本技術(shù)實(shí)施例涉及芯片，特別涉及一種電路板組件及電子設(shè)備

背景技術(shù)：

1、隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于電子設(shè)備的性能要求越來(lái)越高，電子設(shè)備中電子器件的良好工作性能是保障電子設(shè)備具有高性能的重要因素之一，而電子器件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生相互電磁干擾，影響電子器件以及電子設(shè)備的工作性能。

2、相關(guān)技術(shù)中，為了對(duì)電子器件提供屏蔽作用，往往在設(shè)有電子器件的電路板上設(shè)置屏蔽罩，屏蔽罩與電路板之間形成屏蔽空間，將對(duì)電磁干擾較為敏感的電子器件設(shè)置于該屏蔽空間內(nèi)，從而能夠提高屏蔽空間內(nèi)的電子器件的抗干擾能力。

3、然而，由于屏蔽罩罩設(shè)在電子器件上，若電子器件的高度較大時(shí)，造成屏蔽罩的厚度較大，對(duì)電子設(shè)備內(nèi)的空間占用較大，從而制約電子設(shè)備的進(jìn)一步減薄。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供一種電路板組件及電子設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了可以解決電子器件的高度較大時(shí)，造成屏蔽罩的厚度較大，對(duì)電子設(shè)備內(nèi)的空間占用較大，從而制約電子設(shè)備的進(jìn)一步減薄的技術(shù)問(wèn)題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)實(shí)施例提供如下技術(shù)方案：

3、本技術(shù)實(shí)施例的第一方面提供一種電路板組件，電路板組件包括電路板、電子器件和屏蔽結(jié)構(gòu)；電子器件設(shè)置于電路板，屏蔽結(jié)構(gòu)罩設(shè)于電子器件且與電路板相連；屏蔽結(jié)構(gòu)包括屏蔽罩和屏蔽層，屏蔽罩內(nèi)具有容納腔，容納腔內(nèi)與電路板相對(duì)的內(nèi)壁開(kāi)設(shè)有與容納腔內(nèi)外連通的開(kāi)口；屏蔽層位于屏蔽罩的外表面，且屏蔽層與屏蔽罩的外表面相連并覆蓋開(kāi)口，電子器件的部分位于容納腔，電子器件的部分位于開(kāi)口內(nèi)；屏蔽層的厚度小于屏蔽罩的壁厚。

4、本技術(shù)實(shí)施例提供一種電路板組件及電子設(shè)備，電路板組件通過(guò)包括電路板、電子器件和屏蔽結(jié)構(gòu)。通過(guò)將屏蔽結(jié)構(gòu)罩設(shè)于電子器件上且屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于電路板上，從而能夠?qū)υO(shè)置于屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)的電子器件進(jìn)行保護(hù)，降低電磁干擾對(duì)該屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)的電子器件的影響，提高了屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)的電子器件的工作性能，進(jìn)而提高了電路板組件的工作性能。

5、屏蔽結(jié)構(gòu)通過(guò)將電子器件設(shè)置于屏蔽罩的容納腔內(nèi)，屏蔽層設(shè)置于屏蔽罩的外表面并覆蓋于開(kāi)口上，使得電子器件的部分位于容納腔內(nèi)，電子器件的部分位于開(kāi)口內(nèi)，從而在電子器件增高的情況下，不需要增加屏蔽罩的高度，進(jìn)而降低了屏蔽結(jié)構(gòu)的高度。再有，若使用現(xiàn)有技術(shù)中的屏蔽罩與本技術(shù)實(shí)施例的屏蔽結(jié)構(gòu)對(duì)同樣高度的電子器件進(jìn)行電磁屏蔽，由于現(xiàn)有技術(shù)中的屏蔽罩的最小高度等于屏蔽罩的壁厚加上電子器件的高度，而本技術(shù)中的屏蔽結(jié)構(gòu)的最小高度等于電子器件的高度加上屏蔽層的高度，且本技術(shù)實(shí)施例的屏蔽層的厚度小于屏蔽罩的壁厚，因此在對(duì)同樣高度的電子器件進(jìn)行電磁屏蔽時(shí)，本技術(shù)實(shí)施例中的屏蔽結(jié)構(gòu)的高度要小于現(xiàn)有技術(shù)中的屏蔽罩的高度，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)本技術(shù)實(shí)施例的屏蔽結(jié)構(gòu)能夠降低電路板組件在電子設(shè)備內(nèi)的空間占有。

