振子、振子的制造方法、電子設(shè)備以及移動(dòng)體的制作方法
【專(zhuān)利摘要】振子、振子的制造方法、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。提供允許在振動(dòng)部與基板之間產(chǎn)生的形變，抑制了形變引起的損壞的振子。振子的特征在于，具有：振動(dòng)部；支承部，其從振動(dòng)部延伸設(shè)置；以及固定部，其設(shè)置于支承部，支承部具有從振動(dòng)部起在第1方向上延伸的第1梁部、和在與第1方向交叉的第2方向上延伸的第2梁部。
【專(zhuān)利說(shuō)明】振子、振子的制造方法、電子設(shè)備以及移動(dòng)體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及振子、振子的制造方法、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。
【背景技術(shù)】
[0002]一般公知有利用半導(dǎo)體細(xì)微加工技術(shù)形成的被稱(chēng)為MEMS (Micro ElectroMechanical System:微機(jī)電系統(tǒng))器件的電子機(jī)械系統(tǒng)構(gòu)造體(例如，振子、濾波器、傳感器、電機(jī)等)，該電子機(jī)械系統(tǒng)構(gòu)造體具有機(jī)械可動(dòng)的構(gòu)造體。其中，MEMS振子與使用了石英或電介質(zhì)的振子/諧振器相比，容易組裝振子的驅(qū)動(dòng)電路或?qū)φ駝?dòng)的變化進(jìn)行放大的電路而進(jìn)行制造，從而對(duì)細(xì)微化、高功能化是有利的，因此其用途較廣。
[0003]作為現(xiàn)有的MEMS振子的代表例，公知有在與設(shè)置有振子的基板面平行的方向上振動(dòng)的梳型振子和在基板的厚度方向上振動(dòng)的梁型振子。梁型振子是由基板上設(shè)置的下部電極(固定電極)和隔著間隙設(shè)置在該下部電極的上方的可動(dòng)電極(振動(dòng)部)等構(gòu)成的振子。作為梁型振子，根據(jù)可動(dòng)電極的支承方式，公知有單端支承梁型(clamped-free beam)、雙端支承梁型(clamped-clamped beam)、雙端自由梁型(free-free beam)等。
[0004]關(guān)于雙端自由梁型的MEMS振子，因?yàn)檫M(jìn)行振動(dòng)的可動(dòng)電極的振動(dòng)節(jié)的部分由支承部進(jìn)行支承，所以向基板的振動(dòng)泄漏較少，振動(dòng)效率較高。在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了通過(guò)將該支承部的長(zhǎng)度設(shè)為適于振動(dòng)頻率的長(zhǎng)度來(lái)改善振動(dòng)特性的構(gòu)造的雙端自由梁型的MEMS振子。
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:美國(guó)專(zhuān)利第US6930569B2號(hào)說(shuō)明書(shū)
[0006]但是，專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的MEMS振子的支承振動(dòng)部的梁(支承部)在與振動(dòng)部交叉的方向上直線(xiàn)地延伸設(shè)置并固定于基板等，因此在基板與振動(dòng)部之間產(chǎn)生形變時(shí)，支承部等可能產(chǎn)生應(yīng)力集中從而損壞MEMS振子。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明正是為了解決上述課題中的至少一部分而完成的，可作為以下應(yīng)用例或方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0008][應(yīng)用例I]
[0009]本應(yīng)用例的振子的特征在于，具有:振動(dòng)部；支承部，其從振動(dòng)部延伸設(shè)置；以及固定部，其設(shè)置于支承部，支承部具有從振動(dòng)部起在第I方向上延伸的第I梁部、和在與第I方向交叉的第2方向上延伸的第2梁部。
[0010]根據(jù)這樣的振子，支承部具有第I梁部和第2梁部。振子分別在不同的方向上延伸設(shè)置有第I梁部和第2梁部，因此在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生了形變的情況下，能夠至少在不同的兩個(gè)方向上吸收該形變引起的變形。
[0011]因此，振子通過(guò)梁部變形吸收在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生的形變，從而能夠抑制振子由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部而損壞的情況。
[0012][應(yīng)用例2][0013]在上述應(yīng)用例的振子中，優(yōu)選的是，支承部具有在與第2方向交叉的第3方向上延伸的第3梁部。
[0014]根據(jù)這樣的振子，在支承部中，除了在第I方向和第2方向上延伸的梁部以外，還具有在第3方向上延伸的梁部。振子在與第I梁部和第2梁部不同的方向上延伸設(shè)置有第3梁部，因此在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生了形變的情況下，能夠至少在不同的3個(gè)方向上吸收該形變引起的變形。
[0015]因此，振子通過(guò)支承部變形吸收在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生的形變，從而能夠抑制振子由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部而損壞的情況。
[0016][應(yīng)用例3]
[0017]在上述應(yīng)用例的振子中，優(yōu)選的是，支承部具有在與第3方向交叉的第4方向上延伸的第4梁部、和在與第4方向交叉的第5方向上延伸的第5梁部。
[0018]根據(jù)這樣的振子，在支承部中，除了在第I方向至第3方向上延伸的梁部以外，還具有在第4方向和第5方向上延伸的第4梁部和第5梁部。
[0019]振子在與第I梁部至第3梁部不同的方向上延伸設(shè)置有第4梁部和第5梁部，因此在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生了形變的情況下，能夠至少在不同的5個(gè)方向上吸收該形變引起的變形。
[0020]因此，振子通過(guò)支承部變形吸收在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生的形變，從而能夠抑制振子由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部而損壞的情況。
[0021][應(yīng)用例4]
[0022]本應(yīng)用例的振子的特征在于，具有:振動(dòng)部；支承部，其從振動(dòng)部起延伸設(shè)置；以及固定部，其設(shè)置于支承部，支承部環(huán)繞固定部進(jìn)行設(shè)置。
[0023]根據(jù)這樣的振子，從振動(dòng)部起延伸設(shè)置的支承部以如下方式設(shè)置:在從振動(dòng)部起延伸設(shè)置的方向上具有固定部，并環(huán)繞固定部。
[0024]振子以環(huán)繞固定部的方式設(shè)置有支承部，因此在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生了形變的情況下，能夠在以固定部為中心的各個(gè)方向上吸收該形變引起的變形。
