本發(fā)明涉及光伏電池，尤其涉及一種鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件。

背景技術(shù)：

1、太陽能具有安全、無污染、不受地理條件限制等優(yōu)勢，是各種可再生能源中應(yīng)用最為廣泛、最有發(fā)展前途的一種。而在各種有效利用太陽能的技術(shù)中，光伏發(fā)電無疑是最具有前景的方向之一。在眾多新型太陽能電池里，鈣鈦礦太陽能電池具有效率高、可溶液制備、成本低廉等優(yōu)點。

2、鈣鈦礦電池，是一種利用鈣鈦礦型的半導(dǎo)體材料作為光電轉(zhuǎn)換材料的薄膜太陽能電池。一般包括基底、導(dǎo)電材料層、第一載流子傳輸層、鈣鈦礦層、第二載流子傳輸層、頂電極層。常規(guī)的鈣鈦礦電池，一般都是將鈣鈦礦層和晶硅層均輸出一個正極和負(fù)極，再將二者的正極或負(fù)極分別連接，從而將鈣鈦礦層與晶硅層直接并聯(lián)。

3、但是，通過對于鈣鈦礦層與晶硅層整層并聯(lián)制造鈣鈦礦電池，對于大面積鈣鈦礦均勻性的要求比較高，鈣鈦化組件良品率底，鈣鈦礦層失效后，電池整體就會受損失效，且整體光伏組件功率較低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供了一種鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件對于大面積鈣鈦礦均勻性的要求比較高，鈣鈦化組件良品率底，鈣鈦礦層失效后，電池整體就會受損失效，且整體光伏組件功率較低的技術(shù)問題。

2、第一方面，本發(fā)明提供的一種鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，包括鈣鈦礦層、晶硅層以及間隔層，包括鈣鈦礦晶硅疊層單元組；

3、所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組包括并聯(lián)連接的鈣鈦礦單元和晶硅單元，所述鈣鈦礦單元與所述晶硅單元疊層設(shè)置，且所述鈣鈦礦單元設(shè)置于所述晶硅單元的上方，多個所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組依次串聯(lián)連接形成鈣鈦礦晶硅疊層組串，若干所述鈣鈦礦晶硅疊層組串并聯(lián)連接；

4、所述鈣鈦礦單元具有多個鈣鈦礦塊，所述晶硅單元具有多個晶硅塊，所述鈣鈦礦塊與所述晶硅塊呈比例設(shè)置。

5、進(jìn)一步地，所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組具有多個所述鈣鈦礦單元和多個所述晶硅單元，所述鈣鈦礦單元依次串聯(lián)形成鈣鈦礦單元串，所述晶硅單元依次串聯(lián)形成晶硅單元串，所述鈣鈦礦單元串與所述晶硅單元串并聯(lián)連接。

6、進(jìn)一步地，所述鈣鈦礦晶硅疊層組串中的多個所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組相互并聯(lián)從而形成所述鈣鈦礦晶硅疊層組串。

7、進(jìn)一步地，同一所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組內(nèi)所述晶硅塊的數(shù)量大于等于所述鈣鈦礦塊的數(shù)量。

8、進(jìn)一步地，所述間隔層具有導(dǎo)電部和絕緣部，所述導(dǎo)電部分別與所述鈣鈦礦單元和所述晶硅單元電連接，以使所述鈣鈦礦單元和所述晶硅單元并聯(lián)連接。

9、進(jìn)一步地，所述間隔層設(shè)置為局部導(dǎo)電膠膜。

10、進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電部可以設(shè)置為由氮化碳材料或足球烯材料或氮化鈦材料等制成。

11、進(jìn)一步地，所述間隔層設(shè)置為絕緣基板，在所述絕緣基板上貫穿設(shè)置有導(dǎo)體，以形成所述導(dǎo)電部。

12、進(jìn)一步地，所述絕緣基板使用聚對苯二甲酸乙二醇酯材質(zhì)，所述導(dǎo)體為導(dǎo)電高分子材料、金屬材料、導(dǎo)電樹脂基體、納米材料或金屬氧化物。

13、進(jìn)一步地，所述鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件還包括背電極、底層膠膜、氧化物薄膜玻璃層、上層蓋板和下層蓋板；若干所述背電極與所述鈣鈦礦單元一一對應(yīng)設(shè)置，所述背電極設(shè)置于所述鈣鈦礦單元與所述間隔層之間，所述底層膠膜設(shè)置于所述鈣鈦礦晶硅疊層組串的底部，所述上層蓋板設(shè)置于所述鈣鈦礦晶硅疊層組串的頂部，所述下層蓋板設(shè)置于所述底層膠膜的底部，所述氧化物薄膜玻璃層設(shè)置于所述上層蓋板與所述鈣鈦礦晶硅疊層組串之間。

