一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路，包括：模擬量轉(zhuǎn)換電路，該多模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括控制電路，其中，該控制電路包括至少一個(gè)控制端口以及與其對(duì)應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)管M0S管，該M0S管的第一端與該控制端口連接，由該控制端口輸入的高、低電平控制該M0S管的導(dǎo)通，第二端連接電源，第三端連接該模擬量轉(zhuǎn)換電路；該模擬量轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，該模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸出端為數(shù)字信號(hào)輸出端。通過M0S管控制模擬量的輸入，采用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，相比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了檢測(cè)電路占用的資源，進(jìn)而降低了投入成本。
【專利說明】一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及模擬量檢測(cè)領(lǐng)域，尤其涉及一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路。

【背景技術(shù)】
[0002]在計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)中，須經(jīng)各種檢測(cè)裝置，以連續(xù)變化的電壓或電流作為模擬量，隨時(shí)提供被控制對(duì)象的有關(guān)參數(shù)(如速度、壓力、溫度等)而進(jìn)行控制。計(jì)算機(jī)的輸入必須是數(shù)字量，故需用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter, ADC)達(dá)到控制目的。
[0003]目前，針對(duì)模擬量進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，每一個(gè)模擬量均需要一個(gè)ADC實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換，這樣，當(dāng)要檢測(cè)多個(gè)模擬量，對(duì)多個(gè)模擬量進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換時(shí)，需要占用多個(gè)ADC資源，ADC的價(jià)格較貴，進(jìn)而影響到選用MCU的成本，甚至影響到系統(tǒng)其他程序的運(yùn)行。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的多模擬量轉(zhuǎn)換電路占用資源較多，成本較高的問題。
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路，包括:模擬量轉(zhuǎn)換電路，所述多模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括控制電路，其中，
[0006]所述控制電路包括至少一個(gè)控制端口以及與其對(duì)應(yīng)的MOS管，所述MOS管的第一端與所述控制端口連接，由所述控制端口輸入的高、低電平控制所述MOS管的導(dǎo)通，第二端連接電源，第三端連接所述模擬量轉(zhuǎn)換電路；
[0007]所述模擬量轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸出端為數(shù)字信號(hào)輸出端。
[0008]進(jìn)一步的，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括一個(gè)滑動(dòng)變阻器，用于分壓；
[0009]所述滑動(dòng)變阻器的第一端連接所述MOS管的第三端，所述滑動(dòng)變阻器的第二端連接所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端。
[0010]進(jìn)一步的，所述MOS管為P型MOS管，所述MOS管的第一端、第二端、第三端分別為所述P型MOS管的柵極、源極和漏極。
[0011]進(jìn)一步的，所述MOS管為N型MOS管，所述MOS管的第一端、第二端、第三端分別為所述N型MOS管的柵極、漏極和源極。
[0012]進(jìn)一步的，所述滑動(dòng)變阻器的第二端連接所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端，通過一個(gè)固定電阻接地。
[0013]進(jìn)一步的，所述多模擬量轉(zhuǎn)換電路所檢測(cè)的模擬量的數(shù)量與所述控制端口的數(shù)量相等。
[0014]進(jìn)一步的，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路僅包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC。
[0015]本實(shí)用新型有益效果包括:
[0016]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，通過控制端口輸入的高低電平來控制MOS管的導(dǎo)通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)某一路模擬量的轉(zhuǎn)換，這樣，當(dāng)多路模擬量需要進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，無需對(duì)每個(gè)模擬量均設(shè)置一個(gè)ADC，本方案通過MOS管作為一個(gè)多路輸入開關(guān)，利用一個(gè)ADC即實(shí)現(xiàn)了對(duì)多路模擬量的轉(zhuǎn)換，減少了 ADC的投入，并且MOS管的成本較低，因此，采用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，相比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了檢測(cè)電路占用的資源，進(jìn)而降低了投入成本。