[0025][應(yīng)用例5]
[0026]在上述應(yīng)用例的振子中，優(yōu)選的是，從振動(dòng)部起延伸設(shè)置有多個(gè)支承部。
[0027]根據(jù)這樣的振子，設(shè)置有多個(gè)從振動(dòng)部起延伸設(shè)置的支承部。振子能夠通過(guò)設(shè)置多個(gè)支承部，穩(wěn)定地支承振動(dòng)部。
[0028][應(yīng)用例6]
[0029]在上述應(yīng)用例的振子中，優(yōu)選的是，在與延伸設(shè)置支承部的方向交叉的方向上，在以通過(guò)振子的中心的假想線(xiàn)上的點(diǎn)為中心的點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的位置處設(shè)置有支承部。
[0030]根據(jù)這樣的振子，從以與延伸設(shè)置有支承部的方向交叉的方向的假想線(xiàn)上的點(diǎn)為中心的點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的位置處的振動(dòng)部起延伸設(shè)置有支承部。振子在振動(dòng)部的兩個(gè)方向上設(shè)置有支承部，因此能夠穩(wěn)定地支承振動(dòng)部。
[0031][應(yīng)用例7]
[0032]本應(yīng)用例的振子的制造方法的特征在于，包含以下工序:形成振動(dòng)部和支承部；以及形成固定部和下部電極，形成所述振動(dòng)部和所述支承部的工序包含形成延伸設(shè)置的方向不同的至少兩個(gè)梁部的步驟。[0033]根據(jù)這樣的制造方法，在形成振動(dòng)部和支承部時(shí)，包含形成延伸設(shè)置的方向不同的至少兩個(gè)梁部的工序。由此,能夠在形成振動(dòng)部和支承部的工序中,在從振動(dòng)部向固定部延伸設(shè)置的支承部中形成延伸設(shè)置的方向不同的梁部。因此，在振動(dòng)部與設(shè)置有固定部的基部之間產(chǎn)生了形變的情況下，通過(guò)多個(gè)梁部變形吸收在基部與振動(dòng)部之間產(chǎn)生的形變，從而能夠抑制振子由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部而損壞的情況。
[0034][應(yīng)用例8]
[0035]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，該電子設(shè)備安裝有上述應(yīng)用例的振子。
[0036]根據(jù)這樣的電子設(shè)備，能夠通過(guò)安裝抑制了應(yīng)力引起的損壞的振子，得到可靠性聞的電子設(shè)備。
[0037][應(yīng)用例9]
[0038]本應(yīng)用例的移動(dòng)體的特征在于，該移動(dòng)體安裝有上述應(yīng)用例的振子。
[0039]根據(jù)這樣的移動(dòng)體，能夠通過(guò)安裝抑制了應(yīng)力引起的損壞的振子，得到可靠性高的移動(dòng)體。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0040]圖1是示出實(shí)施方式的振子的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0041]圖2是示出實(shí)施方式的振子的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0042]圖3是示出實(shí)施方式的振子的概略結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0043]圖4是示出實(shí)施方式的振子的概略結(jié)構(gòu)和動(dòng)作狀態(tài)的剖視圖。
[0044]圖5是示意性放大示出實(shí)施方式的振子的支承部的一部分的放大圖。
[0045]圖6是示出實(shí)施方式的振子的制造工序的剖視圖。
[0046]圖7是示出實(shí)施方式的振子的制造工序的剖視圖。
[0047]圖8是示出實(shí)施方式的振子的制造工序的剖視圖。
[0048]圖9是示出實(shí)施方式的振子的制造工序的剖視圖。
[0049]圖10是示意性放大示出變形例的支承部的一部分的放大圖。
[0050]圖11是示意性放大示出變形例的支承部的一部分的放大圖。
[0051]圖12是示出實(shí)施例的電子設(shè)備的立體圖。
[0052]圖13是示出實(shí)施例的電子設(shè)備的立體圖。
[0053]圖14是示出實(shí)施例的電子設(shè)備的立體圖。
[0054]圖15是示出實(shí)施例的移動(dòng)體的立體圖。
[0055]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0056]10:基板；11:絕緣膜；12:基底膜；13:犧牲層；14:硅層；17:抗蝕膜；20:下部電極；30:振動(dòng)部；31:節(jié)；35:間隙；40:支承部；41:梁部；42:柱部；50:固定部；51:導(dǎo)電膜；100:MEMS振子；1100:個(gè)人計(jì)算機(jī)；1200:便攜電話(huà)機(jī)；1300:數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)；1500:汽車(chē)。
【具體實(shí)施方式】
[0057]以下，使用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在以下所示的各個(gè)圖中，為了將各結(jié)構(gòu)要素設(shè)為附圖上能夠識(shí)別的程度的大小，有時(shí)適當(dāng)?shù)厥垢鹘Y(jié)構(gòu)要素的尺寸、比率不同于實(shí)際的結(jié)構(gòu)要素而進(jìn)行記載。
[0058][實(shí)施方式]
[0059]使用圖1至圖9說(shuō)明實(shí)施方式的振子。
[0060]圖1是示意性示出作為本實(shí)施方式的振子的MEMS振子的立體圖。圖2是示意性示出MEMS振子的俯視圖。圖3和圖4是示意性示出圖1所示的MEMS振子的截面的剖視圖。圖5是示意性放大示出圖1所示的MEMS振子的支承部的一部分的放大圖。圖6至圖9是說(shuō)明作為本實(shí)施方式的振子的MEMS振子的制造方法的工序圖。
[0061]作為本實(shí)施方式的振子的MEMS振子100在基板10上具有振動(dòng)部30、從振動(dòng)部30延伸設(shè)置的支承部40、以及固定支承部40的固定部50。另外，為了使振動(dòng)部30振動(dòng)，在作為對(duì)振動(dòng)部30進(jìn)行固定的基部的基板10上具有下部電極20。此外，支承部40構(gòu)成為包含梁部41和柱部42。
[0062]關(guān)于MEMS振子100，從振動(dòng)部30延伸設(shè)置的支承部40經(jīng)由固定部50將振動(dòng)部30固定在基板10上。此外，支承部40從振動(dòng)部30起延伸設(shè)置有梁部41，并在梁部41的與振動(dòng)部30相反側(cè)的一端設(shè)置有柱部42，柱部42與固定部50連接。
[0063]另外，振動(dòng)部30以從圖1中圖示的Z軸方向俯視時(shí)與設(shè)置在基板10上的下部電極20重疊的方式，隔著間隔35而設(shè)置。通過(guò)將振動(dòng)部30設(shè)置為隔著間隙35與下部電極20重疊，使得振動(dòng)部30能夠進(jìn)行振動(dòng)。另外,后面對(duì)振動(dòng)部30的動(dòng)作進(jìn)行敘述。
