串dac泄漏電流消除的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施方案可以提供一種具有泄漏電流消除的多DAC?？梢詫⑿孤┫娐否詈系蕉啻瓺AC的輸出節(jié)點。該泄漏消除電路可以復(fù)制耦合的輸出節(jié)點處存在的泄漏電流，并生成對應(yīng)的互補信號：泄漏消除信號?？梢詫⑿孤┫盘栕⑷氲今詈系妮敵龉?jié)點中以消除（或降低）泄漏電流的凈影響。
【專利說明】串DAC泄漏電流消除
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本發(fā)明申請要求2012年12月14日提交的美國臨時專利申請序列號61/737，458賦予的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，其內(nèi)容通過弓I用完全并入本文。
【背景技術(shù)】
[0003]本發(fā)明涉及串?dāng)?shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)中的泄漏電流消除。
[0004]串DAC將數(shù)字字轉(zhuǎn)換成對應(yīng)模擬信號。作為一種串DAC類型的雙串DAC包括兩個阻抗串，如兩個串聯(lián)電阻器串和兩個開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。第一電阻器串的輸出耦合到第二電阻器串的輸入，第一電阻器串典型地用于轉(zhuǎn)換數(shù)字字的最高有效位(MSB)，第二電阻器串典型地用于數(shù)字字的轉(zhuǎn)換最低有效位(LSB)。由此，對于中至高分辨率轉(zhuǎn)換器，選定的第一電阻器端處的電壓往往在值上接近。第一電阻器串中選定的電阻器、第一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)和第二電阻器串可能在相似的共模下工作。
[0005]以給定的共模下工作的串DAC中的錯誤源是泄漏電流，這可能破壞轉(zhuǎn)換。泄漏電流可以存在于兩個開關(guān)網(wǎng)絡(luò)中的開關(guān)輸出處，并且可指漏入到開關(guān)端或從開關(guān)端漏入的非期望的電流。此類泄漏電流的影響在低功率和/或高溫應(yīng)用中變得更大。在低功率應(yīng)用中，由于轉(zhuǎn)換中使用的電壓低，所以小量的泄漏電流可能導(dǎo)致顯著錯誤。在高溫應(yīng)用中，泄漏電流與溫度升高成比例地增加(例如，每10攝氏度，泄漏電流可能翻倍)。
[0006]因此，發(fā)明人認識到本領(lǐng)域中需要高效的泄漏電流消除。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1 (A)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的DAC系統(tǒng)。
[0008]圖1 (B)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的DAC系統(tǒng)。
[0009]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的具有耦合的泄漏電流消除電路的示范DAC輸出節(jié)點。
[0010]圖3圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的泄漏電流消除電路。
[0011]圖4 (A)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的DAC系統(tǒng)。
[0012]圖4 (B)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的DAC系統(tǒng)。
[0013]圖5 (A)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的DAC系統(tǒng)。
[0014]圖5 (B)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的DAC系統(tǒng)。
【具體實施方式】
[0015]本發(fā)明的實施方案可以提供一種具有經(jīng)開關(guān)選擇性地彼此耦合的至少兩對阻抗串的串DAC。串DAC還可以包括耦合到輸出節(jié)點的泄漏消除電路，所述泄漏消除電路復(fù)制輸出節(jié)點處存在的泄漏電流、生成泄漏電流的互補信號，并將互補信號輸出到輸出節(jié)點。
[0016]本發(fā)明的實施方案可以提供一種泄漏電流消除的方法。該方法可以包括檢測多串DAC中輸出節(jié)點處的電壓信號，基于檢測到的電壓復(fù)制輸出節(jié)點處的泄漏電流，生成與泄漏電流互補的消除信號，并輸出消除信號以使泄漏電流和消除信號相消干涉。
