Ai儀表的過零觸發(fā)模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種AI儀表的過零觸發(fā)模塊，接于AI儀表的控制芯片，包括過零檢測電路和過零觸發(fā)電路，過零檢測電路、控制芯片和過零觸發(fā)電路順次電連接，過零檢測電路對電路產(chǎn)生的過零信號進(jìn)行檢測；控制芯片將過零信號生成過零脈沖信號并觸發(fā)過零觸發(fā)電路實(shí)現(xiàn)過零觸發(fā)。其中，所述過零觸發(fā)電路包括限流單元、濾波單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元，濾波單元和限流單元與控制芯片電連接，限流單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元順次電連接。本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)簡單，不僅降低成本，還簡化了整個(gè)AI儀表的電路結(jié)構(gòu)，提高了可靠性。
【專利說明】Al儀表的過零觸發(fā)模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及工業(yè)用自動化儀表，具體涉及Al (人工智能)儀表的過零觸發(fā)模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，Al(人工智能)儀表廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化，是由于其不可比擬的特點(diǎn)和優(yōu)勢，舉例如下:(I)精度高:利用內(nèi)裝的微處理器，能夠?qū)崟r(shí)測量出靜壓、溫度變化對檢測元件的影響，通過數(shù)據(jù)處理，對非線性進(jìn)行校正，對滯后及復(fù)現(xiàn)性進(jìn)行補(bǔ)償，使得輸出信號更精確。一般情況，精度為最大量程的±0.1%，數(shù)字信號可達(dá)±0.075%。(2)功能強(qiáng):具有多種復(fù)雜的運(yùn)算功能，依賴內(nèi)部微處理器和存儲器，可以執(zhí)行開方、溫度壓力補(bǔ)償及各種復(fù)雜的運(yùn)算。(3)測量范圍寬:量程比可達(dá)40:1或100:1，遷移量可達(dá)1900%和-200%。(4)通信功能強(qiáng):具有模擬量和數(shù)字量兩種輸出方式(如HART協(xié)議)，為實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場總線通訊奠定了基礎(chǔ)。(5)完善的自診斷功能:通過通信器可以查出Al儀表自診斷的故障結(jié)果信肩、O
[0003]目前，現(xiàn)有的Al儀表的過零觸發(fā)模塊，一般采用機(jī)械觸點(diǎn)開關(guān)實(shí)現(xiàn)觸發(fā)，該種過零觸發(fā)模塊容易造成觸點(diǎn)燒毀，且對電路的沖擊大，對負(fù)荷的適應(yīng)范圍較小，嚴(yán)重時(shí)造成設(shè)備燒損，影響整個(gè)Al儀表的使用壽命。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]因此，針對上述的問題，本實(shí)用新型提出一種新型的Al儀表的過零觸發(fā)模塊，采用可控硅和光耦結(jié)合，使用低壓、弱電流觸發(fā)，避免采用機(jī)械觸點(diǎn)開關(guān)而導(dǎo)致的一系列問題。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，一種Al儀表的過零觸發(fā)模塊，接于Al儀表的控制芯片，包括過零檢測電路和過零觸發(fā)電路，過零檢測電路、控制芯片和過零觸發(fā)電路順次電連接，過零檢測電路對電路產(chǎn)生的過零信號進(jìn)行檢測；控制芯片將過零信號生成過零脈沖信號并觸發(fā)過零觸發(fā)電路實(shí)現(xiàn)過零觸發(fā)。其中，所述過零觸發(fā)電路包括限流單元、濾波單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元，濾波單元和限流單元與控制芯片電連接，限流單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元順次電連接。
[0006]進(jìn)一步的，所述濾波單元包括電容Cl，所述限流單元包括電阻R1，所述光耦隔離單元包括光電耦合器IC1，所述過流保護(hù)單元包括串聯(lián)連接的第一電阻R12和第二電阻R13。
[0007]在某些場合，需要直接觸發(fā)三相可控硅的，可采用三路相同電路結(jié)構(gòu)的限流單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元實(shí)現(xiàn)。