6、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽結(jié)構(gòu)還包括焊接層，焊接層設(shè)置于屏蔽層和屏蔽罩的外表面之間，屏蔽層通過(guò)焊接層與屏蔽罩相連。

7、通過(guò)在屏蔽罩和屏蔽層之間設(shè)置焊接層，以使屏蔽層通過(guò)焊接層與屏蔽罩的外表面之間以焊接的方式相連，能夠使屏蔽罩的外表面與屏蔽層之間通過(guò)實(shí)現(xiàn)金屬連接，提高了屏蔽層和屏蔽罩的連接處的抗電磁干擾的能力，從而提高了屏蔽結(jié)構(gòu)對(duì)電子器件的屏蔽效果，降低了電磁干擾對(duì)容納腔內(nèi)的電子器件的工作的影響，進(jìn)而提高了電路板組件的屏蔽效果以及電路板組件的工作性能。

8、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽層為柔性電路板。通過(guò)將屏蔽層設(shè)置為柔性電路板，由于柔性電路板具有質(zhì)量輕、厚度薄、可自由彎曲等特性，相較于現(xiàn)有技術(shù)中使用一體式的屏蔽結(jié)構(gòu)，由于開(kāi)口處通過(guò)厚度較薄且質(zhì)量較輕的柔性電路板來(lái)覆蓋，能夠在保障良好的屏蔽效果的基礎(chǔ)上，能夠降低屏蔽結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，從而能夠降低電路板組件的整體重量，且能夠提高屏蔽層的抗彎折性能。

9、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽層為金屬層。使金屬層與屏蔽罩的外表面之間通過(guò)焊接層進(jìn)行焊接，并使屏蔽層通過(guò)焊接層與屏蔽罩形成金屬材料的屏蔽結(jié)構(gòu)，從而能夠屏蔽電磁干擾對(duì)容納腔內(nèi)的電子器件的影響。

10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽層還包括第一防護(hù)層，第一防護(hù)層設(shè)置于金屬層朝向開(kāi)口的表面。

11、通過(guò)將第一防護(hù)層設(shè)置于金屬層上朝向開(kāi)口一側(cè)表面上，能夠?qū)饘賹舆M(jìn)行防護(hù)，是金屬層與電子器件通過(guò)第一防護(hù)層進(jìn)行分隔，避免金屬層因與容納腔內(nèi)的電子器件發(fā)生磕碰而導(dǎo)致金屬層的損壞，從而提高了金屬層的防護(hù)性能，且提高了屏蔽結(jié)構(gòu)的使用壽命。

12、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽層還包括第二防護(hù)層，第二防護(hù)層設(shè)置于金屬層背向開(kāi)口的表面。

13、通過(guò)將第二防護(hù)層設(shè)置于金屬層上背向開(kāi)口一側(cè)表面上，能夠使屏蔽結(jié)構(gòu)外設(shè)置于電路板組件上的其他電子器件與金屬層之間通過(guò)第二防護(hù)層進(jìn)行分隔，以對(duì)金屬層進(jìn)行防護(hù)，避免在組裝電路板組件的過(guò)程中損壞金屬層，從而提高了金屬層的防護(hù)性能，且提高了屏蔽結(jié)構(gòu)的使用壽命。

14、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一防護(hù)層為第一絕緣層或者第一絕緣導(dǎo)熱層；第二防護(hù)層為第二絕緣層或者第二絕緣導(dǎo)熱層。

15、通過(guò)將第一防護(hù)層設(shè)置為第一絕緣層，能夠使容納腔內(nèi)的電子器件與金屬層之間通過(guò)第一絕緣層進(jìn)行電絕緣分隔，以避免設(shè)置于容納腔內(nèi)的電子器件與金屬層之間產(chǎn)生電接觸，提高了電子器件和電路板組件的工作性能。而通過(guò)將第一防護(hù)層設(shè)置為第一絕緣導(dǎo)熱層，以使第一絕緣導(dǎo)熱層將容納腔內(nèi)的電子器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量傳遞至金屬層上，并進(jìn)一步通過(guò)金屬層傳遞至屏蔽結(jié)構(gòu)的外部，從而加快將電子器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量傳遞至屏蔽結(jié)構(gòu)的外部，提高了屏蔽結(jié)構(gòu)的散熱效果，進(jìn)而提高了電路板組件的散熱能力。

