開關裝置和模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種開關裝置和模塊。開關裝置包括：開關，該開關選擇包括第一端子、第二端子和第三端子的至少三個端子中的一個，并且將其連接到公共端子；以及補償電路，該補償電路使通過第二端子發(fā)送的第一信號和通過第三端子發(fā)送的第二信號中的至少一個的相位移動，使得第一信號和第二信號彼此補償，并且該補償電路合成第一信號和第二信號并將其作為第三信號輸出到第四端子，或者將輸入到第四端子的第三信號分支為第一信號和第二信號。
【專利說明】開關裝置和模塊
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明的某一方面涉及一種開關裝置和模塊。
【背景技術】
[0002]以移動電話為代表的無線裝置的快速普及已經(jīng)促進了開關裝置的使用。例如，已經(jīng)在用于高頻通信的移動終端中使用了高頻開關以選擇高頻信號。例如，開關的示例包括機械開關和使用半導體晶體管的開關。
[0003]日本專利申請公開N0.2006-109084(專利文獻I)和美國專利N0.7848712(專利文獻2)公開了，在開關的輸入/輸出端子之間提供電感器以改進輸入/輸出端子之間的隔離特性。
[0004]專利文獻I和專利文獻2中所公開的技術，能夠通過電感器的電抗分量抵消輸入/輸出端子之間的寄生電容，并且因此能夠改進隔離特性。然而，輸入/輸出端子之間的寄生電容值較小。因此，改進隔離特性的努力引起電感器的電感的增加。因此，上述技術并不實用。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]根據(jù)本發(fā)明的方面，提供一種開關裝置，所述開關裝置包括:開關，所述開關選擇包括第一端子、第二端子和第三端子的至少三個端子中的一個，并且將其連接到公共端子；以及補償電路，所述補償電路使通過所述第二端子發(fā)送的第一信號和通過所述第三端子發(fā)送的第二信號中的至少一個的相位移動，使得所述第一信號和所述第二信號彼此補償，并且所述補償電路合成(unifying)所述第一信號和所述第二信號并且，將其作為第三信號輸出到第四端子，或者將輸入到所述第四端子的第三信號分支(branch)為所述第一信號和所述第二信號。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種開關裝置，所述開關裝置包括:開關，所述開關選擇包括第一端子和第二端子的至少兩個端子中的一個，并且將其連接到公共端子；電容器，所述電容器連接在所述第一端子與所述公共端子中的至少一個與第三端子之間；以及補償電路，所述補償電路使通過所述第二端子發(fā)送的第一信號和通過所述第三端子發(fā)送的第二信號中的至少一個的相位移動，使得所述第一信號和所述第二信號彼此補償，并且所述補償電路合成所述第一信號和所述第二信號，并且將其作為第三信號輸出到第四端子，或者將輸入到所述第四端子的第三信號分支為所述第一信號和所述第二信號。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種模塊，所述模塊包括上述開關裝置。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1A是用在開關裝置中的開關的電路圖，并且圖1B是等效電路圖；
[0009]圖2A是根據(jù)比較示例的開關裝置的電路圖，并且圖2B是等效電路圖；
[0010]圖3是根據(jù)第一實施方式的開關裝置的電路圖；
[0011]圖4是根據(jù)第一實施方式的開關裝置的等效電路圖；
[0012]圖5A至圖5C分別是例示開關的輸入/輸出端子之間的隔離、|Y21|和ΖΥ21的圖；
[0013]圖6Α至圖6C分別是例示第一實施方式的開關裝置的隔離、IΥ211和Z Υ21的圖；
