本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種顯示裝置、顯示模塊及電子設(shè)備。本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種顯示裝置的制造方法。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于上述。作為本發(fā)明的一個(gè)方式的的一個(gè)例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲(chǔ)裝置、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置(例如觸摸傳感器)、輸入輸出裝置(例如觸摸面板)以及上述裝置的驅(qū)動(dòng)方法或制造方法。

背景技術(shù)：

1、顯示裝置被期待應(yīng)用于各種用途。例如，作為大型顯示裝置的用途，可以舉出家用電視裝置(也稱為電視或電視接收器)、數(shù)字標(biāo)牌(digital?signage)及公共信息顯示器(pid：public?information?display)等。此外，作為便攜式信息終端，對(duì)具備觸摸面板的智能手機(jī)及平板終端等已在進(jìn)行研發(fā)。

2、近年來(lái)，對(duì)用于虛擬現(xiàn)實(shí)(vr：virtual?reality)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(ar：augmentedreality)、替代現(xiàn)實(shí)(sr：substitutional?reality)及混合現(xiàn)實(shí)(mr：mixed?reality)的顯示裝置的需求很高。將vr、ar、sr及mr統(tǒng)稱為xr(extended?reality：擴(kuò)展現(xiàn)實(shí))。為了提高現(xiàn)實(shí)感及沉浸感，xr用顯示裝置被要求清晰度高且顏色再現(xiàn)性高。

3、作為顯示裝置，例如對(duì)包括發(fā)光器件(也稱為發(fā)光元件)的發(fā)光裝置已在進(jìn)行研發(fā)。利用電致發(fā)光(electroluminescence，以下稱為el)現(xiàn)象的發(fā)光器件(也稱為“el器件”、“el元件”)具有容易實(shí)現(xiàn)薄型輕量化；能夠高速地響應(yīng)輸入信號(hào)；以及能夠使用直流恒壓電源等而驅(qū)動(dòng)的特征等，并已將其應(yīng)用于顯示裝置。

4、專利文獻(xiàn)1公開了使用有機(jī)el器件(也稱為有機(jī)el元件)的面向vr的顯示裝置。

5、[先行技術(shù)文獻(xiàn)]

6、[專利文獻(xiàn)]

7、[專利文獻(xiàn)1]國(guó)際專利申請(qǐng)公開第2018/087625號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種清晰度高的顯示裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種分辨率高的顯示裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種顯示品質(zhì)高的顯示裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置。

3、本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種清晰度高的顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種分辨率高的顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種顯示品質(zhì)高的顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種成品率高的顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置的制造方法。

4、注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有上述目的?？梢詮恼f(shuō)明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述目的以外的目的。

5、解決技術(shù)問題的手段

6、本發(fā)明的一個(gè)方式是一種包括晶體管、發(fā)光器件及第一絕緣層的顯示裝置。晶體管包括半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層、第二絕緣層及第三絕緣層。第二絕緣層設(shè)置在第一導(dǎo)電層上并包括到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口。第二導(dǎo)電層設(shè)置在第二絕緣層上并在與第一開口重疊的區(qū)域中包括第二開口。半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電層的頂面、第二絕緣層的側(cè)面、第二導(dǎo)電層的頂面及側(cè)面接觸。第三絕緣層設(shè)置在半導(dǎo)體層上。第三導(dǎo)電層設(shè)置在第三絕緣層上。第一絕緣層設(shè)置在晶體管上。第一絕緣層及第三絕緣層包括到達(dá)第二導(dǎo)電層的第三開口。發(fā)光器件設(shè)置在第一絕緣層上。發(fā)光器件包括像素電極、公共電極及夾在像素電極與公共電極之間的el層。像素電極通過(guò)第三開口電連接于第二導(dǎo)電層。el層具有與像素電極的頂面及側(cè)面接觸的區(qū)域。

7、在上述顯示裝置中，第二絕緣層優(yōu)選具有第四絕緣層及第四絕緣層上的第五絕緣層的疊層結(jié)構(gòu)。第五絕緣層優(yōu)選具有膜密度比第四絕緣層高的區(qū)域。

