加熱器裝置以及振蕩裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明在具備利用來自加熱器控制電路的控制電壓而控制發(fā)熱的加熱器的加熱器裝置中，防止控制電壓的值異常時(shí)加熱器的過熱。例如在使用加熱器(5)使晶體振子(，10)的溫度例如穩(wěn)定在80℃的振蕩裝置中，由集成電路芯片(3)根據(jù)溫度檢測(cè)值而生成加熱器(，5)的控制電壓。一加熱器(5)構(gòu)成為伴隨控制電壓的上升而輸出減小。對(duì)作為加熱器(，5)的控制電壓的供給線的電壓供給路徑(61)插入正特性熱敏電阻(71)，在正特性熱敏電阻(71)與加熱器(5)之間、及與直流電源(72)之間設(shè)置上拉電阻(73)。當(dāng)控制電壓異常下降時(shí)，利用正特性熱敏電阻(71)的電阻值的增大，而將控制電壓限制為規(guī)定的電壓，從而實(shí)現(xiàn)防止過熱。
【專利說明】加熱器裝置以及振蕩裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在具備利用來自加熱器控制電路的控制電壓而控制發(fā)熱的加熱器的加熱器裝置中，防止在控制電壓的值異常時(shí)加熱器的過熱的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]作為具備利用來自加熱器控制電路的控制電壓、而控制發(fā)熱的加熱器的加熱器裝置的一例，可列舉:裝入到具恒溫槽的晶體振蕩器(恒溫晶體振蕩器(Oven ControlledCrystal Oscillator,0CX0))中的加熱器裝置。0CX0為了抑制由溫度變化引起的晶體振子的振蕩頻率的變動(dòng)，在容器內(nèi)設(shè)置晶體振子與加熱器而構(gòu)成，例如成為:在模擬電路中設(shè)置加熱器與作為溫度檢測(cè)部的熱敏電阻(thermistor)的構(gòu)成(專利文獻(xiàn)I)。
[0003]另一方面，本發(fā)明人為了進(jìn)一步提高晶體振子的振蕩頻率的穩(wěn)定化，而著眼于與2個(gè)晶體振子的振蕩頻率差相應(yīng)的差分信號(hào)與溫度處于線性關(guān)系這一點(diǎn)，對(duì)如下方式進(jìn)行了研究，即:對(duì)所述差分信號(hào)與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)溫度的信號(hào)的差分進(jìn)行積分、并作為加熱器的控制電壓(專利文獻(xiàn)2)。此種方式中，由大規(guī)模集成電路(Large Scale Integration,LSI)等集成電路芯片來進(jìn)行差分信號(hào)的運(yùn)算與控制電壓的形成，由此實(shí)現(xiàn)小型化，就該點(diǎn)而言為上策。
[0004]然而，在例如利用因控制電壓增大而加熱器的供給電力減小的負(fù)的控制特性、來進(jìn)行加熱器控制的情況下，如果因LSI的故障或焊料不良，而使得控制電壓異常下降(例如為零)，則:有可能加熱器電力成為最大，而對(duì)機(jī)器造成熱破壞。而且，在利用因控制電壓增大而加熱器的供給電力增大的正的控制特性、來進(jìn)行加熱器控制的情況下，也存在同樣的問題。
[0005]對(duì)此，雖然也考慮例如設(shè)置外部邏輯電路來檢測(cè)溫度并加以保護(hù)，但由于高溫而難以構(gòu)成電路，即便假設(shè)該邏輯電路正常動(dòng)作，但電路規(guī)模增大，難以放入到作為電子機(jī)器的外包裝體的容器內(nèi)，并且價(jià)格增高。而且，在使用溫度保險(xiǎn)絲的方式中，當(dāng)環(huán)境溫度例如為70度的高溫時(shí)，存在使用壽命短的缺點(diǎn)。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2001-251141號(hào)(圖1，段落0014)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2012-170050號(hào)(圖1，段落0014)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明鑒于所述情況而完成，其目的在于提供如下技術(shù)，S卩，在具備利用來自加熱器控制電路的控制電壓而控制發(fā)熱的加熱器的加熱器裝置中，能夠以簡(jiǎn)單的構(gòu)成且低成本，來實(shí)現(xiàn)防止控制電壓的值異常時(shí)的加熱器的過熱。
