一種低失調(diào)的傳感器檢測電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低失調(diào)的傳感器檢測電路，它包括場效應(yīng)管MOS2、場效應(yīng)管MOS3、場效應(yīng)管MOS5、場效應(yīng)管MOS6、電容C1、電容C2、電容C3、時鐘控制電路、放大器和DA轉(zhuǎn)換器。其優(yōu)點是：可消除放大器兩端的失調(diào)電壓，檢測精度高，而且電路結(jié)構(gòu)簡單。
【專利說明】—種低失調(diào)的傳感器檢測電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，更具體的說是涉及一種低失調(diào)的傳感器檢測電路。
【背景技術(shù)】
[0002]傳感器檢測電路有多種電路方式來實現(xiàn)。由于傳感器所產(chǎn)生的信號極其微弱，一般都在PF量級，其電容變化量一般在10_15-10_18F，要檢測如此微小的電容變化量，對檢測電路中各部分電路的選取尤為重要。目前電路采用波形信號發(fā)生器、C-V轉(zhuǎn)換電路、反相器、加法器、整流電路、低通濾波器等來構(gòu)建電路，其最小差分量級只可達到10_16f，而且，其電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種低失調(diào)的傳感器檢測電路，其可消除放大器兩端的失調(diào)電壓，檢測精度高，而且電路結(jié)構(gòu)簡單。
[0004]為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種低失調(diào)的傳感器檢測電路，它包括場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S5、場效應(yīng)管M0S6、電容Cl、電容C2、電容C3、時鐘控制電路、放大器和DA轉(zhuǎn)換器，所述的場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S5和場效應(yīng)管M0S6的柵極均連接在時鐘控制電路上；所述的場效應(yīng)管M0S2的漏極和場效應(yīng)管M0S5的漏極均與電源相連；所述的電容Cl的一端接地，另一端與場效應(yīng)管M0S2的源極相連；所述的電容C2的一端接地，另一端與場效應(yīng)管M0S5的源極相連；所述的放大器的兩個輸入端分別與場效應(yīng)管M0S2的源極和場效應(yīng)管M0S5的源極相連，輸出端連接在DA轉(zhuǎn)化器上；所述的電容C3的兩端分別連接在放大器的兩個輸入端上；所述的場效應(yīng)管M0S3的源極接地，漏極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連；所述的場效應(yīng)管M0S6的源極接地，漏極與場效應(yīng)管M0S5的源極相連。
[0005]更進一步的技術(shù)方案是:
作為優(yōu)選，所述的場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S5與電源之間還分別連接有場效應(yīng)管MOSl和場效應(yīng)管M0S4，所述的場效應(yīng)管MOSl的源極、場效應(yīng)管M0S4的源極分別與場效應(yīng)管M0S2的漏極、場效應(yīng)管M0S5的漏極相連，所述的場效應(yīng)管MOSl的漏極和場效應(yīng)管M0S4的漏極均連接在電源上。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明包含場效應(yīng)管、電容、放大器、DA放大器和時鐘控制芯片，其電路結(jié)構(gòu)簡單；且在放大器的兩端連接有電容C3，可將放大器兩輸入端的失調(diào)電壓消除，增大了檢測精度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0008]圖1為實施例1的電路圖。
[0009]圖2為實施例2的電路圖?！揪唧w實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。本發(fā)明的實施方式包括但不限于下列實施例。
[0011][實施例1]
如圖1所示的一種低失調(diào)的傳感器檢測電路，它包括場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S5、場效應(yīng)管M0S6、電容Cl、電容C2、電容C3、時鐘控制電路、放大器和DA轉(zhuǎn)換器，所述的場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S5和場效應(yīng)管M0S6的柵極均連接在時鐘控制電路上；所述的場效應(yīng)管M0S2的漏極和場效應(yīng)管M0S5的漏極均與電源相連；所述的電容Cl的一端接地，另一端與場效應(yīng)管M0S2的源極相連；所述的電容C2的一端接地，另一端與場效應(yīng)管M0S5的源極相連；所述的放大器的兩個輸入端分別與場效應(yīng)管M0S2的源極和場效應(yīng)管M0S5的源極相連，輸出端連接在DA轉(zhuǎn)化器上；所述的電容C3的兩端分別連接在放大器的兩個輸入端上；所述的場效應(yīng)管M0S3的源極接地，漏極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連；所述的場效應(yīng)管M0S6的源極接地，漏極與場效應(yīng)管M0S5的源極相連。
