本新型是有關(guān)于一種單向循環(huán)裝置，特別是有關(guān)于一種回路式熱管單向循環(huán)裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著處理器運(yùn)算能力的日益增強(qiáng)，處理器等電子元件工作時(shí)的溫度控制越來越重要。而當(dāng)手機(jī)、平板以及筆記型電腦等電子裝置內(nèi)的工作晶片(即發(fā)熱源)的運(yùn)算速度不斷提升，亦升高了系統(tǒng)內(nèi)的環(huán)境溫度，進(jìn)而降低系統(tǒng)穩(wěn)定度。

2、為了解決所述問題，業(yè)界利用熱管(heat?pipe)以及均溫板(vapor?chamber)進(jìn)行工作晶片的散熱，使得工作晶片的熱能能夠快速地排出系統(tǒng)之外，以控制手機(jī)、平板以及筆記型電腦等電子裝置的系統(tǒng)內(nèi)的溫度，進(jìn)而維持系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

3、一般而言，均溫板以及熱管，可以連接至需要散熱的熱源，并連接至散熱鰭片或其他散熱裝置，借以將熱量利用均溫板或熱管傳送至散熱鰭片或其他散熱裝置，以將熱量帶出手機(jī)、平板以及筆記型電腦等電子裝置，進(jìn)而提升電子元件的工作可靠度。

4、此外，回路式熱管具有高傳熱量、遠(yuǎn)距熱輸送、低熱阻等功能，因此廣泛地應(yīng)用于航太科技、能源與電子冷卻等領(lǐng)域。然而，面對(duì)日益增進(jìn)的科技進(jìn)步，現(xiàn)存的回路式熱管仍存在改善空間。因此，如何使得回路式熱管的效能得以提升，是目前相關(guān)業(yè)者所面臨的挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本新型的一目的在于提供一種回路式熱管單向循環(huán)裝置，用以提升回路式熱管的散熱效率。

2、根據(jù)本新型的一實(shí)施例提供一種回路式熱管單向循環(huán)裝置?；芈肥綗峁軉蜗蜓h(huán)裝置包含有一下蓋板以及一上殼體密合于下蓋板。其中，上殼體包含有一流體入口、一流體出口、一接合面、一吸熱區(qū)以及一氣體排放腔。接合面密合于下蓋板，吸熱區(qū)形成于流體入口以及流體出口之間。其中，吸熱區(qū)包含有一吸熱區(qū)內(nèi)表面高度，而氣體排放腔則具有一氣體排放腔高度，氣體排放腔高度大于吸熱區(qū)內(nèi)表面高度。