[0011]本發(fā)明的加熱器裝置的特征在于包括:溫度檢測(cè)部，對(duì)溫度控制對(duì)象的溫度進(jìn)行檢測(cè)；加熱器控制電路，根據(jù)所述溫度檢測(cè)部的溫度檢測(cè)值與溫度目標(biāo)值來輸出控制電壓；加熱器，構(gòu)成為從所述加熱器控制電路被供給控制電壓而發(fā)熱并且隨著控制電壓減小而發(fā)熱量增大，且用以將所述溫度控制對(duì)象的溫度加熱為目標(biāo)溫度；電壓供給路徑，用以將所述控制電壓供給到所述加熱器；防止過熱電路，用以在所述加熱器控制電路的異常時(shí)，防止加熱器的過大發(fā)熱；且所述防止過熱電路包括:正特性熱敏電阻，以由所述加熱器加熱的位置插入到所述電壓供給路徑；以及上拉電阻，一端連接于所述加熱器與正特性熱敏電阻之間，另一端連接于直流電源；且來自所述加熱器控制電路的控制電壓異常下降時(shí)，施加到所述加熱器的控制電壓被限制為所述正特性熱敏電阻與所述上拉電阻的連接點(diǎn)的電壓。
[0012]另一發(fā)明的加熱器裝置的特征在于包括:溫度檢測(cè)部，對(duì)溫度控制對(duì)象的溫度進(jìn)行檢測(cè)；加熱器控制電路，根據(jù)所述溫度檢測(cè)部的溫度檢測(cè)值與溫度目標(biāo)值來輸出控制電壓；加熱器，構(gòu)成為:從所述加熱器控制電路被供給控制電壓而發(fā)熱并且隨著控制電壓增大而發(fā)熱量增大，且用以將所述溫度控制對(duì)象的溫度加熱為目標(biāo)溫度；電壓供給路徑，用以將所述控制電壓供給到所述加熱器；以及防止過熱電路，用以在所述加熱器控制電路的異常時(shí)防止加熱器的過大發(fā)熱；所述防止過熱電路包括:正特性熱敏電阻，以由所述加熱器加熱的位置插入到所述電壓供給路徑；以及下拉電阻，一端連接于所述加熱器與正特性熱敏電阻之間，另一端接地；且來自所述加熱器控制電路的控制電壓過大時(shí)施加到所述加熱器的控制電壓被限制為正特性熱敏電阻與下拉電阻的連接點(diǎn)的電壓。
[0013]發(fā)明的效果
[0014]本發(fā)明在具備利用來自加熱器控制電路的控制電壓而控制發(fā)熱的加熱器的加熱器裝置中，在隨著控制電壓減小而加熱器的發(fā)熱量增大的(減小的)構(gòu)成中，將正特性熱敏電阻與上拉電阻(下拉電阻)進(jìn)行組合。當(dāng)控制電壓異常下降(上升)時(shí)，正特性熱敏電阻的電阻值增大，控制電壓被限制為正特性熱敏電阻與上拉電阻(下拉電阻)的連接點(diǎn)的電壓。因此，能夠以簡(jiǎn)單的構(gòu)成且低成本來實(shí)現(xiàn)防止控制電壓的值異常時(shí)的加熱器的過熱。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是表示將本發(fā)明的加熱器裝置應(yīng)用于振蕩裝置的第一實(shí)施方式的整體的方塊圖。
[0016]圖2是表示所述實(shí)施方式的主要部分的電路構(gòu)成的詳情的電路圖。
[0017]圖3是表示所述實(shí)施方式中的零件的配置構(gòu)造例的剖面圖。
[0018]圖4是表示加熱器的輸出與控制電壓的關(guān)系的特性圖。
[0019]圖5是表示作為頻率差檢測(cè)部的輸出的數(shù)字值與溫度的關(guān)系的特性圖。
[0020]圖6是表示正特性熱敏電阻的溫度-電阻變化比的關(guān)系的特性圖。
[0021]圖7是用以說明所述實(shí)施方式的防止過熱電路的動(dòng)作的說明圖。