[0064]基板10是安裝振動(dòng)部30等的基部(基材)?；?0優(yōu)選采用容易通過(guò)半導(dǎo)體加工技術(shù)加工的娃基板。此外，基板10不限于娃基板,例如還可以米用玻璃基板。
[0065]在基板10上，如圖3所示，設(shè)置有絕緣膜11和層疊在絕緣膜11上的基底膜12。另外，在基底膜12上設(shè)置有下部電極20和固定部50。
[0066]在從圖1至圖3所示的Z軸方向觀察的基板10的大致整個(gè)表面上設(shè)置有絕緣膜Ilo作為絕緣膜11，例如可采用LOCOS (Local Oxidation of Silicon:娃的局部氧化)膜。
[0067]基底膜12對(duì)應(yīng)(層疊)于上述絕緣膜11而進(jìn)行設(shè)置。作為基底膜12，例如可采用氮化硅(SiN)膜。
[0068]在上述基底膜12上設(shè)置有下部電極20。下部電極20例如是構(gòu)圖為矩形的電極，作為其材料，可采用金(Au)、鋁(Al)等的導(dǎo)電性部件。
[0069]固定部50與上述的下部電極20同樣地設(shè)置在基底膜12上。更詳細(xì)地說(shuō)，在設(shè)置于基底膜12上的導(dǎo)電膜51上層疊地設(shè)置有固定部50。固定部50例如是構(gòu)圖為矩形的電極。作為固定部50和導(dǎo)電膜51的材料,可米用金(Au)、招(Al)等導(dǎo)電性部件。
[0070]在從圖1至圖3所示的Z軸方向觀察的基板10上設(shè)置有振動(dòng)部30和支承部40。
[0071]振動(dòng)部30隔著間隙35與上述下部電極20相對(duì)地設(shè)置。
[0072]支承部40從上述振動(dòng)部30向固定部50延伸地設(shè)置。
[0073]支承部40從振動(dòng)部30朝固定部50延伸地設(shè)置有梁部41，在梁部41的端部設(shè)置有柱部42，柱部42與固定部50連接。
[0074]更詳細(xì)地說(shuō)，梁部41具有在第I方向上延伸的作為第I梁部的梁部41a、和在與第I方向交叉的第2方向上延伸的作為第2梁部的梁部41b。
[0075]梁部41從振動(dòng)部30起延伸地設(shè)置有梁部41a作為支承部40的一部分，梁部41b與從振動(dòng)部30延伸的梁部41a的另一端連接且延伸地設(shè)置，柱部42與從梁部41a延伸的梁部41b的另一端連接。
[0076]由此，振動(dòng)部30通過(guò)支承部40與固定部50連接，由此被固定在基板10上。此外，MEMS振子100在振動(dòng)部30與下部電極20之間設(shè)置有間隙35，所以振動(dòng)部30能夠進(jìn)行振動(dòng)。
[0077]振動(dòng)部30例如構(gòu)圖為矩形并具有導(dǎo)電性，作為后述的可動(dòng)電極發(fā)揮作用。振動(dòng)部30 的材料采用了多晶娃(Polycrystalline Silicon)。
[0078]圖4是圖1所不的線(xiàn)段B-B'處的MEMS振子100的剖視圖，不出了振動(dòng)部30的振
動(dòng)動(dòng)作。
[0079]關(guān)于振動(dòng)部30，由于伴隨于施加在下部電極20與作為可動(dòng)電極的振動(dòng)部30之間的交流電壓而產(chǎn)生的電荷的靜電力，使振動(dòng)部30反復(fù)接近和遠(yuǎn)離下部電極20，由此進(jìn)行彎曲振動(dòng)運(yùn)動(dòng)。此外，在各個(gè)電極之間，輸出伴隨于振動(dòng)的信號(hào)。
[0080]振動(dòng)部30 (可動(dòng)電極)進(jìn)行如下這樣的撓曲振動(dòng)動(dòng)作:下部電極20與振動(dòng)部30重疊的中央部分、以及振動(dòng)部30的兩端部成為振動(dòng)的波腹，并且，在振動(dòng)的波腹之間具有振動(dòng)節(jié)31。換言之，振動(dòng)部30的振動(dòng)成為以節(jié)31為支點(diǎn)的彎曲運(yùn)動(dòng)動(dòng)作。
[0081]此外，在振動(dòng)節(jié)31上產(chǎn)生該節(jié)31的旋轉(zhuǎn)軸方向的力、ω、ω ’。此外，振動(dòng)部30隨著振動(dòng)運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生Z軸方向的力、α、α ’。
[0082]振動(dòng)部30的振動(dòng)節(jié)31的部分與支承部40連接。換言之，從振動(dòng)部30的振動(dòng)節(jié)31起延伸地設(shè)置有梁部41。
[0083]具體地說(shuō)，關(guān)于振動(dòng)部30，圖1中標(biāo)注符號(hào)31而用單點(diǎn)劃線(xiàn)表示的振動(dòng)節(jié)31的兩端部由支承部40支承。
[0084]圖1所示的本實(shí)施方式的MEMS振子100的支承部40從振動(dòng)部30起延伸地設(shè)置有多個(gè)。優(yōu)選的是，針對(duì)每個(gè)振動(dòng)節(jié)31，從振動(dòng)部30朝相反方向延伸設(shè)置支承部40，利用2對(duì)(2組)支承部40支承振動(dòng)部30。
[0085]另外，不限于這種方式，也可以從振動(dòng)部30的振動(dòng)節(jié)31朝一個(gè)方向設(shè)置支承部
40。此外，可針對(duì)每個(gè)振動(dòng)節(jié)31，從振動(dòng)部31朝交錯(cuò)的方向設(shè)置支承部40。
[0086]此外，可以從如下位置的振動(dòng)部30起延伸設(shè)置支承部40，上述位置是以通過(guò)振動(dòng)部30延伸的方向的中心的假想線(xiàn)上(例如圖1所示的線(xiàn)段)的點(diǎn)(未圖示)為中心的點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的位置。
[0087]此外，可以針對(duì)任意一個(gè)振動(dòng)節(jié)31設(shè)置支承部40。即，可以用一個(gè)支承部40支承振動(dòng)部30。
[0088]在圖1至圖4中，在下部電極20以及振動(dòng)部30 (可動(dòng)電極)上設(shè)置有輸出伴隨于振動(dòng)的信號(hào)的布線(xiàn)，但省略了說(shuō)明及其各圖中的圖示。
[0089]這里，使用圖5對(duì)支承部40進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0090]圖5是示意性放大示出構(gòu)成支承部40的梁部41的部分的立體圖。另外，圖5所示的支承部40示出了在從振動(dòng)部30延伸設(shè)置的方向立體觀察到的梁部41。
[0091]支承部40在從振動(dòng)部30向固定部50延伸設(shè)置的部分中，具有梁部41a和梁部41b。支承部40從振動(dòng)部30起在第I方向(X軸方向)上延伸設(shè)置有梁部41a，在與延伸設(shè)置有梁部41a的方向交叉的第2方向(Y軸方向)上延伸設(shè)置有梁部41b，梁部41b與柱部42連接。換言之,梁部41為L(zhǎng)字形狀。[0092]另外，在以下的說(shuō)明中，將梁部41a和梁部41b連接的部分稱(chēng)作連接點(diǎn)43。
[0093]對(duì)于本實(shí)施方式的MEMS振子100的支承部40，其梁部41的形狀具有“L形狀”，因此在基板10 (圖5中省略圖示)與振動(dòng)部30之間產(chǎn)生了形變的情況下，梁部41能夠以連接點(diǎn)43為支點(diǎn)進(jìn)行變形(移位)。
