斜坡信號發(fā)生電路及信號發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種斜坡信號發(fā)生電路及信號發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置，涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，斜坡信號發(fā)生電路包括：第一移位寄存器、第二移位寄存器、壓降單元以及采集單元；壓降單元分別連接第一電源輸入端、第二電源輸入端和接地端；第一移位寄存器與壓降單元相連接，用于控制壓降單元對第一電源輸入端和第二電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低；采集單元具有輸出端，且采集單元連接壓降單元；第二移位寄存器與采集單元相連接，用于控制采集單元對壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。這樣一種斜坡信號發(fā)生電路可以降低斜坡信號發(fā)生電路的面積，提高斜坡信號的線性度。
【專利說明】斜坡信號發(fā)生電路及信號發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種斜坡信號發(fā)生電路及信號發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，人們不僅對電子產(chǎn)品的外觀和質(zhì)量有苛刻的需求，而且對廣品的價格和實用性也有著更聞的關(guān)注。
[0003]為滿足大眾的需求，現(xiàn)有的電子產(chǎn)品已廣泛采用S0G(System on Glass)技術(shù)，SOG是指在基板上集成驅(qū)動以及系統(tǒng)電路，這種技術(shù)的出現(xiàn)為產(chǎn)品的生產(chǎn)和設(shè)計提供了巨大的便利，開發(fā)人員只需對基于TFT的系統(tǒng)電路進行模擬仿真，便可通過一定的工藝進行實施，從而大大地降低了電子產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，此外，通過高度集成化的電路設(shè)計還可以使得產(chǎn)品更加更小型化。
[0004]尤其是對于顯示面板，SOG可以有效集成包括行驅(qū)動器(Gate Driver)、源驅(qū)動器(Data Driver)、多路選擇器(Mux)、直流電源轉(zhuǎn)換器(DC-DC)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)及時序控制器(TCON)等模塊的驅(qū)動系統(tǒng)在玻璃基板上，可極大降低成本，同時可最小化屏幕邊框，并解決由于不同驅(qū)動芯片互連而帶來的電阻壓降(IR Drop)、噪聲、可靠性等問題。為了完成更多的系統(tǒng)功能，SOG技術(shù)正朝著更加高度集成化和小型化發(fā)展，發(fā)展低成本、節(jié)能、重量輕、輕薄的顯示器的趨勢已經(jīng)勢不可擋。SOG技術(shù)是系統(tǒng)電路發(fā)展的必然趨勢。
[0005]在現(xiàn)有的顯示面板中，陣列基板上通常還包括數(shù)模-模數(shù)轉(zhuǎn)換器等在內(nèi)的多種需要采用斜坡信號進行驅(qū)動的模塊，現(xiàn)階段的SOG技術(shù)尚難以有效集成斜坡信號發(fā)生器，而額外設(shè)置的斜坡信號發(fā)生器將大大增加驅(qū)動電路的面積，限制了顯示裝置進一步的小型化。另一方面，現(xiàn)有的斜坡信號發(fā)生器難以有效地產(chǎn)生線性度良好的斜坡信號輸出，這將大大限制顯示裝置產(chǎn)品的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供一種斜坡信號發(fā)生電路及信號發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置，可以降低斜坡信號發(fā)生電路的面積，提高斜坡信號的線性度。
[0007]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]本發(fā)明實施例的一方面，提供一種斜坡信號發(fā)生電路，包括:
[0009]第一移位寄存器、第二移位寄存器、壓降單元以及采集單元；
[0010]所述壓降單元分別連接第一電源輸入端、第二電源輸入端和接地端；
[0011]所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對所述第一電源輸入端和所述第二電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低；
[0012]所述采集單元具有輸出端，且所述采集單元連接所述壓降單元；
[0013]所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。[0014]另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種斜坡信號發(fā)生器，包括如上所述的斜坡信號發(fā)生電路。
[0015]此外，本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括:第一移位寄存器和第二移位寄存器，所述陣列基板還包括如上所述的斜坡信號發(fā)生電路，所述斜坡信號發(fā)生電路包括:
[0016]壓降單元以及采集單元；