[0012]由時鐘控制電路來控制場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S5和場效應(yīng)管M0S6的交替開關(guān)，場效應(yīng)管M0S2和場效應(yīng)管M0S3的開合同步，場效應(yīng)管M0S5和場效應(yīng)管M0S6的開合同步，實現(xiàn)對兩個電容的交錯充放電采用。對電容進行時間相同的充電，電容大小與充電后的電壓高低相關(guān)，放大器檢測兩個電容的電壓差值，放大后進行數(shù)模轉(zhuǎn)換輸出數(shù)字信號，便于后續(xù)設(shè)備計算加速度。場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S6分別為電容Cl、電容C2所處支路提供通路。放大器的兩個輸入端上連接電容C3，可將兩端的失調(diào)電壓消除，增大監(jiān)測的精度。
[0013][實施例2]
如圖2所示的一種低失調(diào)的傳感器檢測電路，為了避免電源和地之間發(fā)生短路現(xiàn)象，本實施例在實施例1的基礎(chǔ)上，在場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S5與電源之間還分別連接有場效應(yīng)管MOSl和場效應(yīng)管M0S4，所述的場效應(yīng)管MOSl的源極、場效應(yīng)管M0S4的源極分別與場效應(yīng)管M0S2的漏極、場效應(yīng)管M0S5的漏極相連，所述的場效應(yīng)管MOSl的漏極和場效應(yīng)管M0S4的漏極均連接在電源上。場效應(yīng)管MOSl和場效應(yīng)管M0S4的柵極連接偏置電壓，可由外部設(shè)備提供。
[0014]如上所述即為本發(fā)明的實施例。本發(fā)明不局限于上述實施方式，任何人應(yīng)該得知在本發(fā)明的啟示下做出的結(jié)構(gòu)變化，凡是與本發(fā)明具有相同或相近的技術(shù)方案，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種低失調(diào)的傳感器檢測電路，其特征在于:它包括場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S5、場效應(yīng)管M0S6、電容Cl、電容C2、電容C3、時鐘控制電路、放大器和DA轉(zhuǎn)換器，所述的場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S3、場效應(yīng)管M0S5和場效應(yīng)管M0S6的柵極均連接在時鐘控制電路上；所述的場效應(yīng)管M0S2的漏極和場效應(yīng)管M0S5的漏極均與電源相連；所述的電容Cl的一端接地，另一端與場效應(yīng)管M0S2的源極相連；所述的電容C2的一端接地，另一端與場效應(yīng)管M0S5的源極相連；所述的放大器的兩個輸入端分別與場效應(yīng)管M0S2的源極和場效應(yīng)管M0S5的源極相連，輸出端連接在DA轉(zhuǎn)化器上；所述的電容C3的兩端分別連接在放大器的兩個輸入端上；所述的場效應(yīng)管M0S3的源極接地，漏極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連；所述的場效應(yīng)管M0S6的源極接地，漏極與場效應(yīng)管M0S5的源極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低失調(diào)的傳感器檢測電路，其特征在于:所述的場效應(yīng)管M0S2、場效應(yīng)管M0S5與電源之間還分別連接有場效應(yīng)管MOSl和場效應(yīng)管M0S4，所述的場效應(yīng)管MOSl的源極、場效應(yīng)管M0S4的源極分別與場效應(yīng)管M0S2的漏極、場效應(yīng)管M0S5的漏極相連，所述的場效應(yīng)管MOSl的漏極和場效應(yīng)管M0S4的漏極均連接在電源上。
【文檔編號】H03F1/30GK103532498SQ201310501369
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】黃友華 申請人:成都市宏山科技有限公司