本發(fā)明涉及聲表面波器件，具體涉及一種聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)及抑制方法。

背景技術(shù)：

1、采用聲表面波(saw＝surface?acoustic?wave,表面聲波)工作的射頻濾波器器件，將射頻信號轉(zhuǎn)換成聲波并且反過來將聲波轉(zhuǎn)換成射頻信號，實現(xiàn)射頻信號濾波功能，是現(xiàn)今通信設(shè)備的關(guān)鍵元器件。

2、聲波是借助物理媒質(zhì)傳輸?shù)臋C械振動，因物理媒質(zhì)的性質(zhì)不同，聲波傳輸特性各異。因研究地下地震給人類造成重大破壞發(fā)現(xiàn)了聲表面波，其特征是：聲波能量僅在固體表面數(shù)個聲波長層內(nèi)傳輸，傳輸損耗低，由此開始了聲表面波的工程應(yīng)用。

3、聲表面波器件，就是基于壓電材料的(逆)壓電效應(yīng)，利用壓電材料表面的聲表面波工作的電子器件，它采用壓電材料表面制作的叉指換能器(一種金屬電極周期結(jié)構(gòu)，其形狀如同雙手交叉)在其表面產(chǎn)生和接收聲表面波。在相關(guān)器件理論指導(dǎo)下，設(shè)計叉指換能器的電極周期、孔徑和截面幾何，可實現(xiàn)預(yù)定的電性能。

4、聲表面波器件的結(jié)構(gòu)一般包括襯底層、壓電層和電極指條層，而電極指條層包括匯流排、假指組件和指條組件，聲表面波器件的雜波模式抑制設(shè)計主要包括寄生雜波和橫向雜波模式抑制設(shè)計，其中，寄生雜波模式抑制取決于其壓電材料及其切向、電極材料及尺寸、膜層拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等，而橫向雜波模式抑制取決于指條和孔徑方向上的結(jié)構(gòu)、材料設(shè)計。隨著高速移動通訊對低損耗、高平坦度等高性能聲表面波器件的需求越來越高，實現(xiàn)聲表面波器件的雜波模式抑制也成為了急需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：如何提供一種在抑制各階次雜波模式寄生的同時，還可激發(fā)高q值聲波模式，實現(xiàn)聲表面波器件的低損耗、通帶高平坦度等性能的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)及抑制方法。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

3、一種聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，包括匯流排、假指組件、間隙和指條組件，其特征在于，所述指條組件包括沿軸向設(shè)置的多個指條，所述假指組件包括沿軸向設(shè)置的多個假指部件，所述指條與所述假指部件一一對應(yīng)，所述假指部件包括沿豎向方向設(shè)置的至少一個假指，且每個所述假指不同位置的軸向?qū)挾炔煌耆嗟取?/p>

4、優(yōu)選的，所述假指部件與所述指條相鄰的邊具有與對應(yīng)位置所述指條相等的軸向?qū)挾取?/p>

5、優(yōu)選的，所述假指包括遠(yuǎn)離所述指條方向的第一臺階部和靠近所述指條方向的第二臺階部，所述第一臺階部和所述第二臺階部均整體呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述第一臺階部的軸向?qū)挾却笥谒龅诙_階部的軸向?qū)挾取?/p>

6、優(yōu)選的，所述假指部件包括沿豎向方向設(shè)置的多個假指，且從遠(yuǎn)離所述指條的位置到靠近所述指條的位置，多個所述假指的最大軸向?qū)挾戎饾u減小。

7、優(yōu)選的，所述假指包括遠(yuǎn)離所述指條方向的第一臺階部和靠近所述指條方向的第二臺階部，所述第一臺階部和所述第二臺階部均整體呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述第一臺階部的軸向?qū)挾刃∮谒龅诙_階部的軸向?qū)挾取?/p>

8、優(yōu)選的，所述假指部件包括沿豎向方向設(shè)置的多個假指，且從遠(yuǎn)離所述指條的位置到靠近所述指條的位置，多個所述假指的最大軸向?qū)挾戎饾u增大。

9、優(yōu)選的，所述假指的軸向?qū)挾葟倪h(yuǎn)離所述指條的一端向靠近所述指條的一端逐漸減小。

10、優(yōu)選的，所述假指的軸向?qū)挾葟倪h(yuǎn)離所述指條的一端向靠近所述指條的一端逐漸增大。

11、優(yōu)選的，所述假指部件遠(yuǎn)離所述指條的一端與所述匯流排連接，所述指條遠(yuǎn)離所述假指的一端與所述匯流排連接，且相鄰兩個所述假指部件在軸向方向錯位設(shè)置，相鄰兩個所述指條在軸向方向錯位設(shè)置。

