一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片及放大器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子通信【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片及放大器，包括芯片襯底上串聯(lián)連接第一放大電路和第二放大電路，芯片襯底設(shè)有按照順序設(shè)置的第一芯片工作電壓接口、微動(dòng)射頻開(kāi)關(guān)、第一副控接口、控制信號(hào)輸入端口、恒定電壓接口、第一放大電路開(kāi)關(guān)、第二芯片工作電壓接口、第一放大電路輸入接口、第一放大電路地線接口、第一放大電路輸出接口、第二放大電路地線接口、第二放大電路輸入接口、第二副控接口、第二放大電路輸出接口、總副控開(kāi)關(guān)和第二放大電路開(kāi)關(guān)。芯片設(shè)有自適應(yīng)偏置電路和負(fù)反饋電路。本發(fā)明解決了單片集成射頻功率放大器芯片線性度低、效率差的問(wèn)題，同時(shí)提高了芯片的輸出功率和效率。
【專利說(shuō)明】一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片及放大器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子通信【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片及放大器。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的迅速發(fā)展，3G成為主流，4G已開(kāi)始使用，5G正在加緊研發(fā)。射頻集成功率放大器是實(shí)現(xiàn)射頻前端的重要組成部分。當(dāng)下，電信運(yùn)營(yíng)商采用了不同的無(wú)線通信系統(tǒng)，不同的無(wú)線通信系統(tǒng)使用的頻率和工作模式要求不同。高功率寬帶單片集成射頻功率放大器芯片應(yīng)運(yùn)而生。
[0003]現(xiàn)有集成射頻功率放大器芯片常采用CMOS、SiGe BiCMOS、GaAs工藝。CMOS工藝成本最低，但因其低的擊穿電壓和熱載流子效應(yīng)很難制造出高效率和高功率的集成射頻功率放大器。GaAs工藝性能最好，但是制造成本昂貴。SiGe BiCMOS工藝與CMOS工藝完全兼容，而且具有較高擊穿電壓和截止頻率而越來(lái)越受到重視。常用線性化技術(shù)包括預(yù)失真、自適應(yīng)偏置等。自適應(yīng)偏置技術(shù)因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，提高線性度明顯，功耗低等特點(diǎn)被普遍采用。補(bǔ)償射頻功率放大器的am-pm調(diào)制技術(shù)能進(jìn)一步提高功率放大器的線性度。
[0004]現(xiàn)有集成射頻功率放大器芯片工作在AB類狀態(tài)，兼顧效率和線性度。單片集成射頻功率放大器芯片電路結(jié)構(gòu)有采用單級(jí)電路結(jié)構(gòu)的，也有多級(jí)電路結(jié)構(gòu)的，兩級(jí)電路結(jié)構(gòu)最為常見(jiàn)。單片集成射頻功率放大器芯片普遍存在的問(wèn)題是線性度不夠高和功耗較大。
[0005]現(xiàn)有集成射頻功率放大器芯片在工作帶寬上，有窄帶、寬帶、超寬帶之分。隨著器件性能的提升，單片集成射頻功率放大器工作的頻帶越來(lái)越寬，輸出功率和效率越來(lái)越高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供了一種全集成、高線性度、寬頻帶、低成本、小型化的射頻功率放大器芯片。使用SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)的寬帶射頻功率放大器芯片解決了普遍存在的問(wèn)題是線性度不夠高。獲得了高線性度和更好地兼顧不同電信運(yùn)營(yíng)商的無(wú)線通信頻段。本發(fā)明提供的寬帶功率放大器屬于全集成單片芯片，提高了輸出功率，可以廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、WLAN等領(lǐng)域。
