專利名稱：低壓電力載波功率放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及低壓電力載波功率放大電路。
背景技術(shù)：
PLC (Power Line Communication,電力載波通信)作為智能電網(wǎng)的關(guān)鍵技術(shù)之一，在智能配用電中應(yīng)用非常廣泛。PLC在當(dāng)前的AMR (Automated Meter Reading,自動抄表)系統(tǒng)中占有大量的份額，在將來的高級量測體系(Advanced Metering Infrastructure,AMI)也將占有相當(dāng)大的市場。智能電表載波模塊是PLC通信系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，是通信系統(tǒng)的末端節(jié)點與通信中繼節(jié)點。載波模塊數(shù)量巨大，其通信質(zhì)量決定通信系統(tǒng)的通信質(zhì)量，因此載波模塊的設(shè)計至關(guān)重要。載波模塊的電源由智能電表提供，智能電表通過連接插針為載波模塊連續(xù)提供5V和12V電源。由于受到電源功率的限制，在載波模塊發(fā)送低頻載波信號時，常常由于智能電表提供功率不足使得載波信號不能完整發(fā)送到電力線上，從而造成通信失敗?；蛘叱霈F(xiàn)因供電不足出現(xiàn)智能電表復(fù)位問題。發(fā)明人在實施本實用新型的過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中缺少一種能夠在不改變智能電表供電模式的情況下，能夠為載波模塊功放提供電能，維持電力載波功放發(fā)送功率的功放電路。

實用新型內(nèi)容
·[0006]本實用新型實施例提供一種低壓電力載波功率放大電路，用以在不改變智能電表供電模式的情況下，為載波模塊功放提供電能，維持電力載波功放發(fā)送功率，該電路包括:在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路。一個實施例中，所述超級電容電路包括:單個超級電容；或，多個串聯(lián)的超級電容；或，多個并聯(lián)的超級電容；或，多個以串聯(lián)和并聯(lián)方式組合的超級電容。一個實施例中，所述低壓電力載波功率放大電路包括:由第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET、第二 M0SFET、第三M0SFET、第四MOSFET構(gòu)成的橋接式負(fù)載BTL功率放大電路。一個實施例中，所述BTL功率放大電路具體是:第一 MOSFET的漏極與正電源連接，第一 MOSFET的源極與第二 MOSFET的漏極連接，第二 MOSFET的源極與電源地連接；第一電阻的第一端與正電源連接，第一電阻的第二端與第一 MOSFET的柵極連接；第二電阻的第一端與電源地連接，第二電阻的第二端與第二 MOSFET的柵極連接；[0017]第一開關(guān)二極管的陽極與第一 MOSFET的柵極連接，第一開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第二開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第二開關(guān)二極管的陰極與第二 MOSFET的柵極連接；需要放大的第一信號從第一電容的第一端和第二電容的第一端輸入,第一電容的第二端與第一 MOSFET的柵極連接，第二電容的第二端與第二 MOSFET的柵極連接；第三MOSFET的漏極與正電源連接，第三MOSFET的源極與第四MOSFET的漏極連接，第四MOSFET的源極與電源地連接；第三電阻的第一端與正電源連接，第三電阻的第二端與第三MOSFET的柵極連接；第四電阻的第一端與電源地連接，第四電阻的第二端與第四MOSFET的柵極連接；第三開關(guān)二極管的陽極與第三MOSFET的柵極連接，第三開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第四開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第四開關(guān)二極管的陰極與第四MOSFET的柵極連接；第一信號的反向信號從第三電容的第一端和第四電容的第一端輸入，第三電容的第二端與第三MOSFET的柵極連接，第四電容的第二端與第四MOSFET的柵極連接；功率放大后的信號從第一 MOSFET的源極和第三MOSFET的源極輸出；第五電容與耦合變壓器初級一端串聯(lián)作為功放負(fù)載分別連接在第一 MOSFET的源極和第三MOSFET的源極；耦合變壓器次級一端與第六電容串聯(lián)輸出到220V交流線路。一個實施例中，第一 MOSFET和第三MOSFET為N型MOSFET，第二 MOSFET和第四MOSFET 為 P 型 MOSFET。 