本申請涉及顯示設備，更具體地，涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術：

1、有機發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode,oled)具有高色域，高對比度，柔性自發(fā)光，低功耗等特點，是目前主流應用于智能顯示端口的信息顯示技術之一。

2、oled陣列基板包括多個像素單元，每個像素單元可以包括開關晶體管、驅動晶體管和oled發(fā)光器件。為了實現(xiàn)oeld器件的顯示效果，oled陣列基板中通常會設置多個開關晶體管，這給顯示器件的像素密度(pixels?per?inch,ppi)的提升帶來了很大的挑戰(zhàn)。

技術實現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本申請實施例提供了一種陣列基板和顯示裝置，可以有效提升顯示裝置的像素密度。

2、第一方面，提供了一種陣列基板，包括：沿第一方向依次設置的襯底基板、第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管中的至少兩個薄膜晶體管在襯底基板上的正投影部分重疊，第一方向為陣列基板的厚度方向。

3、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，第一薄膜晶體管包括沿第一方向依次層疊設置的第一有源層和第一柵極層，陣列基板還包括第一柵極絕緣層，沿第一方向，第一柵極絕緣層設置于第一有源層和第一柵極層之間，第一有源層包括低溫多晶硅材料。

4、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，第二薄膜晶體管包括沿第一方向依次層疊設置的第二有源層和第二柵極層，陣列基板還包括第二柵極絕緣層，沿第一方向，第二柵極絕緣層設置于第二有源層和第二柵極層之間，第二有源層包括銦、鎵和鋅的非晶氧化物材料；第三薄膜晶體管包括沿第一方向依次層疊設置的第三柵極層和第三有源層，陣列基板還包括第三柵極絕緣層，沿第一方向，第三柵極絕緣層設置于第三柵極層和第三有源層之間，第三有源層包括銦、鎵和鋅的非晶氧化物材料。

5、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括第四柵極絕緣層，沿第一方向，第四柵極絕緣層設置于第二柵極層和第三柵極層之間。

6、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，第二柵極層和第三柵極層同層設置。

7、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括第五柵極絕緣層、第一轉接層和第二轉接層，第一柵極層、第五柵極絕緣層和第一轉接層沿第一方向依次層疊設置，第二轉接層與第三有源層連接且同層設置；第一轉接層通過第一過孔與第一有源層連接；第二轉接層通過第二過孔與第一轉接層連接，第二轉接層通過陽極過孔與發(fā)光器件的陽極連接。

8、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括中間絕緣層和第三轉接層，第一轉接層、中間絕緣層和第三轉接層沿第一方向依次層疊設置；第三轉接層與第二有源層連接且同層設置，第三轉接層通過第三過孔與第一柵極層連接。

9、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，第一轉接層在襯底基板上的正投影與第三轉接層在襯底基板上的正投影部分重疊。

10、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括數(shù)據線，第三轉接層通過第七過孔與數(shù)據線連接，以將第二有源層與數(shù)據線連接，數(shù)據線用于加載灰階電壓。

11、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括第四轉接層，第四轉接層設置于第二柵極層的遠離襯底基板的一側，第四轉接層通過第四過孔與第三轉接層和第二有源層連接。

12、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括第五轉接層和第一平坦層，第五轉接層設置于第三有源層的遠離襯底基板的一側，第五轉接層通過第五過孔與第三轉接層和第二有源層連接，第一平坦層填充于第五過孔的部分區(qū)域。

13、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括反射金屬層和第一鈍化層，反射金屬層和第一鈍化層沿第一方向依次設置于第五轉接層的遠離襯底基板的一側，反射金屬層在襯底基板上的正投影覆蓋第五轉接層在襯底基板上的正投影，第一鈍化層在襯底基板上的正投影覆蓋反射金屬層在襯底基板上的正投影。

14、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括第六轉接層，第六轉接層設置于第二柵極層的遠離襯底基板的一側，第六轉接層通過第六過孔與第一柵極層連接。