14、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，包括鈣鈦礦層、晶硅層以及間隔層，包括鈣鈦礦晶硅疊層單元組；鈣鈦礦晶硅疊層單元組包括并聯(lián)連接的鈣鈦礦單元和晶硅單元，鈣鈦礦單元與晶硅單元疊層設(shè)置，且鈣鈦礦單元設(shè)置于晶硅單元的上方，多個鈣鈦礦晶硅疊層單元組依次串聯(lián)連接形成鈣鈦礦晶硅疊層組串，若干鈣鈦礦晶硅疊層組串并聯(lián)連接；鈣鈦礦單元具有多個鈣鈦礦塊，晶硅單元具有多個晶硅塊，鈣鈦礦塊與晶硅塊呈比例設(shè)置；通過將鈣鈦礦層和晶硅層分別設(shè)置成多個鈣鈦礦單元和晶硅單元，并聯(lián)連接成鈣鈦礦晶硅疊層單元組后，再通過鈣鈦礦晶硅疊層單元組的串聯(lián)和并聯(lián)形成整體的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件；同時將鈣鈦礦單元和晶硅單元設(shè)置成呈比例設(shè)置的鈣鈦礦塊和晶硅塊，從而平衡開路電壓，并進(jìn)一步地將鈣鈦礦單元和晶硅單元細(xì)分，即便單個鈣鈦礦塊和晶硅塊失效也不會影響使整個鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件失效，同時也將鈣鈦礦層化整為零，降低了對于大面積鈣鈦礦均勻性的要求，解決了現(xiàn)有技術(shù)中鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件對于大面積鈣鈦礦均勻性的要求比較高，鈣鈦礦層失效后，電池整體就會受損失效，且整體光伏組件功率較低的技術(shù)問題，提高了鈣鈦化組件良品率。

技術(shù)特征：

1.一種鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，包括鈣鈦礦層、晶硅層以及間隔層(200)，其特征在于，包括鈣鈦礦晶硅疊層單元組(110)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組(110)具有多個所述鈣鈦礦單元(111)和多個所述晶硅單元(112)，所述鈣鈦礦單元(111)依次串聯(lián)形成鈣鈦礦單元(111)串，所述晶硅單元(112)依次串聯(lián)形成晶硅單元(112)串，所述鈣鈦礦單元(111)串與所述晶硅單元(112)串并聯(lián)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述鈣鈦礦晶硅疊層組串(100)中的多個所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組(110)相互并聯(lián)從而形成所述鈣鈦礦晶硅疊層組串(100)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，同一所述鈣鈦礦晶硅疊層單元組(110)內(nèi)所述晶硅塊(1121)的數(shù)量大于等于所述鈣鈦礦塊(1111)的數(shù)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述間隔層(200)具有導(dǎo)電部和絕緣部，所述導(dǎo)電部分別與所述鈣鈦礦單元(111)和所述晶硅單元(112)電連接，以使所述鈣鈦礦單元(111)和所述晶硅單元(112)并聯(lián)連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述間隔層(200)設(shè)置為局部導(dǎo)電膠膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述導(dǎo)電部設(shè)置為由氮化碳材料或足球烯材料或氮化鈦材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述間隔層(200)設(shè)置為絕緣基板，在所述絕緣基板上貫穿設(shè)置有導(dǎo)體，以形成所述導(dǎo)電部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述絕緣基板使用聚對苯二甲酸乙二醇酯材質(zhì)，所述導(dǎo)體為導(dǎo)電高分子材料、金屬材料、導(dǎo)電樹脂基體、納米材料或金屬氧化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，其特征在于，所述鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件還包括背電極(300)、底層膠膜(400)、氧化物薄膜玻璃層(700)、上層蓋板(500)和下層蓋板(600)；若干所述背電極(300)與所述鈣鈦礦單元(111)一一對應(yīng)設(shè)置，所述背電極(300)設(shè)置于所述鈣鈦礦單元(111)與所述間隔層(200)之間，所述底層膠膜(400)設(shè)置于所述鈣鈦礦晶硅疊層組串(100)的底部，所述上層蓋板(500)設(shè)置于所述鈣鈦礦晶硅疊層組串(100)的頂部，所述下層蓋板(600)設(shè)置于所述底層膠膜(400)的底部，所述氧化物薄膜玻璃層(700)設(shè)置于所述上層蓋板(500)與所述鈣鈦礦晶硅疊層組串(100)之間。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供的一種鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，尤其涉及光伏電池的技術(shù)領(lǐng)域，包括鈣鈦礦晶硅疊層單元組；鈣鈦礦晶硅疊層單元組包括并聯(lián)連接的鈣鈦礦單元和晶硅單元，鈣鈦礦單元與晶硅單元疊層設(shè)置，多個鈣鈦礦晶硅疊層單元組依次串聯(lián)連接形成鈣鈦礦晶硅疊層組串，若干鈣鈦礦晶硅疊層組串并聯(lián)連接；通過將鈣鈦礦層和晶硅層分別設(shè)置成多個鈣鈦礦單元和晶硅單元，并聯(lián)連接成鈣鈦礦晶硅疊層單元組后，再通過鈣鈦礦晶硅疊層單元組的串聯(lián)和并聯(lián)形成整體的鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件，將鈣鈦礦層化整為零，降低了對于大面積鈣鈦礦均勻性的要求，解決了現(xiàn)有技術(shù)中鈣鈦礦晶硅疊層光伏組件對于大面積鈣鈦礦均勻性的要求比較高的技術(shù)問題，提高了鈣鈦化組件良品率。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧士鋒,石磊,王攀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江制能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10