[0007]本發(fā)明是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，所述芯片包括芯片襯底，所述芯片襯底上串聯(lián)連接第一放大電路和第二放大電路，所述芯片襯底設(shè)有按照順序設(shè)置的第一芯片工作電壓接口、微動(dòng)射頻開(kāi)關(guān)、第一副控接口、控制信號(hào)輸入端口、恒定電壓接口、第一放大電路開(kāi)關(guān)、第二芯片工作電壓接口、第一放大電路輸入接口、第一放大電路地線接口、第一放大電路輸出接口、第二放大電路地線接口、第二放大電路輸入接口、第二副控接口、第二放大電路輸出接口、總副控開(kāi)關(guān)和第二放大電路開(kāi)關(guān)。
[0008]進(jìn)一步地，所述芯片設(shè)有自適應(yīng)偏置電路和負(fù)反饋電路。
[0009]進(jìn)一步地，所述自適應(yīng)偏置電路包括按照順序串聯(lián)連接的偏置電阻、第六三極管、第四三極管和第五三極管，第四電阻一端與第二芯片工作電壓接口連接，所述第四電阻的另一端與偏置電容連接，所述第四電阻和偏置電容之間與所述第六三極管基極連接。
[0010]進(jìn)一步地，所述負(fù)反饋電路包括串聯(lián)連接的負(fù)反饋電阻、負(fù)反饋回路晶體管和隔直電容，所述隔直電容與第二三極管的集電極連接，所述負(fù)反饋回路晶體管的基極按順序與第五電阻和單線協(xié)議接口串聯(lián)連接，所述負(fù)反饋電阻與功率輸入端口連接。
[0011 ] 進(jìn)一步地，所述第一放大電路輸入接口與第一應(yīng)用電路連接，所述第二放大電路輸出接口與第二應(yīng)用電路連接，所述第一放大電路輸出接口和第二放大電路輸入接口分別連接第三應(yīng)用電路的輸入端和輸出端。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一應(yīng)用電路包括順序串聯(lián)連接的第一應(yīng)用電路信號(hào)輸入端口、第一應(yīng)用電路的第一振蕩線圈、第一應(yīng)用電路的第一電容、第一應(yīng)用電路的第二電容和所述第一放大電路輸入接口，所述第一應(yīng)用電路的第一電容和第一應(yīng)用電路的第二電容之間連接接地的第一應(yīng)用電路的第二振蕩線圈。
[0013]進(jìn)一步地，所述第二應(yīng)用電路包括與所述第二放大電路輸出接口串聯(lián)連接的第二應(yīng)用電路的第一電容、第二應(yīng)用電路的第二電容、第二應(yīng)用電路的第二振蕩線圈和第二應(yīng)用電路信號(hào)輸出端口 ；所述第二放大電路輸出接口和第二應(yīng)用電路的第一電容之間連接有由第二應(yīng)用電路的第一振蕩線圈和第二應(yīng)用電路的第三電容構(gòu)成的振蕩電路；所述第二應(yīng)用電路的第一電容和第二應(yīng)用電路的第二電容之間連接有接地的第二應(yīng)用電路的第三振蕩線圈。
[0014]進(jìn)一步地，所述第三應(yīng)用電路包括和第一放大電路輸出接口順序連接的第三應(yīng)用電路的第一電容和第二放大電路輸入接口連接電路，所述第一放大電路輸出接口和第三應(yīng)用電路的第一電容電路之間連接有并聯(lián)連接的第三應(yīng)用電路的第一振蕩線圈、第三應(yīng)用電路的第二電容和第三應(yīng)用電路的第一電阻。