[0017]圖1(A)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的具有泄漏電流消除的DAC系統(tǒng)100。每個DAC系統(tǒng)100可以包括MSB DAC120, LSB DAC130和電流消除電路140。DAC系統(tǒng)200示出為分割于MSB與LSB部分之間的二叉系統(tǒng)；但是，本文描述的DAC系統(tǒng)可以采用多種不同體系結(jié)構(gòu)和/或使用不同數(shù)系統(tǒng)(例如，使用互質(zhì)數(shù))和/或使用非二進制數(shù)基來實現(xiàn)。本文使用二叉分割系統(tǒng)是出于簡明和說明性的目的。DAC系統(tǒng)100可以將輸入數(shù)字字Din轉(zhuǎn)換成已轉(zhuǎn)換的模擬電壓Votit。
[0018]MSB DAC120可以將要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的MSB位轉(zhuǎn)換成模擬電壓VQUT。MSB DAC120可以包括具有串聯(lián)耦合的阻抗結(jié)構(gòu)(例如，電阻器、MOS裝置等)的阻抗串。在實施方案中，可以將MSB DAC120作為串DAC來提供，如圖1 (B)所示。例如，MSB DAC120可以包括多個串聯(lián)耦合的電阻器121.1-121.N (B卩，電阻器串)和多個開關(guān)122.0-122.N。電阻器串中的電阻器121.1-121.N可以設(shè)有相等的電阻(例如，K歐姆)以作為分壓器網(wǎng)絡(luò)工作?？梢詫⒍鄠€開關(guān)122.0-122.N耦合到電阻器的端部。因此，開關(guān)的選擇性耦合可以提供與電阻器串中不同分段對應(yīng)的中間節(jié)點。這些開關(guān)可以基于要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的MSB由二進制控制信號(Cq-Cn)來控制。由此，MSB DAC120可以提供根據(jù)輸入數(shù)字字的MSB換算的參考電壓Vkef的一部分。
[0019]可以將LSB DAC130耦合到MSB DAC120。LSB DAC130可以將要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的LSB位轉(zhuǎn)換成VQUT。LSB DAC130可以包括具有串聯(lián)耦合的阻抗結(jié)構(gòu)(例如，電阻器、MOS裝置等)的阻抗串。例如，可以將LSB DAC130作為串DAC來提供，如圖1 (B)所示。在此實施方案中，LSB DAC130可以包括多個串聯(lián)耦合的電阻器131.1-131.N (B卩，電阻器串)和多個開關(guān)132.0-132.N。電阻器串中的電阻器131.1-131.M可以設(shè)有相等的電阻(例如，L歐姆)以作為分壓器網(wǎng)絡(luò)工作。可以將MSB DAC120的輸出耦合到LSB DAC130電阻器串的上端和下端?？梢詫⒍鄠€開關(guān)121.1-121.N耦合到電阻器的端部。這些開關(guān)可以基于要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的LSB由二進制控制信號(Dc1-Dn)來控制。
[0020]在實施方案中，可以在反饋回路中將泄漏消除電路140耦合到一個或多個MSBDAC120輸出節(jié)點。泄漏消除電路140可以測量從相應(yīng)MSB DAC120輸出節(jié)點的電流泄漏。再者，泄漏消除電路140可以生成針對測量的電流泄漏的互補信號-泄漏消除信號。泄漏消除電路140則可以將該泄漏消除信號傳送到耦合的輸出節(jié)點。泄漏消除信號可以在輸出節(jié)點處與電流泄漏組合，并可以由于相消干涉而彼此抵銷。
[0021]在實施方案中，可以將泄漏消除電路140耦合到中間節(jié)點中的一個或二者，中間節(jié)點則耦合MSB DAC120和LSB DAC130、DACP和DACN。在實施方案中，泄漏消除電路140可以消除多串DAC配置中的開關(guān)矩陣的泄漏。開關(guān)矩陣可以將多串DAC的兩個或更多個串分段耦合在一起。再者，開關(guān)級(復(fù)用器)可以在多級中實現(xiàn)，如在正交陣列中的兩級行列解碼器中實現(xiàn)或每個位一個開關(guān)的復(fù)用器體系結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)。
