一種應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路，包括CMOS晶體管M1、M2、M3、M4，電阻R1、R2、R3、R4，電容C1、C2，以及電流源IDC；M1的源端分別與M2的源端、IDC的上端相連，M1的漏端與M3的源端之間連接有R1,M1的漏端與M3的柵端之間連接有C1；M3的柵端與電源VDD之間連接有R3,M3的漏端與電源VDD相連；M2的漏端與M4的源端之間連接有R2,M2的漏端與M4的柵端之間連接有C2；M4的柵端與電源VDD之間連接有R4,M4的漏端與電源VDD相連；有益效果是：在一級(jí)放大器中既實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸入信號(hào)的放大又提供了對(duì)后級(jí)電路驅(qū)動(dòng)的功能，非常適合于低功耗系統(tǒng)中應(yīng)用。
【專利說(shuō)明】—種應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種放大器電路，特別涉及一種應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路領(lǐng)域，普遍使用放大器對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大，而現(xiàn)有的放大器普遍只提供放大功能，如果需要驅(qū)動(dòng)后級(jí)電路，則普遍需要在放大器電路后加一級(jí)源級(jí)跟隨器電路?，F(xiàn)有的這種在放大器電路后加一級(jí)源級(jí)跟隨器電路的電路結(jié)構(gòu)，必然將提高整個(gè)系統(tǒng)的功耗。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠適用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路，以克服上述【背景技術(shù)】中提到的不足。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0005]一種應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路，包括CMOS晶體管Ml、M2、M3、M4，電阻R1、R2、R3、R4，電容Cl、C2，以及電流源IDC ;其中:
[0006]所述CMOS晶體管Ml的源端分別與CMOS晶體管M2的源端、電流源IDC的上端相連，CMOS晶體管Ml的漏端與CMOS晶體管M3的源端之間連接有電阻Rl，CMOS晶體管Ml的漏端與CMOS晶體管M3的柵端之間連接有電容Cl ；CM0S晶體管M3的柵端與電源VDD之間連接有電阻R3，CMOS晶體管M3的漏端與電源VDD相連；
[0007]所述CMOS晶體管M2的漏端與CMOS晶體管M4的源端之間連接有電阻R2，CMOS晶體管M2的漏端與CMOS晶體管M4的柵端之間連接有電容C2 ；CM0S晶體管M4的柵端與電源VDD之間連接有電阻R4，CMOS晶體管M4的漏端與電源VDD相連；
[0008]所述電流源IDC的下端與地GND相連；
[0009]所述輸入正向信號(hào)INP與CMOS晶體管Ml的柵端相連，所述輸入負(fù)向信號(hào)INN與CMOS晶體管M2的柵端相連；所述輸出正向信號(hào)OUTP與CMOS晶體管M4的源端相連，輸出負(fù)向信號(hào)OUTN與CMOS晶體管M3的源端相連。
[0010]其中CMOS晶體管Ml和CMOS晶體管M2分別對(duì)輸入差分信號(hào)INP和INN進(jìn)行放大，放大的信號(hào)通過(guò)電容Cl和電容C2隔直以后，到達(dá)CMOS晶體管M3和CMOS晶體管M4的柵端，然后由CMOS晶體管M3和CMOS晶體管M4的源端輸出，由此同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大和對(duì)后級(jí)電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的功能。