[0015]進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供了一種用于雷達(dá)系統(tǒng)寬帶功率放大器，所述放大器安裝了所述任何一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，優(yōu)越效果在于:本發(fā)明解決了單片集成射頻功率放大器芯片線性度低、效率差的問(wèn)題，將一種自適應(yīng)偏置結(jié)構(gòu)及補(bǔ)償射頻功率放大器的am-pm調(diào)制方法應(yīng)用到了雷達(dá)系統(tǒng)寬帶功率放大器芯片設(shè)計(jì)中，提高了芯片的輸出功率和效率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本發(fā)明所述寬帶功率放大器芯片電路簡(jiǎn)化示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明所述寬帶功率放大器芯片電路示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明所述寬帶功率放大器芯片的管腳圖；
[0020]圖4為本發(fā)明所述寬帶功率放大器芯片應(yīng)用電路圖。
[0021]附圖標(biāo)記如下:
[0022]1-信號(hào)輸入端口，2-第一放大電路,3-第二放大電路,4-信號(hào)輸出端口，5-自適應(yīng)偏置電路，6-負(fù)反饋電路，7-第一工作電壓接口，8-鏡像電路接口，9-控制信號(hào)輸入端，10-功率輸入端口，11-負(fù)反饋使能開(kāi)關(guān)，12-功率輸出端口，13-第二工作電壓接口，14-芯片襯底，14-1-第一芯片工作電壓接口，14-2-微動(dòng)射頻開(kāi)關(guān)，14-3-第一副控接口，14_4_控制信號(hào)輸入端口，14-5-恒定電壓接口，14-6-第一放大電路開(kāi)關(guān),14-7-第二芯片工作電壓接口，14-8-第一放大電路輸入接口，14-9-第一放大電路地線接口，14-10-第一放大電路輸出接口，14-11-第二放大電路地線接口，14-12-第二放大電路輸入接口，14-13-第二副控開(kāi)關(guān)，14-14-第二放大電路輸出接口，14-15-總副控接口，14-16-第二放大電路開(kāi)關(guān)，15-第一應(yīng)用電路,15-1-第一應(yīng)用電路信號(hào)輸入端口，15-L1-第一應(yīng)用電路的第一振蕩線圈，15-L2-第一應(yīng)用電路的第二振蕩線圈，15-C1-第一應(yīng)用電路的第一電容，15-C2-第一應(yīng)用電路的第二電容；16_第二應(yīng)用電路，16-1第二應(yīng)用電路信號(hào)輸出端口，16-2-第二應(yīng)用電路工作電壓端口，16-C1-第二應(yīng)用電路的第一電容，16-C2-第二應(yīng)用電路的第二電容，16-C3-第二應(yīng)用電路的第三電容，16-L1-第二應(yīng)用電路的第一振蕩線圈，16-L2-第二應(yīng)用電路的第二振蕩線圈，16-L3-第二應(yīng)用電路的第三振蕩線圈；17_第三應(yīng)用電路，17-1第三應(yīng)用電路工作電壓端口，17-C1第三應(yīng)用電路的第一電容，17-C2第三應(yīng)用電路的第二電容，17-L1第三應(yīng)用電路的第一振蕩線圈，17-R1第三應(yīng)用電路的第一電阻；Rb-偏置電阻，Rf-負(fù)反饋電阻，Rl-第一電阻，R2-第二電阻，R3-第三電阻，R4-第四電阻，R5-第五電阻；Q1_第一三極管，Q2-第二三極管，Q3-第三三極管，Q4-第四三極管，Q5-第五三極管，Q6-第六三極管；Cb-偏置電容，Cf-隔直電容，Cl-第一電容，C2-第二電容，C3-第三電容，C4-第四電容；L1-第一振蕩線圈，L2-第二振蕩線圈，L3-第三振蕩線圈，L4-第四振蕩線圈，L5-第五振蕩線圈，Mf-負(fù)反饋回路晶體管。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0024]結(jié)合說(shuō)明書附圖1-4所示，具體說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明提供了一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，所述芯片包括芯片襯底14，本實(shí)施例提供的一種用于雷達(dá)系統(tǒng)寬帶功率放大器芯片采用兩級(jí)放大的電路結(jié)構(gòu)。