[0094]例如，在振動(dòng)部30與設(shè)置有固定部50 (圖5中省略圖示)的基板10的間隔擴(kuò)大、或縮小的方向即Z軸方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部41a和梁部41b能夠以連接點(diǎn)43為支點(diǎn)在圖5所示的梁部41的剪切方向α 1、α 2上移位。
[0095]更詳細(xì)地說(shuō)，在振動(dòng)部30與基板10的間隔擴(kuò)大的方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部41a能夠以連接點(diǎn)43為支點(diǎn)在α I方向上移位。此外，梁部41b能夠在作為其延伸方向(Y軸方向)的中心的中心線(xiàn)105的旋轉(zhuǎn)軸方向ω21上扭轉(zhuǎn)移位。
[0096]此外，例如，在振動(dòng)部30與基板10的間隔縮小的方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部41a能夠以連接點(diǎn)43為支點(diǎn)在α 2方向上移位，梁部41b在中心線(xiàn)105的旋轉(zhuǎn)軸方向ω--上扭轉(zhuǎn)移位。
[0097]另一方面，在振動(dòng)部30和基板10在水平方向(X軸方向、Y軸方向)上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部41a能夠?qū)?yīng)于該形變以連接點(diǎn)43為支點(diǎn)在剪切方向α?、α2、β?、β2上移位。此外，從振動(dòng)節(jié)31延伸的梁部41a能夠在其旋轉(zhuǎn)軸方向ω 1、ω 2方向上移位。此外，梁部41b能夠以連接點(diǎn)43為支點(diǎn)在剪切方向α 1、α 2、β 1、β 2上移位。此外，梁部41b能夠在其中心線(xiàn)105的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 11、ω21的方向上移位。
[0098]由此，即使在振動(dòng)部30與基板10之間產(chǎn)生了形變的情況下也通過(guò)由梁部41變形來(lái)吸收形變，從而能夠抑制振動(dòng)部30和支承部40的損壞。
[0099](制造方法)
[0100]接著，說(shuō)明MEMS振子100的制造方法。
[0101]圖6至圖9是按照工序順序示出MEMS振子100的制造方法的工序圖。
[0102]MEMS振子100的制造方法可包括:形成振動(dòng)部30和支承部40的工序、形成固定部50和下部電極20的工序、以及在形成支承部40后去除中間層的工序。
[0103]另外，在圖6~圖9中，(al)~(gl)示出了圖1所示的線(xiàn)段A_A’處的截面，此外，(a2)~(g2)示出了圖1所示的線(xiàn)段C-C’處的截面。此外,在圖6~圖9中,例如在標(biāo)記為圖6 (a)的情況下，假設(shè)包含圖6 (al)、圖6 (a2)而進(jìn)行說(shuō)明。此外，在圖6至圖9中，簡(jiǎn)化固定部50和導(dǎo)電膜51的圖不而一并圖不為固定部50。
[0104]圖6 (a)示出了在基板10上設(shè)置有下部電極20和固定部50 (導(dǎo)電膜51)的狀態(tài)。
[0105]關(guān)于下部電極20與固定部50的形成方法，準(zhǔn)備基板10，在作為主面的表面上設(shè)置絕緣膜11。作為絕緣膜11的形成方法，例如可采用CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法形成一般的LOCOS (Local Oxidation of Silicon:娃的選擇氧化)膜。
[0106]接著，與絕緣膜11對(duì)應(yīng)地層疊基底膜12。作為基底膜12的形成方法，例如可采用CVD法形成氮化硅(SiN)膜。此外，采用了氮化硅膜的基底膜12對(duì)于包含氟酸的清洗液(蝕刻劑)具有耐受性，可以作為所謂的蝕刻阻擋層發(fā)揮作用。
[0107]接著，在基底膜12上形成下部電極20和固定部50。作為下部電極20和固定部50的形成方法，例如可采用光刻法來(lái)設(shè)置導(dǎo)電性膜。另外，導(dǎo)電性膜的形成材料沒(méi)有特別限定，可采用包含鋁(Al)、銅(Cu)、金(Au)等的導(dǎo)電性材料。
[0108]圖6 (b)示出了如下?tīng)顟B(tài):設(shè)置有犧牲層13作為用于在下部電極20與振動(dòng)部30之間設(shè)置間隙35 (參照?qǐng)D3、圖4)的中間層。
[0109]在基底膜12、下部電極20、以及固定部50上層疊地形成犧牲層13。犧牲層13是為了在后述的振動(dòng)部30以及支承部40的一部分與基底膜12、下部電極20、固定部50之間設(shè)置間隙35而臨時(shí)設(shè)置的。作為犧牲層13的形成方法，例如可采用CVD法來(lái)設(shè)置氧化硅(SiO2)膜。
[0110]此外，在犧牲層13上形成在后述的工序中層疊在犧牲層13上而成為振動(dòng)部30和支承部40的硅層(膜)14。因此，優(yōu)選進(jìn)行犧牲層13的表面的平坦化。犧牲層13的平坦化例如可通過(guò)CMP (Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機(jī)械拋光)法來(lái)進(jìn)行。
[0111]圖7 (C)示出了去除(蝕刻)了支承部40與固定部50連接的部分的犧牲層13的狀態(tài)。詳細(xì)地說(shuō)，圖7 (Cl)示出了去除作為與支承部40的柱部42連接的固定部50的部分的犧牲層13而露出固定部50的狀態(tài)。此外，圖7 (c2)示出了去除了作為梁部41的部分后的犧牲層13的狀態(tài)?？赏ㄟ^(guò)光刻法來(lái)進(jìn)行這些犧牲層13的部分的去除。
[0112]圖7 (d)示出了已形成作為振動(dòng)部30和支承部40的硅層14的狀態(tài)。與犧牲層13對(duì)應(yīng)地、或者與犧牲層13以及固定部50對(duì)應(yīng)地形成硅層14。作為硅層14的形成方法，例如可米用CVD法來(lái)設(shè)置多晶娃層。
[0113]圖8 (e)示出了對(duì)硅層14實(shí)施了平坦化的狀態(tài)。如上所述，硅層14形成為包含去除了犧牲層13后的部分，因此在去除了該犧牲層13后的部分處產(chǎn)生凹陷(凹部)。當(dāng)產(chǎn)生凹陷時(shí)，由硅層14形成的振動(dòng)部30與支承部40的厚度可能不均勻。因此，優(yōu)選進(jìn)行硅層14的平坦化。硅層14的平坦化可以與上述犧牲層13的平坦化同樣地利用CMP法來(lái)進(jìn)行。另外，硅層14即使不進(jìn)行平坦化也發(fā)揮作為MEMS振子100的作用，但為了使振動(dòng)動(dòng)作穩(wěn)定，優(yōu)選進(jìn)行平坦化。
[0114]圖8 (f)示出了為了形成振動(dòng)部30和支承部40的形狀而在硅層14上利用抗蝕膜17進(jìn)行構(gòu)圖后的狀態(tài)。
[0115]在硅層14上，在振動(dòng)部30以及支承部40所需的部分處形成抗蝕膜17。由此，可通過(guò)去除沒(méi)有形成抗蝕膜17的部分的硅層14，來(lái)形成振動(dòng)部30和支承部40。
[0116]例如，可通過(guò)光刻法來(lái)進(jìn)行硅層14的去除。
[0117]圖9 (g)示出了去除犧牲層13而使得振動(dòng)部30與支承部40的形狀顯現(xiàn)出來(lái)的狀態(tài)。
[0118]例如，可采用能選擇性地蝕刻犧牲層13的清洗液(蝕刻劑)，通過(guò)濕蝕刻法進(jìn)行犧牲層13的去除。此外，作為清洗液，可采用包含氟酸的清洗液。通過(guò)使用這樣的蝕刻液，能夠選擇性地去除(蝕刻)由氧化硅膜形成的犧牲層13，可通過(guò)由氮化硅膜形成的基底膜12，保護(hù)由LOCOS膜形成的絕緣膜11。
