一種應(yīng)用于硅基oled微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型dac的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，包括第一譯碼器、第二譯碼器、延時(shí)電路、第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路、電流源電路和偏置電路；本發(fā)明采用“3+4+3”分段結(jié)構(gòu)，其中最低3位采用二進(jìn)制編碼，中間4位和最高3位采用溫度碼編碼方式；最低三位數(shù)據(jù)通過(guò)延時(shí)電路輸入到第三鎖存電路，中間四位數(shù)據(jù)通過(guò)第二譯碼器輸入到第二鎖存電路，最高三位數(shù)據(jù)通過(guò)第一譯碼器輸入到第一鎖存電路；最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路的輸入端分別與偏置電路和對(duì)應(yīng)的第一鎖存電路、第二鎖存電路、第三鎖存電路的輸出端連接，其輸出端相連并接到電流輸出端IOUT。本發(fā)明可減小DAC輸出電流的毛刺。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC。

【背景技術(shù)】
[0002]微顯示技術(shù)是顯示【技術(shù)領(lǐng)域】的一個(gè)分支，它在便攜式顯示應(yīng)用方面具有巨大的優(yōu)勢(shì)。而且低功耗是其快速增長(zhǎng)的強(qiáng)大動(dòng)力，所以其未來(lái)的應(yīng)用會(huì)更加市場(chǎng)化。它用途廣闊，涉及科研、娛樂(lè)、通信、軍事、醫(yī)療等各個(gè)行業(yè)和領(lǐng)域，潛力巨大。相對(duì)于其他微顯示技術(shù)而言，硅基OLED微顯示器件具有主動(dòng)發(fā)光、視角寬、低壓驅(qū)動(dòng)、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、集成度高等特點(diǎn)，可用于各種顯示領(lǐng)域。硅基OLED微顯示技術(shù)是將OLED器件直接做在經(jīng)過(guò)半導(dǎo)體加工工藝制成的單晶硅集成電路芯片上，從而實(shí)現(xiàn)其周邊驅(qū)動(dòng)電路和顯示像素矩陣電路的集成化。硅基OLED驅(qū)動(dòng)芯片的研究，正處于發(fā)展階段，是國(guó)際上微顯示領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一 O
[0003]DAC電路是硅基OLED驅(qū)動(dòng)芯片中一個(gè)核心的電路模塊，可以提供給像素陣列精確的電流。然而在輸入電流需要發(fā)生改變時(shí)，開(kāi)關(guān)會(huì)經(jīng)過(guò)高速轉(zhuǎn)換，此時(shí)將引入毛刺電壓。由于像素單元需要的驅(qū)動(dòng)電流一般是幾百皮安到幾十納安的范圍。因此相比傳統(tǒng)輸出電流較大的DAC，該毛刺電壓會(huì)帶來(lái)不可忽略的影響，其將直接影響輸出電流的精度，從而影響顯示畫(huà)面的質(zhì)量，因此需采用某種方法減弱毛刺電壓引入的影響，設(shè)計(jì)出一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的高精度電流源很有必要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服上述DAC電路中出現(xiàn)毛刺電壓的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種高精度電流型DAC電路為硅基OLED提供精確電流，通過(guò)在電流源電路中增加電容和開(kāi)關(guān)達(dá)到減小電流毛刺的目的，從而解決由于OLED器件電流不精確產(chǎn)生圖像失真的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種應(yīng)用于娃基OLED微顯不驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC,包括輸入譯碼電路、鎖存電路、電流源電路、時(shí)鐘電路和偏置電路；輸入譯碼電路由第一譯碼器、第二譯碼器和延時(shí)電