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      晶振封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法與流程

      文檔序號(hào):39345599發(fā)布日期:2024-09-10 12:09閱讀:25來(lái)源:國(guó)知局
      晶振封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法與流程

      本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,尤其是涉及一種晶振封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。


      背景技術(shù):

      1、晶振作為電子設(shè)備中的核心部件,具有不可或缺的地位,而傳統(tǒng)的晶振在設(shè)計(jì)方面體積大,隨著小型化溫補(bǔ)晶振(tcxo)的廣泛應(yīng)用,在特定應(yīng)用場(chǎng)景中客戶要求晶振具有抗干擾能力及電磁屏蔽的功能,現(xiàn)有的晶振結(jié)構(gòu)既能保證金屬外殼與pcb基板固定牢固,也能保證晶振具有抗干擾能力及電磁屏蔽的功能,但是在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中發(fā)現(xiàn)該種封殼工藝的產(chǎn)品在260℃回流焊接后概率出現(xiàn)晶振無(wú)輸出現(xiàn)象。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本申請(qǐng)的目的在于提供一種晶振封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,保證金屬外殼與pcb基板固定牢固,以及晶振具有抗干擾能力及電磁屏蔽的功能的同時(shí),避免產(chǎn)品在260℃回流焊接后概率出現(xiàn)晶振無(wú)輸出現(xiàn)象。

      2、第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶振封裝結(jié)構(gòu),晶振封裝結(jié)構(gòu)包括:pcb基板、溫補(bǔ)晶振和金屬外殼;其中,溫補(bǔ)晶振設(shè)置于pcb基板上;pcb基板的相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置形成銑槽臺(tái)階;另外相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置處開設(shè)固定接地孔;金屬外殼通過(guò)設(shè)置在銑槽臺(tái)階上的黑膠與pcb基板貼合,并通過(guò)熔化于固定接地孔上的焊錫與pcb基板固定。

      3、進(jìn)一步地,上述固定接地孔采用金屬化焊盤孔處理方式形成;固定接地孔開設(shè)于邊緣位置的中間區(qū)域。

      4、進(jìn)一步地,上述銑槽臺(tái)階的臺(tái)階寬度為0.5mm、高度為0.5mm;銑槽臺(tái)階長(zhǎng)度與pcb基板的寬邊尺寸一致,臺(tái)階處pcb余厚為0.3mm;0.5mm的臺(tái)階高度保證點(diǎn)黑膠后黑膠不流動(dòng)到其它器件位置處。

      5、進(jìn)一步地,上述黑膠涂覆在銑槽臺(tái)階處距離pcb基板邊沿0.3mm處,保證黑膠不溢出到pcb基板邊沿。

      6、進(jìn)一步地,上述pcb基板厚度為0.8mm;金屬外殼厚度為0.2mm,金屬外殼的尺寸與pcb基板的尺寸相同。

      7、進(jìn)一步地,上述固定接地孔的尺寸為0.25×1.2mm,金屬外殼長(zhǎng)邊兩個(gè)凸出的結(jié)構(gòu)尺寸為1.0×0.2×0.6mm,與pcb基板上的固定接地孔通過(guò)焊錫固定牢固,金屬外殼接地后晶振封裝結(jié)構(gòu)具有抗干擾能力及電磁屏蔽的功能。

      8、進(jìn)一步地,上述溫補(bǔ)晶振為2.5*2.0mm貼片封裝溫補(bǔ)晶振;晶振封裝結(jié)構(gòu)的尺寸不大于7.0×5.0mm。

      9、進(jìn)一步地,上述晶振封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有溫補(bǔ)晶振電路,溫補(bǔ)晶振電路包括:mcu、溫度傳感器、可編程數(shù)字電阻器和ptc加熱電路;溫補(bǔ)晶振與ptc加熱電路貼合設(shè)置;ptc加熱電路與可編程數(shù)字電阻器串聯(lián);mcu分別與溫度傳感器、可編程數(shù)字電阻器連接;溫度傳感器,用于實(shí)時(shí)檢測(cè)溫補(bǔ)晶振周圍的當(dāng)前環(huán)境溫度值,并將當(dāng)前環(huán)境溫度值發(fā)送至mcu;mcu,用于循環(huán)執(zhí)行電阻控制步驟,直到溫度傳感器實(shí)時(shí)檢測(cè)到的當(dāng)前環(huán)境溫度值達(dá)到目標(biāo)溫度值;電阻控制步驟包括:根據(jù)溫度傳感器實(shí)時(shí)檢測(cè)的當(dāng)前環(huán)境溫度值,確定目標(biāo)編程電阻值,控制可編程數(shù)字電阻器的電阻值達(dá)到目標(biāo)編程電阻值,以調(diào)整ptc加熱電路的加熱電流、加熱功率。

      10、進(jìn)一步地,上述ptc加熱電路包括:兩個(gè)并聯(lián)的ptc貼片熱敏電阻;溫補(bǔ)晶振與兩個(gè)ptc貼片熱敏電阻緊密貼合設(shè)置。