[0119]在犧牲層13的去除完成后，完成了 MEMS振子100的制造工序。
[0120]根據(jù)上述實(shí)施方式，能夠得到以下效果。
[0121]根據(jù)這樣的MEMS振子100，具有在形成振動(dòng)部30和支承部40時(shí)形成延伸設(shè)置的方向不同的多個(gè)梁部41的工序，從而在支承部40中設(shè)置延伸設(shè)置的方向不同的多個(gè)梁部
41。此外，通過(guò)在從振動(dòng)部30向設(shè)置于基板10的固定部50延伸的支承部40中設(shè)置有多個(gè)梁部41，在振動(dòng)部30與基板10之間產(chǎn)生了形變的情況下，梁部41對(duì)應(yīng)于延伸設(shè)置梁部41的方向而在多個(gè)方向上變形從而吸收形變。因此，能夠抑制MEMS振子100的損壞。
[0122]另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式施加各種變更和改良等。以下敘述變形例。此處，對(duì)與上述實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)部位標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)并省略重復(fù)說(shuō)明。
[0123](變形例I)
[0124]圖10 Ca)是對(duì)變形例I的MEMS振子101的支承部140進(jìn)行放大后的立體圖。
[0125]MEMS振子101是與MEMS振子100同樣地具備雙端自由梁型的可動(dòng)電極的MEMS振子，其構(gòu)成為包含基板10、下部電極20、振動(dòng)部30、固定部50、支承部140等。另外，在圖10
(a)中，省略了它們中的一部分的圖示。
[0126]支承部140與上述MEMS振子100的支承部40的不同點(diǎn)是梁部141的形狀。梁部141在從振動(dòng)部30向固定部50延伸設(shè)置的部分中，具有梁部141a、梁部141b和梁部141c。
[0127]支承部140從振動(dòng)部30起在第I方向(X軸方向)上延伸設(shè)置有作為第I梁部的梁部141a，在與延伸設(shè)置有梁部141a的方向交叉的第2方向(Y軸方向)上延伸設(shè)置有作為第2梁部的梁部141b，在與延伸設(shè)置有梁部141b的方向交叉的第3方向(X軸方向)上延伸設(shè)置有作為第3梁部的梁部141c，梁部141c與柱部(圖10 (a)中未圖示)連接。換言之，梁部141為曲柄形狀。
[0128]另外，在以下的說(shuō)明中，將在第2方向上延伸設(shè)置的梁部141b的延伸方向(Y軸方向)的中心、和作為與該延伸方向垂直的方向的梁部141b寬度方向(X軸方向)的各個(gè)中心稱(chēng)作中心點(diǎn)143。
[0129]對(duì)于變形例I的MEMS振子101的支承部140，其梁部141具有多個(gè)彎曲(曲柄形狀)，因此在基板10 (圖10 (a)中省略圖示)與振動(dòng)部30之間產(chǎn)生了形變的情況下，梁部141能夠以中心點(diǎn)143為支點(diǎn)進(jìn)行變形(移位)。
[0130]例如，在振動(dòng)部30與基板10的間隔擴(kuò)大、或縮小的方向即Z軸方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部141a和梁部141c能夠以中心點(diǎn)143為支點(diǎn)在圖10 (a)所示的梁部141的剪切方向α 111、α 112上移位。此外，梁部141b能夠在作為其延伸方向(Y軸方向)的中心的中心線(xiàn)110的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 111、ω 112上扭轉(zhuǎn)移位。
[0131]更詳細(xì)地說(shuō)，例如在振動(dòng)部30與基板10的間隔擴(kuò)大的方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部141c以中心點(diǎn)143為支點(diǎn)在α 111方向上移位，梁部141a以中心點(diǎn)143為支點(diǎn)在α 112方向上移位。此外，梁部141b能夠在中心線(xiàn)110的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 111上扭轉(zhuǎn)移位。
[0132]此外，例如在振動(dòng)部30與基板10的間隔縮小的方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部141c能夠以中心點(diǎn)143為支點(diǎn)在α 112方向上移位，梁部141a能夠以中心點(diǎn)143為支點(diǎn)在α 111方向上移位。此外，梁部141b能夠在中心線(xiàn)110的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 112上扭轉(zhuǎn)移位。
[0133]另一方面,在振動(dòng)部30和基板10在水平方向(X軸方向、Y軸方向)上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部141a和梁部141c能夠?qū)?yīng)于該形變以中心點(diǎn)143為支點(diǎn)在剪切方向α 111、α 112、β 111、β 112上移位。此外，梁部141b能夠?qū)?yīng)于該形變以中心線(xiàn)110為中心在旋轉(zhuǎn)軸方向ω 111、ω 112上扭轉(zhuǎn)移位。此外，梁部141a和梁部141c能夠在假想線(xiàn)120的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 121、ω 122上扭轉(zhuǎn)變形，所述假想線(xiàn)120朝在中心點(diǎn)143處與中心線(xiàn)110垂直的兩個(gè)方向延伸。
[0134]由此，即使在振動(dòng)部30與基板10之間產(chǎn)生了形變的情況下也通過(guò)由梁部141變形來(lái)吸收形變，從而能夠抑制MEMS振子101 (振動(dòng)部30和支承部140)由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部140而損壞的情況。
[0135]其他方面與上述MEMS振子100相同，所以省略說(shuō)明。
[0136](變形例2)
[0137]圖10 (b)是對(duì)變形例2的MEMS振子102的支承部240進(jìn)行放大后的立體圖。
[0138]MEMS振子102是與MEMS振子100同樣地具備雙端自由梁型的可動(dòng)電極的MEMS振子，其構(gòu)成為包含基板10、下部電極20、振動(dòng)部30、固定部50、支承部240等。另外，在圖10
(b)中，省略了它們中的一部分的圖示。
[0139]支承部240與上述MEMS振子100的支承部40的不同點(diǎn)是梁部241的形狀。
[0140]梁部241在從振動(dòng)部30向固定部50延伸設(shè)置的部分中，具有梁部241a、梁部241b、梁部241c、梁部241d和梁部241e。
[0141]支承部240從振動(dòng)部30起在第I方向(X軸方向)上延伸地設(shè)置有作為第I梁部的梁部241a，在與延伸設(shè)置有梁部241a的方向交叉的第2方向(Y軸方向)上延伸設(shè)置有作為第2梁部的梁部241b。