一個實施例中，所述BTL功率放大電路由集成電路構(gòu)成。一個實施例中，所述低壓電力載波功率放大電路包括:由第一開關(guān)三極管、第二開關(guān)三極管、第三開關(guān)三極管、第四開關(guān)三極管構(gòu)成的BLT功率放大電路。一個實施例中，所述BTL功率放大電路具體是:第一開關(guān)三極管的集電極與正電源連接，第一開關(guān)三極管的發(fā)射極與第二開關(guān)三極管的集電極連接，第二開關(guān)三極管的發(fā)射極與電源地連接；第一電阻的第一端與正電源連接，第一電阻的第二端與第一開關(guān)三極管的基極連接；第二電阻的第一端與電源地連接，第二電阻的第二端與第二開關(guān)三極管的基極連接；第一開關(guān)二極管的陽極與第一開關(guān)三極管的基極連接，第一開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第二開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第二開關(guān)二極管的陰極與第二開關(guān)三極管的基極連接；需要放大的第一信號從第一電容的第一端和第二電容的第一端輸入，第一電容的第二端與第一開關(guān)三極管的基極連接，第二電容的第二端與第二開關(guān)三極管的基極連接；第三開關(guān)三極管的集電極與正電源連接，第三開關(guān)三極管的發(fā)射極與第四開關(guān)三極管的集電極連接，第四開關(guān)三極管的發(fā)射極與電源地連接；第三電阻的第一端與正電源連接，第三電阻的第二端與第三開關(guān)三極管的基極連接；第四電阻的第一端與電源地連接，第四電阻的第二端與第四開關(guān)三極管的基極連接；第三開關(guān)二極管的陽極與第三開關(guān)三極管的基極連接，第三開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第四開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第四開關(guān)二極管的陰極與第四開關(guān)三極管的基極連接；第一信號的反向信號從第三電容的第一端和第四電容的第一端輸入,第三電容的第二端與第三開關(guān)三極管的基極連接，第四電容的第二端與第四開關(guān)三極管的基極連接；功率放大后的信號從第一開關(guān)二極管的發(fā)射極和第三開關(guān)二極管的發(fā)射極輸出；第五電容與耦合變壓器初級一端串聯(lián)作為功放負(fù)載分別連接在第一開關(guān)二極管的發(fā)射極和第三開關(guān)二極管的發(fā)射極；耦合變壓器次級一端與第六電容串聯(lián)輸出到220V交流線路。一個實施例中，第一開關(guān)三極管和第三開關(guān)三極管為PNP型開關(guān)三極管，第二開關(guān)三極管和第四開關(guān)三極管為NPN型開關(guān)三極管。一個實施例中，所述BTL功率放大電路由集成電路構(gòu)成。一個實施例中，所述低壓電力載波功率放大電路包括:無輸出變壓器OTL功率放大電路或無輸出電容OCL功率放大電路。本實用新型實施例中，在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路，在低壓電力載波功率放大電路處于空閑狀態(tài)時超級電容電路處于充電儲能狀態(tài)，在低壓電力載波功率放大電路處于發(fā)送狀態(tài)時超級電容電路向低壓電力載波功率放大電路提供或補(bǔ)充電能，從而維持低壓電力載波功率放大電路發(fā)送功率，保證載波信號完整發(fā)送到電力線路上，避免因供電不足而出現(xiàn)智能電表復(fù)位問題。
為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中:圖1為本實用新型實施例中低壓電力載波功率放大電路的具體電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖對本實用新型實施例做進(jìn)一步詳細(xì)說明。在此，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，但并不作為對本實用新型的限定。為解決現(xiàn)有技術(shù)中載波信號不能完整發(fā)送到電力線路而造成通信失敗以及使智能電表出現(xiàn)復(fù)位等問題，本實用新型實施例中提供一種能夠較長時間維持電力載波功放功率的低壓電力載波功率放大電路，在該低壓電力載波功率放大電路中，在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級(法拉)電容電路。