[0017]所述壓降單元分別連接第一電源輸入端、第二電源輸入端和接地端；
[0018]所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對所述第一電源輸入端和所述第二電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低；
[0019]所述采集單元具有輸出端，且所述采集單元連接所述壓降單元；
[0020]所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。
[0021]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0022]本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生電路及信號發(fā)生器、陣列基板及顯示裝置，采用兩個移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計，通過不同的時序信號設(shè)計使得兩個移位寄存器單元分別對壓降單元以及采集單元的驅(qū)動，實現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低，同時第二移位寄存器控制采集單元對壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號的線性度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種斜坡信號發(fā)生電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種斜坡信號發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為斜坡信號發(fā)生電路中為N型晶體管時的信號時序示意圖；
[0027]圖4為圖2所示的斜坡信號發(fā)生電路輸出信號的仿真波形圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實施例提供的另一斜坡信號發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為圖5所示的斜坡信號發(fā)生電路輸出信號的仿真波形圖；
[0030]圖7為本發(fā)明實施例提供的另一斜坡信號發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖8為本發(fā)明實施例提供的又一斜坡信號發(fā)生電路的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖9為斜坡信號發(fā)生電路中為P型晶體管時的信號時序示意圖。
【具體實施方式】
[0033]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0034]本發(fā)明實施例提供的像素電路，如圖1所示，包括:
[0035]第一移位寄存器11、第二移位寄存器12、壓降單元13以及采集單元14。
[0036]其中，壓降單元13分別連接第一電源輸入端Vref 1、第二電源輸入端Vref2和接地端。
[0037]第一移位寄存器11與壓降單元13相連接，用于控制壓降單元13對第一電源輸入端Vrefl和第二電源端Vref2輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低。
[0038]采集單元14具有輸出端Vo，且連接壓降單元13。
[0039]第二移位寄存器12與采集單元14相連接，用于通過雙向掃描控制采集單元14對壓降單元13輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。
[0040]本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生電路，采用兩個移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計，通過不同的時序信號設(shè)計使得兩個移位寄存器單元分別對壓降單元以及采集單元的驅(qū)動，實現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低，同時第二移位寄存器控制采集單元對壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號的線性度。
[0041]其中，壓降單元13可以采用各種已知的能夠?qū)崿F(xiàn)輸入電壓逐漸降低的電路結(jié)構(gòu)或電子器件，本發(fā)明對此并不做限定。
[0042]具體的，如圖2所示，壓降單元13包括:呈矩陣形式排列的多個第一晶體管M。
[0043]位于同一行的第一晶體管M的柵極均與第一移位寄存器11的一個輸出端相連接。
[0044]位于同一列的第一晶體管M的第一極均與采集單元14的一個輸入端相連接。
[0045]位于同一行的第一晶體管M的第二極串聯(lián)，且兩個相鄰的第一晶體管M的第二極之間均串聯(lián)有降壓電阻R。
[0046]位于任意一行最后一列的第一晶體管Mn的第二極均通過一電阻行與其下一行第一列的第一晶體管Ml的第二極相串聯(lián)。
[0047]進一步地，在如圖2所示的斜坡信號發(fā)生電路中，第一移位寄存器11的輸入端可以分別連接第一時鐘信號CLK1、第二時鐘信號CLKBl和第一幀起始信號STV1，用于逐行開