12、一種聲表面波器件橫向雜波模式抑制方法，采用上述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)。

13、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過對匯流排、假指組件、間隙、指條組件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計，使得孔徑方向呈現(xiàn)不連續(xù)結(jié)構(gòu)從而導(dǎo)致聲阻抗差異，這種差異導(dǎo)致聲波反射，將主模約束在指條區(qū)域，極大激發(fā)了主要模態(tài)，抑制了橫向模態(tài)，此外在實現(xiàn)抑制各階次雜波模式寄生的同時，還可實現(xiàn)低損耗、高q值。由此，有利于實現(xiàn)聲表面波濾波器的低損耗、通帶高平坦度等性能，滿足了高速移動通訊和國防軍工等終端對高性能表面波濾波器的要求，且該結(jié)構(gòu)使用的制備工藝容易實現(xiàn)，易于大規(guī)模推廣。

技術(shù)特征：

1.一種聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，包括匯流排、假指組件、間隙和指條組件，其特征在于，所述指條組件包括沿軸向設(shè)置的多個指條，所述假指組件包括沿軸向設(shè)置的多個假指部件，所述指條與所述假指部件一一對應(yīng)，所述假指部件包括沿豎向方向設(shè)置的至少一個假指，且每個所述假指不同位置的軸向?qū)挾炔煌耆嗟取?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指部件與所述指條相鄰的邊具有與對應(yīng)位置所述指條相等的軸向?qū)挾取?/p>

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指包括遠(yuǎn)離所述指條方向的第一臺階部和靠近所述指條方向的第二臺階部，所述第一臺階部和所述第二臺階部均整體呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述第一臺階部的軸向?qū)挾却笥谒龅诙_階部的軸向?qū)挾取?/p>

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指部件包括沿豎向方向設(shè)置的多個假指，且從遠(yuǎn)離所述指條的位置到靠近所述指條的位置，多個所述假指的最大軸向?qū)挾戎饾u減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指包括遠(yuǎn)離所述指條方向的第一臺階部和靠近所述指條方向的第二臺階部，所述第一臺階部和所述第二臺階部均整體呈矩形結(jié)構(gòu)，且所述第一臺階部的軸向?qū)挾刃∮谒龅诙_階部的軸向?qū)挾取?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指部件包括沿豎向方向設(shè)置的多個假指，且從遠(yuǎn)離所述指條的位置到靠近所述指條的位置，多個所述假指的最大軸向?qū)挾戎饾u增大。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指的軸向?qū)挾葟倪h(yuǎn)離所述指條的一端向靠近所述指條的一端逐漸減小。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指的軸向?qū)挾葟倪h(yuǎn)離所述指條的一端向靠近所述指條的一端逐漸增大。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述假指部件遠(yuǎn)離所述指條的一端與所述匯流排連接，所述指條遠(yuǎn)離所述假指的一端與所述匯流排連接，且相鄰兩個所述假指部件在軸向方向錯位設(shè)置，相鄰兩個所述指條在軸向方向錯位設(shè)置。

10.一種聲表面波器件橫向雜波模式抑制方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1到9任一所述的聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種聲表面波器件橫向雜波模式抑制結(jié)構(gòu)及抑制方法，該抑制結(jié)構(gòu)包括匯流排、假指組件、間隙和指條組件，所述指條組件包括沿軸向設(shè)置的多個指條，所述假指組件包括沿軸向設(shè)置的多個假指部件，所述指條與所述假指部件一一對應(yīng)，所述假指部件包括沿豎向方向設(shè)置的至少一個假指，且每個所述假指不同位置的軸向?qū)挾炔煌耆嗟取１景l(fā)明通過優(yōu)化對匯流排、假指組件、間隙、指條組件的結(jié)構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)抑制各階次雜波模式寄生的同時，可激發(fā)高Q值聲波模式。由此，有利于實現(xiàn)聲表面波濾波器的低損耗、通帶高平坦度等性能，滿足了高速移動通訊和國防軍工等終端對高性能表面波濾波器的要求，且該結(jié)構(gòu)使用的制備工藝容易實現(xiàn)，易于大規(guī)模推廣。

技術(shù)研發(fā)人員：羅文汀,陳平靜,陳華志,賀藝,陳彥光,徐瑞豪,張婷楊,羅鴻飛,肖強,高鈺奇,胡丞稷,賀貞,潘祺
受保護的技術(shù)使用者：中國電子科技集團公司第二十六研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19