[0011]本實(shí)用新型所述的應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路的有益效果在于:本設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)巧妙的使得驅(qū)動(dòng)級(jí)不影響放大級(jí)的增益，在一級(jí)放大器中既實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸入信號(hào)的放大又提供了對(duì)后級(jí)電路驅(qū)動(dòng)的功能；而在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，這需要兩級(jí)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，一級(jí)實(shí)現(xiàn)增益，另一級(jí)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)，這無(wú)疑會(huì)增加功耗；所以，本實(shí)用新型提出的結(jié)構(gòu)非常適合于低功耗系統(tǒng)中應(yīng)用?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]如圖1所示，是本實(shí)用新型應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]CMOS晶體管Ml與電阻Rl以及CMOS晶體管M3 —起構(gòu)成了對(duì)輸入正向信號(hào)INP的放大，輸入正向信號(hào)INP從CMOS晶體管Ml的柵端輸入，經(jīng)過(guò)CMOS晶體管Ml的放大，由CMOS晶體管Ml的漏端輸出，此放大的信號(hào)經(jīng)由電容Cl隔直以后，從CMOS晶體管M3的柵端輸入，然后由CMOS晶體管M3的源端輸出，由于從CMOS晶體管M3的源端看進(jìn)去的電阻很小，只有l(wèi)/gm3，其中g(shù)m3為CMOS晶體管M3的跨導(dǎo)，所以CMOS晶體管M3具有很好的驅(qū)動(dòng)后級(jí)電路的功能。
[0015]而同時(shí)CMOS晶體管M2與電阻R2以及CMOS晶體管M4 —起構(gòu)成了對(duì)輸入負(fù)向信號(hào)INN的放大，輸入負(fù)向信號(hào)INN從CMOS晶體管M2的柵端輸入，經(jīng)過(guò)CMOS晶體管M2的放大，由CMOS晶體管M2的漏端輸出，此放大的信號(hào)經(jīng)由隔直電容C2以后，從CMOS晶體管M4的柵端輸入，然后由CMOS晶體管M4的源端輸出，由于從CMOS晶體管M4的源端看進(jìn)去的電阻很小，只有l(wèi)/gm4，其中g(shù)m4為CMOS晶體管M4的跨導(dǎo)，所以CMOS晶體管M4具有很好的驅(qū)動(dòng)后級(jí)電路的功能。
[0016]本實(shí)用新型電路的巧妙之處在于，很好的在一級(jí)電路中使得放大功能和驅(qū)動(dòng)功能互相不影響。巧妙的使用電阻Rl和電阻R2分別有效的屏蔽了 CMOS晶體管M3的源級(jí)低輸入阻抗和CMOS晶體管M4的源級(jí)低輸入阻抗對(duì)放大器增益的影響，而同時(shí)放大的信號(hào)分別經(jīng)由電容Cl和電容C2到達(dá)CMOS晶體管M3和CMOS晶體管M4的柵端，分別經(jīng)由CMOS晶體管M3和CMOS晶體管M4源級(jí)跟隨輸出。進(jìn)一步的由于CMOS晶體管M3和CMOS晶體管M4源端的低輸入阻抗，使得其可以很好的驅(qū)動(dòng)后級(jí)電路。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于低功耗系統(tǒng)的放大器電路，其特征在于:包括CMOS晶體管M1、M2、M3、M4，電阻R1、R2、R3、R4，電容C1、C2，以及電流源IDC ;其中: 所述CMOS晶體管Ml的源端分別與CMOS晶體管M2的源端、電流源IDC的上端相連，CMOS晶體管Ml的漏端與CMOS晶體管M3的源端之間連接有電阻Rl，CMOS晶體管Ml的漏端與CMOS晶體管M3的柵端之間連接有電容Cl ；CM0S晶體管M3的柵端與電源VDD之間連接有電阻R3，CMOS晶體管M3的漏端與電源VDD相連； 所述CMOS晶體管M2的漏端與CMOS晶體管M4的源端之間連接有電阻R2，CMOS晶體管M2的漏端與CMOS晶體管M4的柵端之間連接有電容C2 ；CM0S晶體管M4的柵端與電源VDD之間連接有電阻R4，CMOS晶體管M4的漏端與電源VDD相連； 所述電流源IDC的下端與地GND相連； 所述輸入正向信號(hào)INP與CMOS晶體管Ml的柵端相連，所述輸入負(fù)向信號(hào)INN與CMOS晶體管M2的柵端相連；所述輸出正向信號(hào)OUTP與CMOS晶體管M4的源端相連，輸出負(fù)向信號(hào)OUTN與CMOS晶體管M3的源端相連。
【文檔編號(hào)】H03F1/02GK203761334SQ201420182124
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年4月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月16日
【發(fā)明者】黃磊, 馬杰 申請(qǐng)人:中科芯集成電路股份有限公司