啟第一晶體管M。
[0048]第二移位寄存器12的輸入端可以分別連接第三時鐘信號CLK2、第四時鐘信號CLKB2和第二幀起始信號STV2，用于在一行第一晶體管M開啟周期內(nèi)，控制采集單元14逐列采集每一個第一晶體管M的第一極的電壓。
[0049]在本發(fā)明實施例中，移位寄存器單元具體可以是GOA (Gate Driver on Array,陣列基板行驅(qū)動)電路，GOA電路是一種級聯(lián)移位寄存器，它接收始發(fā)輸入的幀起始信號STV,并通常由兩個時鐘信號(CLK、CLKB)控制GOA內(nèi)部電路TFT (Thin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)的開啟或關(guān)閉，將輸入信號一級級傳遞，其中CLKB信號控制每級的信號輸出。
[0050]進一步地，如圖2所示，采集單元14具體包括:多個第二晶體管T。[0051]第二晶體管T的柵極分別連接第二移位寄存器12的不同輸出端，第二晶體管T的第一極均連接采集單元14的輸出端Vo。
[0052]每一個第二晶體管T的第二極與位于同一列的第一晶體管M的第一極相連接。
[0053]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，第一晶體管M和第二晶體管T均可以為N型晶體管，當?shù)谝痪w管M和第二晶體管T均為N型晶體管時，晶體管的第一極可以為源極、第二極可以為漏極。
[0054]本發(fā)明所有實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的晶體管的源極、漏極是對稱的，所以其源極、漏極是沒有區(qū)別的。在本發(fā)明實施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱為源極，另一極稱為漏極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型和P型，以下實施例均以N性晶體管為里進行說明，可以想到的是在采用P型晶體管實現(xiàn)時是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下輕易想到的，因此也是在本發(fā)明的實施例保護范圍內(nèi)的。
[0055]從如圖2所示的斜坡信號發(fā)生電路中可以看出，壓降單元13可以由η行電路組成，η行電路分成兩組電阻串環(huán)繞形成，其中以從左向右方向為正向掃描方向，凡是電流方向為正向掃描方向的一行電路中，此行電阻串間隙連接TFT管Μ，從而形成具有TFT管M的各行電路之間均隔行排列，兩列具有TFT管M電路行之間具有一行電阻行。其中，TFT管M的柵極連接外部GOAl電路的輸出信號，每兩個電阻之間連接一個TFT管M的漏極，同列TFT管M的源極短接在一起連接到TFT管T的漏極，TFT管T的柵極連接G0A2電路的輸出信號，TFT管T的源極連接輸出端Vo。
[0056]采用這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路產(chǎn)生斜坡信號，其中，驅(qū)動信號的時序可以如圖3所示，產(chǎn)生斜坡信號的過程具體可以包括傳遞信號以及采集信號兩個步驟。具體描述如下:
[0057]傳遞信號:輸入信號由直流信號Vrefl從第一行的電阻Rl—端輸入。如附圖3所示，由時鐘信號CLKl、CLKBl控制GOAl電路，其中CLKl與CLKBl的相位相反，GOAl電路的第一行首先給出輸出信號VoRl，給第一行的TFT管Ml?Mn，將這行的TFT打開。GOAl的時鐘周期是G0A2時鐘周期的η倍，這樣在第一行TFT管M被GOAl打開的同時，由CLK2、CLKB2控制的G0A2電路依次將Tl?Tn管子打開，其中CLK2與CLKB2的相位相反。由于各個電阻和TFT管均相同，電壓信號將依次降低。當直流信號Vrefl給第一行輸入信號的同時，Vref2同步給第二行電阻串輸入信號，當Vrefl的信號傳遞到第三行電阻串時，GOAl電路為第四行的TFT管M輸出VoR2信號，將該行TFT管M打開，第一行的電阻Rn將電壓信號傳遞給第三行的電阻Rl，第二行TFT管M被打開的同時，G0A2電路依次將Tl?Tn管子打開。就這樣，信號一行一行地被傳遞到第η行，直到第η行的電阻Rn的末端接地。
[0058]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，GOA電路的時鐘周期具體是指持續(xù)輸出一個高電平或一個低電平的時間長度。GOAl的時鐘周期是G0A2時鐘周期的η倍可以理解為，GOAl持續(xù)輸出一個高電平的時間長度是G0A2持續(xù)輸出一個高電平的時間長度的η倍。即在GOAl向一行或一列持續(xù)輸出一個高電平的時間長度內(nèi)，G0A2能夠完成對η行或η列依次輸出一個高電平。
[0059]采集信號:當?shù)贗行的電阻Rl?Rn和TFT管Ml?Mn工作時，G0A2依次將TFT管Tl?Tn打開，T管的漏極連接各列的M管的源極，T管的源極連接輸出信號Vo，這樣No按照時間順序采集了第一行呈線性下降的斜坡電壓信號；當Vrefl信號將電壓信號傳遞到第三行時，GOAl輸出VoR2將第四行的TFT管Ml?Mn打開，這時Vo采集繼續(xù)第一行末端的電壓信號開始的呈線性下降斜坡信號。直至采集第η行的斜坡下降信號到0，采集一個下降斜坡信號的工作完成，這樣可以循環(huán)采集斜坡信號。
