本發(fā)明涉及射頻電路，特別是一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器。

背景技術(shù)：

1、分支線耦合器是射頻前端中的關(guān)鍵無源器件之一，常常用于功率分配和功率合成，在直通和耦合端口之間提供等幅的功率分配。傳統(tǒng)的分支線耦合器的幾何形狀如圖1所示，端口1為輸入端，端口2和端口3為輸出端，端口4為隔離端。理想情況下輸入功率對等分配給輸出端口2和3，兩個端口的輸出相位相差90°，隔離端端口4沒有功率信號。

2、然而，傳統(tǒng)的分支線耦合器，一旦設(shè)計完成，只能工作在設(shè)計的某一特定頻率，在其他頻率下無法正常使用。如果需要改變耦合器的工作頻率，方法只有重新設(shè)計加工對應(yīng)頻率的分支線耦合器，如此不僅增加了工作量和成本，而且還需要一定時間加工制作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于，提供一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器。本發(fā)明具有能切換工作頻率從而可在不同頻率下工作和使用的優(yōu)點(diǎn)。

2、本發(fā)明的技術(shù)方案：一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，端口1、三號fet管的源極、一號fet管的漏極和第一電容的正端均連接到v1；三號fet管的柵極與第三電阻的負(fù)端相連，第三電阻的正端與端口5相連；三號fet管的漏極與三號電感的正端相連，三號電感的負(fù)端與四號fet管的漏極相連；四號fet管的柵極與第四電阻的正端相連，第四電阻的負(fù)端與端口6相連；

3、一號fet管的源極與一號電感的正端相連，一號fet管的柵極與第一電阻的負(fù)端相連；第一電阻的正端、第二電阻的正端和端口9均連接到v5；

4、端口2、一號電感的負(fù)端、四號fet管的源極和第二電容的正端均連接到v2；

5、端口3、二號電感的負(fù)端、第二電容的負(fù)端和六號fet管的源極均連接到v3；

6、二號fet管的源極與二號電感的正端相連，二號fet管的柵極與第二電阻的負(fù)端相連；

7、六號fet管的柵極與第六電阻的正端相連，第六電阻的負(fù)端與端口7相連；

8、五號fet管的漏極與四號電感的正端相連，五號fet管的柵極與第五電阻的負(fù)端相連，第五電阻的正端與端口8相連；

9、端口4、五號fet管的源極、二號fet管的漏極和第一電容的負(fù)端均連接到v4。

10、前述的工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器中，所述一號fet管、二號fet管、三號fet管、四號fet管、五號fet管和六號fet管均為砷化鎵半導(dǎo)體化合物phemt工藝下的n型增強(qiáng)型fet管。

11、前述的工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器中，所述端口1為分支線耦合器的輸入端，端口2為分支線耦合器的直通端，端口3為分支線耦合器的耦合端，端口4為分支線耦合器的隔離端。

12、前述的工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器中，所述一號fet管、二號fet管、三號fet管、四號fet管、五號fet管和六號fet管的尺寸相同。

13、前述的工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器中，所述第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻和第六電阻的阻值相同。

14、前述的工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器中，所述第一電容和第二電容的電容值相同。

15、前述的工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器中，所述一號電感和二號電感的電感值相同；所述三號電感和四號電感的電感值相同。

16、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明設(shè)計了一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，通過采用集總參數(shù)元件電容電感來代替微帶線，利用晶體管的通斷來實(shí)現(xiàn)工作頻率的數(shù)字控制，使得本申請的分支線耦合器能工作在不同的頻率下。

17、因此，本發(fā)明具有能切換工作頻率從而可在不同頻率下工作和使用的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，其特征在于：端口1、三號fet管(m3)的源極、一號fet管(m1)的漏極和第一電容(c1)的正端均連接到v1；三號fet管(m3)的柵極與第三電阻(r3)的負(fù)端相連，第三電阻(r3)的正端與端口5相連；三號fet管(m3)的漏極與三號電感(l3)的正端相連，三號電感(l3)的負(fù)端與四號fet管(m4)的漏極相連；四號fet管(m4)的柵極與第四電阻(r4)的正端相連，第四電阻(r4)的負(fù)端與端口6相連；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，其特征在于：所述一號fet管(m1)、二號fet管(m2)、三號fet管(m3)、四號fet管(m4)、五號fet管(m5)和六號fet管(m6)均為砷化鎵半導(dǎo)體化合物phemt工藝下的n型增強(qiáng)型fet管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，其特征在于：所述端口1為分支線耦合器的輸入端，端口2為分支線耦合器的直通端，端口3為分支線耦合器的耦合端，端口4為分支線耦合器的隔離端。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，其特征在于：所述一號fet管(m1)、二號fet管(m2)、三號fet管(m3)、四號fet管(m4)、五號fet管(m5)和六號fet管(m6)的尺寸相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，其特征在于：所述第一電阻(r1)、第二電阻(r2)、第三電阻(r3)、第四電阻(r4)、第五電阻(r5)和第六電阻(r6)的阻值相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，其特征在于：所述第一電容(c1)和第二電容(c2)的電容值相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，其特征在于：所述一號電感(l1)和二號電感(l2)的電感值相同；所述三號電感(l3)和四號電感(l4)的電感值相同。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，端口1與M3源極、M1漏極、C1正端連接V1；M3柵極與R3負(fù)端相連；R3正端與端口5相連；M3漏極與L3正端相連；L3負(fù)端與M4漏極相連；M4柵極與R4正端相連；R4負(fù)端與端口6相連；M1源極與L1正端相連；M1柵極與R1負(fù)端相連；R1正端與R2正端、端口9連接V5；端口2與L1負(fù)端、M4源極、C2正端連接V2；端口3與L2負(fù)端、C2負(fù)端、M6源極連接V3；M2源極與L2正端相連；M6柵極與R6正端相連；R6負(fù)端與端口7相連；M2柵極與R2負(fù)端相連；M5漏極與L4正端相連；M5柵極與R5負(fù)端相連；R5正端與端口8相連；本發(fā)明設(shè)計了一種工作頻段可數(shù)字控制的分支線耦合器，實(shí)現(xiàn)工作頻率的數(shù)字控制，能工作在不同的頻率下。

技術(shù)研發(fā)人員：黃定龍,朱丹丹,許盈穎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江研煌科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23