本公開總體上涉及具有支撐結(jié)構(gòu)的存儲器裝置，并且更具體地，涉及具有位于連接區(qū)域中的支撐結(jié)構(gòu)的存儲器裝置。

背景技術(shù)：

1、存儲器裝置可以包括其中存儲有數(shù)據(jù)的存儲器單元陣列、被配置為對存儲器單元陣列執(zhí)行編程操作、讀取操作或擦除操作的外圍電路以及被配置為控制外圍電路的控制電路。

2、存儲器單元陣列可以包括多個(gè)存儲塊。當(dāng)存儲塊形成為三維結(jié)構(gòu)時(shí)，存儲塊可以通過狹縫區(qū)域彼此分開。

3、以三維結(jié)構(gòu)形成的存儲塊可以包括其中存儲器單元在垂直方向上堆疊在基板上的堆疊結(jié)構(gòu)。堆疊結(jié)構(gòu)可以包括交替堆疊的多條柵極線和多個(gè)絕緣層。當(dāng)存儲塊由堆疊結(jié)構(gòu)配置時(shí)，可以使用支撐結(jié)構(gòu)來防止堆疊結(jié)構(gòu)在存儲器裝置的制造工藝中彎曲或損壞。例如，支撐結(jié)構(gòu)可以位于單元區(qū)域或限定在單元區(qū)域兩個(gè)端部處的連接區(qū)域中。

4、隨著存儲器裝置的集成度增加，包括在單元區(qū)域和連接區(qū)域中的支撐結(jié)構(gòu)的大小減小。因此，可能出現(xiàn)其中一些支撐結(jié)構(gòu)彼此接觸的橋接(bridge)。出現(xiàn)在應(yīng)該彼此電隔離的支撐結(jié)構(gòu)之間的橋接成為存儲器裝置中的缺陷，因此，存儲器裝置的制造工藝的良率可能劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的一方面，提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：堆疊結(jié)構(gòu)；第一支撐結(jié)構(gòu)，所述第一支撐結(jié)構(gòu)穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一支撐結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此間隔開；第一突出圖案，所述第一突出圖案穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一突出圖案在第二方向上與所述第一支撐結(jié)構(gòu)中的一個(gè)間隔開；第一外部支撐結(jié)構(gòu)，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)沿著所述第一方向從所述第一突出圖案延伸；以及中間支撐結(jié)構(gòu)，所述中間支撐結(jié)構(gòu)穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述中間支撐結(jié)構(gòu)在所述第一支撐結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中在所述第二方向上延伸，所述中間支撐結(jié)構(gòu)與所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)接觸。

2、根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：堆疊結(jié)構(gòu)；第一外部支撐結(jié)構(gòu)和第二外部支撐結(jié)構(gòu)，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)和所述第二外部支撐結(jié)構(gòu)穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)和所述第二外部支撐結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此平行地延伸；中間支撐結(jié)構(gòu)，所述中間支撐結(jié)構(gòu)在所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)和所述第二外部支撐結(jié)構(gòu)之間在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸；以及突出圖案，所述突出圖案穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述突出圖案沿著所述第一方向從所述中間支撐結(jié)構(gòu)延伸，其中，所述突出圖案在所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)和所述第二外部支撐結(jié)構(gòu)從所述中間支撐結(jié)構(gòu)延伸的方向的相反方向上延伸。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一突出圖案具有在所述第一方向上延伸的線形形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)與所述第一突出圖案接觸，并且具有在所述第一方向上延伸的線形形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一突出圖案和所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)位于所述中間支撐結(jié)構(gòu)和所述第一支撐結(jié)構(gòu)中的一些第一支撐結(jié)構(gòu)之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述中間支撐結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的寬度比在所述第一方向上相鄰的所述第一支撐結(jié)構(gòu)之間的距離窄。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一突出圖案在所述第二方向上的寬度等于所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)在所述第二方向上的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一突出圖案在所述第二方向上的寬度比所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)在所述第二方向上的寬度窄。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一突出圖案在所述第二方向上的寬度比所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)在所述第二方向上的寬度寬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，所述存儲器裝置還包括位于在所述第一方向上相鄰的所述第一支撐結(jié)構(gòu)之間的接觸件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，所述接觸件在所述第二方向上與所述中間支撐結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)并且間隔開。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)的一部分位于所述接觸件和所述中間支撐結(jié)構(gòu)之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述中間支撐結(jié)構(gòu)與所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)垂直接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，所述存儲器裝置還包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器裝置，其中，所述第二突出圖案的長度等于所述第一突出圖案的長度。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，所述存儲器裝置還包括平行于所述第一突出圖案的第三突出圖案，所述第三突出圖案與所述中間支撐結(jié)構(gòu)接觸。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述第一突出圖案的角部具有直角形狀或弧形形狀。

17.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器裝置，所述存儲器裝置還包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)中的與所述中間支撐結(jié)構(gòu)接觸的區(qū)域位于所述接觸件和所述中間支撐結(jié)構(gòu)之間。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中，所述接觸件與所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)之間的距離大于所述第二支撐結(jié)構(gòu)與所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)之間的距離。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及具有支撐結(jié)構(gòu)的存儲器裝置。一種存儲器裝置包括：堆疊結(jié)構(gòu)；第一支撐結(jié)構(gòu)，所述第一支撐結(jié)構(gòu)穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一支撐結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此間隔開；第一突出圖案，所述第一突出圖案穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一突出圖案在第二方向上與所述第一支撐結(jié)構(gòu)中的一個(gè)間隔開；第一外部支撐結(jié)構(gòu)，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)沿著所述第一方向從所述第一突出圖案延伸；以及中間支撐結(jié)構(gòu)，所述中間支撐結(jié)構(gòu)穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述中間支撐結(jié)構(gòu)在所述第一支撐結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中在所述第二方向上延伸，所述中間支撐結(jié)構(gòu)與所述第一外部支撐結(jié)構(gòu)接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：金宰浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19