一種注入增強(qiáng)型低功耗寬鎖定范圍的注入鎖定三倍頻器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于射頻集成電路領(lǐng)域，具體為一種注入增強(qiáng)型低功耗寬鎖定范圍的注入鎖定三倍頻器電路。該電路由諧波發(fā)生器、旁路電流源和注入鎖定振蕩器組成。諧波發(fā)生器由一對NMOS管構(gòu)成，利用MOS管的非線性特性，輸入頻率為的基頻信號(hào)，產(chǎn)生三次諧波信號(hào)3注入振蕩器；旁路電流源由一對PMOS管構(gòu)成，其柵端偏置于合適的直流電壓，作為直流電流源，對振蕩器進(jìn)行合適的分流，提高了諧波注入效率；注入鎖定振蕩器由一對交叉耦合晶體管、電感、電容、數(shù)字控制電容陣列組成，其中心頻率在3附近。本發(fā)明提高了諧波注入效率，在基本不增加功耗的情況下，相較于傳統(tǒng)的注入鎖定三倍頻器，極大地?cái)U(kuò)展了鎖定范圍。
【專利說明】一種注入增強(qiáng)型低功耗寬鎖定范圍的注入鎖定三倍頻器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于集成電路【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種應(yīng)用于射頻頻率綜合器的注入增 強(qiáng)型低功耗寬鎖定范圍的注入鎖定三倍頻器（Injection Locked Frequency Tripler, ILFT)。 【背景技術(shù)】

【權(quán)利要求】
1. 一種注入增強(qiáng)型低功耗寬鎖定范圍的注入鎖定三倍頻器，其特征在于由諧波發(fā)生 器、旁路電流源和注入鎖定振蕩器三部分組成；其中： 所述的諧波發(fā)生器由一對NMOS管（Ml和M2)組成，利用一對NMOS管（Ml和M2)的非線 性特性，輸入頻率為的基頻信號(hào)產(chǎn)生頻率為3 6)的三次諧波信號(hào)； 所述的旁路電流源，由一對PMOS管（M3和M4)組成，其柵端輸入有兩種方式：第一種， 柵端偏置于合適的直流電壓，旁路電流源作為直流電流源，對振蕩器進(jìn)行分流；第二種，在 柵端加上一個(gè)合適的直流電壓的同時(shí)，輸入頻率為《的基頻信號(hào)，利用一對PMOS管（M3和 M4)的非線性，產(chǎn)生頻率為3w的三次諧波信號(hào)在漏端口注入到注入鎖定振蕩器； 所述的注入鎖定振蕩器包括：一對交叉耦合晶體管（M5和M6)、一個(gè)電感（L1)、兩個(gè)電 容（Cl、C2)和數(shù)字控制電容陣列（DCCA)，其中，一對交叉耦合晶體管（M5和M6)組成負(fù)阻， 抵消諧振腔中的阻抗部分，電感（LI)和兩個(gè)電容（Cl、C2)組成一個(gè)片上電感電容諧振腔； 一對交叉耦合管（M5和M6)、數(shù)字控制電容陣列（DCCA)、片上電感電容諧振腔并聯(lián)連 接；諧波發(fā)生器的一對NMOS管（Ml和M2)、旁路電流源的一對PMOS管（M3和M4)的漏端連 接到一對交叉耦合管（M5和M6)的源端，諧波發(fā)生器的一對NMOS管（Ml和M2)的源端連接 到地電位，旁路電流源的漏端連接到電源電壓。
【文檔編號(hào)】H03B19/00GK104333329SQ201410501392
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月26日
【發(fā)明者】李巍, 王煒 申請人:復(fù)旦大學(xué)