[0060]這樣一種斜坡信號發(fā)生電路的輸出信號Vo的信號仿真情況可以如圖4所示，從圖4可以看到，GOAl的第一行的輸出VoRl在兩個高電平之間，即完整的一幀掃描周期之間完成了一個完整的斜坡信號的采集，G0A2的輸出信號VoCl?VoCn在VoRl第一個高電平內(nèi)依次完成一次掃描，并在VoR2來臨時,VoCl?VoCn進行第二次掃描,直至一巾貞掃描周期結(jié)束。信號仿真圖中顯示，本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生電路能夠產(chǎn)生一個具有良好線性的下降斜坡波形。
[0061]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的晶體管M陣列可以根據(jù)實際情況選擇陣列的行列數(shù)，應(yīng)當容易想到的是，當晶體管M的行列數(shù)增加時，通過增加GOA電路的掃描輸出端，可以進一步提高對于電壓信號的采樣頻率，從而能夠進一步提高斜坡信號的線性度。
[0062]在上述實施例中，是以第一電源輸入端Vrefl連接位于第一行第一列的第一晶體管Ml的第二極，第二電源輸入端Vref2通過串聯(lián)的電阻行連接位于第二行第一列的第一晶體管Ml的第二極，位于倒數(shù)第二行最后一列的第一晶體管Mn的第二極通過串聯(lián)的電阻行連接接地端，位于最后一行最后一列的第一晶體管Mn的第二極連接接地端為例進行的說明。
[0063]或者，第一電源輸入端Vrefl還可以連接位于最后一行最后一列的第一晶體管Mn的第二極，第二電源輸入端Vref2還可以通過串聯(lián)的電阻行連接位于倒數(shù)第二行最后一列的第一晶體管Mn的第二極，位于第二行第一列的第一晶體管Ml的第二極通過串聯(lián)的電阻行連接接地端，位于第一行第一列的第一晶體管Ml的第二極連接接地端。
[0064]具體的，如圖5所示，第一行的Rl以及位于第二行的電阻串的輸出端均接地，第η行的Rn以及位于倒數(shù)第二行的電阻串的輸入端分別接直流輸入信號Vrefl和Vref2，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路可以形成上升斜坡波形信號。其驅(qū)動信號同樣可以采用如圖3所示的信號，工作過程同樣可以分為傳遞信號和采集信號兩個過程，工作原理和如圖2所示的下降斜坡信號發(fā)生電路類似，只不過是電壓處在上升的過程。
[0065]這樣一種斜坡信號發(fā)生電路的輸出信號Vo的信號仿真情況可以如圖6所不,從仿真結(jié)果來看，在GOAl的第一行的輸出VoRl在兩個高電平之間完成了一個完整的上升斜坡信號的采集，信號仿真圖中顯示，本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生電路能夠產(chǎn)生一個具有良好線性的上升斜坡波形。
[0066]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，每一行內(nèi)全部降壓電阻R的阻值之和均相等，且電阻行內(nèi)總電阻值與一行內(nèi)全部降壓電阻R的阻值之和相等。其中，第一電源輸入端Vrefl與第二電源輸入端Vref2輸入的信號相同。這樣一來,當一組信號流過電阻行后,可以保證與另一組流經(jīng)具有TFT管的電阻行后的電位相等，這一組流過電阻行后的信號將輸入下一行具有TFT管的電阻行的第一列,從而可以在保持第二移位寄存器單向掃描的同時實現(xiàn)了電壓信號的連續(xù)變化。
[0067]例如，在如圖2所示的電路中，采用相同阻值的電阻環(huán)繞串聯(lián)構(gòu)成電阻陣列，這樣一來，可以保證電阻行內(nèi)總電阻值與一行內(nèi)全部降壓電阻R的阻值之和相等，且電路結(jié)構(gòu)相對簡單，易于設(shè)計實現(xiàn)。
[0068]在上述實施例中，均是以第一晶體管M和第二晶體管T為N型晶體管為例進行的說明。除此之外，本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生電路還可以用于P型TFT中。當?shù)谝痪w管M和第二晶體管T均為P型晶體管時，相應(yīng)的下降斜坡信號發(fā)生電路和上升斜坡信號發(fā)生電路圖分別如附圖7、8所示，圖9為用于驅(qū)動如圖7或圖8所示的斜坡信號發(fā)生電路的相應(yīng)的電路時序圖，相應(yīng)的原理可以參照上述關(guān)于N型TFT結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路的說明，此處不再贅述。
[0069]本發(fā)明實施例提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號的線性度。
[0070]進一步地，在上述斜坡信號發(fā)生電路中，考慮到采集單元14的輸出端Vo所輸出信號的驅(qū)動能力有限，因此可以在斜坡信號發(fā)生電路的內(nèi)部或外部額外設(shè)置放大單元15，該放大單元15的輸入端可以連接采集單元14的輸出端Vo，用于對采集單元14輸出的電壓進行功率放大。
[0071]例如，在如圖2所示的斜坡信號發(fā)生電路中，放大單元15具體可以采用功率放大器或其他具有相同功能的電路，本發(fā)明對此并不做限制。
[0072]本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生電路的優(yōu)點還在于進一步優(yōu)化了電阻矩陣的排布和連接方式，使用兩個Vref給輸入信號，通過改變矩陣電阻電路，可以做到即使G0A2電路的工作過程為單向掃描，也能得到與無走線發(fā)明中輸出的斜坡信號類似的線性度和低噪聲水平。