兩級(jí)電路結(jié)構(gòu)是一樣的，只是器件參數(shù)不一樣，第一級(jí)SiGe HBT功率晶體管的發(fā)射極面積為230.4um2 (20個(gè)HBT單元，每個(gè)HBT單元包含2個(gè)發(fā)射結(jié)，每個(gè)發(fā)射結(jié)的長(zhǎng)和寬分別為6.4um和0.9um)，第二級(jí)SiGe HBT功率晶體管的發(fā)射極面積為792.72um2 (30個(gè)HBT單元，每個(gè)HBT單元包含4個(gè)發(fā)射結(jié)，每個(gè)發(fā)射結(jié)的長(zhǎng)和寬分別為7.34um和0.9um)。本實(shí)施例提供的芯片典型電壓增益為14dB，OpldB為24dBm, PAE為20%，噪聲系數(shù)3.5dB，采用3.3V單電源供電，消耗總電流100mA，芯片面積
0.84X0.73_2。本技術(shù)方案在達(dá)到同等高線性度條件下降低了功耗，同時(shí)芯片面積小，提供了效率，降低了成本，實(shí)用頻帶寬，領(lǐng)域廣。為了解決單片集成射頻功率放大器芯片線性度低、效率差等問(wèn)題，將一種自適應(yīng)偏置結(jié)構(gòu)及補(bǔ)償射頻功率放大器的am-pm調(diào)制方法應(yīng)用到了雷達(dá)系統(tǒng)寬帶功率放大器芯片設(shè)計(jì)中，提高了芯片的輸出功率和效率。如圖1所示，該圖是省去了輸入、輸出及級(jí)間匹配的簡(jiǎn)化示意圖，包括所述芯片襯底14上串聯(lián)連接信號(hào)輸入端口 1、第一放大電路2、第二放大電路3和信號(hào)輸送端口 4。如圖3所不,所述芯片襯底14設(shè)有按照順序設(shè)置的第一芯片工作電壓接口 14-1、微動(dòng)射頻開(kāi)關(guān)14-2、第一副控接口
14-3、控制信號(hào)輸入端口 14-4、恒定電壓接口 14-5、第一放大電路開(kāi)關(guān)14-6、第二芯片工作電壓接口 14-7、第一放大電路輸入接口 14-8、第一放大電路地線接口 14-9、第一放大電路輸出接口 14-10、第二放大電路地線接口 14-11、第二放大電路輸入接口 14-12、第二副控接口 14-13、第二放大電路輸出接口 14-14、總副控開(kāi)關(guān)14-15和第二放大電路開(kāi)關(guān)14-16。本發(fā)明所述芯片中還設(shè)有自適應(yīng)偏置電路5和負(fù)反饋電路6。如圖2所示，圖中虛線框的一個(gè)結(jié)構(gòu)為自適應(yīng)偏置電路5，另一個(gè)為負(fù)反饋結(jié)構(gòu)6，自適應(yīng)偏置電路5為了增加功率放大器的線性度。如圖2所示，本發(fā)明的電路分別包括第一工作電壓接口 7、控制信號(hào)輸入端9、功率輸入端口 10、功率輸出端口 12和第二工作電壓接口 13，本實(shí)施例采用了兩種偏置電路結(jié)構(gòu):鏡像電路接口 8 (IREF)由恒定電壓電路(BandGap)提供鏡像偏置電流，為第二三級(jí)管Q2的基極提供偏置電壓；如圖2中虛線框中的自適應(yīng)偏置電路5，它與鏡像偏置電路一起設(shè)定第二三級(jí)管Q2的直流工作電流。鏡像偏置電路中第一電容Cl的作用是對(duì)偏置電流進(jìn)行濾波，以降低偏置引入的噪聲，降低功率放大器的噪聲系數(shù)。當(dāng)輸入信號(hào)增大時(shí)，第六三極管Q6的基極電壓升高，第六三極管Q6的發(fā)射極注入到第二三級(jí)管Q2基極的電流變大，因此第二三級(jí)管Q2的動(dòng)態(tài)工作電流會(huì)變大，線性度會(huì)提高。自適應(yīng)偏置電路5對(duì)功率放大器的線性度提高明顯，通?？梢蕴岣?