[0022]圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的主要部分的電路圖。
[0023]符號(hào)的說明
[0024]1:第一振蕩電路
[0025]2:第二振蕩電路
[0026]3:1C 芯片
[0027]5:加熱器
[0028]6:加熱器控制電路[0029]7:防止過熱電路
[0030]10:第一晶體振子
[0031]11、12、21、22:電極
[0032]20:第二晶體振子
[0033]30、62:加法部
[0034]31:頻率差檢測(cè)部
[0035]32:修正值運(yùn)算部
[0036]33 =PLL 電路部
[0037]41:低通濾波器
[0038]42:電壓控制振蕩器
[0039]51:第一晶體管
[0040]52:第二晶體管
[0041]53:電阻
[0042]54:電源部
[0043]61:電壓供給路徑
[0044]63:環(huán)路濾波器
[0045]64:PWM 內(nèi)插部
[0046]65:低通濾波器
[0047]71:正特性熱敏電阻
[0048]72:直流電源
[0049]73:上拉電阻
[0050]75:下拉電阻
[0051]100:容器
[0052]101:印刷基板
[0053]fl、f2:振蕩輸出
[0054]A、P:點(diǎn)
[0055]Vc:電壓
[0056]Xb:晶體片
【具體實(shí)施方式】
[0057]以下參照本發(fā)明實(shí)施例的附圖來更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以許多不同形式來體現(xiàn)，不應(yīng)理解為限于本文陳述的實(shí)施例。
[0058][第一實(shí)施方式]
[0059]圖1表示將本發(fā)明的加熱器裝置應(yīng)用于振蕩裝置的第一實(shí)施方式。該振蕩裝置是作為頻率合成器而構(gòu)成，輸出所設(shè)定的頻率的頻率信號(hào)。對(duì)振蕩裝置的整體構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單敘述，振蕩裝置具備:第一晶體振子10及第二晶體振子20，這些第一晶體振子10及第二晶體振子20使用共用的晶體片Xb而構(gòu)成。也就是，例如將帶狀的晶體片Xb的區(qū)域在長(zhǎng)度方向上分割為2個(gè)，在各分割區(qū)域(振動(dòng)區(qū)域)的表面背面的兩面設(shè)置激振用的電極。因此，由其中一分割區(qū)域與一對(duì)電極11、電極12來構(gòu)成第一晶體振子10，且由另一分割區(qū)域與一對(duì)電極21、電極22來構(gòu)成第二晶體振子20。
[0060]第一晶體振子10及第二晶體振子20上，分別連接著第一振蕩電路I及第二振蕩電路2。
[0061]符號(hào)3是作為集成電路芯片(integrated circuit chip, IC芯片)的LSI,在IC芯片3內(nèi)，如圖2所示，設(shè)置著:頻率差檢測(cè)部31、修正值運(yùn)算部32、及鎖相回路(phase-locked loop，PLL)電路部33。在PLL電路部33的輸出側(cè)，連接著低通濾波器(low-pass filter,LPF)41 及電壓控制振蕩器(Voltage Controlled Oscillator,VC0)42。電壓控制振蕩器(VC0)42的輸出為振蕩裝置的振蕩輸出，該振蕩輸出反饋給PLL電路部33。
[0062]PLL電路部33將來自第一振蕩電路I的振蕩輸出作為時(shí)鐘(clock)信號(hào)，并將如下信號(hào)模擬化，即:該信號(hào)相當(dāng)于根據(jù)作為數(shù)字值的頻率設(shè)定信號(hào)而生成的脈沖信號(hào)與來自電壓控制振蕩器(VCO) 42的反饋脈沖的相位差，且PLL電路部33對(duì)該模擬信號(hào)進(jìn)行積分而輸出至低通濾波器41。頻率設(shè)定信號(hào)是:由加法部30將頻率設(shè)定值與來自修正值運(yùn)算部32的修正值相加所得的值。該修正值是在第一晶體振子10的溫度從目標(biāo)溫度開始變動(dòng)時(shí)用以補(bǔ)償該變動(dòng)量，即所述時(shí)鐘信號(hào)的溫度變動(dòng)量的值。