8、在上述顯示裝置中，第二絕緣層優(yōu)選具有第四絕緣層及第四絕緣層上的第五絕緣層的疊層結(jié)構(gòu)。第五絕緣層優(yōu)選具有含氮量比第四絕緣層多的區(qū)域。

9、在上述顯示裝置中，第二絕緣層優(yōu)選包括第六絕緣層。第六絕緣層優(yōu)選位于第四絕緣層與第一導(dǎo)電層之間。第六絕緣層優(yōu)選具有膜密度比第五絕緣層高的區(qū)域。

10、在上述顯示裝置中，第二絕緣層優(yōu)選包括第六絕緣層。第六絕緣層優(yōu)選位于第四絕緣層與第一導(dǎo)電層之間。第六絕緣層優(yōu)選具有含氮量比第五絕緣層多的區(qū)域。

11、在上述顯示裝置中，優(yōu)選包括層。像素電極優(yōu)選包括第四導(dǎo)電層及第四導(dǎo)電層上的第五導(dǎo)電層。第四導(dǎo)電層優(yōu)選覆蓋第一絕緣層的頂面及第三開口。第四導(dǎo)電層優(yōu)選具有沿著第一絕緣層的側(cè)面及第二導(dǎo)電層的頂面的形狀的凹部。層優(yōu)選以嵌入凹部的方式設(shè)置。第五導(dǎo)電層優(yōu)選覆蓋第四導(dǎo)電層的頂面及層的頂面。

12、在上述顯示裝置中，層優(yōu)選為絕緣層。

13、在上述顯示裝置中，層優(yōu)選為導(dǎo)電層。

14、在上述顯示裝置中，優(yōu)選包括第七絕緣層及第八絕緣層。第七絕緣層優(yōu)選覆蓋el層的頂面的一部分及側(cè)面。第八絕緣層優(yōu)選隔著第七絕緣層覆蓋el層的頂面的一部分及側(cè)面。公共電極優(yōu)選覆蓋第八絕緣層。

15、在上述顯示裝置中，第七絕緣層優(yōu)選包含無(wú)機(jī)材料。第八絕緣層優(yōu)選包含有機(jī)材料。

16、發(fā)明效果

17、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種清晰度高的顯示裝置。此外，可以提供一種分辨率高的顯示裝置。此外，可以提供一種顯示品質(zhì)高的顯示裝置。此外，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。此外，可以提供一種新穎的顯示裝置。

18、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種清晰度高的顯示裝置的制造方法。此外，可以提供一種分辨率高的顯示裝置的制造方法。此外，可以提供一種顯示品質(zhì)高的顯示裝置的制造方法。此外，可以提供一種可靠性高的顯示裝置的制造方法。此外，可以提供一種成品率高的顯示裝置的制造方法。此外，可以提供一種新穎的顯示裝置的制造方法。

19、注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要具有所有上述效果?？梢詮恼f(shuō)明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述效果以外的效果。

技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，還包括層，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，還包括第七絕緣層及第八絕緣層，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，

技術(shù)總結(jié)
提供一種高清晰顯示裝置。顯示裝置包括晶體管、發(fā)光器件及第一絕緣層。晶體管包括半導(dǎo)體層、第一至第三導(dǎo)電層、第二及第三絕緣層。第二絕緣層設(shè)置在第一導(dǎo)電層上并包括到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口。第二導(dǎo)電層設(shè)置在第二絕緣層上并在與第一開口重疊的區(qū)域中包括第二開口。半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電層的頂面、第二絕緣層的側(cè)面、第二導(dǎo)電層的頂面及側(cè)面接觸。第三絕緣層設(shè)置在半導(dǎo)體層上。第三導(dǎo)電層設(shè)置在第三絕緣層上。第一絕緣層設(shè)置在晶體管上。第一及第三絕緣層包括到達(dá)第二導(dǎo)電層的第三開口。發(fā)光器件設(shè)置在第一絕緣層上并包括像素電極、公共電極及EL層。像素電極通過(guò)第三開口電連接于第二導(dǎo)電層。EL層具有與像素電極的頂面及側(cè)面接觸的區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：保坂泰靖,島行德,神長(zhǎng)正美,中田昌孝,肥塚純一,岡崎健一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10