[0014]圖7是在第二實施方式中采用的補償電路的電路圖；
[0015]圖8Α至圖8C分別是例示端子之間的隔離、Υ211和Z Υ21的圖；
[0016]圖9是根據(jù)第二實施方式的開關裝置的電路圖；
[0017]圖1OA至圖1OC分別是例示第二實施方式的開關裝置的隔離、|Υ21|和ΖΥ21的圖；
[0018]圖11是在第二實施方式中采用的替代示例性補償電路；
[0019]圖12是根據(jù)第三實施方式的開關裝置的電路圖；
[0020]圖13是根據(jù)第四實施方式的開關裝置的電路圖；
[0021]圖14是根據(jù)第四實施方式的變型例的開關裝置的電路圖；
[0022]圖15是根據(jù)第五實施方式的開關裝置的電路圖；
[0023]圖16是根據(jù)第五實施方式的變型例的開關裝置的電路圖；
[0024]圖17是根據(jù)第六實施方式的模塊的框圖；以及
[0025]圖18是根據(jù)第六實施方式的變型例的模塊的框圖。
【具體實施方式】
[0026]下面，將參考附圖給出實施方式的描述。
[0027]第一實施方式
[0028]將給出半導體開關作為用在開關裝置中的開關的示例的描述。圖1A是用在開關裝置中的開關的電路圖，并且圖1B是等效電路圖。如圖1A中所示，開關1a包括晶體管11至14。晶體管11的源極耦接到端子Tl，而其漏極耦接到端子Τ5。晶體管13的源極耦接到端子Τ2，而其漏極耦接到端子Τ5。晶體管12的源極耦接到端子Tl，而其漏極耦接到接地。晶體管14的源極耦接到端子Τ2，而其漏極耦接到接地。晶體管11至14的柵極耦接到控制端子Τ6。晶體管11至14的源極和漏極可以彼此替換。
[0029]如圖1B中所示，供應給控制端子Τ6的控制信號使晶體管11和14導通，并且使晶體管12和13截止。晶體管11和14被等效地表示為電阻器Rll和R14(導通電阻)，并且晶體管12和13被等效地表示為電容器C12和C13(截止電容)。例如，電容器C12和C13是通過半導體基板的源極和漏極之間的寄生電容。端子Tl耦接到端子T5，并且端子T2與端子T5斷開。如上所述，開關1a選擇輸入/輸出端子Tl和T2中的一個，并且將其連接到端子T5。從而，從端子Tl輸入的高頻信號51被輸出到端子T5，或者從端子T5輸入的高頻信號被輸出到端子Tl。作為高頻信號的一部分的信號52從端子Tl通過電容器C12泄漏到端子T2。作為高頻信號的一部分的信號54從端子Tl通過電容器C13泄漏到端子T2。這劣化了端子Tl與T2之間的隔離。
[0030]圖2A是根據(jù)比較示例的開關裝置的電路圖，并且圖2B是等效電路圖。如圖2A中所示，開關裝置110包括開關1a和電感器L0。電感器LO連接在端子Tl和T2之間。開關1a的端子Tl、T2和T5分別耦接到開關裝置的輸入/輸出端子T01、T02和公共端子T05。開關1a的構造與圖1A的相同，并且省略其描述。
[0031 ] 如圖2B中所示，從端子Tl泄漏到端子T2的信號52通過電感器LO返回到端子Tl。如上所述，LC陷波電路的形成抑制信號52泄露到端子T2。圖1B中所示的信號54被以同樣的方式抑制。因此，改進了隔離。然而，晶體管12和13具有低截止電容C12和C13。因此，充分地抑制信號52的努力引起電感器LO的電感增加。這導致開關裝置110的大小增加。
[0032]圖3是根據(jù)第一實施方式的開關裝置的電路圖。如圖3中所示，開關裝置100包括開關10、補償電路20、輸入/輸出端子TOl和T02以及公共端子T05。開關10包括晶體管11至16。晶體管11、13和15分別串聯(lián)地連接在端子T1、T2和Τ3與端子Τ5之間。晶體管12、14和16分別并聯(lián)連接(connected in shunt)在端子Tl、T2和Τ3與端子Τ5之間。晶體管11至16的柵極耦接到控制端子Τ6。
