本發(fā)明涉及電路驅(qū)動(dòng)，尤其涉及一種驅(qū)動(dòng)電路和隔離電路。

背景技術(shù)：

1、固態(tài)繼電器通常包括輸入電路，輸出電路以及輸入電路與輸出電路之間的隔離電路，其中輸入電路接收控制信號(hào)，通過隔離電路耦合到輸出電路以控制負(fù)載的通斷。對(duì)于采用容耦隔離技術(shù)的固態(tài)繼電器，在繼電器的發(fā)射端具有驅(qū)動(dòng)電路，能夠產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)隔離電容，然而現(xiàn)有技術(shù)中用于驅(qū)動(dòng)隔離電容的驅(qū)動(dòng)電路，存在產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)電磁干擾高，信號(hào)耦合效率差等問題，影響了固態(tài)繼電器系統(tǒng)的整體性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種驅(qū)動(dòng)電路和隔離電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)隔離電容時(shí)電磁干擾高、耦合效率差的問題。

2、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)電路，其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括：第一晶體管，第一晶體管的柵端接收第一控制信號(hào)，第一晶體管的源端接收第一輸入信號(hào)，第一晶體管的漏端輸出第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)；第二晶體管，第二晶體管的柵端接收第二控制信號(hào)，第二晶體管的漏端耦接于第一晶體管的漏端，第二晶體管的源端耦接于參考地；第三晶體管，第三晶體管的柵端接收第三控制信號(hào)，第三晶體管的源端接收第一輸入信號(hào)，第三晶體管的漏端輸出第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及第四晶體管，第四晶體管的柵端接收第四控制信號(hào)，第四晶體管的漏端耦接于第三晶體管的漏端，第四晶體管的源端耦接于參考地；其中，在第一工作周期，第一晶體管和第四晶體管導(dǎo)通，第二晶體管和第三晶體管關(guān)斷，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)從第一閾值增大至第二閾值，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)從第二閾值減小至第一閾值；在第二工作周期，第一晶體管，第二晶體管，第三晶體管，第四晶體管關(guān)斷，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)保持在第二閾值，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)保持在第一閾值；在第三工作周期，第一晶體管和第四晶體管關(guān)斷，第二晶體管和第三晶體管導(dǎo)通，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)從第二閾值減小至第一閾值，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)從第一閾值增大至第二閾值；在第四工作周期，第一晶體管，第二晶體管，第三晶體管，第四晶體管關(guān)斷，第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)保持在第一閾值，第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)保持在第二閾值。

3、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)電路，包括信號(hào)產(chǎn)生電路，具有輸入端接收時(shí)鐘信號(hào)，并根據(jù)所述時(shí)鐘信號(hào)生成第一控制信號(hào)，第二控制信號(hào)，第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào)，其中第一控制信號(hào)和第四控制信號(hào)為互補(bǔ)信號(hào)，第二控制信號(hào)和第三控制信號(hào)為互補(bǔ)信號(hào)；第一電流鏡，具有輸入端和輸出端，第一電流鏡的輸入端接收第一輸入信號(hào)；第二電流鏡，具有輸入端和輸出端，第二電流鏡的輸出端耦接于參考地；第三電流鏡，具有輸入端和輸出端，第三電流鏡的輸入端接收第一輸入信號(hào)；第四電流鏡，具有輸入端和輸出端，第四電流鏡的輸出端耦接于參考地；第一晶體管，第一晶體管的柵端耦接于第一電流鏡的輸入端，第一晶體管的源端接收第一輸入信號(hào)，第一晶體管的漏端輸出第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)；第二晶體管，第二晶體管的柵端接收第二控制信號(hào)，第二晶體管的漏端耦接于第一晶體管的漏端，第二晶體管的源端耦接第二電流鏡的輸入端；第三晶體管，第三晶體管的柵端接收第三控制信號(hào)，第三晶體管的源端耦接于第三電流鏡的輸出端，第三晶體管的漏端輸出第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及第四晶體管，第四晶體管的柵端接收第四控制信號(hào)，第四晶體管的漏端耦接于第三晶體管的漏端，第四晶體管的源端耦接于第四電流鏡的輸入端。