-5dBm，而且其靜態(tài)工作電流較小，PA的效率會(huì)提高。該寬帶功率放大器芯片的頻帶為700M-2700M。就產(chǎn)品而言，NXP (恩智浦半導(dǎo)體)公司產(chǎn)品BGA7124采用單級(jí)硅工藝成功制造了 0.25W的寬帶高線性度集成功率放大器，其靜態(tài)工作電流超過(guò)130mA ；RFMD公司采用SiGe HBT工藝的寬帶集成功率放大器產(chǎn)品SGA9089Z輸出IdB壓縮點(diǎn)典型值達(dá)到了 23.7dBm，其靜態(tài)工作電流超過(guò)了 200mA。自適應(yīng)偏置電路5包括按照順序串聯(lián)連接的偏置電阻Rb、第六三極管Q6、第四三極管Q4和第五三極管Q5，所述第四電阻R4 —端與第二芯片工作電壓接口 13連接，所述第四電阻R4的另一端與偏置電容Cb連接，所述第四電阻R4和所述偏置電容Cb之間與所述第六三極管Q6基極連接。所述負(fù)反饋電路6包括串聯(lián)連接的負(fù)反饋電阻Rf、負(fù)反饋回路晶體管Mf和隔直電容Cf，所述隔直電容Cf與第二三極管Q2的集電極連接，所述負(fù)反饋回路晶體管Mf的基極按順序與第五電阻R5和負(fù)反饋使能開(kāi)關(guān)11串聯(lián)連接，所述負(fù)反饋電阻Rf與功率輸入端口 10連接提高功率放大器線性度，負(fù)反饋回路晶體管Mf可以補(bǔ)償PA的am-pm調(diào)制，提高了射頻功率放大器的線性度。如圖4所示，芯片外元件數(shù)值是應(yīng)用于S波段無(wú)線雷達(dá)系統(tǒng)的元件值，可以通過(guò)更換片外元件以滿足不同領(lǐng)域和不同頻段的應(yīng)用要求。所述第一放大電路輸入接口 14-8與第一應(yīng)用電路15連接，所述第二放大電路輸出接口 14-14與第二應(yīng)用電路16連接，所述第一放大電路輸出接口 14-10和第二放大電路輸入接口 14-12分別連接第三應(yīng)用電路17的輸入端和輸出端。所述第一應(yīng)用電路15包括順序串聯(lián)連接的第一應(yīng)用電路信號(hào)輸入端口
15-1、第一應(yīng)用電路的第一振蕩線圈15-L1取值為2nH、第一應(yīng)用電路的第一電容15-C1取值為1.8pF、第一應(yīng)用電路信號(hào)的第二電容15-C2取值為1.8pF和所述第一放大電路輸入接口 14-8，所述第一應(yīng)用電路的第一電容15-C1和第一應(yīng)用電路的第二電容15-C2之間連接接地的第一應(yīng)用電路的第二振蕩線圈15-L2取值為4.5nH。所述第二應(yīng)用電路16包括與所述第二放大電路輸出接口 14-14串聯(lián)連接的第二應(yīng)用電路的第一電容16-C1取值為1.5pF、第二應(yīng)用電路的第二電容16-C2取值為1.5pF、第二應(yīng)用電路的第二振蕩線圈16-L2取值為2.2nH和第二應(yīng)用電路的信號(hào)輸出端口 16-1 ;所述第二放大電路輸出接口 14-14和第二應(yīng)用電路的第一電容16-C1之間連接有由第二應(yīng)用電路的第一振蕩線圈16-L1取值為7nH和第二應(yīng)用電路的第三電容16-C3構(gòu)成的振蕩電路，第二應(yīng)用電路的第一電容16-C1取值為
1.5pF ;所述第二應(yīng)用電路的第一電容16-C1和第二應(yīng)用電路的第二電容16-C2之間連接有接地的第二應(yīng)用電路的第三振蕩線圈16-L3取值為2.8nH,第三電容16-C3取值為lpF。所述第三應(yīng)用電路17包括和第一放大電路輸出接口 14-10順序連接的第三應(yīng)用電路的第一電容17-C1和第二放大電路輸入接口 14-12連接電路，第三應(yīng)用電路的第一電容17-C1取值為2Pf，所述第一放大電路輸出接口 14-10和第三應(yīng)用電路的第一電容17-C1電路之間連接有并聯(lián)連接的第三應(yīng)用電路的第一振蕩線圈17-L1、第三應(yīng)用電路的第二電容17-C2和第三應(yīng)用電路的第一電阻17-R1，第三應(yīng)用電路的第二電容17-C2取值為IPf,第三應(yīng)用電路的第一電阻17-R1取值100歐姆，第三應(yīng)用電路的第一振蕩線圈17-L1取值為ΙΟηΗ。
