本發(fā)明涉及一種靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random?access?memory，sram)，尤其是涉及一種具有增加良率和提升讀取速度的靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)的布局圖案。

背景技術(shù)：

1、在一嵌入式靜態(tài)隨機存取存儲器(embedded?static?random?access?memory,embedded?sram)中，包含有邏輯電路(logic?circuit)和與邏輯電路連接的靜態(tài)隨機存取存儲器。靜態(tài)隨機存取存儲器本身屬于一種易失性(volatile)的存儲單元(memory?cell)，亦即當(dāng)供給靜態(tài)隨機存取存儲器的電力消失之后，所存儲的數(shù)據(jù)會同時抹除。靜態(tài)隨機存取存儲器存儲數(shù)據(jù)的方式是利用存儲單元內(nèi)晶體管的導(dǎo)電狀態(tài)來達成，靜態(tài)隨機存取存儲器的設(shè)計是采用互耦合晶體管為基礎(chǔ)，沒有電容器放電的問題，不需要不斷充電以保持?jǐn)?shù)據(jù)不流失，也就是不需作存儲器更新的動作，這與同屬易失性存儲器的動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory,dram)利用電容器帶電狀態(tài)存儲數(shù)據(jù)的方式并不相同。靜態(tài)隨機存取存儲器的存取速度相當(dāng)快，因此有在電腦系統(tǒng)中當(dāng)作快取存儲器(cachememory)等的應(yīng)用。

2、然而隨著制作工藝線寬與曝光間距的縮減，現(xiàn)今sram元件的制作難以利用現(xiàn)有的架構(gòu)曝出所要的圖案。因此如何改良現(xiàn)有sram元件的架構(gòu)來提升曝光的品質(zhì)即為現(xiàn)今一重要課題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random-access?memory，sram)的布局圖案，包含一基底，多個鰭狀結(jié)構(gòu)位于基底上，各鰭狀結(jié)構(gòu)沿著一第二方向(y方向)延伸，多個柵極結(jié)構(gòu)位于基底上，各柵極結(jié)構(gòu)沿著一第一方向(x方向)延伸，并且橫跨多個鰭狀結(jié)構(gòu)以組成多個晶體管，其中多個晶體管包含有一第一上拉晶體管pu1、一第一下拉晶體管pd1、一第二上拉晶體管pu2、一第二下拉晶體管pd2、一第一存取晶體管pg1a、一第二存取晶體管pg1b、一第三存取晶體管pg2a以及一第四存取晶體管pg2b，一第一字線接觸墊，連接第一存取晶體管pg1a的一柵極以及一第一字線，以及一第二字線接觸墊，連接第二存取晶體管pg1b的一柵極以及一第二字線，其中第一字線接觸墊與第二字線接觸墊在第二方向上不重疊。

2、本發(fā)明提供一種靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random-access?memory，sram)的布局圖案，包含一基底，四個sram單元區(qū)域，以2×2方式排列成一陣列并組成sram的布局圖案，其中每一個sram單元區(qū)域包含:

3、多個鰭狀結(jié)構(gòu)位于基底上，各鰭狀結(jié)構(gòu)沿著一第二方向(y方向)延伸，多個柵極結(jié)構(gòu)位于基底上，各柵極結(jié)構(gòu)沿著一第一方向(x方向)延伸，并且橫跨多個鰭狀結(jié)構(gòu)以組成多個晶體管，其中多個晶體管包含有一第一上拉晶體管pu1、一第一下拉晶體管pd1、一第二上拉晶體管pu2、一第二下拉晶體管pd2、一第一存取晶體管pg1a、一第二存取晶體管pg1b、一第三存取晶體管pg2a以及一第四存取晶體管pg2b，一第一字線接觸墊，連接第一存取晶體管pg1a的一柵極以及一第一字線，一第二字線接觸墊，連接第二存取晶體管pg1b的一柵極以及一第二字線，其中第一字線接觸墊與第二字線接觸墊在第二方向上不重疊，一第三字線接觸墊，連接第三存取晶體管pg2a的一柵極以及第一字線，一第四字線接觸墊，連接第四存取晶體管pg2b的一柵極以及第二字線，其中第三字線接觸墊與第四字線接觸墊在第二方向上不重疊。

4、綜上所述，本發(fā)明提供一8t-sram單元的布局圖案以及一種組合陣列的布局圖案，其特征之一在于其所包含的字線接觸墊呈現(xiàn)交錯排列，如此一來可以避免與相鄰的其他字線接觸墊距離過近而造成制作工藝上的困難。另一個特征在于當(dāng)多個8t-sram單元排列成陣列時，對相鄰的不同區(qū)域而言，中央?yún)^(qū)的圖案會相互鏡射，但周邊區(qū)的字線接觸墊仍維持相同的排列方向，如此可以讓陣列中的每一個區(qū)域與相鄰區(qū)域的字線接觸墊都保持交錯排列，提升產(chǎn)品的良率。