[0033]開關10基于施加到控制端子Τ6的控制信號來選擇包括端子Tl (第一端子)、端子Τ2(第二端子)和端子Τ3(第三端子)的至少三個端子中的一個，并且將其連接到端子Τ4(公共端子)。例如，當端子Tl耦接到端子Τ5時，晶體管11、14和16導通并且晶體管12、13和15截止。當端子Τ2耦接到端子Τ5時，晶體管12、13和16導通并且晶體管11、14和15截止。當端子Τ3耦接到端子Τ5時，晶體管12、14和15導通并且晶體管11、13和16截止。開關10是半導體開關或機械開關。用于半導體開關的晶體管11至16可以是諸如MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)這樣的FET或雙極晶體管。
[0034]補償電路20包括相移電路22和24。相移電路22使通過端子Τ2發(fā)送的信號的相位移動+90°。相移電路24使通過端子Τ3發(fā)送的信號的相位移動-90°。端子Τ4是通過利用補償電路20來合成端子Τ2和端子Τ3而形成的端子。輸入/輸出端子TOl和Τ02分別耦接到端子Tl和Τ4。公共端子Τ05耦接到端子Τ5。
[0035]圖4是第一實施方式的開關裝置的等效電路圖。如圖4中所示，當端子Tl耦接到端子Τ5時，晶體管11、14和16導通并且晶體管12、13和15截止。晶體管11、14和16被等效地表示為電阻器R11、R14和R16，并且晶體管12、13和15被等效地表示為電容器C12、C13和C15。作為高頻信號51的一部分的信號52通過電容器C12泄漏到端子Τ2和Τ3。信號52被分支為信號53a和53b。作為高頻信號51的一部分的信號54被分支為信號55a和55b，并且信號55a和55b分別通過電容器C13和C15泄漏到端子T2和T3。信號57a和57b分別通過端子T2和T3發(fā)送。信號57a是信號53a和55a的合成信號,而信號57b是信號53b和55b的合成信號。
[0036]當晶體管13和15具有大致相同的大小并且晶體管14和16具有大致相同的大小時，信號57a和57b具有大致相同的幅值和相同的相位。相移電路22使信號57a的相位移動90 °，并且相移電路24使信號57b的相位移動-90 °。在端子T4中，信號57a和57b被合成，并且作為信號56被輸出到輸入/輸出端子T02。當具有大致相同的幅值和相反相位的信號57a和信號57b被合成時,信號52和54差不多被抵消，并且抑制了信號56。結果，改進了從端子TOl到端子T02的隔離。
[0037]圖5A至圖5C分別是例不開關的輸入/輸出端子之間的隔尚、|Y2l|和ZY21的圖。開關10是使用CM0SFET(互補M0SFET)的開關。該隔離是在圖3中的開關10的端子Tl與Τ2之間的隔離(S21)。|Υ211是端子Tl與Τ2之間的Υ21的幅值。Z Υ21是端子Tl與T2之間的Υ21的相位。在從1.5GHz至2.5GHz的頻率處對該隔離、IY211和Z Y21進行模擬。頻帶50是隔離特性得到改進的頻帶，并且例如為采用開關裝置的移動終端的發(fā)送頻帶和/或接收頻帶。
[0038]如圖5A中所示，頻帶50中的隔離大約為-45dB。如圖5B中所示，頻帶50中的Y21大約為_60dB。如圖5C中所示，頻帶50中的Z Y21大約為-90°。如上所述，在端子
Tl與T2之間存在容抗分量(S卩，寄生電容)。
[0039]圖6A至圖6C分別是例示第一實施方式的開關裝置的隔離、|Y211和Z Υ21的圖。實線表示開關裝置100的輸入/輸出端子TOl與Τ02之間的特性(表示為Τ01-Τ02)，并且虛線表示圖5Α至圖5C中示出的開關10的端子Tl與Τ2之間的特性(表示為Τ1-Τ2)。相移電路22和24假設為如下理想電路，即在從1.5GHz至2.5GHz的頻率范圍內(nèi)分別使相位移動90°和-90°的理想電路。如圖6A中所示，頻帶50中的開關裝置100的隔離大約為-90dB。如圖6B中所示，頻帶50中的開關裝置100的|Y21|大約為_120dB。如圖6C中所示，頻帶50中的開關裝置100的Z Y21大約為+180°。如上所述，與開關10的情況相比，第一實施方式將隔離改進了大約45dB。