      11、第二方面,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種晶振封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,方法包括:在pcb基板銑槽臺(tái)階位置處點(diǎn)涂耐高溫黑膠;在140℃條件下將耐高溫黑膠固化半小時(shí);將金屬外殼與pcb基板進(jìn)行貼合;在pcb基板的固定接地孔上進(jìn)行焊錫熔化,將pcb基板進(jìn)行固定。

      12、本申請(qǐng)?zhí)峁┑木д穹庋b結(jié)構(gòu)及其封裝方法中,晶振封裝結(jié)構(gòu)包括:pcb基板、溫補(bǔ)晶振和金屬外殼;其中,溫補(bǔ)晶振設(shè)置于pcb基板上;pcb基板的相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置形成銑槽臺(tái)階;另外相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置處開設(shè)固定接地孔;金屬外殼通過(guò)設(shè)置在銑槽臺(tái)階上的黑膠與pcb基板貼合,并通過(guò)熔化于固定接地孔上的焊錫與pcb基板固定。本申請(qǐng)通過(guò)銑槽臺(tái)階上的黑膠以及固定接地孔處的焊錫,將金屬外殼與pcb基板固定牢固,同時(shí)能保證晶振具有抗干擾能力及電磁屏蔽的功能,而且產(chǎn)品在260℃回流焊接后沒(méi)有出現(xiàn)晶振無(wú)輸出現(xiàn)象。



      技術(shù)特征:

      1.一種晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述晶振封裝結(jié)構(gòu)包括:pcb基板、溫補(bǔ)晶振和金屬外殼;其中,所述溫補(bǔ)晶振設(shè)置于所述pcb基板上;所述pcb基板的相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置形成銑槽臺(tái)階;另外相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置處開設(shè)固定接地孔;所述金屬外殼通過(guò)設(shè)置在所述銑槽臺(tái)階上的黑膠與所述pcb基板貼合,并通過(guò)熔化于固定接地孔上的焊錫與所述pcb基板固定。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述固定接地孔采用金屬化焊盤孔處理方式形成;所述固定接地孔開設(shè)于邊緣位置的中間區(qū)域。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述銑槽臺(tái)階的臺(tái)階寬度為0.5mm、高度為0.5mm;所述銑槽臺(tái)階長(zhǎng)度與所述pcb基板的寬邊尺寸一致,臺(tái)階處pcb余厚為0.3mm;0.5mm的臺(tái)階高度保證點(diǎn)黑膠后黑膠不流動(dòng)到其它器件位置處。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述黑膠涂覆在所述銑槽臺(tái)階處距離所述pcb基板邊沿0.3mm處,保證黑膠不溢出到所述pcb基板邊沿。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述pcb基板厚度為0.8mm;所述金屬外殼厚度為0.2mm,所述金屬外殼的尺寸與所述pcb基板的尺寸相同。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述固定接地孔的尺寸為0.25×1.2mm,所述金屬外殼長(zhǎng)邊兩個(gè)凸出的結(jié)構(gòu)尺寸為1.0×0.2×0.6mm,與所述pcb基板上的固定接地孔通過(guò)焊錫固定牢固,所述金屬外殼接地后晶振封裝結(jié)構(gòu)具有抗干擾能力及電磁屏蔽的功能。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述溫補(bǔ)晶振為2.5*2.0mm貼片封裝溫補(bǔ)晶振;所述晶振封裝結(jié)構(gòu)的尺寸不大于7.0×5.0mm。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述晶振封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有溫補(bǔ)晶振電路,所述溫補(bǔ)晶振電路包括:mcu、溫度傳感器、可編程數(shù)字電阻器和ptc加熱電路;所述溫補(bǔ)晶振與所述ptc加熱電路貼合設(shè)置;所述ptc加熱電路與所述可編程數(shù)字電阻器串聯(lián);所述mcu分別與所述溫度傳感器、所述可編程數(shù)字電阻器連接;

      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶振封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述ptc加熱電路包括:兩個(gè)并聯(lián)的ptc貼片熱敏電阻;所述溫補(bǔ)晶振與兩個(gè)所述ptc貼片熱敏電阻緊密貼合設(shè)置。

      10.一種晶振封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其特征在于,所述方法包括:


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶振封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,晶振封裝結(jié)構(gòu)包括:PCB基板、溫補(bǔ)晶振和金屬外殼;其中,溫補(bǔ)晶振設(shè)置于PCB基板上;PCB基板的相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置形成銑槽臺(tái)階;另外相對(duì)的兩側(cè)邊緣位置處開設(shè)固定接地孔;金屬外殼通過(guò)設(shè)置在銑槽臺(tái)階上的黑膠與PCB基板貼合,并通過(guò)熔化于固定接地孔上的焊錫與PCB基板固定。本申請(qǐng)能夠保證金屬外殼與PCB基板固定牢固,以及晶振具有抗干擾能力及電磁屏蔽的功能的同時(shí),避免產(chǎn)品在260℃回流焊接后概率出現(xiàn)晶振無(wú)輸出現(xiàn)象。

      技術(shù)研發(fā)人員:王偉
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:成都恒晶科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/9/9
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