實施中，在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路后，在低壓電力載波功率放大電路處于空閑狀態(tài)時，超級電容電路處于充電儲能狀態(tài)，在低壓電力載波功率放大電路處于發(fā)送狀態(tài)時，超級電容電路向低壓電力載波功率放大電路提供或補(bǔ)充電能，從而維持了低壓電力載波功率放大電路的發(fā)送功率，保證載波信號完整發(fā)送到電力線路上，還可避免因供電不足而出現(xiàn)智能電表復(fù)位問題。具體實施時，超級電容電路可以采用多種實現(xiàn)方式，例如，可以采用單個超級電容來構(gòu)成超級電容電路；或者，可以采用多個串聯(lián)的超級電容來構(gòu)成超級電容電路；又或者，可以采用多個并聯(lián)的超級電容來構(gòu)成超級電容電路；又或者，可以采用多個以串聯(lián)和并聯(lián)方式組合的超級電容來構(gòu)成超級電容電路。本領(lǐng)域技術(shù)人員還可參考這些實現(xiàn)方式，根據(jù)實際需求確定其它的超級電容電路實現(xiàn)方式。具體實施時，本實用新型實施例中是在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路，具體的，在電源并聯(lián)超級電容電路的方式來提供電能并維持發(fā)送功率，可以實施于多種類型的低壓電力載波功率放大電路。舉一例，可實施于BTL (Bridge-Tied-1oad,橋接式負(fù)載)功率放大電路；再舉一例，可實施于OTL (Output Transformer Less,無輸出變壓器)功率放大電路；又舉一例，可實施于OCL (Output Capacitor Less,無輸出電容)功率放大電路。本領(lǐng)域技術(shù)人員還可根據(jù)需要在其它類型的低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路，以實現(xiàn)向某類型的低壓電力載波功率放大電路提供電能并維持該類型的低壓電力載波功率放大電路發(fā)送功率的目的。 下面以低壓電力載波功率放大電路為BTL功率放大電路為例進(jìn)行說明，其它類型的低壓電力載波功率放大電路的具體實施與此類似。舉一例，本例中BTL 功率放大電路由第一 MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)、第二 M0SFET、第三M0SFET、第四MOSFET構(gòu)成。圖1為本例中低壓電力載波功率放大電路的具體電路結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，本例中，BTL功率放大電路具體可以是:第一 MOSFET Ql的漏極(D極)與正電源連接，第一 MOSFET Ql的源極(S極)與第二 MOSFET Q2的漏極連接，第二 MOSFET Q2的源極與電源地連接；第一電阻Rl的第一端與正電源連接，第一電阻Rl的第二端與第一 MOSFET Ql的柵極(G極)連接；第二電阻R2的第一端與電源地連接，第二電阻R2的第二端與第二MOSFETQ2的柵極連接；第一開關(guān)二極管Dl的陽`極與第一 MOSFET Ql的柵極連接，第一開關(guān)二極管Dl的陰極與正電源連接；第二開關(guān)二極管D2的陽極與電源地連接，第二開關(guān)二極管D2的陰極與第二 MOSFET Q2的柵極連接；需要放大的第一信號A從第一電容C3的第一端和第二電容C5的第一端輸入,第一電容C3的第二端與第一 MOSFET Ql的柵極連接，第二電容C5的第二端與第二 MOSFET Q2的柵極連接；第三MOSFET Q3的漏極與正電源連接，第三MOSFET Q3的源極與第四MOSFET Q4的漏極連接，第四MOSFET Q4的源極與電源地連接；第三電阻R3的第一端與正電源連接，第三電阻R3的第二端與第三MOSFET Q3的柵極連接；第四電阻R4的第一端與電源地連接，第四電阻R4的第二端與第四MOSFET Q4的柵極連接；第三開關(guān)二極管D3的陽極與第三MOSFET Q3的柵極連接，第三開關(guān)二極管D3的陰極與正電源連接；第四開關(guān)二極管D4的陽極與電源地連接，第四開關(guān)二極管D4的陰極與第四MOSFET Q4的柵極連接；第一信號A的反向信號B從第三電容C6的第一端和第四電容C7的第一端輸入，第三電容C6的第二端與第三MOSFET Q3的柵極連接，第四電容C7的第二端與第四MOSFETQ4的柵極連接；功率放大后的信號從第一 MOSFET Ql的源極(第二 MOSFET Q2的漏極)和第三MOSFET Q3的源極(第四MOSFET Q4的漏極)輸出；第五電容C4與耦合變壓器Tl初級一端串聯(lián)作為功放負(fù)載分別連接在第一MOSFETQl的源極和第三MOSFET Q3的源極；耦合變壓器Tl次級一端與第六電容CS串聯(lián)輸出到220V交流線路。