一種適用于igbt和mos的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，包括光耦(OC)和輸入端連接在DSP的IO口或PWM口上的非門電路(NOT1)；所述光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)連接至第一電源(VCC1)，光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陰級(jí)經(jīng)過(guò)第一限流電阻(R3)連接至非門電路(NOT1)的輸出端，所述非門電路(NOT1)的輸出端還設(shè)有一個(gè)上拉電阻(R2)，上拉電阻(R2)與第二電源(VCC2)相連，所述光耦(OC)的信號(hào)輸出端連接至受控的IGBT或MOS。本發(fā)明可以起到高效的抗EMI干擾的作用，從而可以達(dá)到防止MOS或IGBT誤開通和關(guān)斷的目的，而且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低、需要的體積也較小。
【專利說(shuō)明】—種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種抗干擾電路，特別是一種應(yīng)用于光伏逆變器中的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路。

【背景技術(shù)】
[0002]光伏逆變器中通常都會(huì)包含有驅(qū)動(dòng)電路用于控制MOS或IGBT的開通和關(guān)斷。然而一般驅(qū)動(dòng)電路在工作過(guò)程中，要求根據(jù)DSP發(fā)出的PWM信號(hào)，準(zhǔn)確無(wú)誤的控制MOS或IGBT的開通和關(guān)斷，以實(shí)現(xiàn)光伏逆變器所要求的功能；但是由于逆變器內(nèi)部高低頻信號(hào)重疊或者布局不合理的情況下，其他的一些信號(hào)就會(huì)干擾到DSP發(fā)出的PWM信號(hào),從而導(dǎo)致無(wú)法正確的控制MOS或IGBT的開通和關(guān)斷，以致MOS或IGBT損壞。然而現(xiàn)有的部分抗干擾驅(qū)動(dòng)電路雖然可以實(shí)現(xiàn)抗干擾的作用，但電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，使用的元器件成本較高，所需要的PCB體積也相對(duì)較大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于，提供一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路。它可以起到高效的抗EMI干擾的作用，從而可以達(dá)到防止MOS或IGBT誤開通和關(guān)斷的目的，而且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低、需要的體積也較小。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案:一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特點(diǎn)是:包括光耦和輸入端連接在DSP的1 口或PWM 口上的非門電路；所述光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)連接至第一電源，光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陰級(jí)經(jīng)過(guò)第一限流電阻連接至非門電路的輸出端，所述非門電路的輸出端還設(shè)有一個(gè)上拉電阻，上拉電阻與第二電源相連，所述光耦的信號(hào)輸出端連接至受控的IGBT或M0S。
[0005]上述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陰陽(yáng)兩極之間連接有穩(wěn)壓電阻，具有為發(fā)光二極管穩(wěn)壓的作用。
[0006]前述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述非門電路的輸入端設(shè)有下拉電阻，可以起到防止靜電對(duì)芯片造成損壞，增強(qiáng)芯片信號(hào)輸入的抗干擾能力。
[0007]前述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述光耦內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陽(yáng)極上設(shè)有接地的電容，可以給電源濾波，降低電路對(duì)電源的干擾。
[0008]前述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路中，所述DSP的1 口或是PWM口在實(shí)現(xiàn)抗干擾驅(qū)動(dòng)電路時(shí)輸出PWM信號(hào)或?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)IGBT或MOS所需要的高低電平。
[0009]本發(fā)明中的一些術(shù)語(yǔ)的解釋如下:IGBT_絕緣柵雙極型晶體管，MOS-場(chǎng)效應(yīng)管，DSP-數(shù)字信號(hào)處理器，1-輸入/輸出，PWM-脈沖寬度調(diào)制，