[0063]與來自第一振蕩電路I的振蕩輸出fl和來自第二振蕩電路2的振蕩輸出f2的頻率差f l_f2相對(duì)應(yīng)的值，是對(duì)應(yīng)于晶體振子10、晶體振子20所放置的環(huán)境的溫度，可稱作溫度檢測(cè)值。另外，為了方便說明，fl、f2也分別表示為第一振蕩電路I的振蕩頻率及第二振蕩電路2的振蕩頻率。在該例中，頻率差檢測(cè)部31取出{(f2-fl)/fl}-{(f2r-flr)/flr}的值，該值是相當(dāng)于相對(duì)于溫度成為比例關(guān)系的溫度檢測(cè)值。fir及f2r分別是:基準(zhǔn)溫度例如25°C下的、第一振蕩電路I的振蕩頻率及第二振蕩電路2的振蕩頻率。
[0064]修正值運(yùn)算部32根據(jù)溫度檢測(cè)值、及預(yù)先形成的溫度檢測(cè)值和頻率修正值的關(guān)系，而算出頻率修正值。此外，溫度檢測(cè)值如后述那樣用于控制加熱器5的發(fā)熱，所述加熱器5用以將晶體振子10、晶體振子20維持為目標(biāo)溫度。因此，該實(shí)施方式的振蕩裝置可以說是:所謂的具恒溫槽的振蕩裝置(0CX0)與溫度控制振蕩裝置(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(Temperature Compensated Crystal Oscillator, TCXO))的合并裝置。
[0065]加熱器5設(shè)置于收容晶體振子10、晶體振子20的容器中，具有將作為溫度控制對(duì)象的容器內(nèi)的環(huán)境(晶體振子10、晶體振子20)加熱到目標(biāo)溫度的作用。圖3是表示該形態(tài)的一例的剖面圖，在配置于容器100內(nèi)的印刷基板101的上表面?zhèn)?，設(shè)置著晶體振子10、晶體振子20、振蕩電路1、振蕩電路2及IC芯片3，在印刷基板101的下表面?zhèn)仍O(shè)置著加熱器5。
[0066]回到圖1中，加熱器5包括:進(jìn)行達(dá)林頓(Darlington)連接的作為PNP型晶體管的第一晶體管51及作為NPN型晶體管的第二晶體管52，以及經(jīng)由電阻53而對(duì)后段側(cè)的第二晶體管52的集電極供給直流電壓的電源部54，且所述加熱器5構(gòu)成為對(duì)前段側(cè)的第一晶體管51的基極供給控制電壓。
[0067]圖4表示加熱器5的輸出(發(fā)熱量)與控制電壓的關(guān)系，如果供給到第一晶體管51的基極的電壓(控制電壓)減小，則從電源部54流向第一晶體管51及第二晶體管52的電流增大，從而加熱器5的發(fā)熱量增大。相反地，如果所述控制電壓增大，則從電源部54流向第一晶體管51及第二晶體管52的電流減小，從而加熱器5的發(fā)熱量減小。
[0068]控制電壓從IC芯片3內(nèi)的加熱器控制電路、經(jīng)由電壓供給路徑61而被供給到第一晶體管51的基極。從頻率差檢測(cè)部31輸出相當(dāng)于{(f2-fl)/fl}-{(f2r-flr)/flr}的數(shù)字值，該數(shù)字值與溫度的關(guān)系例如如圖5所示而表示。所述數(shù)字值相當(dāng)于溫度檢測(cè)值，由加法部62而加上與溫度目標(biāo)值相對(duì)應(yīng)的數(shù)字值。在加法部62的后段設(shè)置著環(huán)路濾波器63、脈寬調(diào)制(Pulse Width Modulation,PWM)內(nèi)插部64及低通濾波器65。來自加法部62的數(shù)字值是由環(huán)路濾波器63積分，并且與該積分值相應(yīng)的PWM脈沖是在一定期間內(nèi)從PWM內(nèi)插部64輸出，且該脈沖由低通濾波器65而平均化。因此，從低通濾波器65獲得與來自環(huán)路濾波器63的數(shù)字值相應(yīng)的模擬電壓。
