本發(fā)明涉及微電子、半導(dǎo)體及通信，尤其涉及一種移相電路及移相器。

背景技術(shù)：

1、如今正處在一個(gè)信息化的社會(huì)，人們追求高傳輸速率、低延遲和大容量的無(wú)線通訊系統(tǒng)，而相控陣天線能夠?qū)崿F(xiàn)多波束控制，精度高且壽命長(zhǎng)，是實(shí)現(xiàn)信息傳遞與感知的重要技術(shù)之一。傳統(tǒng)天線體型較大，輻射特性單一，而相控陣天線可以通過(guò)控制每個(gè)陣元實(shí)現(xiàn)信號(hào)的同相疊加，大大提高了信號(hào)接收的信噪比和數(shù)據(jù)傳輸速率。另外，多波束控制的特點(diǎn)可以大大提高頻率資源的利用率，同時(shí)減少發(fā)射功率的浪費(fèi)，降低系統(tǒng)功耗。相控陣在軍工、航天航空、車(chē)載雷達(dá)、無(wú)線通信等領(lǐng)域應(yīng)用極其廣泛。

2、移相器作為控制相位的器件是相控陣系統(tǒng)中重要的組成部分，其所在位置決定了相控陣系統(tǒng)的架構(gòu)類(lèi)型，一般將信號(hào)移相放在射頻域完成的相控陣系統(tǒng)稱為射頻移相架構(gòu)的相控陣系統(tǒng)，它較其它架構(gòu)的相控陣系統(tǒng)具有更低的功耗和體積，因此是目前應(yīng)用最廣泛的類(lèi)型之一。相控陣一般陣元數(shù)量龐大，因此需要大量的移相器模塊，同時(shí)它們也決定了整個(gè)系統(tǒng)的移相精度、損耗、穩(wěn)定性和尺寸等。因此研究小型化、高性能的移相器是高性能相控陣研發(fā)面臨的挑戰(zhàn)。

3、移相器通常是兩端口網(wǎng)絡(luò)，一般通過(guò)開(kāi)關(guān)器件和移相網(wǎng)絡(luò)共同實(shí)現(xiàn)，開(kāi)關(guān)器件控制信號(hào)的傳輸路徑是參考路徑或是延遲路徑，理想開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通和截至狀態(tài)下的插入損耗是相同，但實(shí)際中開(kāi)關(guān)器件非理想器件，兩種狀態(tài)下的移相幅度發(fā)生變化，即具有一定的幅度波動(dòng)，導(dǎo)致移相器性能下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的移相器中的移相電路性能不佳的技術(shù)問(wèn)題，提出了一種移相電路，所述移相電路包括：包含開(kāi)關(guān)晶體管m1、開(kāi)關(guān)晶體管m2、開(kāi)關(guān)晶體管m3、三個(gè)電阻rg、電阻r1、電感l(wèi)1、電感l(wèi)2、電感l(wèi)3，其中，開(kāi)關(guān)晶體管m1的源極連接射頻信號(hào)輸入端，開(kāi)關(guān)晶體管m1的漏極連接射頻信號(hào)輸出端；

2、電阻r1的一端和電感l(wèi)1的一端連接，電感l(wèi)1的另一端與開(kāi)關(guān)管m1的漏極連接，電阻r1的另一端與開(kāi)關(guān)管m2的漏極連接；

3、電感l(wèi)2的一端與開(kāi)關(guān)管m1的源極連接，電感l(wèi)2的另一端與開(kāi)關(guān)管m2的漏極連接；

4、開(kāi)關(guān)管m3的漏極與開(kāi)關(guān)管m2的源極連接，開(kāi)關(guān)管m3的源極接地，電感l(wèi)3的一端與開(kāi)關(guān)管m3的源極連接，電感l(wèi)3的另一端與開(kāi)關(guān)管m3的漏極連接；

