所公開(kāi)的各種實(shí)施例總體上涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件，更具體地，涉及一種包括具有可變寬度的字線以改善行錘特性的半導(dǎo)體集成電路器件。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括多個(gè)字線、多個(gè)位線以及儲(chǔ)存元件，所述儲(chǔ)存元件連接在字線與位線之間。

2、隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件已變得高度集成，字線之間的間距已變得更窄，從而在字線之間產(chǎn)生更多耦合。

3、此外，隨著字線的切換次數(shù)(或字線訪問(wèn)的頻率)增加，(與相鄰字線連接的)儲(chǔ)存器件中的數(shù)據(jù)可以被耦合到對(duì)應(yīng)的字線，從而能夠產(chǎn)生行錘效應(yīng)。行錘效應(yīng)經(jīng)常引起來(lái)自?xún)?chǔ)存元件的數(shù)據(jù)丟失，這降低了儲(chǔ)存元件的刷新特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)這里呈現(xiàn)的所公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體集成電路器件，該半導(dǎo)體集成電路器件包括半導(dǎo)體襯底、有源區(qū)以及字線。有源區(qū)由形成在半導(dǎo)體襯底中的隔離區(qū)限定。有源區(qū)包括至少一個(gè)接觸區(qū)。字線包括主柵極和旁通柵極(pass?gate)。主柵極被布置在有源區(qū)中。旁通柵極位設(shè)成遠(yuǎn)離主柵極。旁通柵極位處于隔離區(qū)中。接觸區(qū)被布置在主柵極的一側(cè)處。主柵極的側(cè)壁包括：被配置為圍繞接觸區(qū)的第一凹陷部分。第一凹陷部分可以與接觸區(qū)間隔開(kāi)第一距離。

2、在各種實(shí)施例中，接觸區(qū)可以包括儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸。

3、在各種實(shí)施例中，第一距離可以是用于引起字線與接觸區(qū)之間的電荷耦合與絕緣保持的最大距離。

4、在各種實(shí)施例中，有源區(qū)中的接觸區(qū)可以包括多個(gè)接觸區(qū)。接觸區(qū)中的任何一個(gè)接觸區(qū)可以是位處于主柵極的第一側(cè)處的儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸。接觸區(qū)中的另一個(gè)接觸區(qū)可以是位處于主柵極的另一側(cè)的位線接觸。

5、根據(jù)所公開(kāi)的實(shí)施例，提供了另一種半導(dǎo)體集成電路器件，所述另一種半導(dǎo)體集成電路器件包括多個(gè)有源區(qū)和多個(gè)字線。有源區(qū)由隔離區(qū)限定。每個(gè)有源區(qū)包括：被配置為與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸和位線接觸接觸的部分。每個(gè)字線包括多個(gè)第一柵極和多個(gè)第二柵極。第一柵極在有源區(qū)中的儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸與位線接觸之間穿過(guò)。第二柵極從主柵極延伸以穿過(guò)隔離區(qū)。第一柵極包括第一凹陷部分和第二凹陷部分。第一凹陷部分位處于第一柵極的與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸相鄰的第一側(cè)壁處。第二凹陷部分位處于第一柵極的與位線接觸相鄰的第二側(cè)壁處。

6、根據(jù)所公開(kāi)的實(shí)施例，提供了另一種半導(dǎo)體集成電路器件，該半導(dǎo)體集成電路器件包括多個(gè)有源區(qū)和多個(gè)字線。字線在被配置為限定有源區(qū)的隔離區(qū)上平行地延伸。每個(gè)字線包括：穿過(guò)有源區(qū)的主柵極、和穿過(guò)隔離區(qū)的旁通柵極。主柵極的寬度和旁通柵極中的第一部分的寬度比字線的寬度窄。從旁通柵極的第一部分延伸的第二部分具有與字線的寬度基本相同的寬度。

7、根據(jù)各種實(shí)施例，字線可以具有凹陷的柵極結(jié)構(gòu)以防止在字線之間的界面處產(chǎn)生電荷耦合。此外，任何剩余電荷可以被傳輸?shù)较噜彽膬?chǔ)存電容器，以改善行錘特性。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體集成電路器件，所述半導(dǎo)體集成電路器件包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述接觸區(qū)包括儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第一距離是用于引起所述字線與所述接觸區(qū)之間的電荷耦合的最大距離。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述有源區(qū)中的所述接觸區(qū)包括多個(gè)區(qū)，所述接觸區(qū)中的一個(gè)接觸區(qū)是位于所述主柵極的第一側(cè)處的儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸，而所述接觸區(qū)中的另一個(gè)接觸區(qū)是位于所述主柵極的第二側(cè)處的位線接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第一凹陷部分位處于所述主柵極的所述第一側(cè)處，所述主柵極還包括第二凹陷部分，所述第二凹陷部分形成在所述主柵極的第二側(cè)處，與所述第一凹陷部分相對(duì)，以及在所述主柵極與所述位線接觸之間形成第二距離。

6.一種半導(dǎo)體集成電路器件，所述半導(dǎo)體集成電路器件包括：

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第一柵極的所述第一側(cè)壁在第一距離內(nèi)沿水平方向、豎直方向以及對(duì)角線方向中的至少一個(gè)方向圍繞所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第一距離是用于引起所述第一柵極與所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸之間的電荷耦合的最大距離。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，包括所述第二凹陷部分的所述第一柵極的所述第二側(cè)壁與所述位線接觸間隔開(kāi)第二距離。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第二距離是用于防止電荷耦合的最小距離。

11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第二柵極包括：第一部分，所述第一部分面向與所述字線相鄰的相鄰有源區(qū)；和第二部分，所述第二部分面向與所述字線相鄰的另一個(gè)字線。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第二柵極的所述第一部分具有與所述第二柵極的所述第二部分的寬度不同的寬度。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第二柵極包括第三凹陷部分，所述第三凹陷部分形成在面向所述相鄰有源區(qū)的第二結(jié)區(qū)的所述第一部分的側(cè)壁處，并且在所述第二柵極的所述第一部分與電連接到所述儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)接觸的所述第二結(jié)區(qū)之間在所有方向上通過(guò)所述第三凹陷部分而保持第三距離。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第三距離是用于防止電荷耦合的最小距離。

15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其中，所述第一柵極的寬度與所述第二柵極的所述第一部分的寬度基本相同，并且所述第二柵極的所述第一部分的寬度比所述第二柵極的所述第二部分的寬度窄。

16.一種半導(dǎo)體集成電路器件，所述半導(dǎo)體集成電路器件包括：

17.一種半導(dǎo)體集成電路器件，所述半導(dǎo)體集成電路器件包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體集成電路器件，其包括半導(dǎo)體襯底、有源區(qū)以及字線。有源區(qū)由形成在半導(dǎo)體襯底中的隔離區(qū)限定。有源區(qū)包括至少一個(gè)接觸區(qū)。字線包括主柵極和旁通柵極。主柵極被布置在有源區(qū)中。旁通柵極位設(shè)成遠(yuǎn)離主柵極。旁通柵極位處于隔離區(qū)中。接觸區(qū)被布置在主柵極的一側(cè)處。主柵極的側(cè)壁包括：被配置為圍繞接觸區(qū)的第一凹陷部分。第一凹陷部分可以與接觸區(qū)間隔開(kāi)第一距離。

技術(shù)研發(fā)人員：姜錫永
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/6/26