本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電壓電膜、具備導(dǎo)電壓電膜的器件以及導(dǎo)電壓電膜的制造方法。

背景技術(shù)：

1、作為能通過直接接觸于圖像顯示部而輸入信息的器件，廣泛使用觸摸面板。作為該代表性的形式，存在利用在透明電極與手指之間產(chǎn)生的電流容量的變化的電容式觸摸面板(專利文獻(xiàn)1)。

2、觸摸面板所利用的位置檢測傳感器中使用透明導(dǎo)電膜，例如，通過濺射等干式涂布在pet膜上成膜了ito(氧化銦錫)后通過加熱處理(150℃左右)提高ito的結(jié)晶性，由此實(shí)現(xiàn)低電阻和高透過率。

3、最近，對同時(shí)感測由手指等觸摸操作面時(shí)的位置和按壓的技術(shù)關(guān)注越發(fā)提高，提出了將由壓電傳感器構(gòu)成的按壓檢測傳感器與位置檢測傳感器組合的方法。然而，用于壓電傳感器的壓電膜當(dāng)如pet膜那樣進(jìn)行高溫下的加熱處理時(shí)，電阻會(huì)劣化、或損害膜的色調(diào)，因此難以在觸摸面板中使用通過濺射等干式涂布成膜有ito的導(dǎo)電壓電膜。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開平5-324203號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、作為不需要高溫下的加熱處理的導(dǎo)電層形成方法，本發(fā)明人研究了涂布包含金屬納米線、導(dǎo)電性高分子等導(dǎo)電性物質(zhì)的溶液的濕式涂布法。然而，當(dāng)對壓電膜應(yīng)用濕式涂布法來形成導(dǎo)電層時(shí)，發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生性能的偏差，特別是透明性的不均。

3、本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種抑制了透明性的不均的導(dǎo)電壓電膜、具備導(dǎo)電壓電膜的器件以及導(dǎo)電壓電膜的制造方法。

4、技術(shù)方案

5、本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過具備含有金屬納米線等的導(dǎo)電層、且總透光率以及總透光率的標(biāo)準(zhǔn)偏差滿足特定范圍的導(dǎo)電壓電膜，能夠解決上述問題，從而完成了本發(fā)明。具體而言，本發(fā)明涉及以下內(nèi)容。

6、本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電壓電膜，其具備壓電膜和層疊在所述壓電膜的一個(gè)面上的導(dǎo)電層，總透光率為80％以上，總透光率的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.4％以下，所述導(dǎo)電層包含選自由金屬納米線、導(dǎo)電性高分子、碳納米管以及石墨烯構(gòu)成的組中的至少一種。

7、所述壓電膜在與所述導(dǎo)電層的界面處的表面波紋度wa優(yōu)選為30μm以下。

8、在所述導(dǎo)電壓電膜中，優(yōu)選在80℃下熱處理30分鐘時(shí)的熱收縮率的絕對值最大也小于1.0％。

9、基于astm?d3359評價(jià)的所述導(dǎo)電層的密合性優(yōu)選為4b以上。

10、所述金屬納米線優(yōu)選為銀納米線。

11、所述壓電膜優(yōu)選含有氟系樹脂。

12、此外，本發(fā)明涉及一種具備所述導(dǎo)電壓電膜的器件。

13、進(jìn)而，本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電壓電膜的制造方法，其包括如下工序：在層疊有保護(hù)膜的壓電膜的與所述保護(hù)膜相反側(cè)的面上，涂布包含導(dǎo)電性物質(zhì)的溶液，從而形成總透光率為80％以上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電性物質(zhì)選自由金屬納米線、導(dǎo)電性高分子、碳納米管以及石墨烯構(gòu)成的組中的至少一種。

14、在所述工序中，涂布所述溶液的面的水接觸角優(yōu)選為70°以下。

15、所述保護(hù)膜的彈性模量優(yōu)選為1.0gpa以上。

16、有益效果

17、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種抑制了透明性的不均的導(dǎo)電壓電膜、具備導(dǎo)電壓電膜的器件以及導(dǎo)電壓電膜的制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種導(dǎo)電壓電膜，其具備壓電膜和層疊于所述壓電膜的一個(gè)面的導(dǎo)電層，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電壓電膜，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電壓電膜，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電壓電膜，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電壓電膜，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電壓電膜，其中，

7.一種器件，其具備如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電壓電膜。

8.一種導(dǎo)電壓電膜的制造方法，其包括如下工序：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電壓電膜的制造方法，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的導(dǎo)電壓電膜的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種抑制了透明性的不均的導(dǎo)電壓電膜。本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電壓電膜，其具備壓電膜和層疊在所述壓電膜的一個(gè)面上的導(dǎo)電層，總透光率為80％以上，總透光率的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.4％以下，所述導(dǎo)電層包含選自由金屬納米線、導(dǎo)電性高分子、碳納米管以及石墨烯構(gòu)成的組中的至少一種。

技術(shù)研發(fā)人員：今治誠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社吳羽
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17