本技術(shù)涉及一種光耦繼電器，具體為大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，屬于光耦繼電器。

背景技術(shù)：

1、光耦繼電器屬于固態(tài)繼電器，沒有觸點(diǎn)，其工作原理與光耦有點(diǎn)類似，基本結(jié)構(gòu)如下：發(fā)光二極管用來向光電元件放射光線，光電元件接受光線并控制輸出場效應(yīng)管導(dǎo)通或截止。光耦繼電器還有另一種可控硅整流管(scr)輸出，負(fù)載電流比場效應(yīng)管更大，可達(dá)到幾十安培。光耦繼電器由于沒有觸點(diǎn)引起的磨損，使用壽命是無限的，同時(shí)也具有無震動(dòng)、無切換聲音等特性，可控制各種負(fù)載(燈泡、發(fā)光二極管、加熱器、馬達(dá)等)。

2、光耦繼電器在使用時(shí)會(huì)泄露電流，光耦的漏電流是光敏元件在輸入端產(chǎn)生的電流，即光敏元件接收到的光信號(hào)所產(chǎn)生的泄漏電流，通常在幾十至幾百納安，而且市面上現(xiàn)有的光耦繼電器的最大負(fù)載電壓一般在1500v，難以滿足實(shí)際生產(chǎn)中的使用需求，為此，提出一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，以解決或緩解現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，至少提供一種有益的選擇。

2、本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，包括主體組件，所述主體組件包括第一金屬電極、第二金屬電極、導(dǎo)光柱、光電池傳感器、兩個(gè)碳化硅mos管、透明軟膠、兩個(gè)發(fā)光二極管和兩個(gè)接收窗口；

3、所述第一金屬電極位于所述第二金屬電極的上方，兩個(gè)所述發(fā)光二極管對(duì)稱安裝于所述第一金屬電極的下表面，所述光電池傳感器安裝于所述第二金屬電極的上表面，所述光電池傳感器的位置與所述發(fā)光二極管的位置相對(duì)應(yīng)，兩個(gè)所述碳化硅mos管對(duì)稱安裝于所述第二金屬電極的上表面，所述透明軟膠固定連接于所述第一金屬電極的下表面，兩個(gè)所述接收窗口對(duì)稱設(shè)置于所述光電池傳感器的上表面，所述導(dǎo)光柱位于所述第一金屬電極與所述第二金屬電極之間。

4、進(jìn)一步優(yōu)選的，所述發(fā)光二極管的電性輸入端與所述第一金屬電極電性輸出端電性連接，所述光電池傳感器的電性輸入端與所述第二金屬電極的電性輸出端電性連接。

5、進(jìn)一步優(yōu)選的，兩個(gè)所述接收窗口的位置與兩個(gè)所述發(fā)光二極管的位置相對(duì)應(yīng)。

6、進(jìn)一步優(yōu)選的，所述導(dǎo)光柱的下表面貼合于所述光電池傳感器的上表面，所述導(dǎo)光柱的上表面貼合于所述透明軟膠的下表面。

7、進(jìn)一步優(yōu)選的，所述透明軟膠包覆于兩個(gè)所述發(fā)光二極管的外部。

8、進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一金屬電極的一側(cè)安裝有引腳組件，所述引腳組件包括第一引腳、第二引腳、第三引腳、第四引腳、第五引腳、第六引腳和塑料封裝外殼；

9、所述第四引腳、第五引腳和第六引腳均固定連接于所述第一金屬電極的一側(cè)并與所述塑料封裝外殼固定連接。

10、進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均固定連接于所述第二金屬電極的一側(cè)并與所述塑料封裝外殼固定連接。

