本申請涉及天線，尤其涉及l(fā)ap工藝和lap工藝產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、隨著移動通訊設(shè)備和智能穿戴設(shè)備向微型化、智能化的方向發(fā)展，使得應(yīng)用在上述設(shè)備中的天線需要在極其有限的空間中集成wifi、藍(lán)牙等大量功能。

2、lap(laser?activating?plating)工藝是一種以激光誘導(dǎo)普通塑膠基材后選擇性金屬鍍的工藝，能夠在任意成型面上制作具有電氣功能的電路及互聯(lián)器件，因此在天線制造中具有顯著優(yōu)勢。但目前市場上的lap工藝，在基材的電路走線槽內(nèi)化鍍金屬層時，容易將基板表面的非化鍍區(qū)域也化鍍上一層金屬層，從而降低產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請的主要目的在于提供一種lap工藝和lap工藝產(chǎn)品，旨在降低化鍍時將非化鍍區(qū)域化鍍上一層金屬層的幾率。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請?zhí)岢鲆环Nlap工藝，所述lap工藝包括如下步驟：

3、s1、先獲得基板；

4、s2、在所述基板的表面設(shè)置阻鍍漆；

5、s3、在所述基板設(shè)有阻鍍漆的表面上制作電路走線槽；

6、s4、在所述基板上的電路走線槽內(nèi)化鍍金屬層；

7、s5、除去所述基板表面的阻鍍漆。

8、在一實(shí)施例中，所述阻鍍漆通過噴涂的方式設(shè)置于所述基板的表面。

9、在一實(shí)施例中，所述阻鍍漆采用uv漆。

10、在一實(shí)施例中，步驟s5采用化學(xué)溶解法除去所述基板表面的阻鍍漆。

11、在一實(shí)施例中，所述化學(xué)溶解法采用的溶劑為己二酸二甲酯試劑或dbe。

12、在一實(shí)施例中，在進(jìn)行步驟s4之前還包括s31：將制作出電路走線槽的基板進(jìn)行活化處理。

13、在一實(shí)施例中，金屬層為金、銅或鎳。

14、在一實(shí)施例中，當(dāng)所述金屬層為銅時，活化處理的試劑采用膠體鈀活化液；或

15、當(dāng)所述金屬層為鎳時，活化處理的試劑采用酸性pdcl2溶液；或

16、當(dāng)所述金屬層為金時，活化處理的試劑采用鈀活化液。

17、在一實(shí)施例中，在所述基板上制作電路走線槽時采用鐳雕工藝。

18、本發(fā)明還提出一種lap工藝產(chǎn)品，該lap工藝產(chǎn)品采用上述的lap工藝制備所得。

19、本申請?zhí)岢龅募夹g(shù)方案，至少具有以下技術(shù)效果：

20、本方案在基板的表面上制作電路走線槽前，先在基板的表面設(shè)置一層阻鍍漆，因此，在設(shè)有阻鍍漆的表面制作電路走線槽后，電路走線槽的表面沒有阻鍍漆，而其他非鍍區(qū)域的表面設(shè)于阻鍍漆，因此，在進(jìn)行化鍍步驟時，電路走線槽內(nèi)會化鍍上一層金屬層，而由于其他非鍍區(qū)域的表面設(shè)有阻鍍漆，因此避免金屬附著在非鍍區(qū)域，也即能夠避免非鍍區(qū)域被化鍍上金屬層，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量，增加產(chǎn)品良率，進(jìn)而減少產(chǎn)品質(zhì)量不佳造成的資源浪費(fèi)。

技術(shù)特征：

1.一種lap工藝，其特征在于，所述lap工藝包括如下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的lap工藝，其特征在于，所述阻鍍漆通過噴涂的方式設(shè)置于所述基板的表面。

3.如權(quán)利要求1所述的lap工藝，其特征在于，所述阻鍍漆采用uv漆。

4.如權(quán)利要求3所述的lap工藝，其特征在于，步驟s5采用化學(xué)溶解法除去所述基板表面的阻鍍漆。

5.如權(quán)利要求4所述的lap工藝，其特征在于，所述化學(xué)溶解法采用的溶劑為己二酸二甲酯試劑或dbe。

6.如權(quán)利要求1所述的lap工藝，其特征在于，在進(jìn)行步驟s4之前還包括s31：將制作出電路走線槽的基板進(jìn)行活化處理。

7.如權(quán)利要求6所述的lap工藝，其特征在于，所述金屬層為金、銅或鎳。

8.如權(quán)利要求7所述的lap工藝，其特征在于，當(dāng)所述金屬層為銅時，活化處理的試劑采用膠體鈀活化液；或

9.如權(quán)利要求1至8任一項所述的lap工藝，其特征在于，在所述基板上制作電路走線槽時采用鐳雕工藝。

10.一種lap工藝產(chǎn)品，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至9任一項所述的lap工藝方法制備所得。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種LAP工藝和LAP工藝產(chǎn)品，涉及天線技術(shù)領(lǐng)域，其中，LAP工藝包括如下步驟：S1、先獲得基板；S2、在所述基板的表面設(shè)置阻鍍漆；S3、在所述基板設(shè)有阻鍍漆的表面上制作電路走線槽；S4、在所述基板上的電路走線槽內(nèi)化鍍金屬層；S5、除去所述基板表面的阻鍍漆。本申請的技術(shù)方案能夠避免非鍍區(qū)域被化鍍上金屬層，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量，增加產(chǎn)品良率，進(jìn)而減少成品質(zhì)量不佳造成的資源浪費(fèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：馬增世
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市拓普聯(lián)科技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19