技術(shù)特征：

1.一種靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random-access?memory，sram)的布局圖案，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案還包含:

3.如權(quán)利要求2所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一存取晶體管(pg1a)及該第二存取晶體管(pg1b)與該第一反相器輸出端連接，該第三存取晶體管(pg2a)以及該第四存取晶體管(pg2b)與該第二反相器輸出端連接。

4.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一字線接觸墊的側(cè)邊以及該第二字線接觸墊的側(cè)邊在該第二方向上相互切齊。

5.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一存取晶體管(pg1a)包含有第一柵極結(jié)構(gòu)，該第二存取晶體管(pg1b)包含有第二柵極結(jié)構(gòu)，該第三存取晶體管(pg2a)包含有第三柵極結(jié)構(gòu)，該第四存取晶體管(pg2b)包含有第四柵極結(jié)構(gòu)，該第二上拉晶體管(pu2)與該第二下拉晶體管(pd2)包含有第五柵極結(jié)構(gòu)，該第一上拉晶體管(pu1)以及該第一下拉晶體管(pd1)包含有第六柵極結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中還包含有:

7.如權(quán)利要求5所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中還包含有第一虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)，位于該第一柵極結(jié)構(gòu)與該第五柵極結(jié)構(gòu)之間，并且與該第一柵極結(jié)構(gòu)以及該第五柵極結(jié)構(gòu)在該第一方向上對齊。

8.如權(quán)利要求7所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)不接觸該第一柵極結(jié)構(gòu)、該第五柵極結(jié)構(gòu)或該第六柵極結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，還包含有:

10.如權(quán)利要求9所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一區(qū)域連接層與該第二區(qū)域連接層沿著該第一方向排列。

11.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一存取晶體管(pg1a)與該第二存取電晶體晶體管(pg1b)包含有相同的鰭狀結(jié)構(gòu)，該第三存取晶體管(pg2a)與該第四存取晶體管(pg2b)包含有另一相同的鰭狀結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，還包含第一位線與該第一存取晶體管(pg1a)相連、第二位線與該第二存取電晶體晶體管(pg1b)相連、第三位線與該第三存取晶體管(pg2a)相連以及第四位線與該第四存取晶體管(pg2b)相連。

13.一種靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random-access?memory，sram)的布局圖案，包含：

14.如權(quán)利要求13所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該四個靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域包含有第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域、第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域、第三靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域以及第四靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域，其中該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域在該第一方向上對齊，該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第四靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域在該第二方向上對齊，且該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第三靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域位于該陣列的對角線。

15.如權(quán)利要求14所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域部分重疊，且該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域內(nèi)的該第三字線接觸墊與該第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域內(nèi)的該第一字線接觸墊為同一結(jié)構(gòu)。

16.如權(quán)利要求14所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域部分重疊，且該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域內(nèi)的該第四字線接觸墊與該第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域內(nèi)的該第二字線接觸墊為同一結(jié)構(gòu)。

17.如權(quán)利要求14所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第三靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域包含有相同的圖案，該第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第四靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域包含有相同的圖案。

18.如權(quán)利要求17所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該第一靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域與該第二靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域包含有不同的圖案。

19.如權(quán)利要求13所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中在該四個靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域的任一個靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域中，該第一字線接觸墊與該第二字線接觸墊之間的相對位置關(guān)系，等于該第三字線接觸墊與該第四字線接觸墊之間的相對位置關(guān)系。

20.如權(quán)利要求13所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的布局圖案，其中該四個靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域中的任兩個靜態(tài)隨機存取存儲器單元區(qū)域，其所包含的該第一字線接觸墊、該第二字線接觸墊、該第三字線接觸墊與該第四字線接觸墊的排列方式相同。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的布局圖案，包含一基底，多個鰭狀結(jié)構(gòu)與多個柵極結(jié)構(gòu)位于基底上，以組成多個晶體管，其中多個晶體管包含有一第一上拉晶體管(PU1)、一第一下拉晶體管(PD1)、一第二上拉晶體管(PU2)、一第二下拉晶體管(PD2)、一第一存取晶體管(PG1A)、一第二存取晶體管(PG1B)、一第三存取晶體管(PG2A)以及一第四存取晶體管(PG2B)。一第一字線接觸墊，連接第一存取晶體管(PG1A)的一柵極以及一第一字線，以及一第二字線接觸墊，連接第二存取晶體管(PG1B)的一柵極以及一第二字線，其中第一字線接觸墊與第二字線接觸墊在垂直方向上不重疊。

技術(shù)研發(fā)人員：黃俊憲,郭有策,王淑如,黃莉萍,曾俊硯
受保護的技術(shù)使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10