路組成；鎖存電路包括第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路；電流源電路包括最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路；所述應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC電路采用“3+4+3”分段結(jié)構(gòu)，其中最低3位采用二進(jìn)制編碼，中間4位和最高3位采用溫度碼編碼方式；最低三位數(shù)據(jù)輸出到延時(shí)電路的輸入端，中間四位數(shù)據(jù)輸出到第二譯碼器的輸入端，最高三位數(shù)據(jù)輸出到第一譯碼器的輸入端；第一譯碼器、第二譯碼器和延時(shí)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)的第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路的輸入端連接；最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路的輸入端分別與對(duì)應(yīng)的第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路的輸出端連接；偏置電路的輸出端分別與最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路的輸入端連接，用于提供基準(zhǔn)電流；最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路的輸出端相連接并接到電流輸出端1TT。
[0007]進(jìn)一步地，所述最高位電流源電路包括7個(gè)寬長(zhǎng)比相等的電流源，該電流源包括P型MOS管Ml、P型MOS管M2、P型MOS管M3和N型MOS管M4及電容CN1，MOS管Ml的源極和襯底相連并接到電源VDD，M0S管MPl的柵極與偏置電路的中基準(zhǔn)電流Ikef的正向輸出端相連接于第一節(jié)點(diǎn)Al，MOS管Ml的漏極與MOS管M2的源極和襯底相連；M0S管M2的漏極與MOS管M3的源極和襯底相連于第二節(jié)點(diǎn)A2，將A2節(jié)點(diǎn)連接到電流輸出端IQUT，MOS管M2、M3以及MOS管M4的柵極相連并接到第一鎖存電路的相應(yīng)輸出信號(hào)Kx ；M0S管M3的漏極與電容Cni —端、N型MOS管M4的漏極相連，電容Cx的另一端、MOS管M4的源極和襯底相連接到外接電壓VI，Vl的電壓值小于A2節(jié)點(diǎn)的電壓。
[0008]所述中間位電流源電路包括15個(gè)寬長(zhǎng)比相等的電流源，該電流源包括P型MOS管M5、P型MOS管M6、P型MOS管M7和N型MOS管M8及電容CN2，M0S管M5的源極和襯底相連并接到電源VDD，MOS管M5的柵極與偏置電路中Ikef的正向輸出端相連接于第一節(jié)點(diǎn)Al，MOS管M5的漏極與MOS管M6的源極和襯底相連；M0S管M6的漏極與MOS管M7的源極和襯底相連于第二節(jié)點(diǎn)A2，將A2節(jié)點(diǎn)連接到電流輸出端IQUT，MOS管M6、M7以及MOS管M8的柵極相連并連接第二鎖存電路的相應(yīng)輸出信號(hào)Ky ；M0S管M7的漏極與電容Cy —端、N型MOS管M8的漏極相連，電容Cn2的另一端、MOS管M8的源極和襯底相連接到外接電壓V2，V2的電壓值小于A2節(jié)點(diǎn)的電壓。
[0009]進(jìn)一步地，所述最低位電流源電路包括三個(gè)寬長(zhǎng)比不斷倍增的電流源，該電流源包括P型MOS管MP3、P型MOS管MP3_S，M0S管MP3的源極和襯底相連并接到電源VDD，M0S管MP3柵極與偏置電路中Ikef的正向輸出端相連接于第一節(jié)點(diǎn)Al，MOS管MP3的漏極與MOS管MP3_S的源極和襯底相連，MOS管MP3_S的柵極連接到第三鎖存電路的相應(yīng)輸出信號(hào)K3，MOS管MP3_S的漏極連接到第二節(jié)點(diǎn)A2，并連接到電流輸出端IQUT。
[0010]進(jìn)一步地，所述最高位電流源電路由寬長(zhǎng)比為M = 128的電流源組成。
[0011]進(jìn)一步地，中間位電流源電路由寬長(zhǎng)比為M = 8的電流源組成。