[0022]而且，圖1 (B)中的DAC系統(tǒng)100圖示雙串DAC ;但是，DAC系統(tǒng)100可以擴展成包括更大的多串DAC配置(例如，三串、四串等)，以及可以利用其他DAC配置來實現(xiàn)本文描述的泄漏消除方案。例如，該泄漏電流消除方案可以與USP5，969，657、USP7, 136，002和USP6, 914，547中描述的多串DAC體系結(jié)構(gòu)一起使用。因此，泄漏消除電路可以基于DAC配置來實現(xiàn)適合的復(fù)制電路以消除泄漏電流。例如由于碼相關(guān)性(code d印endency)，該復(fù)制電路可以進行改變以匹配泄漏電流中的變化?？梢酝ㄟ^開關(guān)接入或耦合到適合的復(fù)制電路來實現(xiàn)這種改變。因此，該泄漏電流消除電路可以將例如在在低共模電平處使用NMOS開關(guān)和在高共模電平處使用PMOS裝置的情況中的電路組件改變納入考慮。組件改變也可是碼相關(guān)的，并且因此，該泄漏消除電路還可以通過基于當(dāng)前碼輸入動態(tài)地調(diào)整來將此納入考慮。
[0023]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的耦合到泄漏消除電路的示范MSB DAC輸出節(jié)點。圖2可以包括開關(guān)SW200和泄漏消除電路240。在實施方案中，開關(guān)200可以實現(xiàn)為圖1的MSB DAC120中位于節(jié)點NI和DACN之間的開關(guān)122.0來實現(xiàn)。這些開關(guān)可以從串中的節(jié)點耦合到串DAC輸出。開關(guān)SW200可以包括第一 MOS晶體管210、第二 MOS晶體管212、第一驅(qū)動器214、第二驅(qū)動器216。M0S210可以是mosfet晶體管，例如PMOS晶體管?？梢詫⒃礃O端耦合到Vkef的正端。M0S212可以是mosfet晶體管，例如NMOS晶體管。可以將源極端耦合到Vkef的負端或地線。可以將M0S210和M0S212的漏極端耦合到一起以形成DAC輸出節(jié)點。M0S210和M0S212可以是互補晶體管。例如，M0S210和M0S212可以分別作為PMOS和NMOS晶體管來提供或反之。在實施方案中，第一 M0S210和第二 M0S212可以作為其他適合晶體管類型來提供，如MOSFET、MESFET等。
[0024]第一驅(qū)動器214可以耦合到第一M0S210的柵極，并且可以基于控制信號，例如圖1(B)中的C。來控制第一 M0S210的操作。第二驅(qū)動器216可以耦合到第而M0S212的柵極，并且可以基于控制信號，例如圖1 (B)中的Ctl來控制第二 M0S212的操作。
[0025]可以使用反饋回路將泄漏消除電路240耦合到DAC輸出節(jié)點。泄漏消除電路240可以直接或間接檢測并測量來自耦合的DAC輸出節(jié)點的電流泄漏。再者，泄漏消除電路240可以生成針對測量的電流泄漏的互補信號-泄漏消除信號。泄漏消除電路240則可以將該泄漏消除信號傳送到耦合的輸出節(jié)點。該泄漏消除信號可以與電流泄漏組合，以便在輸出節(jié)點處見到效果并可以由于相消干涉而彼此抵銷。
[0026]雖然圖2示出開關(guān)的一個實施方案，但是它還可以由單個適合的MOS裝置來實現(xiàn)。該單個MOS開關(guān)裝置可以由針對開關(guān)性能優(yōu)化的適合額定電壓、柵絕緣類型(和厚度)的NMOS或PMOS制成。在實施方案中，該開關(guān)裝置可以從控制邏輯直接耦合到開關(guān)裝置的柵極端(即，無嵌入的驅(qū)動器塊)。還可以將其他公知開關(guān)變化與本文描述的泄漏消除方案結(jié)合使用。例如，在實施方案中，可以按USP5，764，174中傳授的提供開關(guān)SW200。
[0027]圖3示出根據(jù)本發(fā)明實施方案的泄漏消除電路300的簡化電路圖。泄漏消除電路300可以包括運算放大器312、電流鏡310和314和復(fù)制負載316?？梢詫⑦\算放大器312的正輸入端耦合到圖1所示的輸出節(jié)點以接收泄漏電流信號。運算放大器312的輸出OUTB可以是來自DAC輸出節(jié)點的泄漏電流信號的反相(互補)信號。
[0028]第一電流鏡310可以包括兩個晶體管310.1,310.2?？梢詫⒕w管310.1,310.2
經(jīng)其柵極端耦合在一起。還可以使晶體管310.2將其柵極耦合到其漏極。在實施方案中，可以將電流鏡310作為NMOS電流鏡來提供。在另一個實施方案中，可以將電流鏡310作為PMOS電流鏡來提供。
[0029]第二電流鏡314可以包括兩個晶體管314.1,314.2。可以將晶體管314.1,314.2的柵極端耦合到運算放大器312的輸出0UTB?？梢詫⒕w管314.1、314.2耦合并短接在一起。晶體管314.2還可以作為電流源來工作以便按正確的電壓和電流值提供泄漏電流信號。復(fù)制負載316可以通過復(fù)制DAC電路的負載來平衡泄漏電流。在實施方案中，復(fù)制負載316可以是二極管等。
[0030]出于說明性和解釋的目的，本文描述的電流鏡實現(xiàn)使用一級電流鏡。但是，也可以使用更復(fù)雜的精確電流鏡像，包括無源或有源級聯(lián)配置，以便基于復(fù)制負載和已知的共模電壓來形成復(fù)制電流。