3、在一些實(shí)施例中，上殼體更包含有一流體導(dǎo)引塊，流體導(dǎo)引塊具有一尖端，朝向流體出口的方向設(shè)置。

4、在一些實(shí)施例中，上殼體更包含有一入口流道，具有一入口流道上表面高度，且吸熱區(qū)內(nèi)表面高度大于入口流道上表面高度。

5、在一些實(shí)施例中，上殼體更包含有一氣體容置腔，具有一氣體容置腔高度，且氣體容置腔高度大于吸熱區(qū)內(nèi)表面高度。

6、在一些實(shí)施例中，入口流道至少部分位于吸熱區(qū)與氣體容置腔之間。

7、在一些實(shí)施例中，入口流道、吸熱區(qū)、氣體容置腔以及氣體排放腔圍繞流體導(dǎo)引塊。

8、在一些實(shí)施例中，流體導(dǎo)引塊貼合于下蓋板。

9、在一些實(shí)施例中，入口流道以及氣體容置腔之間，具有一氣體容置腔啟用區(qū)間，以決定散熱氣體是否由吸熱區(qū)流動(dòng)至氣體容置腔。

10、在一些實(shí)施例中，吸熱區(qū)更包含多個(gè)導(dǎo)熱凸塊，由吸熱區(qū)向下延伸。

11、在一些實(shí)施例中，上殼體更包含有一流體入口腔位于流體入口，流體入口腔具有一流體入口腔高度，且流體入口腔高度高于入口流道上表面高度。

12、在一些實(shí)施例中，上殼體更包含有一流體隔離凸塊，位于流體入口腔與氣體容置腔之間。

13、在一些實(shí)施例中，流體出口約與氣體排放腔的氣體排放腔上表面齊平。

14、在一些實(shí)施例中，氣體容置腔高度等于氣體排放腔高度。

15、因此，根據(jù)本新型的回路式熱管單向循環(huán)裝置的各實(shí)施例所述架構(gòu)，回路式熱管單向循環(huán)裝置可以利用氣體容置腔以及流體導(dǎo)引塊，增加氣體排出的壓力，并避免氣體回流，提升散熱效率，更能利用氣體容置腔啟用區(qū)間，以根據(jù)需求開啟或關(guān)閉氣體容置腔，進(jìn)而提升回路式熱管單向循環(huán)裝置的工作效率，并增加回路式熱管的散熱效率。

16、以上所述僅是用以闡述本新型所欲解決的問題、解決問題的技術(shù)手段、及其產(chǎn)生的功效等等，本新型的具體細(xì)節(jié)將在下文的實(shí)施方式及相關(guān)圖式中詳細(xì)介紹。

技術(shù)特征：

1.一種回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述上殼體更包含一流體導(dǎo)引塊，所述流體導(dǎo)引塊具有一尖端，朝向所述流體出口的方向設(shè)置。

3.如權(quán)利要求2所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述上殼體更包含一入口流道，具有一入口流道上表面高度，且所述吸熱區(qū)內(nèi)表面高度大于所述入口流道上表面高度。

4.如權(quán)利要求3所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述上殼體更包含一氣體容置腔，具有一氣體容置腔高度，且所述氣體容置腔高度大于所述吸熱區(qū)內(nèi)表面高度。

5.如權(quán)利要求4所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述入口流道至少部分位于所述吸熱區(qū)與所述氣體容置腔之間。

6.如權(quán)利要求5所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述入口流道、所述吸熱區(qū)、所述氣體容置腔以及所述氣體排放腔圍繞所述流體導(dǎo)引塊。

7.如權(quán)利要求6所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述流體導(dǎo)引塊貼合于所述下蓋板。

8.如權(quán)利要求6所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述入口流道以及所述氣體容置腔之間，具有一氣體容置腔啟用區(qū)間，以決定散熱氣體是否由所述吸熱區(qū)流動(dòng)至所述氣體容置腔。

9.如權(quán)利要求7所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述吸熱區(qū)更包含多個(gè)導(dǎo)熱凸塊，由所述吸熱區(qū)向下延伸。

10.如權(quán)利要求4所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述上殼體更包含一流體入口腔，位于所述流體入口，所述流體入口腔具有一流體入口腔高度，且所述流體入口腔高度高于所述入口流道上表面高度。

11.如權(quán)利要求10所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述上殼體更包含一流體隔離凸塊，位于所述流體入口腔與所述氣體容置腔之間。

12.如權(quán)利要求1所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述流體出口約與所述氣體排放腔的氣體排放腔上表面齊平。

13.如權(quán)利要求4所述的回路式熱管單向循環(huán)裝置，其特征在于，所述氣體容置腔高度等于所述氣體排放腔高度。

技術(shù)總結(jié)
一種回路式熱管單向循環(huán)裝置包含有一下蓋板以及一上殼體密合于下蓋板。其中，上殼體包含有一流體入口、一流體出口、一接合面、一吸熱區(qū)以及一氣體排放腔。接合面密合于下蓋板，吸熱區(qū)形成于流體入口以及流體出口之間。其中，吸熱區(qū)包含有一吸熱區(qū)內(nèi)表面高度，而氣體排放腔則具有一氣體排放腔高度，氣體排放腔高度大于吸熱區(qū)內(nèi)表面高度。

技術(shù)研發(fā)人員：陳志偉,范綱銘
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽維鴻電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231128
技術(shù)公布日：2024/7/4