本發(fā)明構(gòu)思涉及非易失性存儲(chǔ)器件和/或包括非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思涉及三維非易失性存儲(chǔ)器件和包括三維非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、消費(fèi)者要求具有高性能、小尺寸和低價(jià)格的非易失性存儲(chǔ)器件。因此，為了實(shí)現(xiàn)具有高集成度的非易失性存儲(chǔ)器件，已提出其中布置有多個(gè)存儲(chǔ)單元的三維非易失性存儲(chǔ)器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思涉及具有提高的可靠性和/或集成度的非易失性存儲(chǔ)器件和/或包括非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

2、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種非易失性存儲(chǔ)器件可以包括：襯底，所述襯底包括單元區(qū)域和連接區(qū)域；電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括堆疊在所述襯底上的電極和覆蓋所述電極當(dāng)中的最上面的電極的絕緣圖案；垂直結(jié)構(gòu)，所述垂直結(jié)構(gòu)在所述單元區(qū)域中穿過所述電極結(jié)構(gòu)與所述襯底連接；填充絕緣層，所述填充絕緣層在所述連接區(qū)域中覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)；覆蓋絕緣層，所述覆蓋絕緣層覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)、所述垂直結(jié)構(gòu)和所述填充絕緣層，所述覆蓋絕緣層包括位于所述單元區(qū)域中的貫穿孔和位于所述連接區(qū)域中的至少一個(gè)貫穿開口；緩沖絕緣層，所述緩沖絕緣層位于所述覆蓋絕緣層上；導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案具有位于所述貫穿孔中的至少一部分并且與所述垂直結(jié)構(gòu)連接；以及上半導(dǎo)體圖案，所述上半導(dǎo)體圖案穿過所述緩沖絕緣層與所述導(dǎo)電圖案連接。所述至少一個(gè)貫穿開口的最大水平寬度可以大于所述貫穿孔的水平寬度。

3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種非易失性存儲(chǔ)器件可以包括：襯底，所述襯底包括單元區(qū)域和連接區(qū)域；電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括電極和絕緣圖案，所述電極和所述絕緣圖案交替地堆疊在所述襯底上，并且具有在所述連接區(qū)域中限定所述電極的焊盤部分的階梯狀結(jié)構(gòu)；垂直結(jié)構(gòu)，所述垂直結(jié)構(gòu)在所述單元區(qū)域中穿透所述電極結(jié)構(gòu)，所述垂直結(jié)構(gòu)包括垂直半導(dǎo)體圖案和位于所述垂直半導(dǎo)體圖案上的導(dǎo)電焊盤；填充絕緣層，所述填充絕緣層在所述連接區(qū)域中覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)的階梯狀結(jié)構(gòu)；覆蓋絕緣層，所述覆蓋絕緣層覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)、所述垂直結(jié)構(gòu)和所述填充絕緣層，所述覆蓋絕緣層包括位于所述單元區(qū)域中的貫穿孔和位于所述連接區(qū)域中的至少一個(gè)貫穿開口；緩沖絕緣層，所述緩沖絕緣層位于所述覆蓋絕緣層上；導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案具有位于所述貫穿孔中的至少一部分并且與所述導(dǎo)電焊盤電連接；上水平電極，所述上水平電極位于所述緩沖絕緣層上；上通道結(jié)構(gòu)，所述上通道結(jié)構(gòu)穿透所述上水平電極和所述緩沖絕緣層，所述上通道結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電焊盤電連接；層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述上通道結(jié)構(gòu)和所述緩沖絕緣層上；位線，所述位線在所述單元區(qū)域中位于所述層間絕緣層上；布線用線，所述布線用線在所述連接區(qū)域中位于所述層間絕緣層上；接觸插塞，所述接觸插塞在所述單元區(qū)域中穿過所述層間絕緣層將所述位線與所述上通道結(jié)構(gòu)電連接；以及單元接觸插塞，所述單元接觸插塞在所述連接區(qū)域中穿過所述層間絕緣層和所述填充絕緣層將所述布線用線與所述電極中的一個(gè)電極電連接。所述緩沖絕緣層與所述絕緣圖案當(dāng)中的最上面的絕緣圖案可以彼此不接觸。所述緩沖絕緣層與所述填充絕緣層可以彼此接觸。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以包括：主襯底、位于所述主襯底上的非易失性存儲(chǔ)器件和位于所述主襯底上的存儲(chǔ)器控制器。所述存儲(chǔ)器控制器可以與所述非易失性存儲(chǔ)器件電連接。所述非易失性存儲(chǔ)器件可以包括：襯底，所述襯底包括單元區(qū)域和連接區(qū)域；電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括堆疊在所述襯底上的電極和覆蓋所述電極當(dāng)中的最上面的電極的絕緣圖案；垂直結(jié)構(gòu)，所述垂直結(jié)構(gòu)在所述單元區(qū)域中穿過所述電極結(jié)構(gòu)與所述襯底連接；填充絕緣層，所述填充絕緣層在所述連接區(qū)域中覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)；覆蓋絕緣層；緩沖絕緣層，所述緩沖絕緣層位于所述覆蓋絕緣層上；導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案具有位于所述貫穿孔中的至少一部分并且與所述垂直結(jié)構(gòu)連接；上水平電極，所述上水平電極位于所述緩沖絕緣層上；以及上通道結(jié)構(gòu)，所述上通道結(jié)構(gòu)穿透所述上水平電極和所述緩沖絕緣層。所述覆蓋絕緣層可以覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)、所述垂直結(jié)構(gòu)和所述填充絕緣層。所述覆蓋絕緣層可以包括位于所述單元區(qū)域中的貫穿孔，并且可以具有位于所述連接區(qū)域中的至少一個(gè)貫穿開口。所述上通道結(jié)構(gòu)可以電連接到所述導(dǎo)電圖案。所述至少一個(gè)貫穿開口的最大水平寬度可以大于所述貫穿孔的水平寬度。所述緩沖絕緣層與所述絕緣圖案可以彼此不接觸。所述緩沖絕緣層與所述填充絕緣層可以彼此接觸。