11、進(jìn)一步優(yōu)選的，所述塑料封裝外殼封裝于所述主體組件的外部。

12、本實(shí)用新型實(shí)施例由于采用以上技術(shù)方案，其具有以下優(yōu)點(diǎn)：本實(shí)用新型通過第一引腳、第二引腳和第三引腳的配合分別控制兩個(gè)發(fā)光二極管，可以使兩個(gè)發(fā)光二極管交錯(cuò)進(jìn)行發(fā)光和關(guān)閉，以實(shí)現(xiàn)更高頻的開關(guān)切換，使用碳化硅mos管能承受更高的工作溫度，進(jìn)而降低泄漏電流，使泄露電流低于10na，通過在光電池傳感器上設(shè)置兩個(gè)接收窗口，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的接收，進(jìn)而對(duì)外部負(fù)載進(jìn)行控制，通過利用碳化硅mos管的特性，可以提高光耦繼電器的最大負(fù)載電壓達(dá)到2000vdc，以滿足實(shí)際生產(chǎn)中的使用需求。

13、上述概述僅僅是為了說明書的目的，并不意圖以任何方式進(jìn)行限制。除上述描述的示意性的方面、實(shí)施方式和特征之外，通過參考附圖和以下的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型進(jìn)一步的方面、實(shí)施方式和特征將會(huì)是容易明白的。

技術(shù)特征：

1.一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，包括主體組件(101)，其特征在于：所述主體組件(101)包括第一金屬電極(11)、第二金屬電極(12)、導(dǎo)光柱(13)、光電池傳感器(14)、兩個(gè)碳化硅mos管(15)、透明軟膠(16)、兩個(gè)發(fā)光二極管(17)和兩個(gè)接收窗口(18)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，其特征在于：所述發(fā)光二極管(17)的電性輸入端與所述第一金屬電極(11)電性輸出端電性連接，所述光電池傳感器(14)的電性輸入端與所述第二金屬電極(12)的電性輸出端電性連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，其特征在于：兩個(gè)所述接收窗口(18)的位置與兩個(gè)所述發(fā)光二極管(17)的位置相對(duì)應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，其特征在于：所述導(dǎo)光柱(13)的下表面貼合于所述光電池傳感器(14)的上表面，所述導(dǎo)光柱(13)的上表面貼合于所述透明軟膠(16)的下表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，其特征在于：所述透明軟膠(16)包覆于兩個(gè)所述發(fā)光二極管(17)的外部。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，其特征在于：所述第一金屬電極(11)的一側(cè)安裝有引腳組件(301)，所述引腳組件(301)包括第一引腳(31)、第二引腳(32)、第三引腳(33)、第四引腳(34)、第五引腳(35)、第六引腳(36)和塑料封裝外殼(37)；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，其特征在于：所述第一引腳(31)、第二引腳(32)和第三引腳(33)均固定連接于所述第二金屬電極(12)的一側(cè)并與所述塑料封裝外殼(37)固定連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種大電壓低漏電流的碳化硅光耦繼電器，其特征在于：所述塑料封裝外殼(37)封裝于所述主體組件(101)的外部。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種大電壓低泄漏電流的碳化硅光耦繼電器，包括主體組件，所述主體組件包括第一金屬電極、第二金屬電極、導(dǎo)光柱、光電池傳感器、兩個(gè)碳化硅MOS管、透明軟膠、兩個(gè)發(fā)光二極管和兩個(gè)接收窗口；所述第一金屬電極位于所述第二金屬電極的上方。本技術(shù)通過第一引腳、第二引腳和第三引腳的配合分別控制兩個(gè)發(fā)光二極管，可以使兩個(gè)發(fā)光二極管交錯(cuò)進(jìn)行發(fā)光和關(guān)閉，以實(shí)現(xiàn)更高頻的開關(guān)切換，使用碳化硅MOS管能承受更高的工作溫度，使泄露電流低于10nA，通過在光電池傳感器上設(shè)置兩個(gè)接收窗口，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的接收，進(jìn)而對(duì)外部負(fù)載進(jìn)行控制，通過利用碳化硅MOS管的特性，可以提高光耦繼電器的最大負(fù)載電壓達(dá)到2000VDC，以滿足實(shí)際生產(chǎn)中的使用需求。

技術(shù)研發(fā)人員：林欽,張永輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：先進(jìn)光半導(dǎo)體（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231106
技術(shù)公布日：2024/6/26