一種基于mos管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)及方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)及方法，屬于電路控制領(lǐng)域，包括供電電源1、場效應管2、外部控制信號發(fā)生器3、內(nèi)部信號發(fā)生器4和后續(xù)電路5。供電電源1、場效應管2、后續(xù)電路5依次相連。外部控制信號發(fā)生器3和內(nèi)部信號發(fā)生器4分別與場效應管2相連。場效應管2根據(jù)外部控制信號發(fā)生器3和內(nèi)部控制信號發(fā)生器4發(fā)出的控制信號實現(xiàn)供電電源1與后續(xù)電路5的通斷。本發(fā)明的技術(shù)方案通過采用MOS管作為集成電路控制的開關(guān)，有效降低了控制信號故障對集成電路產(chǎn)生的影響，并有效降低了電磁干擾，實現(xiàn)可控延時斷電，并不存在觸點氧化和定期維護問題，更好的實現(xiàn)了電路保護。
【專利說明】—種基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于機械設備控制領(lǐng)域，涉及一種集成電路開關(guān)，尤其涉及一種基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]工業(yè)電路設計需要考慮產(chǎn)品的安全性，應盡量提高電路的可靠性來降低故障率，以避免事故發(fā)生。
[0003]目前集成電路的供電一般采用機械式電磁繼電器實現(xiàn)，通過控制電磁繼電器的吸合和斷開來控制電路供電的通斷。其原理框圖如附圖1所示。
[0004]這樣做的問題是:
[0005]1、無法避免外部信號故障產(chǎn)生問題。
[0006]2、使用機械式電磁繼電器會產(chǎn)生電磁干擾，觸點氧化容易造成接觸不良，觸點使用壽命較短需要定期更換，控制信號消耗功率較高。
[0007]3、機械式電磁繼電器本身延時斷電的時間相對固定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]有鑒于此，本發(fā)明將通過采用MOS管作為集成電路控制的開關(guān)，有效降低了控制信號故障對集成電路產(chǎn)生的影響，并有效降低了電磁干擾，實現(xiàn)可控延時斷電，并不存在觸點氧化和定期維護問題，更好的實現(xiàn)了電路保護。
[0009]為達到上述目的，具體技術(shù)方案如下:
[0010]—方面，提供一種基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu),用于集成電路供電的開關(guān)控制，包括供電電源、場效應管、外部控制信號發(fā)生器、內(nèi)部信號發(fā)生器和后續(xù)電路，所述供電電源與所述場效應管相連，所述場效應管與所述后續(xù)電路相連，所述外部控制信號發(fā)生器和內(nèi)部信號發(fā)生器分別與所述場效應管相連，所述場效應管控制所述供電電源與所述后續(xù)電路之間的通斷，所述外部控制信號發(fā)生器通過發(fā)出外部控制信號控制所述場效應管的通斷，所述內(nèi)部信號發(fā)生器通過發(fā)出內(nèi)部信號控制所述場效應管的通斷。
[0011]優(yōu)選的，所述內(nèi)部信號發(fā)生器與所述后續(xù)電路相連，并根據(jù)檢測的所述后續(xù)電路的情況發(fā)出內(nèi)部控制信號。
[0012]優(yōu)選的，還包括控制對象，所述內(nèi)部控制信號發(fā)生器與所述控制對象相連，并根據(jù)檢測的所述場控制對象的情況發(fā)出內(nèi)部控制信號。
[0013]優(yōu)選的，所述內(nèi)部控制信號發(fā)生器為硬件電路或控制軟件。
[0014]優(yōu)選的，所述場效應管為金屬一氧化物一半導體場效應晶體管或金屬一絕緣體一半導體場效應晶體管。
[0015]優(yōu)選的，所述場效應管為N型場效應晶體管或P型場效應晶體管。
[0016]另一方面，提供一種基于MOS管的集成電路開關(guān)方法，包括以下步驟:
[0017]步驟1，所述外部控制信號發(fā)生器和內(nèi)部控制信號發(fā)生器發(fā)出控制信號；[0018]步驟2，所述場效應管根據(jù)控制信號實現(xiàn)通斷；
[0019]步驟3，通過所述場效應管的通斷實現(xiàn)所述供電電源與所述后續(xù)電路的通斷。
[0020]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的技術(shù)方案的優(yōu)點有:
[0021]1、可以有效降低外部控制信號或內(nèi)部控制信號故障對集成電路產(chǎn)生的影響；
[0022]2、有效降低電磁干擾，不存在觸點氧化和定期維護問題；
[0023]3、可由內(nèi)部控制信號根據(jù)需要實現(xiàn)可控延時斷電，能夠更好的實現(xiàn)電路保護。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中:
[0025]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖
[0026]圖2是本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]其中，I為供電電源、2為場效應管、3為外部控制信號發(fā)生器、4為內(nèi)部控制信號發(fā)生器、5為后續(xù)電路。
【具體實施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0029]需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相