[0040]第二實施方式
[0041]第二實施方式使用電感器和電容器作為補償電路。圖7是在第二實施方式中采用的補償電路的電路圖。如圖7中所示，相移電路22包括電感器LI和電容器Cl。電感器LI串聯(lián)地連接在端子T2與T4之間。電容器Cl并行地連接在端子T2與T4之間。相移電路24包括電感器L2和電容器C2。電容器C2串聯(lián)地連接在端子T3與T4之間。電感器L2并行地連接在端子T3與T4之間。
[0042]在下述條件下執(zhí)行模擬。
[0043]LI 的電感:4nH
[0044]Cl 的電容:L6pF
[0045]L2 的電感:4nH
[0046]C2 的電容:L6pF
[0047]圖8A至圖8C分別是例示端子之間的隔離、|Y21|和ΖΥ21的圖。實線表示端子Τ2與Τ4之間的特性(表示為Τ2-Τ4)，并且虛線表示端子Τ3與Τ4之間的特性(表示為Τ3-Τ4)。如圖8Α和圖8Β中所示，端子Τ2與Τ4之間的隔離和|Y2l|大致與端子Τ3與Τ4之間的隔離和|Υ21|相同。因此，通過相移電路22和24發(fā)送的信號的幅值大致相同。如圖SC中所示，ΖΥ21在端子Τ2與Τ4之間為-90°，并且在端子Τ3與Τ4之間為+90°。因此，通過相移電路22和24發(fā)送的信號的相位大致彼此相反。
[0048]圖9是根據(jù)第二實施方式的開關裝置的電路圖。如圖9中所示，開關裝置101采用圖7中所示的補償電路20作為補償電路。其它構造與第一實施方式的相同，并且省略其描述。
[0049]圖1OA至圖1OC分別是例示第二實施方式的開關裝置的隔離、|Υ211和Z Υ21的圖。實線表示開關裝置101的輸入/輸出端子TOl與Τ02之間的特性(Τ01-Τ02)，并且虛線表示圖5Α至圖5C中示出的開關10的端子Tl與Τ2之間的特性(Τ1-Τ2)。補償電路20具有與圖8Α至圖8C中所示的相同的構造。如圖1OA中所示，頻帶50中的開關裝置101的隔離為從-65dB至-75dB。如圖1OB中所示，頻帶50中的開關裝置101的|Y2l|大約為-100dB。如圖1OC中所示，頻帶50中的開關裝置101的Z Y21為從-180°至0°。如上所述，與開關10的情況相比，第二實施方式將隔離改進了大約30dB。
[0050]圖11例示在第二實施方式中采用的替代示例性補償電路。如圖11中所示，相移電路22是C-L-C 型電路。電感器LI串聯(lián)地連接在端子T2與T4之間。電容器Cl并聯(lián)地連接在電感器LI的兩側。相移電路24是C-L-C T型電路。兩個電容器C2串聯(lián)地連接在端子T3與T4之間。電感器L2并聯(lián)地連接在兩個電容器C2之間。如圖7和圖11中所示，能夠通過使用諸如電感器和電容器這樣的電抗元件來形成相移電路22和24。這允許補償電路20由芯片組件形成并且具有簡單的結構。當電感器和電容器的數(shù)目減少時，能夠減小大小。當電感器和電容器的數(shù)目增加時，能夠加寬頻帶。除了電感器和電容器之外，能夠使用諸如分布式定常線路或芯片平衡-不平衡變換器(chip balun)這樣的改變信號的相位的元件。
[0051]第三實施方式
[0052]第三實施方式使用反相電路用于補償電路。圖12是根據(jù)第三實施方式的開關裝置的電路圖。如圖12中所示，元件沒有連接在開關裝置102的補償電路20中的端子T2與T4之間。因此，信號57a的相位幾乎沒有改變。反相電路26連接在端子T3與T4之間。反相電路26使通過端子T3發(fā)送的信號57b的相位移動180°。能夠通過使用諸如電感器和電容器這樣的電抗兀件來形成反相電路26。其它構造與第一實施方式的相同，并且省略其描述。
