本申請的實(shí)施例涉及存儲器器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、通常，有兩種主要類型的數(shù)據(jù)儲存元件。第一種類型是易失性存儲器器件，其中儲存在特定儲存元件中的信息在從存儲器器件斷電的瞬間丟失。第二種類型是非易失性存儲器器件，其中即使在斷電之后也保留信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種存儲器器件，包括：晶體管，沿襯底的前側(cè)表面形成；第一熔絲電阻器，形成在相對于所述前側(cè)表面垂直設(shè)置的第一金屬化層中；以及第二熔絲電阻器，形成在相對于所述前側(cè)表面垂直設(shè)置的第二金屬化層中，所述第一金屬化層不同于所述第二金屬層；其中，所述第二熔絲電阻器和所述第一熔絲電阻器各自耦合到所述晶體管。

2、根據(jù)本申請的實(shí)施例的另一個(gè)方面，提供了一種存儲器器件，包括：一次可編程(otp)存儲器單元，包括晶體管、第一電阻器和第二電阻器；其中，所述第二電阻器串聯(lián)耦合到所述第一電阻器，并且所述第一電阻器串聯(lián)耦合到所述晶體管；其中，所述第一電阻器、所述第二電阻器和所述晶體管彼此垂直間隔開。

3、根據(jù)本申請的實(shí)施例的又一個(gè)方面，提供了一種制造存儲器器件的方法，包括：沿襯底的前側(cè)表面形成晶體管；形成設(shè)置在所述前側(cè)表面上方的多個(gè)前側(cè)金屬軌道，其中，所述多個(gè)前側(cè)金屬軌道包括字線、位線和第一熔絲電阻器；以及形成設(shè)置在所述襯底的背側(cè)表面上方的多個(gè)背側(cè)金屬軌道，其中，所述多個(gè)背側(cè)面金屬軌道包括第二熔絲電阻器；其中，所述字線電連接到所述晶體管的柵極端子，所述位線電連接至所述第二熔絲電阻器的第一端，所述第二熔絲電阻器的第二端電連接至所述第一熔絲電阻器的第一端，并且所述第一熔絲電阻器的第二端電連接至所述晶體管的源極/漏極端子。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述存儲器器件，其中，所述第二熔絲電阻器、所述第一熔絲電阻器和所述晶體管彼此串聯(lián)耦合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述存儲器器件，其中，所述第二熔絲電阻器和所述第一熔絲電阻器彼此并聯(lián)耦合，并且所述第二熔絲電阻器和所述第一熔絲電阻器中的每個(gè)串聯(lián)耦合到所述晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述存儲器器件，其中，所述第一熔絲電阻器或所述第二熔絲電阻器中的一個(gè)被配置為隨機(jī)熔斷，從而永久呈現(xiàn)邏輯狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述存儲器器件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述存儲器器件，其中，所述第一金屬軌道沿所述第一橫向方向具有第一端和第二端，其中，沿垂直于所述第一橫向方向的第二橫向方向所述第一金屬軌道的所述第一端介于所述第二金屬軌道和所述第三金屬軌道之間，并且其中，沿所述第二橫向方向所述第一金屬軌道的所述第二端介于所述第四金屬軌道和所述第五金屬軌道之間。

7.一種存儲器器件，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述存儲器器件，其中，所述晶體管沿襯底的前側(cè)表面形成，所述第一電阻器包括多個(gè)第一金屬軌道，所述多個(gè)第一金屬軌道形成在設(shè)置于所述前側(cè)表面上方的多個(gè)前側(cè)金屬化層中的一個(gè)前側(cè)金屬化層中，并且所述第二電阻器包括多個(gè)第二金屬軌道，所述多個(gè)第二金屬軌道形成在設(shè)置于所述襯底的背側(cè)表面上方的多個(gè)背側(cè)金屬化層中的一個(gè)背側(cè)金屬化層中。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述存儲器器件，其中，所述晶體管沿襯底的前側(cè)表面形成，所述第一電阻器包括多個(gè)第一金屬軌道，所述多個(gè)第一金屬軌道形成在設(shè)置于所述前側(cè)表面上方的多個(gè)前側(cè)金屬化層中的第一前側(cè)金屬層中，并且所述第二電阻器包括多個(gè)第二金屬軌道，所述多個(gè)第二金屬軌道形成在所述多個(gè)前側(cè)金屬化層中的第二前側(cè)金屬化層中。

10.一種制造存儲器器件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請的實(shí)施例公開了存儲器器件及其制造方法，該存儲器器件包括沿襯底的前側(cè)表面形成的晶體管。存儲器器件包括形成在第一金屬化層中的第一熔絲電阻器，該第一金屬化層相對于前側(cè)表面垂直設(shè)置。存儲器器件包括形成在第二金屬化層中的第二熔絲電阻器，第二金屬層相對于前側(cè)垂直設(shè)置，第一金屬化層不同于第二金屬化層。第二熔絲電阻器和第一熔絲電阻器中的每個(gè)都耦合到晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：張盟昇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19