[0012]進(jìn)一步地,最低位電流源電路由寬長(zhǎng)比分別為M = 1、M=2和M = 4的電流源組成。
[0013]本發(fā)明的有益效果:
[0014](I)本發(fā)明通過(guò)在電流源電路中增加電容和開(kāi)關(guān)，由于電流源開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通瞬間的電流變化很大，通過(guò)增加電容對(duì)開(kāi)關(guān)輸出節(jié)點(diǎn)進(jìn)行充放電減弱毛刺影響電流源的輸出電壓，達(dá)到減小電流毛刺的目的。
[0015](2)采用3+4+3結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)DAC中的溫度編碼版圖布局的復(fù)雜度、芯片面積和功耗。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本發(fā)明一種實(shí)施例的原理框圖；
[0017]圖2是本發(fā)明一種實(shí)施例的最高位電流源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明一種實(shí)施例的中間位電流源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4是本發(fā)明一種實(shí)施例的偏置電路和電流源電路的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]如圖1至圖4所示，一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，包括輸入譯碼電路1、鎖存電路2、電流源電路3、偏置電路4和時(shí)鐘；輸入譯碼電路I由第一譯碼器、第二譯碼器和延時(shí)電路組成；鎖存電路2包括第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路；電流源電路3包括最高位電流源電路3-1、中間位電流源電路3-2和最低位電流源電路3-3 ;所述應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC電路采用“3+4+3”分段結(jié)構(gòu)，其中最低3位采用二進(jìn)制編碼，中間4位和最高3位采用溫度碼編碼方式；最低三位數(shù)據(jù)D1-D3輸出到延時(shí)電路的輸入端，中間四位數(shù)據(jù)D4-D7輸出到第二譯碼器的輸入端，最高三位數(shù)據(jù)D8-D10輸出到第一譯碼器的輸入端；第一譯碼器、第二譯碼器和延時(shí)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)的第一鎖存器、第二鎖存器和第三鎖存器的輸入端連接；第一鎖存器的輸出信號(hào) K19-K25 接最高位電流源電路 3-1 中 P 型 MOS 管 MP19_S_MP25_S、MP16_C_MP22_C、N 型MOS管麗16-MN22的柵極；第二鎖存電路的輸出信號(hào)K4-K18接中間位電流源電路3_2中P型MOS管MP4_S-MP18_S、MP1_C-MP15_C、N型MOS管MN1-MN15的柵極；第三鎖存電路的輸出信號(hào)K1、K2、K3接最低位電流源電路3-3中的P型MOS管MP1_S、P型MOS管MP2_S和P型MOS管MP3_S的柵極，實(shí)現(xiàn)鎖存電路2輸出控制信號(hào)控制電流源電路的輸出；最高位電流源電路3-1、中間位電流源電路3-2、最低位電流源電路3-3的輸出端相連接電流輸出端I.，偏置電路4中基準(zhǔn)電流Ikef的正向輸出端分別與最高位電流源電路3-1、中間位電流源電路3-2和最低位電流源電路3-3的輸入端連接，用于提供基準(zhǔn)電流。
[0022]圖1的工作原理如下:
[0023]整個(gè)10位電流型DAC采用3+4+3分段結(jié)構(gòu)，最低3位采用二進(jìn)制編碼，中間4位和最高3位采用溫度碼編碼方式。外部10位數(shù)據(jù)Dl-DlO分成三段D1-D3、D4-D7和D8-D10分別經(jīng)過(guò)延時(shí)電路、第二譯碼電路和第一譯碼電路進(jìn)行延時(shí)和譯碼，再經(jīng)過(guò)鎖存電路進(jìn)行信號(hào)鎖存；在時(shí)鐘信號(hào)的控制之下，鎖存電路輸出的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)用來(lái)分別控制最高位溫度碼電流源電路中的7個(gè)電流源、中間位溫度碼電流源電路中的15個(gè)電流源、最低位二進(jìn)制碼電流源電路中的3個(gè)電流源。最低三位電流源電路采用寬長(zhǎng)比M = UM = 2、M = 4的電流源，中間位電流源電路采用寬長(zhǎng)比M = 8的電流源、最高位電流源電路采用寬長(zhǎng)比為M=128的電流源。根據(jù)疊加原理，最后將開(kāi)關(guān)閉合支路的電流相加輸出到I.。其中輸出電流I.可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)OLED器件。電流源電路的輸出電流I.表達(dá)式如下所示，其中Ikef為偏置電路4提供的基準(zhǔn)電流，表不單位電流大小:
[0024]1ut = Ieef (K12°+K221+K322) +23Ieef (K4+K5+...+K18) +27IEEF (K19+K20+...+K25)
[0025]如圖4所示，與偏置電路4提供的基準(zhǔn)電流Ikef串聯(lián)的晶體管ΜΡ26的寬長(zhǎng)比為M=1，最高位電流源電路包括7個(gè)寬長(zhǎng)比為M= 128的電流源，中間位電流源電路包括15個(gè)寬長(zhǎng)比為M = 8的電流源；最低位電流源電路包括寬長(zhǎng)比分別為Μ=1、Μ=2和Μ = 4的三個(gè)電流源；偏置電路由P型MOS管ΜΡ26、外接參考電流Ikef組成；最高位電流源電路3_1由 7 個(gè) P 型 MOS 管 ΜΡ19-ΜΡ25、7 個(gè) MP19_S_MP25_S、7 個(gè) MP16_C_MP22_C，7 個(gè) N 型 MOS 管MN16-MN22，7個(gè)電容C16-C22組成。中間位電流源電路3_2由15個(gè)P型MOS管MP4-MP18、15 個(gè) MP4_S-MP18_S、15 個(gè) MP1_C_MP15_C、15 個(gè) N 型 MOS 管 MN1-MN15，15 個(gè)電容 C1-C15 組成。最低位電流源電路3-3由P型MOS管MP1、MP2、MP3、MP1_S、MP2_S、MP3_S組成。P型MOS 管 MP1、MP2、MP3、MP4-MP8、MP19-MP25、MP26 的源極和襯底接電源 VDD，P 型 MOS 管 MP26的漏極和柵極以及MP1、MP2、MP3、MP4-MP18、MP19-MP25的柵極、電流源Ikef的正向端相互連接與于第一節(jié)點(diǎn)Al ；電流源Ikef的負(fù)向端接地GND ；P型MOS管MP25的漏極和P型MOS管MP25_S的源極和襯底相連；P型MOS管MP25_S的漏極與P型MOS管MP22_C的源極和襯底、P型MOS管MP19_S的漏極與P型MOS管MP16_C的源極和襯底、P型MOS管MP18_S的漏極與P型MOS管MP15_C的源極和襯底、P型MOS管MP4_S的漏極與P型MOS管MP1_C的源極和襯底、P型MOS管MP1_S、MP2_S、MP3_S的漏極均相連于第二節(jié)點(diǎn)A2，并連接到電流輸出端Iqut ;P型MOS管MP25_S、MP22_C以及N型MOS管MN22的柵極相連在一起接鎖存電路的輸出信號(hào)K25 ；P型MOS管MP22_C的漏極與電容C22 —端、N型MOS管MN22的漏極相連；P型MOS管MP19的漏極和P型MOS管MP19_S的源極和襯底相連；P型MOS管MP19_S、MP16_C以及N型MOS管麗16的柵極相連在一起接鎖存電路的輸出信號(hào)K19 ;P型MOS管MP16_C的漏極與電容C16另一端、N型MOS管麗16的漏極相連；電容P型MOS管MP18的漏極和P型MOS管MP18_S的源極相連；P型MOS管MP18_S、MP15_C以及N型MOS管MN15的柵極相連在一起接K18 ；電容C22和C16另一端與N型MOS管麗22、麗16的源極和襯底相連于外接電壓Vl ；P型MOS管MP15_C的漏極與電容C15 —端、N型MOS管麗15的漏極相連；電容C15、C1另一端、N型MOS管麗15、麗I的源極和襯底相連于外接電壓V2 ;P型MOS管MP4的漏極和P型MOS管MP4_S的源極和襯底相連；P型MOS管MP4_S、MP1_C以及N型MOS管MP1_C的柵極相連在一起接鎖存電路的輸出信號(hào)K4 ；P型MOS管MP1_C的漏極與電容Cl 一端、N型MOS管MP1_C的漏極相連；P型MOS管MP3的漏極和P型MOS管MP3_S的源極和襯底相連；P型MOS管MP2的漏極和P型MOS管MP2_S的源極相連；P型MOS管MPl的漏極和P型MOS管MP1_S的源極和襯底相連。