[0053]在第一至第三實施方式中，補償電路20使通過端子T2發(fā)送的信號57a(第一信號)和通過端子T3發(fā)送的信號57b (第二信號)中的至少一個的相位移動，從而信號57a和信號57b彼此補償。另外，補償電路20合成信號57a和信號57b，并且將其輸出到端子T4作為信號56。結果，通過端子T2發(fā)送的信號57a和通過端子T3發(fā)送的信號57b彼此抵消，如圖4中所示，并且從而能夠改進輸入/輸出端子TOl與T02之間的隔離特性。當信號57a和57b之間的相位差大于90°并小于270°時，信號57a和57b彼此抵消。
[0054]補償電路20能夠在輸入到輸入/輸出端子T02的信號被輸出到端子T05時，減少輸入到輸入/輸出端子T02的信號泄露到輸入/輸出端子TOl。在該情況下，補償電路20將輸入到端子T4的信號分支為:通過端子T2發(fā)送的信號和通過端子T3發(fā)送的信號。補償電路20使得通過端子T2和端子T3發(fā)送的信號具有實際相反的相位，并且然后對其進行合成。這使得能夠改進從輸入/輸出端子T02到輸入/輸出端子TOl的隔離特性。
[0055]另外，補償電路20使得信號57a和信號57b具有實際相反的相位。例如，信號57a與57b之間的相位差優(yōu)選地在135°與225°之間，并且更優(yōu)選地在160°與200°之間。另夕卜，晶體管13和15的截止電容C13和C15優(yōu)選地實際相同。例如，使得晶體管13和15的大小相同。這使得信號57a和信號57b具有實際相同的幅值。
[0056]如在第一實施方式中所描述的，補償電路20可以包括:相移電路22，相移電路22位于端子T2與端子T4之間，并且使信號57a的相位移動；以及相移電路24，相移電路24位于端子T3與端子T4之間并且使信號57b的相位移動。
[0057]另外，如在第三實施方式中所描述的，補償電路20可以包括反相電路26，反相電路26位于端子T2與端子T4之間或者端子T3與T4之間，并且實際使信號57a或57b的相位反轉(zhuǎn)。當反相電路26的數(shù)目為I時，與第二實施方式相比，第三實施方式能夠?qū)⒀b置的大小減小得更多。
[0058]第四實施方式
[0059]第四實施方式使用電容器來替代開關15和16。圖13是根據(jù)第四實施方式的開關裝置的電路圖。如圖13中所示，在開關裝置103中，開關10選擇包括端子Tl和T2的至少兩個端子中的一個，并且將其連接到端子T5。替代晶體管15和16地，電容器C3串聯(lián)地連接在端子T5與T3之間。其它構造與圖3中所示的第一實施方式的相同，并且省略其描述。
[0060]圖14是根據(jù)第四實施方式的變型例的開關裝置的電路圖。如圖14中所示，替代晶體管15和16地，在開關裝置104中，電容器C3串聯(lián)地連接在端子T5與T3之間。其它構造與圖12中所示的第三實施方式的相同，并且將省略其描述。
[0061]如圖4中所示，被截止的晶體管15等效于電容器C15。因此，通過適當?shù)卦O置電容器C3的電容，能夠使得信號57b的幅值和相位與圖4中的信號57b的幅值和相位大致相同。例如，使得電容器C3的電容與晶體管15的截止電容大致相同。該構造防止從端子Tl通過端子T5發(fā)送的泄漏信號54被從端子T4輸出。第四實施方式及其變型例能夠通過使用電容器C3來替代第一至第三實施方式的兩個晶體管15和16而減少裝置的大小。
[0062]雖然在上述描述中，電容器C3連接在端子T5與端子T3之間，但是電容器C3可以連接在端子Tl與T3之間。這防止從端子Tl通過晶體管12發(fā)送的泄漏信號52被從端子T4輸出。如上所述，如果電容器C3連接在端子Tl和端子T5中的至少一個與端子T3之間，則其是足夠的。
