本發(fā)明涉及一種電磁波吸收構(gòu)件。本申請基于2022年8月25日于日本提出申請的日本特愿2022-134106號主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援引于此。

背景技術(shù)：

1、已知一種選擇性吸收規(guī)定頻率的電磁波的片狀電磁波吸收構(gòu)件。電磁波吸收構(gòu)件例如為具備第一頻率選擇屏蔽層與第二頻率選擇屏蔽層的構(gòu)件。對于這種電磁波吸收構(gòu)件，通過形成于第一頻率選擇屏蔽層與第二頻率選擇屏蔽層的fss(frequency?selectivesurface(頻率選擇表面))元件的細線圖案，各層吸收規(guī)定頻率的電磁波，并作為一個整體選擇性屏蔽兩種不同頻率的電磁波。

2、電磁波吸收構(gòu)件在根據(jù)用途而貼附于曲面時，要求與曲面緊密貼合。

3、專利文獻1中記載了一種電磁波吸收構(gòu)件，其具備以下的特性(1)和特性(2)，以使其即便對于不平坦的面而言也能夠輕松地安裝。特性(1)：磁體層的楊氏模量與磁體層的厚度的乘積為0.1mpa·mm~1000mpa·mm。特性(2)：磁體層的相對介電常數(shù)為1~10。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻

5、專利文獻

6、專利文獻1：日本特開2019-4003號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、(一)要解決的技術(shù)問題

2、然而，專利文獻1中記載的電磁波吸收構(gòu)件雖然曲面追隨性優(yōu)異，但存在耐熱試驗后的電磁波吸收性的維持較差的問題。

3、本發(fā)明鑒于上述情況而實施，目的在于提供一種曲面追隨性、及耐熱試驗后的電磁波吸收性的維持優(yōu)異的電磁波吸收構(gòu)件。

4、(二)技術(shù)方案

5、本發(fā)明提供以下的電磁波吸收構(gòu)件。

6、[1]?一種電磁波吸收構(gòu)件，其具備以電磁波吸收層、隔離層、反射層的順序進行層疊的所述電磁波吸收層、所述隔離層及所述反射層，所述隔離層的相對介電常數(shù)為5以上，所述隔離層的熔點為150℃以上。

7、[2]?根據(jù)[1]所述的電磁波吸收構(gòu)件，其中，所述隔離層的厚度為200μm以上450μm以下。

8、[3]?根據(jù)[1]或[2]所述的電磁波吸收構(gòu)件，其中，所述隔離層的楊氏模量為50mpa以上。

9、[4]?根據(jù)[1]~[3]中任一項所述的電磁波吸收構(gòu)件，其中，所述電磁波吸收構(gòu)件的彎曲剛度為300n·mm2以下。

10、(三)有益效果

11、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種曲面追隨性、及耐熱試驗后的電磁波吸收性的維持優(yōu)異的電磁波吸收構(gòu)件。

技術(shù)特征：

1.一種電磁波吸收構(gòu)件，其具備以電磁波吸收層、隔離層、反射層的順序進行層疊的所述電磁波吸收層、所述隔離層及所述反射層，所述隔離層的相對介電常數(shù)為5以上，所述隔離層的熔點為150℃以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波吸收構(gòu)件，其中，所述隔離層的厚度為200μm以上450μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波吸收構(gòu)件，其中，所述隔離層的楊氏模量為50mpa以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波吸收構(gòu)件，其中，所述電磁波吸收構(gòu)件的彎曲剛度為300n·mm2以下。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種電磁波吸收構(gòu)件(10)，其具備以電磁波吸收層(20)、隔離層(30)、反射層(40)的順序進行層疊的電磁波吸收層(20)、隔離層(30)及反射層(40)，隔離層(30)的相對介電常數(shù)為5以上，隔離層(30)的熔點為150℃以上。

技術(shù)研發(fā)人員：戶高昌也,松下大雅
受保護的技術(shù)使用者：琳得科株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10