[0017]本申請(qǐng)的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本申請(qǐng)而了解。本申請(qǐng)的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中:
[0019]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路的電路圖；
[0020]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]為了給出減少多模擬量轉(zhuǎn)換電路占用資源，降低成本的實(shí)現(xiàn)方案，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路，以下結(jié)合說明書附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。并且在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0022]下面結(jié)合附圖，用具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提供的電路進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0023]實(shí)施例一:
[0024]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路，電路圖如圖1所示，包括:模擬量轉(zhuǎn)換電路和控制電路，其中，
[0025]所述控制電路包括至少一個(gè)控制端口以及與其對(duì)應(yīng)的MOS管，所述MOS管的第一端I與所述控制端口連接，由所述控制端口輸入的高、低電平控制所述MOS管的導(dǎo)通，第二端2連接電源，第三端3連接所述模擬量轉(zhuǎn)換電路；
[0026]所述模擬量轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸出端為數(shù)字信號(hào)輸出端。進(jìn)一步的，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路僅包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC。
[0027]本實(shí)施例一中MOS管為P型MOS管，所述MOS管的第一端1、第二端2、第三端3分別為所述P型MOS管的柵極、源極和漏極，即P型MOS管的柵極與控制端口連接，源極連接電源VDD，漏極與模擬量轉(zhuǎn)換電路相連。
[0028]當(dāng)柵極連接的控制端口輸入低電平時(shí)，P型MOS管導(dǎo)通；當(dāng)柵極連接的控制端口輸入高電平時(shí)，P型MOS管截止。
[0029]進(jìn)一步的，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括一個(gè)滑動(dòng)變阻器，用于產(chǎn)生模擬電壓。P型MOS管的漏極連接該滑動(dòng)變阻器的第一端，該滑動(dòng)變阻器的第二端連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端，并且，該滑動(dòng)變阻器的第二端連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端，并通過一個(gè)固定電阻Rl接地。
[0030]具體的，一個(gè)控制端口控制一路模擬量的輸入，因此，多模擬量轉(zhuǎn)換電路所檢測(cè)的模擬量的數(shù)量與控制端口的數(shù)量相等，并且，與P型MOS管的數(shù)量也相等。當(dāng)需要檢測(cè)N個(gè)模擬量時(shí)，相應(yīng)的，多模擬量轉(zhuǎn)換電路需要有N個(gè)控制端口，如圖1所示的控制端口 P1、P2……PN，以及每個(gè)控制端口分別控制的P型MOS管，控制端口所輸入的電平的高低由MCU進(jìn)行控制。
[0031]當(dāng)MCU控制Pl輸入低電平，P2……PN輸入高電平時(shí)，則Ql導(dǎo)通，而Q2……QN截止，此時(shí)，只有Pl控制的這條路徑導(dǎo)通，由第一滑動(dòng)變阻器和Rl分壓產(chǎn)生模擬電壓值，輸入到ADC轉(zhuǎn)換器中，進(jìn)而通過模數(shù)轉(zhuǎn)換，輸出數(shù)字信號(hào)，用于后續(xù)檢測(cè)。
[0032]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，通過控制端口輸入的高低電平來控制MOS管的導(dǎo)通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)某一路模擬量的轉(zhuǎn)換，這樣，當(dāng)多路模擬量需要進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，無需對(duì)每個(gè)模擬量均設(shè)置一個(gè)ADC，本方案通過MOS管作為一個(gè)多路輸入開關(guān)，利用一個(gè)ADC即實(shí)現(xiàn)了對(duì)多路模擬量的轉(zhuǎn)換，減少了 ADC的投入，并且MOS管的成本較低，因此，采用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，相比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了檢測(cè)電路占用的資源，進(jìn)而降低了投入成本。
[0033]實(shí)施例二:
[0034]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路，電路圖如圖1所示，包括:模擬量轉(zhuǎn)換電路和控制電路，其中，
[0035]所述控制電路包括至少一個(gè)控制端口以及與其對(duì)應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)管MOS管，所述MOS管的第一端I與所述控制端口連接，由所述控制端口輸入的高、低電平控制所述MOS管的導(dǎo)通，第二端2連接電源，第三端3連接所述模擬量轉(zhuǎn)換電路；
[0036]所述模擬量轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸出端為數(shù)字信號(hào)輸出端。進(jìn)一步的，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路僅包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC。
[0037]本實(shí)施例二中MOS管為N型MOS管，所述MOS管的第一端1、第二端2、第三端3分別為所述N型MOS管的柵極、漏極和源極，即N型MOS管的柵極與控制端口連接，漏極連接電源VDD，源極與模擬量轉(zhuǎn)換電路相連。
