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      一種振蕩器電路的制作方法

      文檔序號:11253561閱讀:1971來源:國知局
      一種振蕩器電路的制造方法與工藝

      本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種振蕩器電路。



      背景技術(shù):

      振蕩器是一種能量轉(zhuǎn)換裝置,它的主要作用是將直流電能轉(zhuǎn)換成具有一定頻率的交流電能。

      傳統(tǒng)的振蕩器電路如圖1所示,包括:第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3和電容c1;第一反相器inv1的輸入接振蕩器的輸出uout;第二反相器inv2的輸入接第一反相器inv1的輸出;第三反相器inv3的輸入接第二反相器inv2的輸出,輸出接振蕩器的輸出uout;電容c1的一端接第三反向器inv3的輸出,另一端接地。

      振蕩器的輸出時鐘頻率會受到工藝、電源電壓以及溫度的影響,在上述各因素發(fā)生變化時將使得振蕩器的輸出時鐘頻率誤差非常大,一般振蕩器的輸出時鐘頻率誤差會隨工藝、電源電壓以及溫度變化達(dá)到20%-30%,甚至有時竟然達(dá)到了50%,這給電路設(shè)計(jì)帶來了很大的困擾,無法滿足電路的正常工作需求。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為解決現(xiàn)有振蕩器頻率誤差大的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種頻率誤差小的振蕩器電路。

      一種振蕩器電路,包括:第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3、rs觸發(fā)器rs1、第一電容c1、第二電容c2以及nmos晶體管n1;第一反相器inv1的輸入接振蕩器的輸出uout,輸出接第一電容c1的一端及nmos晶體管n1的漏極以及第二反相器inv2和第三反相器inv3的輸入;第一電容c1的另一端接地;nmos晶體管n1的柵極接電源,源極接第二電容c2的一端;第二電容c2的另一端接地;第二反相器inv2的輸出接rs觸發(fā)器rs1的復(fù)位端r;第三反相器inv3的輸出接rs觸發(fā)器rs1的置位端s;rs觸發(fā)器rs1的輸出端q接振蕩器的輸出uout。

      進(jìn)一步的,所述第二反相器inv2的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比所述第三反相器inv3的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)高。

      本發(fā)明利用了第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)別,使得第一電容c1上的電壓在這兩個翻轉(zhuǎn)點(diǎn)之間線性變化,從而構(gòu)成了一個穩(wěn)定的頻率。而且,在此基礎(chǔ)上,這個振蕩器還引入了nmos晶體管n1和第二電容c2,這兩個器件的引入,使得在不同的電源電壓下,振蕩器的有效電容值不同,使得電源電壓對振蕩頻率的影響大大減小,增強(qiáng)了頻率的穩(wěn)定性。相比傳統(tǒng)的振蕩器,這個振蕩器頻率主要受第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的控制,比較穩(wěn)定。

      附圖說明

      圖1是傳統(tǒng)的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖2是本發(fā)明的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了,下面結(jié)合具體實(shí)施方式并參照附圖,對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)該理解,這些描述只是示例性的,而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外,在以下說明中,省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述,以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

      為解決現(xiàn)有振蕩器頻率隨著工藝、電源電壓以及溫度的影響造成誤差大的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種頻率誤差小的振蕩器電路。如圖2所示,該振蕩器電路包括:第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3、rs觸發(fā)器rs1、第一電容c1、第二電容c2以及nmos晶體管n1;第一反相器inv1的輸入接振蕩器的輸出uout,輸出接第一電容c1的一端及nmos晶體管n1的漏極以及第二反相器inv2和第三反相器inv3的輸入;第一電容c1的另一端接地;nmos晶體管n1的柵極接電源,源極接第二電容c2的一端;第二電容c2的另一端接地;第二反相器inv2的輸出接rs觸發(fā)器rs1的復(fù)位端r;第三反相器inv3的輸出接rs觸發(fā)器rs1的置位端s;rs觸發(fā)器rs1的輸出端q接振蕩器的輸出uout。

      進(jìn)一步的,所述第二反相器inv2的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比所述第三反相器inv3的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)高。即第二反相器inv2的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較高,第三反相器inv3的輸入翻轉(zhuǎn)點(diǎn)比較低。

      本發(fā)明利用了第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)別,使得第一電容c1上的電壓在這兩個翻轉(zhuǎn)點(diǎn)之間線性變化,從而構(gòu)成了一個穩(wěn)定的頻率。而且,在此基礎(chǔ)上,這個振蕩器還引入了nmos晶體管n1和第二電容c2,這兩個器件的引入,使得在不同的電源電壓下,振蕩器的有效電容值不同,使得電源電壓對振蕩頻率的影響大大減小,增強(qiáng)了頻率的穩(wěn)定性。相比傳統(tǒng)的振蕩器,這個振蕩器頻率主要受第二反相器inv2和第三反相器inv3的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的控制,比較穩(wěn)定。

      應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明的上述具體實(shí)施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理,而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。因此,在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外,本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供了一種振蕩器電路,屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該電路包括:第一反相器的輸入接振蕩器的輸出,輸出接第一電容的一端及NMOS管的漏極以及第二反相器和第三反相器的輸入;第一電容的另一端接地;NMOS管的柵極接電源,源極接第二電容的一端;第二電容的另一端接地;第二反相器的輸出接RS觸發(fā)器的復(fù)位端;第三反相器的輸出接RS觸發(fā)器RS1的置位端;RS觸發(fā)器的輸出端接振蕩器的輸出。本發(fā)明利用了第二反相器和第三反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的區(qū)別,在此基礎(chǔ)上還引入了NMOS管和第二電容,這兩個器件的引入,使得在不同的電源電壓下,振蕩器的有效電容值不同,使得電源電壓對振蕩頻率的影響大大減小,增強(qiáng)了頻率的穩(wěn)定性。

      技術(shù)研發(fā)人員:不公告發(fā)明人
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:長沙方星騰電子科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.05.30
      技術(shù)公布日:2017.09.15
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