4、根據(jù)本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明提供一種隔離電路，包括：供電電路，具有輸入端接收第二輸入信號(hào)，并根據(jù)所述第二輸入信號(hào)生成第三輸入信號(hào)；振蕩電路，具有輸入端接收所述第三輸入信號(hào)，并根據(jù)所述第三輸入信號(hào)生成時(shí)鐘信號(hào)；整流電路，具有輸入端接收所述第三輸入信號(hào)，控制端接收所述時(shí)鐘信號(hào)，輸出端提供第一輸入信號(hào)，所述整流電路在所述時(shí)鐘信號(hào)的控制下根據(jù)所述第三輸入信號(hào)生成第一輸入信號(hào)；以及如上述第一方面或第二方面中任一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)電路。

5、通過本發(fā)明上述實(shí)施例中的一個(gè)實(shí)施例或多個(gè)實(shí)施例，至少可以實(shí)現(xiàn)如下技術(shù)效果：

6、驅(qū)動(dòng)電路通過對(duì)稱的結(jié)構(gòu)和信號(hào)設(shè)置，在至少兩對(duì)互補(bǔ)信號(hào)的控制下，產(chǎn)生了一對(duì)差分信號(hào)，用以驅(qū)動(dòng)固態(tài)繼電器中的隔離電容，使得固態(tài)繼電器輸入電路和輸出電路之間的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的共模電壓保持不變，減小了其中共模電流的幅值，從而降低了電磁干擾，提升了耦合效率。

技術(shù)特征：

1.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中第一晶體管和第三晶體管是p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，第二晶體管和第四晶體管是n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中第二工作周期的時(shí)長為5ns-15ns。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中第二工作周期的時(shí)長等于第四工作周期的時(shí)長。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中第一閾值的范圍為90％×v1-v1，第二預(yù)設(shè)閾值的范圍為0-300mv，其中v1是第一輸入信號(hào)的電壓值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，還包括第一開關(guān)，在第二工作周期和第四工作周期時(shí)，第一開關(guān)導(dǎo)通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中第一開關(guān)包括第五晶體管，第五晶體管的柵端接收第五控制信號(hào)，第五晶體管的漏端耦接于第一晶體管的漏端，第五晶體管的源端耦接于第三晶體管的漏端。

8.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述第一電流鏡的輸出電流為10ua～10ma。

10.一種隔離電路，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的隔離電路，還包括

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的隔離電路，還包括第一電阻，第一電阻的第一端耦接于第一晶體管的漏端以接收第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一電阻的第二端提供第三驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的隔離電路，還包括

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的隔離電路，其中第一電阻的阻值在25ω到25kω。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例公開了一種驅(qū)動(dòng)電路和隔離電路，驅(qū)動(dòng)電路包括：第一晶體管，第一晶體管的柵端接收第一控制信號(hào)，第一晶體管的源端接收第一輸入信號(hào)，第一晶體管的漏端輸出第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)；第二晶體管，第二晶體管的柵端接收第二控制信號(hào)，第二晶體管的漏端耦接于第一晶體管的漏端，第二晶體管的源端耦接于參考地；第三晶體管，第三晶體管的柵端接收第三控制信號(hào)，第三晶體管的源端接收第一輸入信號(hào)，第三晶體管的漏端輸出第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及第四晶體管，第四晶體管的柵端接收第四控制信號(hào)，第四晶體管的漏端耦接于第三晶體管的漏端，第四晶體管的源端耦接于參考地。驅(qū)動(dòng)電路在互補(bǔ)信號(hào)的控制下產(chǎn)生了差分信號(hào)，用以驅(qū)動(dòng)后級(jí)電路，降低了電磁干擾。

技術(shù)研發(fā)人員：蒯琴,陳奇輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海納矽微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10