本公開涉及一種半導(dǎo)體器件和制造該半導(dǎo)體器件的方法，并且更具體地，涉及一種包括電容器的半導(dǎo)體存儲器件和制造該半導(dǎo)體存儲器件的方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體存儲器件日益變得高度集成，各個電路圖案已日益變得小型化，以在每個給定區(qū)域中實現(xiàn)更多的半導(dǎo)體存儲器件。然而，各個電路圖案的小型化增加了處理難度并導(dǎo)致缺陷。因此，已經(jīng)研究了各種方法來制造具有優(yōu)異性能同時克服與半導(dǎo)體器件的集成相關(guān)聯(lián)的限制的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的方面提供了一種具有提高的集成度的半導(dǎo)體器件。

2、本公開的方面還提供一種制造具有提高的集成度的半導(dǎo)體器件的方法。

3、然而，本公開的方面不限于本文所闡述的那些。通過參考下面給出的本公開的詳細描述，本公開的上述和其他方面對于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將變得更加清楚。

4、根據(jù)本公開的方面，一種半導(dǎo)體器件包括：下襯底；存儲單元結(jié)構(gòu)，包括：字線，在下襯底上；位線，設(shè)置在下襯底上并且與字線交叉；以及單元電容器，連接到下襯底；上襯底，具有與下襯底相鄰的后側(cè)以及與后側(cè)相對的前側(cè)；電路元件，設(shè)置在上襯底的前側(cè)，并且在豎直方向上與存儲單元結(jié)構(gòu)重疊；以及通孔，穿透上襯底，并且將存儲單元結(jié)構(gòu)和電路元件彼此電連接。

5、根據(jù)本公開的方面，一種半導(dǎo)體器件包括：下襯底，包括單元區(qū)域以及與單元區(qū)域相鄰的延伸區(qū)域；存儲單元結(jié)構(gòu)，包括：字線，設(shè)置在單元區(qū)域上，并且在第一方向上從單元區(qū)域延伸而超出單元區(qū)域的外邊界進入延伸區(qū)域中，字線的端部設(shè)置在延伸區(qū)域上；位線，設(shè)置在單元區(qū)域上，并且在第二方向上從單元區(qū)域延伸而超出單元區(qū)域的外邊界進入延伸區(qū)域，位線的端部設(shè)置在延伸區(qū)域上；以及單元電容器，設(shè)置在單元區(qū)域上；下絕緣結(jié)構(gòu)，設(shè)置在下襯底上，并且覆蓋存儲單元結(jié)構(gòu)；下布線結(jié)構(gòu)，設(shè)置在下絕緣結(jié)構(gòu)中，并且在延伸區(qū)域上連接到字線的端部和位線的端部；接合絕緣膜，在下絕緣結(jié)構(gòu)上；上襯底，設(shè)置在接合絕緣膜上，并且具有與下襯底相鄰的后側(cè)以及與后側(cè)相對的前側(cè)；多個電路元件，在上襯底的前側(cè)上；上絕緣結(jié)構(gòu)，設(shè)置在上襯底上，并且覆蓋多個電路元件；上布線結(jié)構(gòu)，設(shè)置在上絕緣結(jié)構(gòu)中，并且連接到多個電路元件；以及多個通孔，穿透上襯底和接合絕緣膜，并且將下布線結(jié)構(gòu)和上布線結(jié)構(gòu)彼此電連接。

6、根據(jù)本公開的方面，一種半導(dǎo)體器件包括：下襯底，包括柵極溝槽，其中，柵極溝槽在第一方向上延伸；存儲單元結(jié)構(gòu)，包括：字線，設(shè)置在柵極溝槽中，并且在柵極溝槽中沿第一方向延伸；位線，設(shè)置在下襯底上，并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸；以及單元電容器，設(shè)置在位線上，并且連接到下襯底；上襯底，具有與下襯底相鄰的后側(cè)以及與后側(cè)相對的前側(cè)，上襯底包括讀出放大器區(qū)域和子字線驅(qū)動器區(qū)域；第一電路元件，設(shè)置在讀出放大器區(qū)域的前側(cè)上；第二電路元件，設(shè)置在子字線驅(qū)動器區(qū)域的前側(cè)上；第一通孔，穿透上襯底，并且將位線和第一電路元件彼此電連接；以及第二通孔，穿透上襯底，并且將字線和第二電路元件彼此電連接。第一電路元件和第二電路元件中的至少一個在豎直方向上與存儲單元結(jié)構(gòu)重疊。

7、根據(jù)本公開的方面，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括：形成下接合結(jié)構(gòu)，該下接合結(jié)構(gòu)包括下襯底和下襯底上的存儲單元結(jié)構(gòu)，其中，存儲單元結(jié)構(gòu)包括下襯底上的字線、與字線交叉的位線、以及連接到下襯底的單元電容器；形成上接合結(jié)構(gòu)，該上接合結(jié)構(gòu)包括上襯底和上襯底上的電路元件，其中，上襯底具有其上設(shè)置有電路元件的前側(cè)以及與前側(cè)相對的后側(cè)；將上接合結(jié)構(gòu)接合到下接合結(jié)構(gòu)，使得上襯底的后側(cè)與下襯底相鄰；以及形成通孔，該通孔穿透上襯底并且將存儲單元結(jié)構(gòu)和電路元件彼此電連接。

8、應(yīng)當(dāng)注意，本公開的效果不限于上述那些，并且根據(jù)以下描述，本公開的其他效果將是清楚的。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

11.一種半導(dǎo)體器件，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

17.一種半導(dǎo)體器件，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件包括：下襯底；存儲單元結(jié)構(gòu)，包括：字線，在下襯底上；位線，設(shè)置在下襯底上并且與字線交叉；以及單元電容器，連接到下襯底；上襯底，具有與下襯底相鄰的后側(cè)以及與后側(cè)相對的前側(cè)；電路元件，設(shè)置在上襯底的前側(cè)上，并且在豎直方向上與存儲單元結(jié)構(gòu)重疊；以及通孔，穿透上襯底，并且將存儲單元結(jié)構(gòu)和電路元件彼此電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：李基碩,李泓浚,崔賢根,金根楠,南仁哲,劉寶元,韓珍優(yōu)
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10