[0073]本發(fā)明實施例還提供一種斜坡信號發(fā)生器，包括如上所述的斜坡信號發(fā)生電路。
[0074]這樣一種斜坡信號發(fā)生器可以單獨或與其他器件組合作為信號源，廣泛地應(yīng)用于各種需要進行斜坡信號驅(qū)動的器件或電路結(jié)構(gòu)中。其中，斜坡信號發(fā)生電路的結(jié)構(gòu)已在前述實施例中做了詳細的描述，此處不做贅述。
[0075]本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生器，包括斜坡信號發(fā)生電路，該電路采用兩個移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計，通過不同的時序信號設(shè)計使得兩個移位寄存器單元分別對壓降單元以及采集單元的驅(qū)動，實現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低，同時第二移位寄存器控制采集單元對壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號的線性度。
[0076]本發(fā)明實施例提供的斜坡信號發(fā)生電路還可以應(yīng)用于顯示面板中的陣列基板結(jié)構(gòu)。其中，現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板中多采用包括第一移位寄存器和第二移位寄存器在內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)。
[0077]其中，第一移位寄存器和第二移位寄存器分別用于向顯示區(qū)域像素單元輸入柵極行掃描信號或數(shù)據(jù)線掃描信號。采用這樣一種像素陣列結(jié)構(gòu)可以有效減少顯示裝置的外圍走線，實現(xiàn)顯示裝置的窄邊框設(shè)計。
[0078]進一步地，該陣列基板還可以包括如上所述的斜坡信號發(fā)生電路，其中，該斜坡信號發(fā)生電路具體包括:
[0079]壓降單元以及采集單元；
[0080]壓降單元分別連接第一電源輸入端、第二電源輸入端和接地端；
[0081]第一移位寄存器與壓降單元相連接，用于控制壓降單元對第一電源輸入端和第二電源端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低；
[0082]采集單元具有輸出端，且連接壓降單元；
[0083]第二移位寄存器與采集單元相連接，用于控制采集單元對壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。
[0084]采用這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，通過將壓降單元以及采集單元集成于陣列基板上，并利用陣列基板上已有的兩個移位寄存器，從而形成斜坡信號發(fā)生電路。這樣一來，在陣列基板的表面無需額外增設(shè)大量的元件即可以實現(xiàn)斜坡信號發(fā)生功能，從而能夠有效控制顯示面板驅(qū)動電路的面積，保證了顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框的設(shè)計。
[0085]其中，斜坡信號發(fā)生電路的結(jié)構(gòu)已在前述實施例中做了詳細的描述，此處不做贅述。
[0086]本發(fā)明實施例提供的陣列基板，包括斜坡信號發(fā)生電路，該斜坡信號發(fā)生電路采用兩個移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計，通過不同的時序信號設(shè)計使得兩個移位寄存器單元分別對壓降單元以及采集單元的驅(qū)動，實現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低，同時第二移位寄存器控制采集單元對壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號的線性度。
[0087]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0088]需要說明的是，本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0089]其中，陣列基板的結(jié)構(gòu)已在前述實施例中做了詳細的描述，此處不再贅述。
[0090]這樣一種結(jié)構(gòu)的顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板包括斜坡信號發(fā)生電路，該斜坡信號發(fā)生電路采用兩個移位寄存器單元、壓降單元以及采集單元的設(shè)計，通過不同的時序信號設(shè)計使得兩個移位寄存器單元分別對壓降單元以及采集單元的驅(qū)動，實現(xiàn)第一移位寄存器控制壓降單元對電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低，同時第二移位寄存器控制采集單元對壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路的組成單元較少，電路集成度高，可以有效降低斜坡信號發(fā)生電路的面積。此外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的斜坡信號發(fā)生電路具有更高的采樣頻率，從而能夠有效提高斜坡信號的線性度。
