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      一種用于電路板的陶瓷基板及其制作方法與流程

      文檔序號(hào):11254724閱讀:1251來(lái)源:國(guó)知局

      本發(fā)明涉及電路板制作領(lǐng)域,特別是一種用于電路板的陶瓷基板及其制作方法。



      背景技術(shù):

      陶瓷電路板,一般由陶瓷基層、銅層及阻焊層組成,其中陶瓷基層一般由熱導(dǎo)率最高的純陶瓷制成,但目前行業(yè)內(nèi)純陶瓷均無(wú)法直接壓銅,若無(wú)銅則難以形成電路板,現(xiàn)有在純陶瓷上形成銅層的方法有兩種:一種是燒結(jié),燒結(jié)需要采用850~1300℃的高溫進(jìn)行,過(guò)高的溫度對(duì)材料的漲縮影響很大;另一種是濺射,濺射的銅層厚度一般很薄,為1um左右,需轉(zhuǎn)電鍍加厚,在轉(zhuǎn)運(yùn)的過(guò)程中容易氧化形成水印,且加鍍的均勻性難以保障。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題之一,提供一種能夠在相對(duì)較低溫度下實(shí)現(xiàn)銅與陶瓷基層的壓合的陶瓷基板及其制作方法。

      本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:

      一種用于電路板的陶瓷基板,包括陶瓷基層和銅層,所述陶瓷基層和銅層之間設(shè)置有用以連接陶瓷基層和銅層的熱熔層。

      進(jìn)一步的,所述熱熔層由陶瓷粉和可熱熔填料混合而成。

      進(jìn)一步的,所述可熱熔填料由氮化鋁和硅膠混合而成。

      本發(fā)明還提供一種用于制作上述陶瓷基板的方法,其特征在于:包括以下步驟a.將含有陶瓷粉的可熱熔填料涂于陶瓷基層的表面;

      b.將可熱熔填料的上表面覆蓋銅層;

      c.將陶瓷基層、熱熔層和銅層在100℃下壓合10min;

      d.將陶瓷基層、熱熔層和銅層在120℃下壓合10min;

      e.將陶瓷基層、熱熔層和銅層在150℃~180℃下壓合10min。

      進(jìn)一步的,所述可熱熔填料由50~70%的氮化鋁和30~50%的硅膠組成。

      進(jìn)一步的,陶瓷基層、熱熔層和銅層采用真空壓機(jī)進(jìn)行壓合。

      本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供一種用于電路板的陶瓷基板及其制作方法,所述的陶瓷基板依次設(shè)置有陶瓷基層、熱熔層和銅層,所述熱熔層用已連接陶瓷基層和銅層,相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的燒結(jié)和濺射方式,能夠在相對(duì)較低溫度下實(shí)現(xiàn)銅與陶瓷基層的壓合,避免燒結(jié)的高溫漲縮現(xiàn)象,也避免濺射的氧化水印現(xiàn)象,能更好的保障陶瓷基板的質(zhì)量。

      附圖說(shuō)明

      下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

      圖1是本發(fā)明的陶瓷基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實(shí)施方式

      參照?qǐng)D1,本發(fā)明的一種用于電路板的陶瓷基板,包括陶瓷基層1和銅層2,所述陶瓷基層1和銅層2之間設(shè)置有用以連接陶瓷基層1和銅層2的熱熔層3。本發(fā)明中的熱熔層3由陶瓷粉和可熱熔填料組成,相對(duì)現(xiàn)有燒結(jié)的1000℃的高溫,只需要在100℃左右即可實(shí)現(xiàn)融合,然后實(shí)現(xiàn)與銅層2的壓合,由于還含有陶瓷粉,同時(shí)也較容易實(shí)現(xiàn)與陶瓷基層1的壓合,這樣既避免了燒結(jié)的高溫漲縮現(xiàn)象,也避免濺射的氧化水印現(xiàn)象,能更好的保障陶瓷基板的質(zhì)量。進(jìn)一步的,所述可熱熔填料由氮化鋁和硅膠混合而成。

      本發(fā)明還提供一種用于制作上述陶瓷基板的方法,其特征在于:包括以下步驟:

      a.將含有陶瓷粉的可熱熔填料涂于陶瓷基層1的表面;

      b.將可熱熔填料的上表面覆蓋銅層2,本實(shí)施例中,采用銅箔,其他實(shí)施例中,也可采用其他的銅層2的形式;

      c.將陶瓷基層1、熱熔層3和銅層2在100℃下壓合10min,使熱熔層3軟化并且去除夾雜在其中的氣體;

      d.將陶瓷基層1、熱熔層3和銅層2在120℃下壓合10min,使熱熔層3從軟化狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槿廴跔顟B(tài);

      e.將陶瓷基層1、熱熔層3和銅層2在150℃~180℃下壓合10min,使熱熔從熔融狀態(tài)再次轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài),完成燒結(jié)過(guò)程,此時(shí),銅層2和陶瓷基層1分別與熱熔層3的兩側(cè)緊密結(jié)合。

      進(jìn)一步的,所述可熱熔填料由50~70%的氮化鋁和30~50%的硅膠組成。

      進(jìn)一步的,陶瓷基層1、熱熔層3和銅層2采用真空壓機(jī)進(jìn)行壓合。

      以上具體結(jié)構(gòu)和尺寸數(shù)據(jù)是對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說(shuō)明,但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明精神的前提下還可做出種種的等同變形或替換,這些等同的變形或替換均包含在

      本技術(shù):
      權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)了一種用于電路板的陶瓷基板及其制作方法,包括陶瓷基層和銅層,所述陶瓷基層和銅層之間設(shè)置有用以連接陶瓷基層和銅層的熱熔層,相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的燒結(jié)和濺射方式,能夠在相對(duì)較低溫度下實(shí)現(xiàn)銅與陶瓷基層的壓合,避免燒結(jié)的高溫漲縮現(xiàn)象,也避免濺射的氧化水印現(xiàn)象,能更好的保障陶瓷基板的質(zhì)量。

      技術(shù)研發(fā)人員:張志龍
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:鶴山市中富興業(yè)電路有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.06.08
      技術(shù)公布日:2017.09.15
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