[0142]此外，在與延伸設(shè)置有梁部241b的方向交叉的第3方向(X軸方向)上延伸設(shè)置有作為第3梁部的梁部241c，在與延伸設(shè)置有梁部241c的方向交叉的第4方向(Y軸方向)上延伸設(shè)置有作為第4梁部的梁部241d。
[0143]此外,在與延伸設(shè)置有梁部241d的方向交叉的第5方向(X軸方向)上延伸地設(shè)置有作為第5梁部的梁部241e，梁部241e與柱部42 (圖10 (b)中未圖示)連接。換言之，梁部241是上述梁部141的曲柄形狀連接而成的形狀。
[0144]另外，在以下的說(shuō)明中，將在第3方向上延伸設(shè)置的梁部241c的延伸方向(X軸方向)的中心、和作為與該延伸方向垂直的方向的梁部241c寬度方向(Y軸方向)的各個(gè)中心稱(chēng)作中心點(diǎn)243。
[0145]對(duì)于變形例2的MEMS振子102的支承部240，其梁部241具有多個(gè)彎曲(曲柄形狀)，因此在基板10 (圖10 (b)中省略圖示)與振動(dòng)部30之間產(chǎn)生了形變的情況下，梁部241能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)進(jìn)行變形(移位)。
[0146]例如，在振動(dòng)部30與基板10的間隔擴(kuò)大、或縮小的方向即Z軸方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部241a、梁部241c和梁部241e能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在圖10 (b)所示的梁部241的剪切方向α 211、α 212上移位。
[0147]此外，梁部241b能夠在作為其延伸方向(Y軸方向)的中心的中心線(xiàn)210的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 211、ω 212上扭轉(zhuǎn)移位。此外，梁部241d能夠在作為其延伸方向(Y軸方向)的中心的中心線(xiàn)220的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 221、ω 222上扭轉(zhuǎn)移位。
[0148]例如在振動(dòng)部30與基板10的間隔擴(kuò)大的方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部241a能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在α 212方向上移位，梁部241c能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在α 211方向上移位，梁部241e能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在α 211方向上移位。此外，梁部241b能夠在中心線(xiàn)210的旋轉(zhuǎn)軸方向ω212上扭轉(zhuǎn)移位。此外，梁部241d能夠在中心線(xiàn)220的旋轉(zhuǎn)軸方向ω222上扭轉(zhuǎn)移位。
[0149]此外，例如在振動(dòng)部30與基板10的間隔縮小的方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部241a能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在α 211方向上移位，梁部241c能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在α 221方向上移位，梁部241e能夠以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在α 221方向上移位。此外，梁部241b能夠在中心線(xiàn)210的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 211上扭轉(zhuǎn)移位。此外，梁部241d能夠在中心線(xiàn)220的旋轉(zhuǎn)軸方向ω221上扭轉(zhuǎn)移位。
[0150]另一方面，在振動(dòng)部30和基板10在水平方向(X軸方向、Y軸方向)上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部241a、梁部241c和梁部241e能夠?qū)?yīng)于該形變以中心點(diǎn)243為支點(diǎn)在剪切方向 α 211、α 212、β 211、β 212 上移位。
[0151]此外，梁部241b能夠?qū)?yīng)于該形變?cè)谥行木€(xiàn)210的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 211、ω 212上扭轉(zhuǎn)移位。此外，梁部241d能夠?qū)?yīng)于該形變?cè)谥行木€(xiàn)220的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 221、ω 222上扭轉(zhuǎn)移位。此外，從振動(dòng)節(jié)31起延伸的梁部241a和設(shè)置在振動(dòng)節(jié)31的假想線(xiàn)上的梁部241e能夠分別在其旋轉(zhuǎn)軸方向《201、ω202方向上扭轉(zhuǎn)變形。
[0152]由此，即使在振動(dòng)部30與基板10之間產(chǎn)生了形變的情況下也通過(guò)由梁部241變形來(lái)吸收形變，從而能夠抑制MEMS振子102 (振動(dòng)部30和支承部240)由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部240而損壞的情況。
[0153]其他方面與上述MEMS振子100相同，所以省略說(shuō)明。
[0154](變形例3)
[0155]圖11 (c)是對(duì)變形例3的MEMS振子103的支承部340進(jìn)行放大后的立體圖。
[0156]MEMS振子103是與MEMS振子100同樣地具備雙端自由梁型的可動(dòng)電極的MEMS振子，其構(gòu)成為包含基板10、下部電極20、振動(dòng)部30、固定部50、支承部340等。另外，在圖11
(c)中，省略了它們中的一部分的圖示。
[0157]支承部340與上述MEMS振子100的支承部40的不同點(diǎn)是梁部341的形狀。
[0158]梁部341在從振動(dòng)部30向固定部50延伸設(shè)置的部分中，具有梁部341a、梁部341b、梁部341c、梁部341d、梁部341e和梁部341f。
[0159]支承部340從振動(dòng)部30起在第I方向(X軸方向)上延伸設(shè)置有梁部341a，在與延伸設(shè)置有梁部341a的方向交叉的第2方向(Y軸方向)上延伸設(shè)置有梁部341b。
[0160]此外，在與延伸設(shè)置有梁部341b的方向交叉的第3方向(X軸方向)上延伸設(shè)置有梁部341c，在與延伸設(shè)置有梁部341c的方向交叉的第4方向(Y軸方向)上延伸設(shè)置有梁部 341d。
[0161 ] 此外，在與延伸設(shè)置有梁部341d的方向交叉的第5方向(X軸方向)上延伸設(shè)置有梁部341e，在與延伸設(shè)置有梁部341e的方向交叉的第6方向(Y軸方向)上延伸設(shè)置有梁部341f，梁部341f與柱部342連接。換言之，梁部341是以固定部50 (柱部342)為中心使該梁部341彎曲環(huán)繞而得到的形狀。
[0162]變形例3的MEMS振子103的支承部340具有使其梁部341彎曲環(huán)繞而得到的形狀，因此在基板10 (圖11 (C)中省略圖示)與振動(dòng)部30之間產(chǎn)生了形變的情況下，梁部341能夠進(jìn)行變形(移位)。