圖1中耦合變壓器Tl初級一端是經(jīng)第五電容C4與第一 MOSFET Ql的源極連接，實施時，第五電容C4也可串聯(lián)于耦合變壓器Tl初級另一端，即耦合變壓器Tl初級一端經(jīng)第五電容C4與第三MOSFET Q3的源極連接；當(dāng)然，在耦合變壓器Tl初級的兩端均可串聯(lián)一電容，再與第一 MOSFET Ql的源極和第三MOSFET Q3的源極連接。圖1中耦合變壓器Tl次級一端與第六電容C8串聯(lián)，實施時，第六電容C8也可串聯(lián)于耦合變壓器Tl次級另一端；當(dāng)然，在耦合變壓器Tl次級的兩端均可串聯(lián)一電容，再輸出到220V交流線路。圖1 中，第一 MOSFET Ql 和第三 MOSFET Q3 為 N 型 M0SFET，第二 MOSFET Q2 和第四MOSFET Q4 為 P 型 MOSFET。圖1中，超級電容Cl和C2串聯(lián)構(gòu)成超級電容電路并聯(lián)在功放電源上。本例中BTL功率放大電路還可以由集成電路構(gòu)成，即將BTL功率放大電路中的全部或部分元件進(jìn)行集成，例如上述第一 MOSFET、第二 MOSFET、第三MOSFET、第四M0SFET、第一開關(guān)二極管、第二開關(guān)二極管等元件中的全部或部分元件均可以組裝為集成電路。再舉一例，本例中的低壓電力載波功率放大電路可以包括:由第一開關(guān)三極管、第二開關(guān)三極管、第三開關(guān)三極管、第四開關(guān)三極管構(gòu)成的BLT功率放大電路。與圖1所示結(jié)構(gòu)類似，本例中BLT功率放大電路具體可以是:第一開關(guān)三極管的集電極(C極)與正電源連接，第一開關(guān)三極管的發(fā)射極(E極)與第二開關(guān)三極管的集電極連接，第二開關(guān)三極管的發(fā)射極與電源地連接；第一電阻的第一端與正電源連接，第一電阻的第二端與第一開關(guān)三極管的基極(B極)連接；第二電阻的第一端與電源地連接，第二電阻的第二端與第二開關(guān)三極管的基極連接;第一開關(guān)二極管的陽極與第一開關(guān)三極管的基極連接，第一開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第二開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第二開關(guān)二極管的陰極與第二開關(guān)三極管的基極連接；需要放大的第一信號從第一電容的第一端和第二電容的第一端輸入，第一電容的第二端與第一開關(guān)三極管的基極連接，第二電容的第二端與第二開關(guān)三極管的基極連接；第三開關(guān)三極管的集電極與正電源連接，第三開關(guān)三極管的發(fā)射極與第四開關(guān)三極管的集電極連接，第四開關(guān)三極管的發(fā)射極與電源地連接；第三電阻的第一端與正電源連接，第三電阻的第二端與第三開關(guān)三極管的基極連接；第四電阻的第一端與電源地連接，第四電阻的第二端與第四開關(guān)三極管的基極連接；第三開關(guān)二極管的陽極與第三開關(guān)三極管的基極連接，第三開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第四開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第四開關(guān)二極管的陰極與第四開關(guān)三極管的基極連接；[0077]第一信號的反向信號從第三電容的第一端和第四電容的第一端輸入,第三電容的第二端與第三開關(guān)三極管的基極連接，第四電容的第二端與第四開關(guān)三極管的基極連接；功率放大后的信號從第一開關(guān)二極管的發(fā)射極和第三開關(guān)二極管的發(fā)射極輸出；第五電容與耦合變壓器初級一端串聯(lián)作為功放負(fù)載分別連接在第一開關(guān)二極管的發(fā)射極和第三開關(guān)二極管的發(fā)射極；耦合變壓器次級一端與第六電容串聯(lián)輸出到220V交流線路。實施中，耦合變壓器初級一端可以經(jīng)第五電容與第一開關(guān)二極管的發(fā)射極連接，第五電容也可串聯(lián)于耦合變壓器初級另一端，即耦合變壓器初級一端經(jīng)第五電容與第三開關(guān)二極管的發(fā)射極連接；當(dāng)然，在耦合變壓器初級的兩端均可串聯(lián)一電容，再與第一開關(guān)二極管的發(fā)射極和第三開關(guān)二極管的發(fā)射極連接。實施中，耦合變壓器次級一端與第六電容串聯(lián)，第六電容也可串聯(lián)于耦合變壓器次級另一端；當(dāng)然，在耦合變壓器次級的兩端均可串聯(lián)一電容，再輸出到220V交流線路。實施中，第一開關(guān)三極管和第三開關(guān)三極管可以是PNP型開關(guān)三極管，第二開關(guān)三極管和第四開關(guān)三極管可以是NPN型開關(guān)三極管。