[0063]在第四實施方式及其變型例中，補償電路20可以使用如第二實施方式中所描述的改變信號的相位的諸如電感器、電容器、分布式定常電路或芯片平衡-不平衡變換器這樣的元件。
[0064]第五實施方式
[0065]第五實施方式使用聲波元件用于補償電路。圖15是根據(jù)第五實施方式的開關裝置的電路圖。如圖15中所示，在開關裝置105中，補償電路20包括聲波元件30。聲波元件30包括反射器32和IDT34a至34c。IDT34a至34c被布置在聲波的傳播方向上在反射器32之間。IDT34a連接在端子T2與接地之間。IDT34b連接在接地與端子T4之間。IDT34c連接在端子T3與接地之間。
[0066]IDT34a和34b的電極指被構造成，使得通過端子T2發(fā)送的信號57a的相位移動90°，并且相移后的信號57a然后被輸出到端子T4。IDT34b和34c的電極指被構造成，使得通過端子T3發(fā)送的信號57b的相位被移動-90°，并且相移后的信號57b然后被輸出到端子T4。結果，具有大致相反相位和相同幅值的信號在端子T3中被合成。因此，與第一實施方式和第二實施方式的情況一樣，能夠改進從輸入/輸出端子TOl到輸入/輸出端子T02的隔離。其它構造與第一實施方式相同，并且省略其描述。
[0067]圖16是根據(jù)第五實施方式的變型例的開關裝置的電路圖。如圖16中所示，在開關裝置106中，聲波元件30包括反射器32和IDT34d至34e。IDT34d和34e被布置在聲波的傳播方向上在反射器32之間。IDT34d連接在接地與端子T4之間。IDT34e連接在端子T3與接地之間。端子T4在沒有聲波元件的情況下連接到端子T2。
[0068]通過端子T2發(fā)送的信號57a在相位沒有改變的情況下輸出到端子T4。IDT34d和34e的電極指被構造成，使得通過端子T3發(fā)送的信號57b的相位移動180°，并且相移后的信號57b然后被輸出到端子T4。結果，具有大致相反相位和相同幅值的信號在端子T4中被合成。因此，與第三實施方式的情況一樣，改進從輸入/輸出端子TOl到輸入/輸出端子T02的隔離。其它構造與第一實施方式的相同，并且省略其描述。
[0069]如在第五實施方式及其變型例中所描述的，補償電路20可以使用聲波元件。這由于補償電路能夠通過使用具有高Q值的電抗元件來形成，而使得能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗開關裝置。聲波元件可以是表面聲波元件、邊界聲波(boundary acoustic wave)元件或拉夫波(Love wave)元件。聲波元件可以是使用厚度縱向振動的壓電薄膜諧振器元件。
[0070]第二至第四實施方式及其變型例可以使用聲波元件用于補償電路20。
[0071]第六實施方式
[0072]第六實施方式是包括第一實施方式的開關裝置的示例性模塊。圖17是根據(jù)第六實施方式的模塊的框圖。如圖17中所示，模塊120包括第一實施方式的開關裝置100和濾波器40和42。濾波器40連接在輸入/輸出端子TOl與端子T07之間。濾波器42連接在輸入/輸出端子T02與端子T08之間。公共端子T05耦接到天線48。端子T07和T08兩者都是發(fā)送端子或接收端子，或者它們中的一個是發(fā)送端子并且另一個是接收端子。
[0073]圖18是根據(jù)第六實施方式的變型例的模塊的框圖。如圖18中所示，模塊122包括第一實施方式的開關裝置100和雙工器44和46。雙工器44包括發(fā)送濾波器44a和接收濾波器44b。發(fā)送濾波器44a連接在輸入/輸出端子TOl與端子T08之間。接收濾波器44b連接在輸入/輸出端子TOl與端子T09之間。雙工器46包括發(fā)送濾波器46a和接收濾波器46b。發(fā)送濾波器46a連接在輸入/輸出端子T02和端子TlO之間。接收濾波器46b連接在輸入/輸出端子T02與端子Tll之間。公共端子T05耦接到天線48。
