高隔離度單刀雙擲開關(guān)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了高隔離度單刀雙擲開關(guān)，包括由電感L2和電阻R2串聯(lián)形成的第一支路、兩條第一電路和電容C3；所述第一支路和電容C3并聯(lián)后與兩條第一電路并聯(lián)后形成的電路連接；所述第一電路包括電容C1、二極管V3、由電感L1和電容C2接地形成的第二支路，由電阻R1和二極管V1形成的第三支路及由二極管V2接地形成的第四支路；所述電容C1、第三支路和二極管V3依次連接；所述第三支路和二極管V3之間串聯(lián)有至少兩級(jí)第四支路；所述電容C1與第三支路之間連接有兩級(jí)串聯(lián)在一起的第二支路。單刀雙擲開關(guān)通過(guò)增加的兩級(jí)由電感L1和電容C2接地形成的第二支路來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻信號(hào)的抑制，以最終解決開關(guān)線路產(chǎn)生諧振的問題。
【專利說(shuō)明】高隔離度單刀雙擲開關(guān)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及開關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及高隔離度單刀雙擲開關(guān)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，單刀雙擲開關(guān)的隔離度要求達(dá)到了IlOdB,要達(dá)到這個(gè)指標(biāo)是相當(dāng)困難的，為了完成該產(chǎn)品的生產(chǎn)，在裝配產(chǎn)品時(shí)選用了串并聯(lián)形式的基本電路；為了提高隔離度，部分廠家總共并聯(lián)了 6只PIN管芯，理論上這樣就能滿足要求，但在實(shí)際的生產(chǎn)中，由于二極管芯本身的寄生參量，管芯焊接所用鍵合金絲的寄生電感，都會(huì)使線路產(chǎn)生諧振而導(dǎo)致工作曲線波動(dòng)較大，從而無(wú)法滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本實(shí)用新型提供的高隔離度單刀雙擲開關(guān)解決了線路產(chǎn)生諧振的問題。
[0004]為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:提供一種高隔離度單刀雙擲開關(guān)，其包括由電感L2和電阻R2串聯(lián)形成的第一支路、兩條第一電路和電容C3 ;所述第一支路和電容C3并聯(lián)后與兩條第一電路并聯(lián)后形成的電路連接；
[0005]所述第一電路包括電容Cl、二極管V3、由電感LI和電容C2接地形成的第二支路，由電阻Rl和二極管Vl形成的第三支路及由二極管V2接地形成的第四支路；
[0006]所述電容Cl、第三支路和二極管V3依次連接；所述第三支路和二極管V3之間串聯(lián)有至少兩級(jí)第四支路；所述電容Cl與第三支路之間連接有兩級(jí)串聯(lián)在一起的第二支路。
[0007]設(shè)計(jì)時(shí)，優(yōu)選相鄰兩個(gè)第四支路之間的間距等于單刀雙擲開關(guān)工作頻率的四分之一波長(zhǎng)。
[0008]設(shè)計(jì)時(shí)，進(jìn)一步優(yōu)選所述第三支路和二極管V3之間串聯(lián)有六級(jí)第四支路。
[0009]設(shè)計(jì)時(shí)，再進(jìn)一步所述單刀雙擲開關(guān)的工作頻率為5GHz?6 GHz0
[0010]本實(shí)用新型的有益效果為:單刀雙擲開關(guān)通過(guò)增加的兩級(jí)由電感LI和電容C2接地形成的第二支路來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻信號(hào)的抑制，以最終解決開關(guān)線路產(chǎn)生諧振的問題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型高隔離度單刀雙擲開關(guān)一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明:
[0013]參考圖1，圖1為本實(shí)用新型高隔離度單刀雙擲開關(guān)一個(gè)實(shí)施例的電路圖；如圖1所述，本實(shí)施例的技術(shù)方案為:包括由電感L2和電阻R2串聯(lián)形成的第一支路、兩條第一電路和電容C3 ;所述第一支路和電容C3并聯(lián)后與兩條第一電路并聯(lián)后形成的電路連接；
[0014]所述第一電路包括電容Cl、二極管V3、由電感LI和電容C2接地形成的第二支路，由電阻Rl和二極管Vl形成的第三支路及由二極管V2接地形成的第四支路；
[0015]所述電容Cl、第三支路和二極管V3依次連接；所述第三支路和二極管V3之間串聯(lián)有至少兩級(jí)第四支路；所述電容Cl與第三支路之間連接有兩級(jí)串聯(lián)在一起的第二支路。
[0016]本實(shí)施例的刀雙擲開關(guān)通過(guò)增加的兩級(jí)由電感LI和電容C2接地形成的第二支路來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻信號(hào)的抑制，以最終解決開關(guān)線路產(chǎn)生諧振的問題。
[0017]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，將微波電路的路徑盡量地拉長(zhǎng)，有了足夠的路徑，相鄰兩個(gè)第四支路的間距就能盡可能地接近工作頻率的λ /4，這樣做的原因在于兩只并聯(lián)的第四支路之間在微帶傳輸線上相距約四分之一波長(zhǎng)時(shí)，能夠得到較大的隔離度。
[0018]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，為了進(jìn)一步優(yōu)化單刀雙擲開關(guān)的隔離度，所述第三支路和二極管V3之間串聯(lián)有六級(jí)第四支路。
[0019]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，為了確保單刀雙擲開關(guān)擁有最好的工作狀態(tài)，將其工作頻率設(shè)置為5GHz?6 GHz0
[0020]雖然結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)地描述，但不應(yīng)理解為對(duì)本專利的保護(hù)范圍的限定。在權(quán)利要求書所描述的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員不經(jīng)創(chuàng)造性勞動(dòng)即可做出的各種修改和變形仍屬本專利的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高隔離度單刀雙擲開關(guān)，其特征在于:包括由電感L2和電阻R2串聯(lián)形成的第一支路、兩條第一電路和電容C3 ;所述第一支路和電容C3并聯(lián)后與兩條第一電路并聯(lián)后形成的電路連接； 所述第一電路包括電容Cl、二極管V3、由電感LI和電容C2接地形成的第二支路，由電阻Rl和二極管Vl形成的第三支路及由二極管V2接地形成的第四支路； 所述電容Cl、第三支路和二極管V3依次連接；所述第三支路和二極管V3之間串聯(lián)有至少兩級(jí)第四支路；所述電容Cl與第三支路之間連接有兩級(jí)串聯(lián)在一起的第二支路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高隔離度單刀雙擲開關(guān)，其特征在于:相鄰兩個(gè)第四支路之間的間距等于單刀雙擲開關(guān)工作頻率的四分之一波長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高隔離度單刀雙擲開關(guān)，其特征在于:所述第三支路和二極管V3之間串聯(lián)有六級(jí)第四支路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的高隔離度單刀雙擲開關(guān)，其特征在于:所述單刀雙擲開關(guān)的工作頻率為5GHz?6 GHz。
【文檔編號(hào)】H03K17/687GK204046561SQ201420150042
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】周開斌, 毛艷 申請(qǐng)人:成都創(chuàng)新達(dá)微波電子有限公司