[0163]例如，在振動(dòng)部30與基板10的間隔擴(kuò)大、或縮小的方向即Z軸方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部341a、梁部341c和梁部341e能夠在圖11 (c)所示的梁部341的剪切方向α 311、α 312 上移位。
[0164]此外，梁部341b能夠在作為其延伸方向(Y軸方向)的中心的中心線(xiàn)310的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 311、ω 312上扭轉(zhuǎn)移位。此外，梁部341d能夠在作為其延伸方向(Y軸方向)的中心的中心線(xiàn)320的旋轉(zhuǎn)軸方向ω 321、ω 322上扭轉(zhuǎn)移位。此外，梁部341f能夠在作為其延伸方向(Y軸方向)的中心的中心線(xiàn)330的旋轉(zhuǎn)軸方向ω331、ω 332上扭轉(zhuǎn)移位。
[0165]另一方面，在振動(dòng)部30和基板10在水平方向(X軸方向、Y軸方向)上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部341a?梁部341f能夠?qū)?yīng)于該形變以柱部342為支點(diǎn)在剪切方向α 311和α 312上移位。此外，梁部341a?梁部341f能夠在從剪切方向β 311經(jīng)過(guò)β 312環(huán)繞至β311的各個(gè)方向上移位。
[0166]由此，即使在振動(dòng)部30與基板10之間產(chǎn)生了形變的情況下也通過(guò)由梁部341變形來(lái)吸收形變，從而能夠抑制MEMS振子103 (振動(dòng)部30和支承部340)由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部340而損壞的情況。
[0167]其他方面與上述MEMS振子100相同，所以省略說(shuō)明。
[0168](變形例4)
[0169]圖11 (d)是對(duì)變形例4的MEMS振子104的支承部440進(jìn)行放大后的立體圖。
[0170]MEMS振子104是與MEMS振子100同樣地具備雙端自由梁型的可動(dòng)電極的MEMS振子，其構(gòu)成為包含基板IO、下部電極20、振動(dòng)部30、固定部50、支承部440等。另外，在圖11Cd)中，省略了它們中的一部分的圖示。
[0171]支承部440與上述MEMS振子100的支承部40的不同點(diǎn)是梁部441的形狀。支承部440在從振動(dòng)部30向固定部50延伸設(shè)置的部分中，具有梁部441和柱部442。支承部440以從振動(dòng)部30起延伸設(shè)置的梁部441環(huán)繞固定部50的方式進(jìn)行設(shè)置。換言之，以固定部50 (柱部442)為中心將梁部441設(shè)置成螺旋形狀。
[0172]變形例4的MEMS振子104的支承部440具有使梁部441以固定部50為中心進(jìn)行環(huán)繞的形狀，因此在基板10 (圖11 (d)中省略圖示)與振動(dòng)部30之間產(chǎn)生了形變的情況下，梁部441能夠進(jìn)行變形(移位)。
[0173]例如，在振動(dòng)部30與基板10的間隔擴(kuò)大、或縮小的方向即Z軸方向上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部441能夠在圖11 (d)所示的從梁部441的剪切方向α 411經(jīng)過(guò)α 412環(huán)繞至α411的各個(gè)方向上移位。
[0174]另一方面，在振動(dòng)部30和基板10在水平方向(X軸方向、Y軸方向)上產(chǎn)生了形變的情況下，梁部441能夠?qū)?yīng)于該形變，在從剪切方向β 411經(jīng)過(guò)β 412環(huán)繞至β 411的各個(gè)方向上移位。
[0175]由此，即使在振動(dòng)部30與基板10之間產(chǎn)生了形變的情況下也通過(guò)由梁部441變形來(lái)吸收形變，從而能夠抑制MEMS振子104 (振動(dòng)部30和支承部440)由于形變引起的應(yīng)力集中于支承部440而損壞的情況。
[0176]其他方面與上述MEMS振子100相同，所以省略說(shuō)明。
[0177]另外，在上述實(shí)施方式和變形例中示出的在第I方向至第5方向上延伸的梁部41的延伸方向不受限定，例如可以使梁部41在與第I方向成30°的角度交叉的第2方向上延伸。即，相鄰的梁部41可以在不同的方向上延伸設(shè)置。
[0178][電子設(shè)備]
[0179]接著，使用圖12至圖15來(lái)說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的作為電子部件的MEMS振子100的電子設(shè)備。
[0180]圖12是不出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的MEMS振子100的電子設(shè)備的移動(dòng)型(或筆記本型)的個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)概略的立體圖。在該圖中，個(gè)人計(jì)算機(jī)1100由具有鍵盤(pán)1102的主體部1104以及具有顯示部1008的顯示單元1106構(gòu)成,顯示單元1106通過(guò)鉸鏈構(gòu)造部以能夠轉(zhuǎn)動(dòng)的方式支承在主體部1104上。在這種個(gè)人計(jì)算機(jī)1100中內(nèi)置有作為濾波器、諧振器、基準(zhǔn)時(shí)鐘等發(fā)揮作用的作為電子部件的MEMS振子100。
[0181]圖13是示出作為具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的MEMS振子100的電子設(shè)備的便攜電話(huà)機(jī)(也包括PHS)的結(jié)構(gòu)概略的立體圖。在該圖中，便攜電話(huà)機(jī)1200具有多個(gè)操作按鈕1202、接聽(tīng)口 1204以及通話(huà)口 1206，在操作按鈕1202與接聽(tīng)口 1204之間配置有顯示部1208。在這種便攜電話(huà)機(jī)1200中內(nèi)置有作為濾波器、諧振器、角速度傳感器等發(fā)揮作用的作為電子部件(定時(shí)器件)的MEMS振子100。
[0182]圖14是示出作為具有本發(fā)明實(shí)施方式的MEMS振子100的電子設(shè)備的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的結(jié)構(gòu)概略的立體圖。另外，在該圖中，還簡(jiǎn)單地示出與外部設(shè)備之間的連接。數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)1300通過(guò)CCD (Charge Coupled Device:電荷稱(chēng)合器件)等攝像元件對(duì)被攝體的光像進(jìn)行光電變換來(lái)生成攝像信號(hào)(圖像信號(hào))。
[0183]在數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)1300中的外殼(機(jī)身)1302的背面設(shè)置有顯示部1308，構(gòu)成為根據(jù)CCD的攝像信號(hào)進(jìn)行顯示，顯示部1308作為將被攝體顯示為電子圖像的取景器發(fā)揮作用。并且，在外殼1302的正面?zhèn)?圖中背面?zhèn)?設(shè)置有包含光學(xué)鏡頭(攝像光學(xué)系統(tǒng))和CXD等的受光單元1304。