本例中BTL功率放 大電路也可以由集成電路構(gòu)成，即將BTL功率放大電路中的全部或部分元件進(jìn)行集成，例如上述第一開關(guān)三極管、第二開關(guān)三極管、第三開關(guān)三極管、第四開關(guān)三極管、第一開關(guān)二極管、第二開關(guān)二極管等元件中的全部或部分元件均可以組裝為集成電路。綜上所述，本實用新型實施例中，在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路，在低壓電力載波功率放大電路處于空閑狀態(tài)時超級電容電路處于充電儲能狀態(tài)，在低壓電力載波功率放大電路處于發(fā)送狀態(tài)時超級電容電路向低壓電力載波功率放大電路提供或補(bǔ)充電能，從而維持低壓電力載波功率放大電路發(fā)送功率，保證載波信號完整發(fā)送到電力線路上，避免因供電不足而出現(xiàn)智能電表復(fù)位問題。以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限定本實用新型的保護(hù)范圍，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種低壓電力載波功率放大電路，其特征在于: 在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路。
2.如權(quán)利要求1所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述超級電容電路包括: 單個超級電容； 或，多個串聯(lián)的超級電容； 或，多個并聯(lián)的超級電容； 或，多個以串聯(lián)和并聯(lián)方式組合的超級電容。
3.如權(quán)利要求1或2所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述低壓電力載波功率放大電路包括:由第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET、第二 MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET構(gòu)成的橋接式負(fù)載BTL功率放大電路。
4.如權(quán)利要求3所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述BTL功率放大電路具體是: 第一 MOSFET的漏極與正電源連接，第一 MOSFET的源極與第二 MOSFET的漏極連接，第二 MOSFET的源 極與電源地連接； 第一電阻的第一端與正電源連接，第一電阻的第二端與第一 MOSFET的柵極連接；第二電阻的第一端與電源地連接，第二電阻的第二端與第二 MOSFET的柵極連接； 第一開關(guān)二極管的陽極與第一 MOSFET的柵極連接，第一開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第二開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第二開關(guān)二極管的陰極與第二 MOSFET的柵極連接； 需要放大的第一信號從第一電容的第一端和第二電容的第一端輸入，第一電容的第二端與第一 MOSFET的柵極連接，第二電容的第二端與第二 MOSFET的柵極連接； 第三MOSFET的漏極與正電源連接，第三MOSFET的源極與第四MOSFET的漏極連接，第四MOSFET的源極與電源地連接； 第三電阻的第一端與正電源連接，第三電阻的第二端與第三MOSFET的柵極連接；第四電阻的第一端與電源地連接，第四電阻的第二端與第四MOSFET的柵極連接； 第三開關(guān)二極管的陽極與第三MOSFET的柵極連接，第三開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第四開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第四開關(guān)二極管的陰極與第四MOSFET的柵極連接； 第一信號的反向信號從第三電容的第一端和第四電容的第一端輸入，第三電容的第二端與第三MOSFET的柵極連接，第四電容的第二端與第四MOSFET的柵極連接； 功率放大后的信號從第一 MOSFET的源極和第三MOSFET的源極輸出； 第五電容與耦合變壓器初級一端串聯(lián)作為功放負(fù)載分別連接在第一 MOSFET的源極和第三MOSFET的源極； 耦合變壓器次級一端與第六電容串聯(lián)輸出到220V交流線路。
5.如權(quán)利要求4所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，第一MOSFET和第三MOSFET 為 N 型 M0SFET，第二 MOSFET 和第四 MOSFET 為 P 型 MOSFET。