[0026]圖4所示電路的工作過(guò)程如下:
[0027]第一鎖存電路和第二鎖存電路輸出的15個(gè)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)K19-K25和7個(gè)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)K4-K18，分別控制最高位電流源電路3-1中的開(kāi)關(guān)管MP19_S-MP25_S、MP16_C-MP22_C、MN16-MN22 和中間位電流源電路 3-2 中的開(kāi)關(guān)管 MP4_S_MP18_S、MP1_C_MP15_C、麗1-MN15。第三鎖存電路產(chǎn)生的最低位開(kāi)關(guān)控制信號(hào)K1-K3控制最低位電流源電路3-3中的開(kāi)關(guān)管MP1_S-MP3_S。開(kāi)關(guān)管MP1_S-MP25_S控制25個(gè)支路的電流是否流出到電流輸出端1TT。根據(jù)疊加原理，將開(kāi)關(guān)閉合支路的電流相加輸出到I.。輸出電流可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)OLED器件。
[0028]在最高位的7個(gè)開(kāi)關(guān)MP19_S_MP25_S導(dǎo)通的瞬間由于電流變化較大，容易產(chǎn)生轉(zhuǎn)換期間的電流毛刺。圖2中加入了開(kāi)關(guān)MP16_C-MP22_C、電容C16-C22、開(kāi)關(guān)MN16-MN22可以改善毛刺影響。例如，當(dāng)K25信號(hào)有效，MP25支路導(dǎo)通時(shí)，由于電流突然增大，A2點(diǎn)電壓有一個(gè)尖峰(如圖中A2點(diǎn)波形所示)，此時(shí)MP25_S、MP22_C導(dǎo)通，C22與A2點(diǎn)相連，可以對(duì)電容C22進(jìn)行充電，如圖中A3點(diǎn)波形所示，以穩(wěn)定A2點(diǎn)電壓。同時(shí)加入麗22可以在MP22_C關(guān)斷時(shí)對(duì)C22進(jìn)行放電。同時(shí)選擇Vl略小于A2點(diǎn)電壓，以減少充放電時(shí)間，使得A2點(diǎn)的電壓維持恒定，從而改善所造成的電流毛刺。中間位的15個(gè)開(kāi)關(guān)加入了 MP1_C-MP15_C、C1-C15、MN1-MN15可以改善毛刺影響。原理與最高位的相同。由于中間位毛刺比最高位小，所以選擇V1〈V2〈VA2。最低3位由于電流較小，毛刺不明顯，所以不需要加入改善毛刺的電路。
[0029]本發(fā)明不局限于上述實(shí)施方式，不論其實(shí)現(xiàn)形式作任何變化，凡是采用電容對(duì)開(kāi)關(guān)輸出節(jié)點(diǎn)進(jìn)行充放電減弱毛刺影響的高精度電流源電路或者采用3bit(溫度編碼)+4bit (溫度編碼)+3bit ( 二進(jìn)制編碼)的1bit DAC結(jié)構(gòu)，均應(yīng)落在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，其特征是:包括輸入譯碼電路、鎖存電路、電流源電路和偏置電路；輸入譯碼電路由第一譯碼器、第二譯碼器和延時(shí)電路組成；鎖存電路包括第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路；電流源電路包括最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路；所述應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC電路采用“3+4+3”分段結(jié)構(gòu)，其中最低3位采用二進(jìn)制編碼，中間4位和最高3位采用溫度碼編碼方式；最低三位數(shù)據(jù)輸出到延時(shí)電路的輸入端，中間四位數(shù)據(jù)輸出到第二譯碼器的輸入端，最高三位數(shù)據(jù)輸出到第一譯碼器的輸入端；第一譯碼器、第二譯碼器和延時(shí)電路的輸出端分別與對(duì)應(yīng)的第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路的輸入端連接；最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路的輸入端分別與對(duì)應(yīng)的第一鎖存電路、第二鎖存電路和第三鎖存電路的輸出端連接；偏置電路的輸出端分別與最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路的輸入端連接，用于提供基準(zhǔn)電流；最高位電流源電路、中間位電流源電路和最低位電流源電路的輸出端相連接并接到電流輸出端1UT。