[0074]如第六實施方式及其變型例中所述，第一至第五實施方式的開關裝置中的任一個的端子TOl和T02可以耦接到濾波器或雙工器?？梢允褂寐暡V波器用于濾波器或雙工器。
[0075]雖然已經(jīng)詳細地描述了本發(fā)明的實施方式，但是將理解的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能夠?qū)ζ溥M行各種改變、替換和修改。
【權利要求】
1.一種開關裝置，所述開關裝置包括: 開關，所述開關選擇包括第一端子、第二端子和第三端子的至少三個端子中的一個，并且將其連接到公共端子；以及 補償電路，所述補償電路使通過所述第二端子發(fā)送的第一信號和通過所述第三端子發(fā)送的第二信號中的至少一個的相位移動，使得所述第一信號和所述第二信號彼此補償，并且所述補償電路合成所述第一信號和所述第二信號并且將其作為第三信號輸出到第四端子，或者將輸入到所述第四端子的第三信號分支為所述第一信號和所述第二信號。
2.一種開關裝置，所述開關裝置包括: 開關，所述開關選擇包括第一端子和第二端子的至少兩個端子中的一個，并且將其連接到公共端子； 電容器，所述電容器連接在所述第一端子和所述公共端子中的至少一個與第三端子之間；以及 補償電路，所述補償電路使通過所述第二端子發(fā)送的第一信號和通過所述第三端子發(fā)送的第二信號中的至少一個的相位移動，使得所述第一信號和所述第二信號彼此補償，并且所述補償電路合成所述第一信號和所述第二信號并且將其作為第三信號輸出到第四端子，或者將輸入到所述第四端子的第三信號分支為所述第一信號和所述第二信號。
3.根據(jù)權利要求2所述的開關裝置，其中 所述電容器連接在所述公共端子與所述第三端子之間。
4.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的開關裝置，其中 所述補償電路使得所述第一信號和所述第二信號具有實際相反的相位。
5.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的開關裝置，其中 所述補償電路包括反相電路，所述反相電路位于所述第二端子與所述第四端子之間或者位于所述第三端子與所述第四端子之間，并且實際地使所述第一信號或所述第二信號的相位反轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的開關裝置，其中 所述補償電路包括: 第一相移電路，所述第一相移電路位于所述第二端子與所述第四端子之間，并且使所述第一信號的相位移動；以及 第二相移電路，所述第二相移電路位于所述第三端子與所述第四端子之間，并且使所述第二信號的相位移動。
7.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的開關裝置，其中 所述補償電路包括電感器和電容器。
8.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的開關裝置，其中 所述補償電路包括聲波元件。
9.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的開關裝置，其中 所述開關是半導體開關。
10.一種模塊，所述模塊包括: 根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的開關裝置。
【文檔編號】H03K17/687GK104300953SQ201410325557
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年7月9日 優(yōu)先權日:2013年7月18日
【發(fā)明者】巖城匡郁 申請人:太陽誘電株式會社