本發(fā)明涉及振動元件的制造方法、振動元件以及振動器件。

背景技術(shù)：

1、在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種在主面的一部分形成凹陷部而實現(xiàn)了高頻化的所謂倒臺面結(jié)構(gòu)的壓電振動元件。該壓電振動元件為了抑制因粘合、固定而引起的應(yīng)力的擴(kuò)展，在對壓電振動元件進(jìn)行固定的厚壁部與振動部之間設(shè)置有縫隙。此外，由于伴隨高頻化的電極的薄膜化，特別是在將激勵電極與焊盤電極電連接的寬度窄的引出電極中，為了防止薄層電阻的增大，使引出電極的厚度比激勵電極的厚度厚。

2、專利文獻(xiàn)1：日本特開2014-7693號公報

3、然而，在專利文獻(xiàn)1的壓電振動元件中，為了使引出電極的厚度大于激勵電極的厚度，在形成引出電極之后，以與引出電極的一部分重疊的方式而層疊形成具有與激勵電極的厚度相同的厚度的引出電極。另外，以跨越先前形成的厚的引出電極的端部即臺階的方式層疊形成薄的引出電極。因此，存在之后在臺階部處形成的引出電極容易斷線的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一種振動元件的制造方法，該振動元件包含：包含：基板，其具有薄壁部和厚度比所述薄壁部大的厚壁部；以及電極部，其具有：配置于所述薄壁部的激勵電極配置區(qū)域的激勵電極；配置于所述厚壁部的焊盤電極配置區(qū)域的焊盤電極；和將所述激勵電極與所述焊盤電極連接并且被配置于所述基板的引出電極配置區(qū)域的引出電極，所述振動元件的制造方法包含如下工序：金屬層形成工序，在所述基板上形成金屬層；保護(hù)膜形成工序，在所述金屬層上的俯視觀察時與所述引出電極配置區(qū)域的至少一部分重疊的區(qū)域形成保護(hù)膜；金屬層蝕刻工序，通過隔著所述保護(hù)膜進(jìn)行蝕刻，使配置于所述激勵電極配置區(qū)域的所述金屬層薄壁化。

2、一種振動元件，具有：基板，其具有薄壁部和厚度比所述薄壁部大的厚壁部；以及電極部，其具有：配置于所述薄壁部的激勵電極配置區(qū)域的激勵電極；配置于所述厚壁部的焊盤電極配置區(qū)域的焊盤電極；和將所述激勵電極與所述焊盤電極連接并且被配置于所述基板的引出電極配置區(qū)域的引出電極，所述電極部包含：第一電極層，其配置于所述基板上的所述焊盤電極配置區(qū)域、所述引出電極配置區(qū)域以及所述激勵電極配置區(qū)域；以及第二電極層，其在所述第一電極層上被配置于俯視觀察時與所述焊盤電極配置區(qū)域、所述引出電極配置區(qū)域以及所述激勵電極配置區(qū)域重疊的區(qū)域，厚度比所述第一電極層大，所述第二電極層具有：電極薄壁部，其在俯視觀察時與所述激勵電極配置區(qū)域重疊；以及電極厚壁部，其在俯視觀察時與所述引出電極配置區(qū)域重疊，厚度比所述電極薄壁部大。

3、振動器件具有：上述所述的振動元件；以及封裝，其收納所述振動元件，經(jīng)由接合材料固定有所述振動元件。

技術(shù)特征：

1.一種振動元件的制造方法，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動元件的制造方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的振動元件的制造方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振動元件的制造方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振動元件的制造方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振動元件的制造方法，其中，

7.一種振動元件，其具有：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的振動元件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的振動元件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的振動元件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的振動元件，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的振動元件，其中，

13.一種振動器件，其具有：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供振動元件的制造方法、振動元件以及振動器件，電連接優(yōu)異。振動元件包含：基板，其具有薄壁部和厚壁部；以及電極部，其包含配置在薄壁部的激勵電極配置區(qū)域的激勵電極、配置在厚壁部的焊盤電極配置區(qū)域的焊盤電極以及將激勵電極與焊盤電極連接起來并配置在基板的引出電極配置區(qū)域的引出電極，該振動元件的制造方法包含以下工序：金屬層形成工序，在基板上形成金屬層；保護(hù)膜形成工序，在金屬層上的俯視觀察時與引出電極配置區(qū)域的至少一部分重疊的區(qū)域形成保護(hù)膜；以及金屬層蝕刻工序，通過隔著保護(hù)膜進(jìn)行蝕刻，使配置在激勵電極配置區(qū)域的金屬層薄壁化。

技術(shù)研發(fā)人員：山本雄介,山口啟一,西澤龍?zhí)?br/>受保護(hù)的技術(shù)使用者：精工愛普生株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10