[0069]與溫度目標(biāo)值相對(duì)應(yīng)的數(shù)字值設(shè)定為正值，由加法部62從該溫度目標(biāo)值中減去為負(fù)值的溫度檢測(cè)值，由此從低通濾波器65輸出的模擬電壓伴隨溫度上升而增加。因此，加熱器5中輸入伴隨溫度上升而增加的控制電壓。該例中，加法部62、環(huán)路濾波器63、PWM內(nèi)插部64及低通濾波器65相當(dāng)于加熱器控制電路6。
[0070]在作為加熱器5的控制電壓的供給線的電壓供給路徑61上、插入正特性熱敏電阻71。在正特性熱敏電阻71與加熱器5之間、及與直流電源72之間，設(shè)置著上拉電阻(pull-up resistor) 73ο該例中，由加熱器5加熱的容器100 (參照?qǐng)D3)內(nèi)的溫度目標(biāo)值例如為80°C，且正特性熱敏電阻71的溫度-電阻變化比特性是如圖6所示而表示。所謂電阻變化比，是此時(shí)的溫度下的電阻值相對(duì)于25°C時(shí)的電阻值的比。該例中，正特性熱敏電阻71、直流電源72及上拉電阻73是構(gòu)成:防止過熱電路，用以防止控制電壓異常下降時(shí)加熱器5的過熱。
[0071]對(duì)所述實(shí)施方式的作用進(jìn)行說明。首先，如果對(duì)整體的動(dòng)作進(jìn)行敘述，則以第一振蕩電路I的振蕩輸出作為時(shí)鐘而PLL電路部33進(jìn)行動(dòng)作，并從電壓控制振蕩器42獲得振蕩裝置的輸出信號(hào)。該輸出信號(hào)的頻率因受到第一晶體振子10的頻率溫度特性的影響，所以欲利用加熱器5將第一晶體振子10所放置的環(huán)境維持為例如80°C。對(duì)此，與第一晶體振子10及第二晶體振子20的振蕩頻率差相對(duì)應(yīng)的信號(hào)和溫度的關(guān)系，例如成為圖5所示的關(guān)系，從而將頻率差檢測(cè)部31的輸出作為溫度檢測(cè)值進(jìn)行處理。另外，該例中，如所述般，還同時(shí)根據(jù)溫度檢測(cè)值來修正頻率設(shè)定值。
[0072]從頻率差檢測(cè)部31獲得的數(shù)字值與溫度目標(biāo)值分別以負(fù)的符號(hào)及正的符號(hào)相力口，與該相加值的積分值相對(duì)應(yīng)的模擬電壓是作為加熱器5的控制電壓，而被供給到加熱器5的第一晶體管51的基極。另一方面，從頻率差檢測(cè)部31獲得的數(shù)字值因晶體振子10、晶體振子20所放置的環(huán)境溫度的上升而減少(在負(fù)的區(qū)域中，負(fù)值增大)。因此，如果著眼于例如振蕩裝置的電源剛接通后的某時(shí)間點(diǎn)，則因最初來自加法部62的運(yùn)算值小，所以環(huán)路濾波器63的輸出值小，加熱器5的輸出值大。因加熱器5的發(fā)熱而所述環(huán)境溫度上升，由此加法部62的運(yùn)算值驟增，環(huán)路濾波器63的輸出增大。
[0073]然而，加熱器5的特性如圖4所示般可以說是負(fù)的控制特性，因而雖然剛開始時(shí)加熱器5的輸出大，但發(fā)熱量會(huì)因控制電壓的上升而減少。因此，環(huán)境溫度的上升程度變緩而控制電壓的上升程度也減小，不久，在由相當(dāng)于溫度目標(biāo)值的數(shù)字值而決定的溫度下，環(huán)境溫度變得穩(wěn)定。
[0074]此處，在因IC芯片3中產(chǎn)生斷線等異?；蚝噶喜涣嫉?，而控制電壓異常下降的情況下，例如控制電壓為零，則如圖7所示，相當(dāng)于電壓供給路徑61中的加熱器控制電路6側(cè)為接地的狀態(tài)(點(diǎn)劃線部分)。此時(shí)，P點(diǎn)的電壓成為利用上拉電阻(電阻值R73)與正特性熱敏電阻71(電阻值R71)將直流電源72的電壓Vc進(jìn)行分壓所得的電壓(VcXR71/(R73+R71)) ο