[0025]如圖2所示，第二三級(jí)管Q2是功率放大器的大尺寸放大晶體管，虛線框中的負(fù)反饋電路6中的隔直電容Cf和晶體管Rf組成并聯(lián)的電阻負(fù)反饋結(jié)構(gòu)用于提高射頻功率放大器的線性度，Cf是隔直電容，晶體管Mf工作時(shí)的動(dòng)態(tài)寄生電容還可以補(bǔ)償功率放大器的am-pm調(diào)制，進(jìn)一步提高射頻功率放大器的線性度。SWP為負(fù)反饋使能開(kāi)關(guān)。功率放大器采用集電極開(kāi)路輸出，通過(guò)芯片外的負(fù)載電感接電源電壓，以使第二三級(jí)管Q2正常工作，同時(shí)通過(guò)芯片外匹配網(wǎng)絡(luò)完成50歐姆負(fù)載阻抗的最大功率匹配。
[0026]本發(fā)明中提供的芯片電路采用了兩種偏置電路結(jié)構(gòu):鏡像電路接口 8(IREF)由恒定電壓電路(BandGap)提供鏡像偏置電流，為第二三級(jí)管Q2的基極提供偏置電壓；如圖2中虛線框中的自適應(yīng)偏置電路5，它與鏡像偏置電路一起設(shè)定第二三級(jí)管Q2的直流工作電流。鏡像偏置電路中第一電容Cl的作用是對(duì)偏置電流進(jìn)行濾波，以降低偏置引入的噪聲，降低功率放大器的噪聲系數(shù)。當(dāng)輸入信號(hào)增大時(shí)，第六三極管Q6的基極電壓升高，第六三極管Q6的發(fā)射極注入到第二三級(jí)管Q2基極的電流變大，因此第二三級(jí)管Q2的動(dòng)態(tài)工作電流會(huì)變大，線性度會(huì)提高。自適應(yīng)偏置電路5能夠提高功率放大器的線性度，通?？梢蕴岣?-5dBm，而且降低了其靜態(tài)工作電流，PA的效率會(huì)提高。
[0027]本發(fā)明還提供了一種用于雷達(dá)系統(tǒng)寬帶功率放大器，所述放大器安裝了上述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片。
[0028]本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在不背離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到的任何變形、改進(jìn)、替換均落入本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述芯片包括芯片襯底(14)，所述芯片襯底(14)上串聯(lián)連接第一放大電路(2)和第二放大電路(3)，所述芯片襯底(14)設(shè)有按照順序設(shè)置的第一芯片工作電壓接口(14-1)、微動(dòng)射頻開(kāi)關(guān)(14-2)、第一副控接口(14-3)、控制信號(hào)輸入端口(14-4)、恒定電壓接口(14-5)、第一放大電路開(kāi)關(guān)(14-6)、第二芯片工作電壓接口(14-7)、第一放大電路輸入接口(14-8)、第一放大電路地線接口(14-9)、第一放大電路輸出接口(14-10)、第二放大電路地線接口(14-11)、第二放大電路輸入接口(14-12)、第二副控接口(14-13)、第二放大電路輸出接口(14-14)、總副控開(kāi)關(guān)(14-15)和第二放大電路開(kāi)關(guān)(14-16)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述芯片設(shè)有自適應(yīng)偏置電路(5)和負(fù)反饋電路(6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述自適應(yīng)偏置電路(5)包括按照順序串聯(lián)連接的偏置電阻(Rb)、第六三極管(Q6)、第四三極管(Q4)和第五三極管(Q5)，第四電阻(R4) —