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)非門電路、光耦的驅(qū)動(dòng)電路和上拉電阻的配合工作，實(shí)現(xiàn)了 DSP的1 口或PWM 口輸出信號(hào)的電平轉(zhuǎn)換，將容易受到干擾的芯片輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為不易受到干擾的電源信號(hào)，從而使驅(qū)動(dòng)電路具有高性能的抗干擾功能，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明在相同情況下(相同驅(qū)動(dòng)信號(hào)、PCB回路面積相同等)，本專利的驅(qū)動(dòng)電路可使電路中的干擾減少90%以上。而且本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、元器件使用較少、成本較低，運(yùn)行穩(wěn)定性高。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但并不作為對(duì)本發(fā)明限制的依據(jù)。
[0013]實(shí)施例。一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，如圖1所示:包括光耦OC和輸入端連接在DSP的1 口或PWM 口上的非門電路NOTl ;所述光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)連接至第一電源VCC1，光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陰級(jí)經(jīng)過(guò)第一限流電阻R3連接至非門電路NOTl的輸出端，所述非門電路NOTl的輸出端還設(shè)有一個(gè)上拉電阻R2，上拉電阻R2與第二電源VCC2相連，所述光耦OC的信號(hào)輸出端連接至受控的IGBT或M0S。所述光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陰陽(yáng)兩極之間連接有穩(wěn)壓電阻R4。所述非門電路NOTl的輸入端設(shè)有下拉電阻R1。所述光耦OC內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陽(yáng)極上設(shè)有電容Cl，給電源VCCl濾波，降低電路對(duì)VCCl的干擾。所述DSP的1 口或是PWM 口在實(shí)現(xiàn)抗干擾驅(qū)動(dòng)電路時(shí)輸出PWM信號(hào)或?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)IGBT或MOS所需要的高低電平。光耦OC上設(shè)有光耦輸出端電源VCC3和電阻R5。
[0014]本發(fā)明的工作原理:
[0015]當(dāng)IGBT或MOS需要開通時(shí)，DSP的1 口或PWM 口上發(fā)PWM電平信號(hào)，使得非門電路的輸入端為高電平，接著非門電路作反相處理使輸出端為低電平(邏輯O)。此時(shí)光耦的發(fā)光二極管的陰極電平被拉低，其相對(duì)于陽(yáng)極為一個(gè)低電平，光稱的發(fā)光二極管被導(dǎo)通。光耦輸出端發(fā)出高電平使IGBT或MOS開通。PWM電平信號(hào)通過(guò)非門和光耦的電平間轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)高性能的抗干擾作用。
[0016]當(dāng)IGBT或MOS需要關(guān)斷時(shí)，DSP的1 口或PWM 口上發(fā)PWM電平信號(hào)，使得非門的輸入端為低電平，之后非門作反相處理使輸出端為高電平(邏輯I)。此時(shí)電源VCC2通過(guò)上拉電阻R2將光耦發(fā)光二極管的陰極拉至高電平，其相對(duì)于陽(yáng)極的電源VCCl較高，光耦發(fā)光二極管不導(dǎo)通。光耦輸出端為低電平使IGBT或MOS關(guān)斷。PWM電平信號(hào)通過(guò)非門和光耦的電平間轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)高性能的抗干擾作用。
【權(quán)利要求】
1.一種適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:包括光耦(OC)和輸入端連接在DSP的1 口或PWM 口上的非門電路(NOTl);所述光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)連接至第一電源(VCCl)，光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陰級(jí)經(jīng)過(guò)第一限流電阻(R3)連接至非門電路(NOTl)的輸出端，所述非門電路(NOTl)的輸出端還設(shè)有一個(gè)上拉電阻(R2)，上拉電阻(R2)與第二電源(VCC2)相連，所述光耦(OC)的信號(hào)輸出端連接至受控的IGBT或MOS。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陰陽(yáng)兩極之間連接有穩(wěn)壓電阻(R4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述非門電路(NOTl)的輸入端設(shè)有下拉電阻(Rl)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述光耦(OC)內(nèi)的發(fā)光二極管陽(yáng)級(jí)的陽(yáng)極上設(shè)有接地的電容(Cl)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于IGBT和MOS的高性能抗干擾驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述DSP的1 口或是PWM 口在實(shí)現(xiàn)抗干擾驅(qū)動(dòng)電路時(shí)輸出PWM信號(hào)或?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)IGBT或MOS所需要的高低電平。
【文檔編號(hào)】H03K19/14GK104320114SQ201410647848
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】李新富, 歐余斯, 程亮亮 申請(qǐng)人:杭州桑尼能源科技有限公司