[0075]正特性熱敏電阻71的電阻值如圖6所示，在80°C時(shí)是小的，因而控制電壓比正常時(shí)還小。如圖4所示，加熱器5的輸出變大而發(fā)熱量增大，環(huán)境溫度上升。而且，當(dāng)環(huán)境溫度大致超過120°C左右開始，正特性熱敏電阻71的電阻值急遽上升，因此，控制電壓增大而加熱器的輸出減小。因此，振蕩裝置維持為比導(dǎo)致燒壞的溫度低的溫度，從而可防止因過熱而導(dǎo)致的機(jī)器的故障。
[0076]根據(jù)所述實(shí)施方式，將正特性熱敏電阻71與上拉電阻73進(jìn)行組合而構(gòu)成防止過熱電路7，當(dāng)控制電壓的值異常時(shí)，將控制電壓限制為:伴隨加熱器5的發(fā)熱的增大而電阻值變大的正特性熱敏電阻71與上拉電阻73的連接點(diǎn)的電壓。因此，具有能夠以簡(jiǎn)單構(gòu)成且低成本實(shí)現(xiàn)防止加熱器5的過熱的效果。
[0077][第二實(shí)施方式]
[0078]本發(fā)明不限于伴隨控制電壓的增加而其輸出減小的加熱器，對(duì)于伴隨控制電壓的增加而其輸出變大的所謂的正的控制特性的加熱器，也可構(gòu)成相同的防止過熱電路。圖8表示使用此種加熱器5的振蕩裝置的主要部分，采用由晶體管51、晶體管52進(jìn)行達(dá)林頓連接的構(gòu)成。該情況下，因晶體管51的基極電壓的上升，晶體管51、晶體管52中流動(dòng)的電流增大而發(fā)熱量變大。
[0079]而且，輸入到加熱器控制電路6的作為溫度目標(biāo)值的數(shù)字值，是例如設(shè)定為相當(dāng)于圖5所示的頻率差檢測(cè)部31的輸出特性中的80°C的數(shù)字值。此外，加法部62構(gòu)成為從頻率差檢測(cè)部31的輸出值中減去溫度目標(biāo)值(圖2中加法部62的正、負(fù)符號(hào)成為相反)。
[0080]而且，防止過熱電路7包括:插入到電壓供給路徑61的正特性熱敏電阻71，以及設(shè)置在正特性熱敏電阻71與加熱器5之間、及與接地之間的下拉電阻75。
[0081]在此種構(gòu)成的振蕩裝置中，例如所述環(huán)境溫度達(dá)到例如80°C之前，伴隨溫度上升而環(huán)路濾波器63的輸入值減小。因此，例如振蕩裝置的電源剛接通后頻率差檢測(cè)部31的輸出值大，從而環(huán)路濾波器63的輸出值驟增。因加熱器5的特性為正的控制特性，所以因控制電壓的急劇上升而發(fā)熱量上升，伴隨于此，頻率差檢測(cè)部31的輸出值減小。因此，控制電壓的上升的程度變緩，環(huán)境溫度的上升的程度變緩，而環(huán)境溫度穩(wěn)定為溫度目標(biāo)值。
[0082]此處，當(dāng)因IC芯片3的故障等而控制電壓異常變高時(shí)，加熱器5的輸出變大而環(huán)境溫度上升，但從環(huán)境溫度大致超過120°C左右開始，正特性熱敏電阻71的電阻值急遽上升。圖8的A點(diǎn)的電壓成為:由正特性熱敏電阻71與下拉電阻75的電阻比而決定的電壓，且伴隨正特性熱敏電阻71的電阻值的上升，而限制為低電壓。因此，第二實(shí)施方式中，也具有能夠以簡(jiǎn)單構(gòu)成且低成本實(shí)現(xiàn)防止加熱器5的過熱的效果。
[0083]頻率差檢測(cè)部31是相當(dāng)于溫度檢測(cè)部，但本發(fā)明中，作為溫度檢測(cè)部，也可將測(cè)定時(shí)的振蕩頻率相對(duì)于I個(gè)晶體振子的基準(zhǔn)溫度例如25°C下的振蕩頻率的比率作為溫度檢測(cè)值，還可根據(jù)熱敏電阻生成溫度檢測(cè)值。
[0084]而且，本發(fā)明的加熱器裝置不限于振蕩裝置，還可應(yīng)用于例如半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中的基板的烘烤處理裝置等中。