16、通過(guò)將第二防護(hù)層設(shè)置為第二絕緣層，并將第二絕緣層設(shè)置于金屬層上背向開(kāi)口一側(cè)表面上，能夠使屏蔽結(jié)構(gòu)外設(shè)置于電路板組件上的其他電子器件與金屬層之間通過(guò)第二絕緣層進(jìn)行絕緣分隔，以避免屏蔽結(jié)構(gòu)外的其他電子器件與金屬層之間產(chǎn)生電接觸，提高了電子器件和電路板組件的工作性能。

17、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽罩朝向開(kāi)口的端部具有第一凸緣，第一凸緣的內(nèi)沿圍成開(kāi)口；屏蔽層與第一凸緣朝向屏蔽層的表面與屏蔽罩相連。

18、通過(guò)在屏蔽罩朝向開(kāi)口的端部設(shè)置第一凸緣，以使第一凸緣的內(nèi)沿圍成開(kāi)口，從而能夠增加屏蔽罩的外表面與屏蔽層之間的連接面的面積，提高了屏蔽層與屏蔽罩的外表面的連接穩(wěn)定性。

19、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽罩朝向電路板的端部具有第二凸緣，第二凸緣繞屏蔽罩的外周設(shè)置，第二凸緣沿背向屏蔽罩的側(cè)面延伸；屏蔽罩通過(guò)第二凸緣與電路板相連。

20、通過(guò)在屏蔽罩朝向電路板的端部的外周設(shè)置背向屏蔽罩的側(cè)面延伸的第二凸緣，并使屏蔽罩通過(guò)第二凸緣與電路板相連，能夠提高屏蔽罩與電路板之間的連接面的面積，從而能夠提高屏蔽罩與電路板之間的連接穩(wěn)定性。

21、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽層的厚度大于等于0.01mm且小于等于0.1mm。通過(guò)將屏蔽層的厚度設(shè)置為大于等于0.01mm且小于等于0.1mm，從而能夠降低屏蔽層的厚度，以降低屏蔽結(jié)構(gòu)的整體高度，減小了屏蔽結(jié)構(gòu)的體積，降低屏蔽結(jié)構(gòu)在電路板組件中的占用空間，且提高了電路板組件的整體空間利用率。再有，通過(guò)將屏蔽層的厚度設(shè)置為大于等于0.01mm且小于等于0.1mm，能夠避免因低于0.01mm而導(dǎo)致屏蔽層過(guò)薄而容易損壞，以及因大于0.1mm而過(guò)后導(dǎo)致屏蔽結(jié)構(gòu)的整體高度過(guò)大而導(dǎo)致屏蔽結(jié)構(gòu)的占用空間較大。

22、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，金屬層的材料為金屬銅、金屬鋁或者金屬合金。

23、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一防護(hù)層和第二防護(hù)層的材料為聚酰亞胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯和聚乙烯。

24、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，屏蔽層通過(guò)焊接層焊接于屏蔽罩時(shí)的焊接溫度小于電子器件焊接于電路板時(shí)的焊接溫度。

25、相較于電路板組件中的電子器件通過(guò)較高熔點(diǎn)的焊接材料焊接在電路板上，采用熔化溫度較低的焊接層將屏蔽層和屏蔽罩的外表面進(jìn)行連接，能夠避免在熔化焊接層時(shí)導(dǎo)致電子器件與電路板之間的焊接材料因溫度過(guò)高熔化而導(dǎo)致焊接失效的問(wèn)題。

26、本技術(shù)實(shí)施例的第二方面提供一種電子設(shè)備，其包括如上述的電路板組件。

27、本技術(shù)實(shí)施例提供一種電路板組件及電子設(shè)備，電子設(shè)備通過(guò)使用上述的電路板組件，由于電路板組件使用上述的屏蔽結(jié)構(gòu)，從而能夠降低電路板組件在電子設(shè)備內(nèi)的空間占有進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備的進(jìn)一步減薄。