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，其特征是:所述最高位電流源電路包括7個(gè)寬長(zhǎng)比相等的電流源，該電流源包括P型MOS管Ml、P型MOS管M2、P型MOS管M3和N型MOS管M4及電容Cni，MOS管Ml的源極和襯底相連并接到電源VDD，MOS管MPl的柵極用于與偏置電路中基準(zhǔn)電流Ikef的正向輸出端相連接于第一節(jié)點(diǎn)Al，MOS管Ml的漏極與MOS管M2的源極和襯底相連；MOS管M2的漏極與MOS管M3的源極和襯底相連于第二節(jié)點(diǎn)A2，將A2節(jié)點(diǎn)連接到電流輸出端IQUT，MOS管M2、M3以及MOS管M4的柵極相連并接到第一鎖存電路的相應(yīng)輸出信號(hào)Kx ；MOS管M3的漏極與電容Cni —端、N型MOS管M4的漏極相連，電容Cni的另一端、MOS管M4的源極和襯底相連接到外接電壓VI，Vl的電壓值小于A2 節(jié)點(diǎn)的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，其特征是:所述中間位電流源電路包括15個(gè)寬長(zhǎng)比相等的電流源，該電流源包括P型MOS管M5、P型MOS管M6、P型MOS管M7和N型MOS管M8及電容Cn2, MOS管M5的源極和襯底相連并接到電源VDD，MOS管M5的柵極用于與偏置電路中基準(zhǔn)電流Ikef的正向輸出端相連接于第一節(jié)點(diǎn)Al，MOS管M5的漏極與MOS管M6的源極和襯底相連；MOS管M6的漏極與MOS管M7的源極和襯底相連于第二節(jié)點(diǎn)A2，將A2節(jié)點(diǎn)連接到電流輸出端Iqut，MOS管M6、M7以及MOS管M8的柵極相連并連接第二鎖存電路的相應(yīng)輸出信號(hào)Ky ；MOS管M7的漏極與電容Cn2 —端、N型MOS管M8的漏極相連，電容Cy的另一端、MOS管M8的源極和襯底相連接到外接電壓V2，V2的電壓值小于A2節(jié)點(diǎn)的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，其特征是:所述最低位電流源電路包括三個(gè)寬長(zhǎng)比不斷倍增的電流源，該電流源包括P型MOS管MP3,P型MOS管MP3_S，M0S管MP3的源極和襯底相連并接到電源VDD，MOS管MP3柵極與偏置電路中Ikef的正向輸出端相連接于第一節(jié)點(diǎn)Al，MOS管MP3的漏極與MOS管MP3_S的源極和襯底相連，MOS管MP3_S的柵極連接到第三鎖存電路的相應(yīng)輸出信號(hào)K3，MOS管MP3_S的漏極連接到第二節(jié)點(diǎn)A2，并連接到電流輸出端I.。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，其特征是，所述最高位電流源電路由寬長(zhǎng)比為M = 128的電流源組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，其特征是，中間位電流源電路由寬長(zhǎng)比為M = 8的電流源組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應(yīng)用于硅基OLED微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電流型DAC，其特征是，最低位電 流源電路由寬長(zhǎng)比分別為1=1、]\1=2和|/[ = 4的電流源組成。
【文檔編號(hào)】H03M1/66GK104052489SQ201410271187
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月17日
【發(fā)明者】楊淼, 張白雪, 曹允 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所