[0085]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種加熱器裝置，其特征在于包括: 溫度檢測(cè)部，對(duì)溫度控制對(duì)象的溫度進(jìn)行檢測(cè)； 加熱器控制電路，根據(jù)所述溫度檢測(cè)部的溫度檢測(cè)值與溫度目標(biāo)值來輸出控制電壓；加熱器，構(gòu)成為:從所述加熱器控制電路被供給所述控制電壓而發(fā)熱、并且隨著所述控制電壓減小而輸出增大，且用以將所述溫度控制對(duì)象的溫度加熱為所述目標(biāo)溫度； 電壓供給路徑，用以將所述控制電壓供給到所述加熱器；以及 防止過熱電路，用以在所述加熱器控制電路的異常時(shí)，防止所述加熱器的過大發(fā)熱，且 所述防止過熱電路包括: 正特性熱敏電阻，以由所述加熱器加熱的位置插入到所述電壓供給路徑；以及上拉電阻，一端連接于所述加熱器與所述正特性熱敏電阻之間，另一端連接于直流電源，且 在來自所述加熱器控制電路的所述控制電壓異常下降時(shí)，施加至所述加熱器的所述控制電壓被限制為所述正特性熱敏電阻與所述上拉電阻的連接點(diǎn)的電壓。
2.一種加熱器裝置，其特征在于包括: 溫度檢測(cè)部，對(duì)溫度控制對(duì)象的溫度進(jìn)行檢測(cè)； 加熱器控制電路，根據(jù)所述溫度檢測(cè)部的溫度檢測(cè)值與溫度目標(biāo)值來輸出控制電壓；加熱器，構(gòu)成為:從所述加熱器控制電路被供給所述控制電壓而發(fā)熱、并且隨著所述控制電壓增大而輸出增大，且用以將所述溫度控制對(duì)象的溫度加熱為所述目標(biāo)溫度； 電壓供給路徑，用以將所述控制電壓供給到所述加熱器；以及` 防止過熱電路，用以在所述加熱器控制電路的異常時(shí)，防止所述加熱器的過大發(fā)熱，且 所述防止過熱電路包括: 正特性熱敏電阻，以由所述加熱器加熱的位置插入到所述電壓供給路徑；以及 下拉電阻，一端連接于所述加熱器與所述正特性熱敏電阻之間，另一端接地， 來自所述加熱器控制電路的所述控制電壓過大時(shí)，施加到所述加熱器的所述控制電壓被限制為所述正特性熱敏電阻與所述下拉電阻的連接點(diǎn)的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱器裝置，其特征在于: 所述溫度控制對(duì)象為:使用配置于容器內(nèi)的壓電振子的振蕩器的所述容器內(nèi)的環(huán)境， 所述溫度檢測(cè)部將一信號(hào)作為所述溫度檢測(cè)值而輸出， 所述信號(hào)與配置于所述容器內(nèi)的第一壓電振子和第二壓電振子的頻率差相對(duì)應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱器裝置，其特征在于: 所述溫度控制對(duì)象為:使用配置于容器內(nèi)的第一壓電振子與的二壓電振子的振蕩器的所述容器內(nèi)的環(huán)境， 所述溫度檢測(cè)部將一信號(hào)作為所述溫度檢測(cè)值而輸出， 所述信號(hào)與配置于所述容器內(nèi)的所述第一壓電振子和所述第二壓電振子的頻率差相對(duì)應(yīng)。
5.一種振蕩裝置，其特征在于包括: 權(quán)利要求1所述的加熱器裝置； 壓電振子；以及 容器，容納所述壓電振子；其中，所述加熱器裝置對(duì)所述容器的溫度進(jìn)行控制。
6.一種振蕩裝置，其特征在于包括:權(quán)利要求2所述的加熱器裝置；壓電振子；以及容器，容納所述壓電振子；其中，所述加熱器裝置對(duì)所述容器的溫度進(jìn)行控制。
7.一種振蕩裝置，其特征在于包括:權(quán)利要求3所述的加熱器裝置；所述容器容納所述第一壓電振子與所述的二壓電振子；其中，所述加熱器裝置對(duì)所述容器的溫度進(jìn)行控制。
8.一種振蕩裝置，其特征在于包括: 權(quán)利要求4所述的加熱器裝置；所述容器容納所述第一壓電振子與所述的二壓電振子；其中，所述加熱器裝置對(duì)所述容器的溫度進(jìn)行控制。
【文檔編號(hào)】H03B5/04GK103825553SQ201310567131
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】依田友也 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社