[0031]泄漏消除電路300可以例如從耦合的DAC輸出或LSB DAC的任一基準，作為輸入接收DAC的電壓(共模)。使用復(fù)制負載，泄漏消除電路300則可以復(fù)制泄漏電流信號，并將該信號反相為180度異相，以在晶體管310.1處生成泄漏消除信號。可以將泄漏消除信號注入到DAC輸出節(jié)點中以消除(或降低)泄漏電流信號。
[0032]在其他實施方案中，該泄漏消除電路可以基于DAC配置來實現(xiàn)適合的復(fù)制電路以消除泄漏電流。該復(fù)制電路可以進行改變以匹配泄漏電流中的變化，例如碼相關(guān)性(codedependency)?？梢酝ㄟ^開關(guān)接入或稱合到適合的復(fù)制電路來實現(xiàn)這種改變。例如，該復(fù)制電路可以模仿DAC中所使用的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的狀態(tài)。因此，該泄漏電流消除電路可以將例如在在低共模電平處使用NMOS開關(guān)和在高共模電平處使用PMOS裝置的情況中的電路組件改變納入考慮。
[0033]圖4(A)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的具有泄漏電流消除的DAC系統(tǒng)400。每個DAC系統(tǒng)400可以包括MSB DAC420、LSB DAC430和電流消除電路440。在此實施方案中，可以將該泄漏消除電路耦合到LSB DAC430中的輸出節(jié)點，例如LSB DAC430內(nèi)的開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，以便消除(或降低)其中存在的泄漏電流信號。DAC系統(tǒng)400可以將輸入數(shù)字字Din轉(zhuǎn)換成已轉(zhuǎn)換的模擬電壓Votit。
[0034]MSB DAC420可以將要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的MSB位轉(zhuǎn)換成模擬電壓Vqut。在實施方案中，可以將MSB DAC420作為串DAC來提供，如圖4 (B)所示。例如，MSB DAC420可以包括多個串聯(lián)的電阻器424.1-424.N (B卩，電阻器串)和多個開關(guān)422.0-422.N。電阻器串中的電阻器424.1-424.N可以設(shè)有相等的電阻(例如，K歐姆)以作為分壓器網(wǎng)絡(luò)工作。可以將多個開關(guān)422.0-422.N耦合到電阻器的端部。因此，開關(guān)的選擇性耦合可以提供與電阻器串中不同分段對應(yīng)的中間節(jié)點。這些開關(guān)可以基于要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的MSB由二進制控制信號(Cq-Cn)來控制。由此，MSB DAC420可以提供根據(jù)輸入數(shù)字字的MSB換算的參考電壓Vkef的一部分。
[0035]可以將LSB DAC430耦合到MSB DAC420。LSB DAC430可以將要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的LSB位轉(zhuǎn)換成VQUT。例如，可以將LSB DAC430作為串DAC來提供，如圖4 (B)所示。在此實施方案中，LSB DAC430可以包括多個串聯(lián)的電阻器434.1-434.M (即，電阻器串)和多個開關(guān)432.0-432.M。電阻器串中的電阻器434.1-434.M可以設(shè)有相等的電阻(例如，L歐姆)以作為分壓器網(wǎng)絡(luò)工作。可以將MSB DAC420的輸出耦合到LSB DAC430電阻器串的上端和下端。可以將多個開關(guān)422.0-422.M耦合到電阻器的端部。這些開關(guān)可以基于要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的LSB由二進制控制信號(Dc1-Dn)來控制。
[0036]在此實施方案中，可以在反饋回路中將泄漏消除電路440耦合到一個或多個LSBDAC430輸出節(jié)點。泄漏消除電路440可以直接或間接檢測并測量來自耦合的LSB DAC430輸出節(jié)點的電流泄漏。再者，泄漏消除電路440可以生成針對測量的電流泄漏的互補信號-泄漏消除信號。泄漏消除電路440則可以將該泄漏消除信號傳送到耦合的輸出節(jié)點。該泄漏消除信號可以與電流泄漏組合，以便在輸出節(jié)點處見到效果并可以由于相消干涉而彼此抵銷。在實施方案中，泄漏消除電路440可以按上文圖3論述的來提供。
