本公開總體上涉及制造半導體設備的方法。

背景技術：

1、隨著半導體設備的集成程度增加和線寬減小，半導體工藝的難度增加。特別地，在存儲器設備的情況下，在單元區(qū)域和外圍電路區(qū)域之中，在具有相對高的集成程度的單元區(qū)域中執(zhí)行的半導體工藝中出現(xiàn)缺陷的概率可能增加。

2、作為一個示例，當在存儲器設備的單元區(qū)域中形成具有高縱橫比的圖案結構時，圖案化結構塌陷或結構中出現(xiàn)有缺陷的圖案化的概率可能由于圖案化工藝中的工藝裕度不足而增加。因此，正在對當在半導體設備中的密集區(qū)域中形成圖案結構時能夠改善圖案結構的結構穩(wěn)定性的工藝進行各種研究。

技術實現(xiàn)思路

1、在根據(jù)一個實施例的制造半導體設備的方法中，可以提供具有單元區(qū)域和外圍區(qū)域的襯底?？梢栽谝r底的表面上方形成包括導電層的第一單元-外圍結構。在單元區(qū)域中，可以通過圖案化第一單元-外圍結構形成單元位線溝槽?？梢栽谝r底的表面上方形成包括第二導電層的第二單元-外圍結構。第二單元-外圍結構可以形成填充單元區(qū)域中的單元位線溝槽的單元位線結構，并且被設置在外圍區(qū)域中的第一單元-外圍結構上方。通過在外圍區(qū)域中圖案化第一單元-外圍結構和第二單元-外圍結構，可以形成外圍柵極結構。

2、在根據(jù)另一實施例的制造半導體設備的方法中，可以提供具有單元區(qū)域和外圍區(qū)域的襯底?？梢栽趩卧獏^(qū)域中形成掩埋在襯底中的單元柵極結構?？梢栽趩卧獏^(qū)域中在襯底上方形成單元接觸插塞和圍繞單元接觸插塞的層間絕緣層?？梢栽谝r底的表面上方形成包括第一導電層的第一單元-外圍結構。通過在單元區(qū)域中圖案化第一單元-外圍結構，可以形成暴露單元接觸插塞的單元位線溝槽?？梢栽谝r底的表面上方形成包括第二導電層的第二單元-外圍結構。第二單元-外圍結構可以形成填充單元區(qū)域中的單元位線溝槽的單元位線結構，并且被設置在外圍區(qū)域中的第一單元-外圍結構上方?？梢栽趩卧獏^(qū)域中去除第一單元-外圍結構。通過在外圍區(qū)域中圖案化第一單元-外圍結構和第二單元-外圍結構，可以形成外圍柵極結構。

3、在根據(jù)另一實施例的制造半導體設備的方法中，可以提供具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底?？梢栽谝r底的表面上方形成包括第一導電層的第一結構。通過在第一區(qū)域中圖案化第一結構，可以形成溝槽?？梢栽谝r底的表面上方形成包括第二導電層的第二結構。第二結構可以形成填充第一區(qū)域中的溝槽的第一導電線結構，并且被設置在第二區(qū)域中的第一結構上方。通過在第二區(qū)域中圖案化第一結構和第二結構，可以形成第二導電線結構。

技術特征：

1.一種制造半導體設備的方法，所述方法包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述第一單元-外圍結構包括：

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一單元-外圍結構進一步包括在所述外圍區(qū)域中形成在所述襯底與所述第一導電層之間的外圍柵極介電層。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述單元位線結構包括：

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括：在形成所述第二單元-外圍結構之后，在所述第二單元-外圍結構上方執(zhí)行平坦化工藝，

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括：在形成所述第二單元-外圍結構之后，去除所述單元區(qū)域中的所述第一單元-外圍結構。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括：在形成所述單元位線溝槽之后，在所述單元位線溝槽的側壁表面上形成包括絕緣層的位線間隔物。

11.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括：

12.一種制造半導體設備的方法，所述方法包括：

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中形成所述第一單元-外圍結構包括：

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，

15.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中形成所述單元位線結構包括：

16.根據(jù)權利要求15所述的方法，

17.根據(jù)權利要求12所述的方法，

18.根據(jù)權利要求12所述的方法，進一步包括：在形成所述第二單元-外圍結構之后，在所述第二單元-外圍結構上方執(zhí)行平坦化工藝，

19.根據(jù)權利要求12所述的方法，進一步包括：在形成所述單元位線溝槽之后，在所述單元位線溝槽的側壁表面上形成包括絕緣層的位線間隔物。

20.根據(jù)權利要求12所述的方法，進一步包括：在去除所述單元區(qū)域中的所述第一單元-外圍結構之后，在所述襯底的整個所述表面上方形成層間絕緣層，

21.一種制造半導體設備的方法，所述方法包括：

22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中所述第一區(qū)域包括單元區(qū)域，并且所述第二區(qū)域包括外圍區(qū)域。

23.根據(jù)權利要求22所述的方法，其中形成所述第一導電線結構包括在所述單元區(qū)域中形成單元位線結構。

24.根據(jù)權利要求22所述的方法，其中形成所述第二導電線結構包括在所述外圍區(qū)域中形成外圍柵極結構。

技術總結
在一種制造半導體設備的方法中，制備具有單元區(qū)域和外圍區(qū)域的襯底。在襯底的表面上方形成包括導電層的第一單元?外圍結構。在單元區(qū)域中，通過圖案化第一單元?外圍結構形成單元位線溝槽。在襯底的表面上方形成包括第二導電層的第二單元?外圍結構。第二單元?外圍結構形成填充單元區(qū)域中的單元位線溝槽的單元位線結構，并且被設置在外圍區(qū)域中的第一單元?外圍結構上方。通過在外圍區(qū)域中圖案化第一單元?外圍結構和第二單元?外圍結構，形成外圍柵極結構。

技術研發(fā)人員：張憲龍
受保護的技術使用者：愛思開海力士有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/14