互組合。
[0030]以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例做具體闡釋。
[0031]如圖2中所示的本發(fā)明的實施例的一種基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)及方法，用于集成電路供電的開關(guān)控制，結(jié)構(gòu)包括供電電源1、場效應管2、外部控制信號發(fā)生器3、內(nèi)部信號發(fā)生器4和后續(xù)電路5。
[0032]供電電源I與場效應管2相連,場效應管2與后續(xù)電路5相連。外部控制信號發(fā)生器3和內(nèi)部信號發(fā)生器4分別與場效應管2相連。場效應管2控制供電電源I與后續(xù)電路5之間的通斷。外部控制信號發(fā)生器3通過發(fā)出外部控制信號控制場效應管2的通斷，內(nèi)部信號發(fā)生器4通過發(fā)出內(nèi)部信號控制場效應管2的通斷。
[0033]方法，包括:
[0034]步驟1，外部控制信號發(fā)生器3和內(nèi)部控制信號發(fā)生器4發(fā)出控制信號；
[0035]步驟2，場效應管2根據(jù)控制信號實現(xiàn)通斷；
[0036]步驟3，通過場效應管2的通斷實現(xiàn)供電電源I與后續(xù)電路5的通斷。
[0037]本發(fā)明的實施例通過采用MOS管作為集成電路控制的開關(guān)，有效降低了控制信號故障對集成電路產(chǎn)生的影響，并有效降低了電磁干擾，實現(xiàn)可控延時斷電，并不存在觸點氧化和定期維護問題，更好的實現(xiàn)了電路保護。
[0038]如圖2中所示，在本發(fā)明的實施例中，場效應管2為MOS管，優(yōu)選為金屬一氧化物一半導體場效應晶體管或金屬一絕緣體一半導體場效應晶體管。[0039]在本發(fā)明的實施例中，用MOS管作為集成電路控制的開關(guān)，通過板外控制信號和板內(nèi)控制信號共同控制MOS管的通斷，實現(xiàn)對集成電路的開關(guān)控制。
[0040]MOS管的內(nèi)部控制信號可由硬件電路或者軟件控制來提供，通過對后續(xù)電路和控制對象的檢測情況，根據(jù)需要改變控制信號。
[0041]以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)，用于集成電路供電的開關(guān)控制，其特征在于，包括供電電源(I)、場效應管(2)、外部控制信號發(fā)生器(3)、內(nèi)部控制信號發(fā)生器(4)和后續(xù)電路(5)，所述供電電源(I)與所述場效應管(2)相連，所述場效應管(2)與所述后續(xù)電路(5)相連，所述外部控制信號發(fā)生器(3)和內(nèi)部控制信號發(fā)生器(4)分別與所述場效應管(2)相連，所述場效應管(2)控制所述供電電源(I)與所述后續(xù)電路(5)之間的通斷，所述外部控制信號發(fā)生器(3)通過發(fā)出外部控制信號控制所述場效應管(2)的通斷，所述內(nèi)部控制信號發(fā)生器(4 )通過發(fā)出內(nèi)部信號控制所述場效應管(2 )的通斷。
2.如權(quán)利要求1所述的基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)部控制信號發(fā)生器(4)與所述后續(xù)電路(5)相連，并根據(jù)檢測的所述后續(xù)電路(5)的情況發(fā)出內(nèi)部控制信號。
3.如權(quán)利要求2所述的基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括控制對象，所述內(nèi)部控制信號發(fā)生器(4 )與所述控制對象相連，并根據(jù)檢測的所述場控制對象的情況發(fā)出內(nèi)部控制信號。
4.如權(quán)利要求1所述的基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)部控制信號發(fā)生器(4)為硬件電路或控制軟件。
5.如權(quán)利要求1所述的基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述場效應管(2)為金屬一氧化物一半導體場效應晶體管或金屬一絕緣體一半導體場效應晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的基于MOS管的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述場效應管(2)為N型場效應晶體管或P型場效應晶體管。
7.一種基于MOS管的集成電路開關(guān)方法,用于如權(quán)利要求1至6任一項所述的集成電路開關(guān)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1，所述外部控制信號發(fā)生器(3)和內(nèi)部控制信號發(fā)生器(4)發(fā)出控制信號； 步驟2，所述場效應管(2)根據(jù)控制信號實現(xiàn)通斷； 步驟3，通過所述場效應管(2 )的通斷實現(xiàn)所述供電電源(I)與所述后續(xù)電路(5 )的通斷。
【文檔編號】H03K17/687GK103795388SQ201410046899
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年2月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月10日
【發(fā)明者】高豐城, 王德彬 申請人:上海三一重機有限公司