一種超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于電子通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片。本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用以滿足在超寬帶應(yīng)用場景下能保持高性能的超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射頻輸入IN、第一射頻輸出OUT1、第二射頻輸出OUT2、第一邏輯控制電平VC1、第二邏輯控制電平VC2。本實(shí)用新型增加快速清零結(jié)構(gòu)，讓開關(guān)速度顯著減小，提高系統(tǒng)效率。
【專利說明】
一種超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于電子通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)頻率劃分，毫米波一般指的是波長介于Imm?1mm的電磁波，隨著無線通信的發(fā)展，射頻開關(guān)得到了廣泛的應(yīng)用，如雷達(dá)/基站信號(hào)收發(fā)系統(tǒng)、測(cè)試儀表儀器。在此前提下，人們對(duì)于射頻開關(guān)提出了越來越高的要求，如超寬帶、低插損聲、高隔離度、多通道和小型化等。
[0003]單刀雙擲開關(guān)(SPDT，Single Pole Double Throw)是用作射頻信號(hào)通路選擇的器件，應(yīng)用于雷達(dá)、基站、儀表儀器等廣品。因此，超寬帶、尚性能的射頻開關(guān)，對(duì)于提尚系統(tǒng)性能起到了關(guān)鍵性的作用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用以滿足在超寬帶應(yīng)用場景下能保持高性能的超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片，包括第一P型MOS管Ql、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射頻輸入IN、第一射頻輸出OUT1、第二射頻輸出0UT2、第一邏輯控制電平VCl、第二邏輯控制電平VC2 ；
[0006]所述第一 P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有柵極、漏極、源極，所述第一 P型MOS管Ql的源極與第一接地GND連接，所述第一P型MOS管Ql的漏極與第二 P型MOS管Q2的漏極連接，所述第二 P型MOS管Q2的源極與第三P型MOS管Q3的源極連接，所述第三P型MOS管Q3的漏極與第四P型MOS管Q4的漏極連接，所述第四P型MOS管Q4的源極與第二接地GND連接；
[0007]所述第一 P型MOS管Ql、第三P型MOS管Q3的柵極分別與第一邏輯控制電平VCl連接，所述第二 P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4的柵極分別與第二邏輯控制電平VC2連接；
[0008]所述射頻輸入IN連接在第二P型MOS管Q2的源極與第三P型MOS管Q3的源極之間，所述第一射頻輸出OUTl連接在第一 P型MOS管Ql的漏極與第二 P型MOS管Q2的漏極之間，所述第二射頻輸出0UT2連接在第三P型MOS管Q3的漏極與第四P型MOS管Q4的漏極之間。
[0009]實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型增加快速清零結(jié)構(gòu)，讓開關(guān)速度顯著減小，提高系統(tǒng)效率。
【附圖說明】

[0010]圖1是本實(shí)用新型的電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0012]如圖1所示，本實(shí)用新型的一種超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片，包括第一P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射頻輸入IN、第一射頻輸出OUTl、第二射頻輸出0UT2、第一邏輯控制電平VCl、第二邏輯控制電平 VC2;
[0013]所述第一 P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有柵極、漏極、源極，所述第一 P型MOS管Ql的源極與第一接地GND連接，所述第一P型MOS管Ql的漏極與第二 P型MOS管Q2的漏極連接，所述第二 P型MOS管Q2的源極與第三P型MOS管Q3的源極連接，所述第三P型MOS管Q3的漏極與第四P型MOS管Q4的漏極連接，所述第四P型MOS管Q4的源極與第二接地GND連接；
[0014]所述第一 P型MOS管Ql、第三P型MOS管Q3的柵極分別與第一邏輯控制電平VCl連接，所述第二 P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4的柵極分別與第二邏輯控制電平VC2連接；
[0015]所述射頻輸入IN連接在第二P型MOS管Q2的源極與第三P型MOS管Q3的源極之間，所述第一射頻輸出OUTl連接在第一 P型MOS管Ql的漏極與第二 P型MOS管Q2的漏極之間，所述第二射頻輸出0UT2連接在第三P型MOS管Q3的漏極與第四P型MOS管Q4的漏極之間。
[0016]本實(shí)用新型采用-5V/0V電平邏輯控制；當(dāng)?shù)谝贿壿嬁刂齐娖絍Cl為-5V、第二邏輯控制電平VC2為OV時(shí)，第一 P型MOS管Ql、第三P型MOS管Q3關(guān)閉、第二 P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4導(dǎo)通，控制選通通道1，射頻信號(hào)從射頻輸入IN進(jìn)過經(jīng)導(dǎo)通的第二 P型MOS管Q2流向第一射頻輸出OUTl;當(dāng)?shù)谝贿壿嬁刂齐娖絍Cl為0V、第二邏輯控制電平VC2為-5V時(shí)，第一P型MOS管Ql、第三P型MOS管Q3導(dǎo)通、第二P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4關(guān)閉，控制選通通道2，射頻信號(hào)從射頻輸入IN進(jìn)過經(jīng)導(dǎo)通的第三P型MOS管Q3流向射頻輸出0UT2。本實(shí)用新型增加快速清零結(jié)構(gòu)，讓開關(guān)速度顯著減小，提高系統(tǒng)效率。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超寬帶高性能單刀雙擲開關(guān)芯片，其特征在于，包括第一P型MOS管Ql、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第一接地GND、第二接地GND、射頻輸入IN、第一射頻輸出OUTl、第二射頻輸出0UT2、第一邏輯控制電平VCl、第二邏輯控制電平VC2; 所述第一P型MOS管Ql、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4均具有柵極、漏極、源極，所述第一 P型MOS管Ql的源極與第一接地GND連接，所述第一 P型MOS管Ql的漏極與第二 P型MOS管Q2的漏極連接，所述第二 P型MOS管Q2的源極與第三P型MOS管Q3的源極連接，所述第三P型MOS管Q3的漏極與第四P型MOS管Q4的漏極連接，所述第四P型MOS管Q4的源極與第二接地GND連接； 所述第一 P型MOS管Ql、第三P型MOS管Q3的柵極分別與第一邏輯控制電平VCl連接，所述第二 P型MOS管Q2、第四P型MOS管Q4的柵極分別與第二邏輯控制電平VC2連接； 所述射頻輸入IN連接在第二 P型MOS管Q2的源極與第三P型MOS管Q3的源極之間，所述第一射頻輸出OUTl連接在第一P型MOS管Ql的漏極與第二P型MOS管Q2的漏極之間，所述第二射頻輸出0UT2連接在第三P型MOS管Q3的漏極與第四P型MOS管Q4的漏極之間。
【文檔編號(hào)】H03K17/687GK205693644SQ201620607186
【公開日】2016年11月16日
【申請(qǐng)日】2016年6月17日 公開號(hào)201620607186.1, CN 201620607186, CN 205693644 U, CN 205693644U, CN-U-205693644, CN201620607186, CN201620607186.1, CN205693644 U, CN205693644U
【發(fā)明人】羅力偉, 王祈鈺
【申請(qǐng)人】四川益豐電子科技有限公司