本申請的實施例涉及存儲器器件及其形成方法。

背景技術：

1、電子設備(諸如計算機、便攜式設備、智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設備等)的發(fā)展促使對存儲器器件的需求增加。通常，存儲器器件可以是易失性存儲器器件和非易失性存儲器器件。易失性存儲器器件可以在提供電源時儲存數(shù)據(jù)，但一旦電源關閉，可能會丟失儲存的數(shù)據(jù)。與易失性存儲器器件不同，非易失性存儲器器件即使在電源關閉后也可以保留數(shù)據(jù)，但可能比易失性存儲器器件慢。

技術實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的實施例的一個方面，提供了一種存儲器器件，包括：多個外圍晶體管，沿著襯底的第一表面形成；多個存儲器單元，形成在設置在第一表面上方的多個第一金屬化層中的一個或多個第一金屬化層中，多個存儲器單元中的每個可操作地耦合到外圍晶體管的子集并且包括編程晶體管和至少第一讀取晶體管；以及多個第二金屬化層，設置在與第一表面相對的襯底的第二表面上方；其中，編程晶體管的第一源極/漏極端子與第一讀取晶體管的第一源極/漏極端子電連接，并且第一讀取晶體管的第二源極/漏極端子與形成在第二金屬化層中的對應一個第二金屬化層中的位線電連接。

2、根據(jù)本申請的實施例的另一個方面，提供了一種存儲器器件，包括：存儲器單元。存儲器單元包括：編程晶體管；和第一讀取晶體管，與編程晶體管串聯(lián)電連接并且與位線電連接。其中，存儲器單元形成于在襯底的第一表面上方形成的多個第一金屬化層中的一個第一金屬化層中；并且其中，位線形成于在襯底的與第一表面相對的第二表面上方形成的多個第二金屬化層中的一個第二金屬化層中。

3、根據(jù)本申請的實施例的另一個方面，提供了一種用于形成存儲器器件的方法，包括：沿著襯底的第一表面形成多個外圍晶體管；形成設置在第一表面上方的多個第一金屬化層；在多個第一金屬化層中的一個或多個第一金屬化層中形成多個存儲器單元，其中，多個存儲器單元中的每個可操作地耦合到外圍晶體管的子集并且包括編程晶體管和至少讀取晶體管；形成設置在襯底的與第一表面相對的第二表面上方的多個第二金屬化層；以及將每個存儲器單元的讀取晶體管的源極/漏極端子耦合到形成在第二金屬化層中的對應一個第二金屬化層中的位線。

技術特征：

1.一種存儲器器件，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器器件，其中，所述存儲器單元中的每個可操作地用作反熔絲存儲器單元，其中，所述編程晶體管的柵極電介質被配置為永久擊穿。

3.根據(jù)權利要求1所述的存儲器器件，其中，所述編程晶體管的第二源極/漏極端子是浮置的。

4.根據(jù)權利要求1所述的存儲器器件，其中，所述外圍晶體管的所述子集包括第一外圍晶體管和第二外圍晶體管，所述第一外圍晶體管和所述第二外圍晶體管分別可操作地耦合到所述編程晶體管的柵極端子和所述第一讀取晶體管的柵極端子。

5.一種存儲器器件，包括：

6.根據(jù)權利要求5所述的存儲器器件，其中，所述編程晶體管和所述第一讀取晶體管中的每個具有半導電行為材料作為其溝道。

7.根據(jù)權利要求5所述的存儲器器件，其中，所述存儲器單元還包括與所述編程晶體管和所述第一讀取晶體管串聯(lián)電連接的第二讀取晶體管。

8.一種用于形成存儲器器件的方法，包括：

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，所述存儲器單元中的每個的所述讀取晶體管的所述源極/漏極端子通過第一通孔結構耦合到所述位線，所述第一通孔結構沿橫向方向延伸并具有第一寬度。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述存儲器單元中的每個的所述讀取晶體管的所述源極/漏極端子進一步通過第二通孔結構耦合到所述位線，所述第二通孔結構沿所述橫向方向延伸并具有大于所述第一寬度的第二寬度。

技術總結
本申請的實施例提供了存儲器器件及其形成方法。存儲器器件包括：多個外圍晶體管，沿著襯底的第一表面形成；多個存儲器單元，形成在設置在第一表面上方的多個第一金屬化層中的一個或多個第一金屬化層中，多個存儲器單元中的每個可操作地耦合到外圍晶體管的子集并且包括編程晶體管和至少第一讀取晶體管；以及多個第二金屬化層，設置在與第一表面相對的襯底的第二表面上方；其中，編程晶體管的第一源極/漏極端子與第一讀取晶體管的第一源極/漏極端子電連接，并且第一讀取晶體管的第二源極/漏極端子與形成在第二金屬化層中的對應一個二金屬化層中的位線電連接。

技術研發(fā)人員：張盟昇
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19