端與第二芯片工作電壓接口(13)連接，所述第四電阻(R4)的另一端與偏置電容(Cb)連接，所述第四電阻(R4)和偏置電容(Cb)之間與所述第六三極管(Q6)基極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述負(fù)反饋電路(6)包括串聯(lián)連接的負(fù)反饋電阻(Rf)、負(fù)反饋回路晶體管(Mf)和隔直電容(Cf)，所述隔直電容(Cf)與第二三極管(Q2)的集電極連接，所述負(fù)反饋回路晶體管(Mf)的基極按順序與第五電阻(R5)和單線協(xié)議接口(11)串聯(lián)連接，所述負(fù)反饋電阻(Rf)與功率輸入端口(10)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述第一放大電路輸入接口(14-8)與第一應(yīng)用電路(15)連接，所述第二放大電路輸出接口(14-14)與第二應(yīng)用電路(16)連接，所述第一放大電路輸出接口(14-10)和第二放大電路輸入接口(14-12)分別連接第三應(yīng)用電路(17)的輸入端和輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述第一應(yīng)用電路(15)包括順序串聯(lián)連接的第一應(yīng)用電路信號(hào)輸入端口(15-1)、第一應(yīng)用電路的第一振蕩線圈(15-L1)、第一應(yīng)用電路的第一電容(15-C1)、第一應(yīng)用電路的第二電容(15-C2)和所述第一放大電路輸入接口(14-8)，所述第一應(yīng)用電路的第一電容(15-C1)和第一應(yīng)用電路的第二電容(15-C2)之間連接接地的第一應(yīng)用電路的第二振蕩線圈(15-L2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述第二應(yīng)用電路(16)包括與所述第二放大電路輸出接口(14-14)串聯(lián)連接的第二應(yīng)用電路的第一電容(16-C1)、第二應(yīng)用電路的第二電容(16-C2)、第二應(yīng)用電路的第二振蕩線圈(16-L2)和第二應(yīng)用電路信號(hào)輸出端口(16-1);所述第二放大電路輸出接口(14-14)和第二應(yīng)用電路的第一電容(16-C1)之間連接有由第二應(yīng)用電路的第一振蕩線圈(16-L1)和第二應(yīng)用電路的第三電容(16-C3)構(gòu)成的振蕩電路；所述第二應(yīng)用電路的第一電容(16-C1)和第二應(yīng)用電路的第二電容(16-C2)之間連接有接地的第二應(yīng)用電路的第三振蕩線圈(16-L3)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片，其特征在于，所述第三應(yīng)用電路(17)包括和第一放大電路輸出接口(14-10)順序連接的第三應(yīng)用電路的第一電容(17-C1)和第二放大電路輸入接口(14-12)連接電路，所述第一放大電路輸出接口(14-10)和第三應(yīng)用電路的第一電容(17-C1)電路之間連接有并聯(lián)連接的第三應(yīng)用電路的第一振蕩線圈(17-L1)、第三應(yīng)用電路的第二電容(17-C2)和第三應(yīng)用電路的第一電阻(17-R1)。
9.一種用于雷達(dá)系統(tǒng)寬帶功率放大器，其特征在于，所述放大器安裝了根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述用于雷達(dá)系統(tǒng)的寬帶功率放大器芯片。
【文檔編號(hào)】H03F3/20GK104378071SQ201410641725
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月7日
【發(fā)明者】萬(wàn)佳, 趙新強(qiáng), 李棟, 謝李萍, 楊宗帥 申請(qǐng)人:北京愛(ài)潔隆技術(shù)有限公司, 萬(wàn)佳