[0038]當(dāng)柵極連接的控制端口輸入高電平時(shí)，N型MOS管導(dǎo)通；當(dāng)柵極連接的控制端口輸入低電平時(shí)，N型MOS管截止。
[0039]進(jìn)一步的，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括一個(gè)滑動(dòng)變阻器，用于分壓。N型MOS管的源極連接該滑動(dòng)變阻器的第一端，該滑動(dòng)變阻器的第二端連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端，并且，該滑動(dòng)變阻器的第二端連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端，并通過一個(gè)固定電阻Rl接地。
[0040]具體的，一個(gè)控制端口控制一路模擬量的輸入，因此，多模擬量轉(zhuǎn)換電路所檢測(cè)的模擬量的數(shù)量與控制端口的數(shù)量相等，并且，與N型MOS管的數(shù)量也相等。當(dāng)需要檢測(cè)N個(gè)模擬量時(shí)，相應(yīng)的，多模擬量轉(zhuǎn)換電路需要有N個(gè)控制端口，如圖1所示的控制端口 P1、P2……PN，以及每個(gè)控制端口分別控制的N型MOS管，控制端口所輸入的電平的高低由MCU進(jìn)行控制。
[0041]當(dāng)MCU控制Pl輸入高電平，P2……PN輸入低電平時(shí)，則Ql導(dǎo)通，而Q2……QN截止，此時(shí)，只有Pl控制的這條路徑導(dǎo)通，由第一滑動(dòng)變阻器和Rl分壓產(chǎn)生模擬電壓值，輸入到ADC轉(zhuǎn)換器中，進(jìn)而通過模數(shù)轉(zhuǎn)換，輸出數(shù)字信號(hào)，用于后續(xù)檢測(cè)。
[0042]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，包括:模擬量轉(zhuǎn)換電路，該多模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括控制電路，其中，該控制電路包括至少一個(gè)控制端口以及與其對(duì)應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)管MOS管，該MOS管的第一端與該控制端口連接，由該控制端口輸入的高、低電平控制該MOS管的導(dǎo)通，第二端連接電源，第三端連接該模擬量轉(zhuǎn)換電路；該模擬量轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，該模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸出端為數(shù)字信號(hào)輸出端。通過MOS管控制模擬量的輸入，采用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，相比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了檢測(cè)電路占用的資源，進(jìn)而降低了投入成本。
[0043]應(yīng)當(dāng)指出的是，上述說明并非是對(duì)本實(shí)用新型的限制，本實(shí)用新型也并不僅限于上述舉例，本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改性、添加或替換，也應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多模擬量轉(zhuǎn)換電路，包括:模擬量轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述多模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括控制電路，其中， 所述控制電路包括至少一個(gè)控制端口以及與其對(duì)應(yīng)的MOS管，所述MOS管的第一端與所述控制端口連接，由所述控制端口輸入的高、低電平控制所述MOS管的導(dǎo)通，第二端連接電源，第三端連接所述模擬量轉(zhuǎn)換電路； 所述模擬量轉(zhuǎn)換電路包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸出端為數(shù)字信號(hào)輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路還包括一個(gè)滑動(dòng)變阻器，用于分壓； 所述滑動(dòng)變阻器的第一端連接所述MOS管的第三端，所述滑動(dòng)變阻器的第二端連接所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端。
3.如權(quán)利要求1所述的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述MOS管為P型MOS管，所述MOS管的第一端、第二端、第三端分別為所述P型MOS管的柵極、源極和漏極。
4.如權(quán)利要求1所述的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述MOS管為N型MOS管，所述MOS管的第一端、第二端、第三端分別為所述N型MOS管的柵極、漏極和源極。
5.如權(quán)利要求2所述的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述滑動(dòng)變阻器的第二端連接所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端，并通過一個(gè)固定電阻接地。
6.如權(quán)利要求1-5任一所述的多模擬量轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,所述多模擬量轉(zhuǎn)換電路所檢測(cè)的模擬量的數(shù)量與所述控制端口的數(shù)量相等。
7.如權(quán)利要求1-5任一所述的多模擬量轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述模擬量轉(zhuǎn)換電路僅包括一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC。
【文檔編號(hào)】H03M1/12GK204031124SQ201420353808
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月28日
【發(fā)明者】于亞男, 劉鑫 申請(qǐng)人:青島歌爾聲學(xué)科技有限公司