5、開(kāi)關(guān)晶體管m1的柵極連接第一個(gè)電阻rg的一端，第一個(gè)電阻rg的另一端接電源，開(kāi)關(guān)晶體管m2的柵極連接第二個(gè)電阻rg的一端，第二個(gè)電阻rg的另一端接電源，開(kāi)關(guān)晶體管m3的柵極連接第三個(gè)電阻rg的一端，第三個(gè)電阻rg的另一端接電源。

6、一實(shí)施例中，所述電感l(wèi)2與所述電感l(wèi)1電感值相同。

7、一實(shí)施例中，本發(fā)明還提供一種移相器，所述移相器包括如上所述的移相電路。

8、本發(fā)明提出了一種移相電路，移相電路包括：包含開(kāi)關(guān)晶體管m1、開(kāi)關(guān)晶體管m2、開(kāi)關(guān)晶體管m3、三個(gè)電阻rg、電阻r1、電感l(wèi)1、電感l(wèi)2、電感l(wèi)3，其中，開(kāi)關(guān)晶體管m1的源極連接射頻信號(hào)輸入端，開(kāi)關(guān)晶體管m1的漏極連接射頻信號(hào)輸出端；電阻r1的一端和電感l(wèi)1的一端連接，電感l(wèi)1的另一端與開(kāi)關(guān)管m1的漏極連接，電阻r1的另一端與開(kāi)關(guān)管m2的漏極連接；電感l(wèi)2的一端與開(kāi)關(guān)管m1的源極連接，電感l(wèi)2的另一端與開(kāi)關(guān)管m2的漏極連接；開(kāi)關(guān)管m3的漏極與開(kāi)關(guān)管m2的源極連接，開(kāi)關(guān)管m3的源極接地，電感l(wèi)3的一端與開(kāi)關(guān)管m3的源極連接，電感l(wèi)3的另一端與開(kāi)關(guān)管m3的漏極連接；開(kāi)關(guān)晶體管m1的柵極連接第一個(gè)電阻rg的一端，第一個(gè)電阻rg的另一端接電源，開(kāi)關(guān)晶體管m2的柵極連接第二個(gè)電阻rg的一端，第二個(gè)電阻rg的另一端接電源，開(kāi)關(guān)晶體管m3的柵極連接第三個(gè)電阻rg的一端，第三個(gè)電阻rg的另一端接電源。本發(fā)明的移相電路的結(jié)構(gòu)只有一個(gè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)，插損更小，且開(kāi)關(guān)截止態(tài)寄生電容為移相電路的一部分，能有效抑制寄生參量對(duì)整個(gè)移相電路性能的影響。采用本電路的移相電路結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)高精度、低插入損耗，低幅度誤差的效果。

技術(shù)特征：

1.一種移相電路，其特征在于，所述移相電路包括：包含開(kāi)關(guān)晶體管m1、開(kāi)關(guān)晶體管m2、開(kāi)關(guān)晶體管m3、三個(gè)電阻rg、電阻r1、電感l(wèi)1、電感l(wèi)2、電感l(wèi)3，其中，開(kāi)關(guān)晶體管m1的源極連接射頻信號(hào)輸入端，開(kāi)關(guān)晶體管m1的漏極連接射頻信號(hào)輸出端；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相電路，其特征在于，所述電感l(wèi)2與所述電感l(wèi)1電感值相同。

3.一種移相器，其特征在于，所述移相器包括如權(quán)利要求1至2中任意一項(xiàng)所述的移相電路。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及微電子、半導(dǎo)體及通信技術(shù)領(lǐng)域，揭示了一種移相電路，此移相電路的結(jié)構(gòu)只有一個(gè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)，插損更小，且開(kāi)關(guān)截止態(tài)寄生電容為移相電路的一部分，能有效抑制寄生參量對(duì)整個(gè)移相電路性能的影響。采用本電路的移相電路結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)高精度、低插入損耗，低幅度誤差的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：王濤,吳奕蓬,劉凱,張博,張健鑫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：博瑞集信（西安）電子科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23