[0008]本實(shí)用新型通過采用上述電路，通過可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和光電耦合器配合，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使用低壓、弱電流觸發(fā)，避免采用機(jī)械觸點(diǎn)開關(guān)而導(dǎo)致的一系列問題，真正實(shí)現(xiàn)“燒不壞”的特性。另外，本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)簡單，不僅降低成本，還簡化了整個(gè)Al儀表的電路結(jié)構(gòu)，提高了可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型的過零觸發(fā)模塊的電路框圖；
[0010]圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0012]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，參照圖1，一種Al儀表的過零觸發(fā)模塊，接于Al儀表的控制芯片，包括過零檢測電路和過零觸發(fā)電路，過零檢測電路、控制芯片和過零觸發(fā)電路順次電連接，過零檢測電路對電路產(chǎn)生的過零信號進(jìn)行檢測；控制芯片將過零信號生成過零脈沖信號并觸發(fā)過零觸發(fā)電路實(shí)現(xiàn)過零觸發(fā)。其中，所述過零觸發(fā)電路包括限流單元、濾波單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元，濾波單元和限流單元與控制芯片電連接，限流單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元順次電連接。
[0013]在某些場合，需要直接觸發(fā)三相可控硅的，可采用三路相同電路結(jié)構(gòu)的限流單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元實(shí)現(xiàn)。本實(shí)施例給出一種三路過零觸發(fā)模塊，參照圖2，該過零觸發(fā)電路包括電容Cl、電阻Rl、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電阻R13、光電耦合器ICl、光電耦合器IC2、光電耦合器IC3、可控硅BCR1、可控硅BCR2和可控硅BCR3。其中，電容Cl作為濾波單元，電阻Rl作為限流單元。上述電路結(jié)構(gòu)包括三路的相同電路結(jié)構(gòu)的光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元，例如其中一路，光電耦合器IC3、電阻R4、可控硅BCR3和電阻R12和電阻R13,光電稱合器IC3作為光稱隔離單兀,用于光電隔離，并控制可控娃BCR3的通斷，電阻R4用于限流，可控硅BCR3作為無觸點(diǎn)開關(guān)，電阻R12和電阻R13均為熱敏電阻，作為過流保護(hù)單元，用于過流保護(hù)。
[0014]本實(shí)用新型通過采用上述電路，通過可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和光電耦合器配合，使用低壓、弱電流觸發(fā)，避免現(xiàn)有技術(shù)中采用機(jī)械觸點(diǎn)開關(guān)而導(dǎo)致的一系列問題，真正實(shí)現(xiàn)“燒不壞”的特性。另外，本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)簡單，不僅降低成本，還簡化了整個(gè)Al儀表的電路結(jié)構(gòu)，提高了可靠性。
[0015]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種Al儀表的過零觸發(fā)模塊，接于Al儀表的控制芯片，其特征在于:包括過零檢測電路和過零觸發(fā)電路，過零檢測電路、控制芯片和過零觸發(fā)電路順次電連接，過零檢測電路對電路產(chǎn)生的過零信號進(jìn)行檢測，控制芯片將過零信號生成過零脈沖信號并觸發(fā)過零觸發(fā)電路實(shí)現(xiàn)過零觸發(fā)；其中，所述過零觸發(fā)電路包括限流單元、濾波單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元，濾波單元和限流單元與控制芯片電連接，限流單元、光耦隔離單元、可控硅無觸點(diǎn)開關(guān)和過流保護(hù)單元順次電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過零觸發(fā)模塊，其特征在于:所述濾波單元包括電容Cl。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過零觸發(fā)模塊，其特征在于:所述限流單元包括電阻R1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過零觸發(fā)模塊，其特征在于:所述光耦隔離單元包括光電耦合器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過零觸發(fā)模塊，其特征在于:所述過流保護(hù)單元包括串聯(lián)連接的第一電阻R12和第二電阻R13。
【文檔編號】H03K17/72GK203537355SQ201320617477
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】周宇 申請人:廈門宇電自動化科技有限公司