[0091]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分流程可以通過計算機程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
[0092]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于，包括: 第一移位寄存器、第二移位寄存器、壓降單元以及采集單元； 所述壓降單元分別連接第一電源輸入端、第二電源輸入端和接地端； 所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對所述第一電源輸入端和所述第二電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低； 所述采集單元具有輸出端，且所述采集單元連接所述壓降單元； 所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于，所述壓降單元包括:呈矩陣形式排列的多個第一晶體管； 位于同一行的所述第一晶體管的柵極均與所述第一移位寄存器的一個輸出端相連接; 位于同一列的所述第一晶體管的第一極均與所述采集單元的一個輸入端相連接； 位于同一行的所述第一晶體管的第二極串聯(lián)，且兩個相鄰的所述第一晶體管的第二極之間均串聯(lián)有降壓電阻； 位于任意一行最后一列的所述第一晶體管的第二極均通過一電阻行與其下一行第一列的所述第一晶體管的第二極 相串聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于， 所述第一移位寄存器的輸入端分別連接第一時鐘信號、第二時鐘信號和第一幀起始信號，用于逐行開啟所述第一晶體管； 所述第二移位寄存器的輸入端分別連接第三時鐘信號、第四時鐘信號和第二幀起始信號，用于在一行第一晶體管開啟周期內(nèi)，控制所述采集單元逐列采集每一個所述第一晶體管的第一極的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于，所述采集單元包括:多個第二晶體管； 所述第二晶體管的柵極分別連接所述第二移位寄存器的不同輸出端，所述第二晶體管的第一極均連接所述采集單元的輸出端； 每一個所述第二晶體管的第二極與位于同一列的所述第一晶體管的第一極相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于， 所述第一晶體管和所述第二晶體管均為N型晶體管，或所述第一晶體管和所述第二晶體管均為P型晶體管； 當所述第一晶體管和所述第二晶體管均為N型晶體管時，晶體管的第一極為源極、第二極為漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于， 所述第一電源輸入端連接位于第一行第一列的所述第一晶體管的第二極，所述第二電源輸入端通過串聯(lián)的電阻行連接位于第二行第一列的所述第一晶體管的第二極，位于倒數(shù)第二行最后一列的所述第一晶體管的第二極通過串聯(lián)的電阻行連接所述接地端，位于最后一行最后一列的所述第一晶體管的第二極連接所述接地端；或， 所述第一電源輸入端連接位于最后一行最后一列的所述第一晶體管的第二極，所述第二電源輸入端通過串聯(lián)的電阻行連接位于倒數(shù)第二行最后一列的所述第一晶體管的第二極，位于第二行第一列的所述第一晶體管的第二極通過串聯(lián)的電阻行連接所述接地端，位于第一行第一列的所述第一晶體管的第二極連接所述接地端。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于， 每一行內(nèi)全部降壓電阻阻值之和均相等，且所述電阻行內(nèi)總電阻值與一行內(nèi)全部降壓電阻阻值之和相等； 所述第一電源輸入端與所述第二電源輸入端輸入的信號相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的斜坡信號發(fā)生電路，其特征在于，所述斜坡信號發(fā)生電路還包括: 放大單元，所述放大單元的輸入端連接所述采集單元的輸出端，用于對所述采集單元輸出的電壓進行功率放大。
9.一種斜坡信號發(fā)生器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一所述的斜坡信號發(fā)生電路。
10.一種陣列基板，包括:第一移位寄存器和第二移位寄存器，其特征在于，所述陣列基板還包括如權(quán)利要求1-7任一所述的斜坡信號發(fā)生電路，所述斜坡信號發(fā)生電路包括: 壓降單元以及采集單元； 所述壓降單元分別連接第一電源輸入端、第二電源輸入端和接地端； 所述第一移位寄存器與所述壓降單元相連接，用于控制所述壓降單元對所述第一電源輸入端和所述第二電源輸入端輸入的電壓進行逐級連續(xù)地電壓降低； 所述采集單元具有輸出端，且所述采集單元連接所述壓降單元； 所述第二移位寄存器與所述采集單元相連接，用于控制所述采集單元對所述壓降單元輸出的連續(xù)變化的電壓進行采集并輸出。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的陣列基板。
【文檔編號】H03K4/08GK103700334SQ201310701636
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月19日
【發(fā)明者】段立業(yè), 王儷蓉, 吳仲遠 申請人:京東方科技集團股份有限公司