技術(shù)特征：

1.一種非易失性存儲(chǔ)器件，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述緩沖絕緣層與所述填充絕緣層在所述連接區(qū)域中通過所述至少一個(gè)貫穿開口彼此直接接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述緩沖絕緣層填充所述至少一個(gè)貫穿開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述填充絕緣層包括氧化硅、低k材料或其組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，所述非易失性存儲(chǔ)器件還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

11.一種非易失性存儲(chǔ)器件，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述至少一個(gè)貫穿開口的最大水平寬度大于所述貫穿孔的水平寬度。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述緩沖絕緣層填充所述至少一個(gè)貫穿開口。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述上通道結(jié)構(gòu)的水平寬度小于所述垂直結(jié)構(gòu)的水平寬度。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，

18.一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供了一種非易失性存儲(chǔ)器件和包括非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該非易失性存儲(chǔ)器件可以包括：襯底，其具有單元區(qū)域和連接區(qū)域；電極結(jié)構(gòu)，其包括堆疊在所述襯底上的電極和覆蓋所述電極當(dāng)中的最上面的電極的絕緣圖案；垂直結(jié)構(gòu)，其在所述單元區(qū)域中穿過所述電極結(jié)構(gòu)與所述襯底連接；填充絕緣層，其在所述連接區(qū)域中覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)；緩沖絕緣層，其位于覆蓋絕緣層上；導(dǎo)電圖案；以及上半導(dǎo)體圖案，其穿過所述緩沖絕緣層與所述導(dǎo)電圖案連接。覆蓋絕緣層可以覆蓋電極結(jié)構(gòu)、垂直結(jié)構(gòu)和填充絕緣層，并且可以包括位于單元區(qū)域中的貫穿孔和位于連接區(qū)域中的至少一個(gè)貫穿開口。導(dǎo)電圖案可以具有位于貫穿孔中的至少一部分，并且可以與垂直結(jié)構(gòu)連接。

技術(shù)研發(fā)人員：金森基,金南斌,金泰勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/26