[0184]攝影者確認(rèn)在顯示部1308中顯示的被攝體像，并按下快門(mén)按鈕1306時(shí)，將該時(shí)刻的CCD的攝像信號(hào)傳輸?shù)酱鎯?chǔ)器1310內(nèi)進(jìn)行存儲(chǔ)。并且，在該數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)1300中，在外殼1302的側(cè)面設(shè)置有視頻信號(hào)輸出端子1312和數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314。而且，如圖所示，根據(jù)需要，視頻信號(hào)輸出端子1312與液晶監(jiān)視器1430連接，數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314與個(gè)人計(jì)算機(jī)1440連接。而且，構(gòu)成為通過(guò)規(guī)定的操作，將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器1310中的攝像信號(hào)輸出到液晶監(jiān)視器1430或個(gè)人計(jì)算機(jī)1440。在這種數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)1300中內(nèi)置有作為濾波器、諧振器、角速度傳感器等發(fā)揮作用的作為電子部件的MEMS振子100。
[0185]如上所述，通過(guò)在電子設(shè)備中應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施方式的MEMS振子100，能夠提供更高性能且動(dòng)作穩(wěn)定的電子設(shè)備。
[0186]另外，除了圖12所示的個(gè)人計(jì)算機(jī)(移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī))、圖13所示的便攜電話(huà)機(jī)、圖14所示的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)以外，本發(fā)明實(shí)施方式的作為電子部件的MEMS振子100例如還可以應(yīng)用于噴墨式排出裝置(例如噴墨打印機(jī))、膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)、電視機(jī)、攝像機(jī)、車(chē)載導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本(也包含通信功能)、電子辭典、計(jì)算器、電子游戲設(shè)備、工作站、視頻電話(huà)、防盜用電視監(jiān)視器、電子雙筒望遠(yuǎn)鏡、POS終端、醫(yī)療設(shè)備(例如電子體溫計(jì)、血壓計(jì)、血糖計(jì)、心電圖計(jì)測(cè)裝置、超聲波診斷裝置、電子內(nèi)窺鏡)、魚(yú)群探測(cè)器、各種測(cè)定設(shè)備、計(jì)量?jī)x器類(lèi)(例如車(chē)輛、飛機(jī)、船舶的計(jì)量?jī)x器類(lèi))、飛行模擬器等電子設(shè)備。
[0187][移動(dòng)體]
[0188]接著，使用圖15說(shuō)明應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施方式的作為電子部件的MEMS振子100的移動(dòng)體。
[0189]圖15是概略地示出作為移動(dòng)體的一例的汽車(chē)的立體圖。在汽車(chē)1500中具有本發(fā)明的MEMS振子100。例如，如該圖所示，在作為移動(dòng)體的汽車(chē)1500中內(nèi)置有MEMS振子100作為檢測(cè)該汽車(chē)1500的加速度的傳感器，在車(chē)體1507上安裝有控制引擎輸出的電子控制單元(ECU Electronic Control Unit (電子控制裝置))1508。此外，MEMS振子100還可以廣泛應(yīng)用于除此之外的車(chē)體姿勢(shì)控制單元、防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS)、氣囊、輪胎壓力監(jiān)控系統(tǒng)(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)。
[0190]如上所述，通過(guò)在移動(dòng)體中應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施方式的MEMS振子100，能夠提供能夠以更高性能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定行駛的移動(dòng)體。
【權(quán)利要求】
1.一種振子,其特征在于,該振子具有: 振動(dòng)部； 支承部，其從所述振動(dòng)部延伸設(shè)置；以及 固定部，其設(shè)置于所述支承部， 所述支承部具有從所述振動(dòng)部起在第I方向上延伸的第I梁部、和在與所述第I方向交叉的第2方向上延伸的第2梁部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振子，其特征在于， 所述支承部具有在與所述第2方向交叉的第3方向上延伸的第3梁部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振子，其特征在于， 所述支承部具有在與所述第3方向交叉的第4方向上延伸的第4梁部、和在與所述第4方向交叉的第5方向上延伸的第5梁部。
4.一種振子,其特征在于,該振子具有: 振動(dòng)部； 支承部，其從所述振動(dòng)部延伸設(shè)置；以及 固定部，其設(shè)置于所述支承部， 所述支承部環(huán)繞所述固定部進(jìn)行設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振子，其特征在于， 從所述振動(dòng)部延伸設(shè)置有多個(gè)所述支承部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振子，其特征在于， 在與延伸設(shè)置所述支承部的方向交叉的方向上，在以通過(guò)所述振子的中心的假想線(xiàn)上的點(diǎn)為中心的點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的位置處設(shè)置有所述支承部。
7.一種振子的制造方法，該振子具有: 振動(dòng)部； 支承部，其從所述振動(dòng)部延伸設(shè)置；以及 固定部，其設(shè)置于所述支承部， 所述支承部具有從所述振動(dòng)部起在第I方向上延伸的第I梁部、和在與所述第I方向交叉的第2方向上延伸的第2梁部，該振子的制造方法的特征在于，包括以下工序: 形成所述振動(dòng)部和所述支承部；以及 形成所述固定部和下部電極， 形成所述振動(dòng)部和所述支承部的工序包含形成延伸設(shè)置的方向不同的至少兩個(gè)梁部的步驟。
8.—種電子設(shè)備，其特征在于，該電子設(shè)備安裝有權(quán)利要求1所述的振子。
9.一種移動(dòng)體，其特征在于，該移動(dòng)體安裝有權(quán)利要求1所述的振子。
【文檔編號(hào)】H03H9/24GK103856175SQ201310624965
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月29日
【發(fā)明者】稻葉正吾, 藤井正寬 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社