一階濾波器包括:第一 MOS晶體管、第二 MOS晶體管、第三MOS晶體管、第四MOS晶體管、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容；所述第一 MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的同相正向輸出端， 所述第一 MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第一 MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的同相正向輸入端； 所述第二 MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的正交正向輸出端，第二 MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第二 MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的正交正向輸入端; 所述第三MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的同相反向輸出端，第三MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第三MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的同相反向輸入端; 所述第四MOS晶體管的漏極連接至第一階濾波器的正交反向輸出端，第四MOS晶體管的柵極連接至第一偏置電壓，第四MOS晶體管的源級連接至第一階濾波器的正交反向輸入端; 所述第一電容的一端連接至第一階濾波器的同相正向輸入端，第一電容的另一端連接至第一階濾波器的正交正向輸出端； 所述第二電容的一端連接至第一階濾波器的正交正向輸入端，第二電容的另一端連接至第一階濾波器的同相反向輸出端； 所述第三電容的一端連接至第一階濾波器的同相反向輸入端，第三電容的另一端連接至第一階濾波器的正交反向輸出端； 所述第四電容的一端連接至第一階濾波器的正交反向輸入端，第四電容的另一端連接至第一階濾波器的同相正向輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路，其特征在于，所述第二階濾波器包括:第五MOS晶體管、第六MOS晶體管、第七MOS晶體管、第八MOS晶體管、第五電容、第六電容、第七電容和第八電容； 所述第五MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的同相正向輸出端，第五MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第五MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的同相正向輸入端; 所述第六MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的正交正向輸出端，第六MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第六MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的正交正向輸入端; 所述第七MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的同相反向輸出端，第七MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第七MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的同相反向輸入端; 所述第八MOS晶體管的漏極連接至第二階濾波器的正交反向輸出端，第八MOS晶體管的柵極連接至第二偏置電壓，第八MOS晶體管的源級連接至第二階濾波器的正交反向輸入端; 所述第五電容的一端連接至第二階濾波器的同相正向輸入端，第五電容的另一端連接至第二階濾波器的正交正向輸出端； 所述第六電容的一端連接至第二階濾波器的正交正向輸入端，第六電容的另一端連接至第二階濾波器的同相反向輸出端； 所述第七電容的一端連接至第二階濾波器的同相反向輸入端，第七電容的另一端連接至第二階濾波器的正交反向輸出端； 所述第八電容的一端連接至第二階濾波器的正交反向輸入端，第八電容的另一端連接至第二階濾波器的同相正向輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶寬可調(diào)的無源多相濾波器電路，其特征在于，所述第三階濾波器包括:第九MOS晶體管、第十MOS晶體管、第i^一 MOS晶體管、第十二 MOS晶體管、第九電容、第十電容、第i^一電容和第十二電容； 所述第九MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的同相正向輸出端，第九MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第九MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的同相正向輸入端; 所述第十MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的正交正向輸出端，第十MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第十MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的正交正向輸入端; 所述第十一 MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的同相反向輸出端，第十一 MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第十一 MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的同相反向輸入端； 所述第十二 MOS晶體管的漏極連接至第三階濾波器的正交反向輸出端，第十二 MOS晶體管的柵極連接至第三偏置電壓，第十二 MOS晶體管的源級連接至第三階濾波器的正交反向輸入端； 所述第九電容的一端連接至第三階濾波器的同相正向輸入端，第九電容的另一端連接至第三階濾波器的正交正向輸出端； 所述第十電容的一端連接至第三階濾波器的正交正向輸入端，第九電容的另一端連接至第三階濾波器的同相反向輸出端； 所述第十一電容的一端連接至第三階濾波器的同相反向輸入端，第十一電容的另一端連接至第三階濾波器的正交反向輸出端； 所述第十二電容的一端連接至第三階濾波器的正交反向輸入端，第十二電容的另一端連接至第三階濾波器的同相正向輸出端。
【文檔編號】H03H7/00GK104300931SQ201310299086
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月16日
【發(fā)明者】申向順, 李波, 李衛(wèi)斌, 王紅麗, 姜恩春 申請人:陜西北斗恒通信息科技有限公司