[0037]圖5(A)圖示根據(jù)本發(fā)明實施方案的具有泄漏電流消除的DAC系統(tǒng)500。DAC系統(tǒng)500可以包括MSB DAC520、LSB DAC530、電流消除電路540和濾波器550.1、550.2。在此實施方案中，可以將該泄漏消除電路耦合到DAC500中的輸出節(jié)點，以便消除(或降低)其中存在的泄漏電流信號。因此，在此實施方案中，泄漏電流可以是來自DAC系統(tǒng)500中的多種組件的泄漏電流的組合。DAC系統(tǒng)500可以將輸入數(shù)字字Din轉(zhuǎn)換成已轉(zhuǎn)換的模擬電壓VQUT。
[0038]MSB DAC520可以將要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的MSB位轉(zhuǎn)換成模擬電壓Vqut。在實施方案中，可以將MSB DAC520作為串DAC來提供，如圖5 (B)所示。例如，MSB DAC520可以包括多個串聯(lián)的電阻器525.1-525.N (B卩，電阻器串)和多個開關(guān)522.0-522.N。電阻器串中的電阻器525.1-525.N可以設(shè)有相等的電阻(例如，K歐姆)以作為分壓器網(wǎng)絡(luò)工作。可以將多個開關(guān)522.0-522.N耦合到電阻器的端部。因此，開關(guān)的選擇性耦合可以提供與電阻器串中不同分段對應(yīng)的中間節(jié)點。這些開關(guān)可以基于要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的MSB由二進制控制信號(Cq-Cn)來控制。由此，MSB DAC520可以提供根據(jù)輸入數(shù)字字的MSB換算的參考電壓Vkef的一部分。
[0039]可以將LSB DAC530耦合到MSB DAC520。LSB DAC530可以將要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的LSB位轉(zhuǎn)換成VQUT。例如，可以將LSB DAC530作為串DAC來提供，如圖5 (B)所示。在此實施方案中，LSB DAC530可以包括多個串聯(lián)的電阻器535.1-535.M (即，電阻器串)和多個開關(guān)532.0-532.M。電阻器串中的電阻器535.1-535.M可以設(shè)有相等的電阻(例如，L歐姆)以作為分壓器網(wǎng)絡(luò)工作?？梢詫SB DAC520的輸出耦合到LSB DAC530電阻器串的上端和下端?？梢詫⒍鄠€開關(guān)522.0-522.M耦合到電阻器的端部。這些開關(guān)可以基于要轉(zhuǎn)換的數(shù)字字的LSB由二進制控制信號(Dc1-Dn)來控制。
[0040]可以作為可選方式提供串聯(lián)的一個或多個濾波器以優(yōu)化DAC系統(tǒng)500輸出Vot處的模擬信號。例如，可以在DAC系統(tǒng)500輸出處實現(xiàn)濾波器550.1,550.2。濾波器550.1、550.2可以是低通濾波器，如無源(RC)濾波器或其他適合的濾波器拓撲，其對泄漏電流消除方案影響最小(即，可忽略)，但是可以在期望情況下/按期望的改善DAC瞬態(tài)性能。
[0041]在此實施方案中，可以在反饋回路中將泄漏消除電路540耦合到DAC系統(tǒng)500輸出節(jié)點(VTOT)。泄漏消除電路540可以直接或間接檢測并測量來自耦合的輸出節(jié)點的電流泄漏。再者，泄漏消除電路540可以生成針對測量的電流泄漏的互補信號-泄漏消除信號。泄漏消除電路540則可以將該泄漏消除信號傳送到耦合的輸出節(jié)點。該泄漏消除信號可以與電流泄漏組合，以便在輸出節(jié)點處見到效果并可以由于相消干涉而彼此抵銷。在實施方案中，泄漏消除電路440可以按上文圖3論述的來提供。
[0042]本文描述的DAC系統(tǒng)圖示為兩串DAC ;但是，本發(fā)明實施方案中的DAC系統(tǒng)可以擴展成包括更大的多串DAC配置(例如，三串、四串等)，以及可以利用其他DAC配置來實現(xiàn)本文描述的泄漏消除方案。例如，該泄漏電流消除方案可以與USP5，969，657、USP7, 136，002和USP6，914，547中描述的多串DAC體系結(jié)構(gòu)一起使用。再者，本文描述的多種實施方案可以組合來使用。因此，該泄漏消除電路可以基于DAC配置來實現(xiàn)適合的復(fù)制電路以消除泄漏電流。例如由于碼相關(guān)性(code dependency),該復(fù)制電路可以進行改變以匹配泄漏電流中的變化?？梢酝ㄟ^開關(guān)接入或耦合到適合的復(fù)制電路來實現(xiàn)這種改變。因此，該泄漏電流消除電路可以將例如在在低共模電平處使用NMOS開關(guān)和在高共模電平處使用PMOS裝置的情況中的電路組件改變納入考慮。再者，本文描述的多種實施方案可以一起使用。
[0043]本文中具體地圖示和/或描述了本發(fā)明的若干實施方案。但是，將認識到，上文的教導(dǎo)涵蓋本發(fā)明的修改和變化，并且在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)而不背離本發(fā)明的精神或應(yīng)有范圍。