15、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，第二轉接層在襯底基板上的正投影與第六轉接層在襯底基板上的正投影部分重疊。

16、結合第一方面，在第一方面的某些實現(xiàn)方式中，陣列基板還包括感測線，感測線通過第二轉接層連接于第三有源層，感測線用于傳輸感測信號。

17、第二方面，提供了一種顯示裝置，包括上述第一方面任一可能的實現(xiàn)方式中的陣列基板。

技術特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管包括沿所述第一方向依次層疊設置的第一有源層和第一柵極層，所述陣列基板還包括第一柵極絕緣層，沿所述第一方向，所述第一柵極絕緣層設置于所述第一有源層和所述第一柵極層之間，所述第一有源層包括低溫多晶硅材料。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶體管包括沿所述第一方向依次層疊設置的第二有源層和第二柵極層，所述陣列基板還包括第二柵極絕緣層，沿所述第一方向，所述第二柵極絕緣層設置于所述第二有源層和所述第二柵極層之間，所述第二有源層包括銦、鎵和鋅的非晶氧化物材料；

4.根據權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第四柵極絕緣層，沿所述第一方向，所述第四柵極絕緣層設置于所述第二柵極層和所述第三柵極層之間。

5.根據權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二柵極層和所述第三柵極層同層設置。

6.根據權利要求2至5中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第五柵極絕緣層、第一轉接層和第二轉接層，所述第一柵極層、所述第五柵極絕緣層和所述第一轉接層沿所述第一方向依次層疊設置，所述第二轉接層與所述第三有源層連接且同層設置；

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括中間絕緣層和第三轉接層，所述第一轉接層、所述中間絕緣層和所述第三轉接層沿所述第一方向依次層疊設置；

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一轉接層在所述襯底基板上的正投影與所述第三轉接層在所述襯底基板上的正投影部分重疊。

9.根據權利要求7或8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括數(shù)據線，所述第三轉接層通過第七過孔與所述數(shù)據線連接，以將所述第二有源層與所述數(shù)據線連接，所述數(shù)據線用于加載灰階電壓。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第四轉接層，所述第四轉接層設置于所述第二柵極層的遠離所述襯底基板的一側，所述第四轉接層通過第四過孔與所述第三轉接層和所述第二有源層連接。

11.根據權利要求7至9中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第五轉接層和第一平坦層，所述第五轉接層設置于所述第三有源層的遠離所述襯底基板的一側，所述第五轉接層通過第五過孔與所述第三轉接層和所述第二有源層連接，所述第一平坦層填充于所述第五過孔的部分區(qū)域。

12.根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括反射金屬層和第一鈍化層，所述反射金屬層和所述第一鈍化層沿所述第一方向依次設置于所述第五轉接層的遠離所述襯底基板的一側，所述反射金屬層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第五轉接層在所述襯底基板上的正投影，所述第一鈍化層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述反射金屬層在所述襯底基板上的正投影。

13.根據權利要求2至6中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第六轉接層，所述第六轉接層設置于所述第二柵極層的遠離所述襯底基板的一側，所述第六轉接層通過第六過孔與所述第一柵極層和所述第二有源層連接。

14.根據權利要求13所述的陣列基板，其特征在于，所述第二轉接層在所述襯底基板上的正投影與所述第六轉接層在所述襯底基板上的正投影部分重疊。

15.根據權利要求6至12中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括感測線，所述感測線通過所述第二轉接層連接于所述第三有源層，所述感測線用于傳輸感測信號。

16.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至15中任一項所述的陣列基板。

技術總結
本申請?zhí)峁┝艘环N陣列基板和顯示裝置，可以有效提升顯示裝置的像素密度。該陣列基板包括：沿第一方向依次設置的襯底基板、第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管中的至少兩個薄膜晶體管在襯底基板上的正投影部分重疊，第一方向為陣列基板的厚度方向。

技術研發(fā)人員：張震,劉冬妮,張振宇,玄明花,張舜航,李佩柔,林允植,于連富,楊維,童彬彬
受保護的技術使用者：京東方科技集團股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/10