6.如權(quán)利要求3所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述BTL功率放大電路由集成電路構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1或2所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述低壓電力載波功率放大電路包括:由第一開關(guān)三極管、第二開關(guān)三極管、第三開關(guān)三極管、第四開關(guān)三極管構(gòu)成的BLT功率放大電路。
8.如權(quán)利要求7所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述BTL功率放大電路具體是: 第一開關(guān)三極管的集電極與正電源連接，第一開關(guān)三極管的發(fā)射極與第二開關(guān)三極管的集電極連接，第二開關(guān)三極管的發(fā)射極與電源地連接； 第一電阻的第一端與正電源連接，第一電阻的第二端與第一開關(guān)三極管的基極連接；第二電阻的第一端與電源地連接，第二電阻的第二端與第二開關(guān)三極管的基極連接； 第一開關(guān)二極管的陽極與第一開關(guān)三極管的基極連接，第一開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第二開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第二開關(guān)二極管的陰極與第二開關(guān)三極管的基極連接； 需要放大的第一信號從第一電容的第一端和第二電容的第一端輸入，第一電容的第二端與第一開關(guān)三極管的基極連接，第二電容的第二端與第二開關(guān)三極管的基極連接； 第三開關(guān)三極管的集電極與正電源連接，第三開關(guān)三極管的發(fā)射極與第四開關(guān)三極管的集電極連接，第四開關(guān)三極管的發(fā)射極與電源地連接； 第三電阻的第一端與正電源連接，第三電阻的第二端與第三開關(guān)三極管的基極連接；第四電阻的第一端與電源地連接，第四電阻的第二端與第四開關(guān)三極管的基極連接； 第三開關(guān)二極管的陽極與第三開關(guān)三極管的基極連接，第三開關(guān)二極管的陰極與正電源連接；第四開關(guān)二極管的陽極與電源地連接，第四開關(guān)二極管的陰極與第四開關(guān)三極管的基極連接； 第一信號的反向信號從第三電容的第一端和第四電容的第一端輸入，第三電容的第二端與第三開關(guān)三極管的基極連接，第四電容的第二端與第四開關(guān)三極管的基極連接； 功率放大后的信號從第一開關(guān)二極管的發(fā)射極和第三開關(guān)二極管的發(fā)射極輸出；第五電容與耦合變壓器初級一端串聯(lián)作為功放負(fù)載分別連接在第一開關(guān)二極管的發(fā)射極和第三開關(guān)二極管的發(fā)射極； 耦合變壓器次級一端與第六電容串聯(lián)輸出到220V交流線路。
9.如權(quán)利要求8所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，第一開關(guān)三極管和第三開關(guān)三極管為PNP型開關(guān)三極管，第二開關(guān)三極管和第四開關(guān)三極管為NPN型開關(guān)三極管。
10.如權(quán)利要求7所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述BTL功率放大電路由集成電路構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求1或2所述的低壓電力載波功率放大電路，其特征在于，所述低壓電力載波功率放大電路包括:無輸出變壓器OTL功率放大電路或無輸出電容OCL功率放大電路。
專利摘要本實用新型公開了一種低壓電力載波功率放大電路，在低壓電力載波功率放大電路的電源并聯(lián)超級電容電路，在低壓電力載波功率放大電路處于空閑狀態(tài)時超級電容電路處于充電儲能狀態(tài)，在低壓電力載波功率放大電路處于發(fā)送狀態(tài)時超級電容電路向低壓電力載波功率放大電路提供或補(bǔ)充電能，從而維持低壓電力載波功率放大電路發(fā)送功率，保證載波信號完整發(fā)送到電力線路上，避免因供電不足而出現(xiàn)智能電表復(fù)位問題。
文檔編號H03F3/20GK203119845SQ20132008442
公開日2013年8月7日 申請日期2013年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月25日
發(fā)明者洪利, 陳仲錢 申請人:北京廣聯(lián)智能科技有限公司