[0044]在其他情況中，未詳細地描述公知的操作、組件和電路以不致于使論述晦澀難懂。例如，本文描述的兩個端電阻器是為了描述簡單；但是，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，可以將本文描述的兩個端電阻器推廣為阻抗元件。例如，還可以使用三個端阻抗元件，如背板元件或三個端電阻器，并且未在本文中予以詳細描述，以便不致于使得這些實施方案晦澀難懂。而且，出于說明的目的，本文中使用電阻器串來描述本發(fā)明的實施方案；但是，本發(fā)明的實施方案可以利用其他阻抗串方案來實現(xiàn)。例如，可以在阻抗串方案中采用非飽和工作中偏壓的MOS結(jié)構(gòu)?？梢哉J識到，本文披露的特定結(jié)構(gòu)和功能細節(jié)可以是代表性的，并且不一定限制這些實施方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種串?dāng)?shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，其包括: 經(jīng)開關(guān)選擇性地彼此耦合的至少兩對阻抗串；以及 耦合到輸出節(jié)點的泄漏消除電路，所述泄漏消除電路復(fù)制所述輸出節(jié)點處存在的泄漏電流，生成泄漏電流的互補信號并輸出所述互補信號。
2.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述輸出節(jié)點耦合到所述阻抗串中的一個中的阻抗元件端。
3.如權(quán)利要求2所述的串DAC，其中所述輸出節(jié)點耦合到與所述串DAC的最高有效位(MSB )對應(yīng)的所述阻抗串中的一個中的阻抗元件端。
4.如權(quán)利要求2所述的串DAC，其中所述輸出節(jié)點耦合到與所述串DAC的最低有效位(LSB )對應(yīng)的所述阻抗串中的一個中的阻抗元件端。
5.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述輸出節(jié)點是所述串DAC的輸出節(jié)點。
6.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述開關(guān)包括一對晶體管。
7.如權(quán)利要求6所述的串DAC，其中所述開關(guān)包括MOS晶體管。
8.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述泄漏消除電路包括運算放大器。
9.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述泄漏消除電路包括至少一個電流鏡。
10.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述泄漏消除電路包括通過復(fù)制所述串DAC的負載平衡所述泄漏電流的負載。
11.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述阻抗串包括串聯(lián)的電阻器。
12.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中在所述輸出節(jié)點處檢測電壓以復(fù)制所述泄漏電流。
13.如權(quán)利要求1所述的串DAC，其中所述泄漏消除電路在所述輸出節(jié)點處輸出所述互補信號。
14.一種方法,其包括: 檢測多串DAC中的輸出節(jié)點處的電壓信號； 基于所檢測的電壓復(fù)制所述輸出節(jié)點處的泄漏電流； 生成與所述泄漏電流互補的消除信號；以及 輸出所述消除信號以使所述泄漏電流與所述消除信號相消干涉。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中將所述消除信號耦合到所述多串DAC的MSB串中的阻抗元件端。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中將所述消除信號耦合到所述多串DAC的LSB串中的阻抗元件端。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中將所述消除信號耦合到所述多串DAC輸出。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其還包括檢測多個輸出節(jié)點處的電壓。
【文檔編號】H03M1/68GK103873057SQ201310682959
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】D·A·登普西 申請人:亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)公司