本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,屬于熱電器件。
背景技術(shù):
1、現(xiàn)有技術(shù)中溫差發(fā)電片表面一般是采用絕緣導(dǎo)熱材料封裝,典型如申請(qǐng)?zhí)枮閏n202311716382.3的中國(guó)專利公開(kāi)的多溫區(qū)分別控溫的雙級(jí)半導(dǎo)體制冷器。最常用于溫差發(fā)電片的絕緣導(dǎo)熱材料就是陶瓷。但是普通陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)一般不超過(guò)2.00w/m.k,甚至不如冰的導(dǎo)熱系數(shù)高,而高導(dǎo)熱系數(shù)的陶瓷價(jià)格過(guò)高,一塊高導(dǎo)熱系數(shù)的陶瓷成本能夠超過(guò)數(shù)十塊普通溫差發(fā)電片產(chǎn)品。
2、另一方面,溫差發(fā)電片的a板電路和b板電路夾層內(nèi)部是導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅片等金屬制成的電路,這就導(dǎo)致溫差發(fā)電片內(nèi)部在n電堆和p電堆兩端有熱量交換,在n電堆和p電堆之間的熱量交換是溫差發(fā)電片產(chǎn)電的必然結(jié)果。
3、上述兩方面綜合導(dǎo)致溫差發(fā)電片的熱能利用率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,該半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法通過(guò)鋁合金均溫板和氣凝膠的設(shè)置,使得溫差發(fā)電片的溫差大幅提升,并且基于燒結(jié)絕緣層的操作確保了對(duì)外絕緣的基本要求,使得鋁合金均溫板能夠用于溫差發(fā)電片的制作。
2、本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)。
3、本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,包括以下步驟:
4、s1、準(zhǔn)備:備偶數(shù)塊鋁合金均溫板,將鋁合金均溫板成對(duì)放置;
5、s2、燒結(jié)絕緣層:對(duì)鋁合金均溫板的一面進(jìn)行燒結(jié)使之形成絕緣物質(zhì),構(gòu)成絕緣層;
6、s3、燒結(jié)銅片層:將銅片貼在絕緣層上進(jìn)行燒結(jié)固定構(gòu)成導(dǎo)電銅片;
7、s4、焊接發(fā)電堆:在銅片上焊接np電堆,每對(duì)鋁合金均溫板分別焊接a板電路和b板電路;
8、s5、粘貼氣凝膠:在銅片上p粒籽和n粒籽之間空隙處覆蓋粘貼氣凝膠;
9、s6、合模:將成對(duì)的鋁合金均溫板以氣凝膠所在面拼合成夾層狀半導(dǎo)體溫差發(fā)電片。
10、還包括以下步驟:
11、s7、檢測(cè)電路導(dǎo)通:通過(guò)制造夾層狀半導(dǎo)體溫差發(fā)電片ab面溫度差,檢測(cè)夾層狀半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的電路電壓和/或電流,判斷夾層狀半導(dǎo)體溫差發(fā)電片合格情況;
12、s8、邊緣密封:對(duì)合格的夾層狀半導(dǎo)體溫差發(fā)電片沿邊沿進(jìn)行密封封裝。
13、所述步驟s6中,成對(duì)的鋁合金均溫板以氣凝膠所在面拼合時(shí),中間夾p粒籽和n粒籽通過(guò)銅片構(gòu)成串聯(lián)電路。
14、所述n粒籽包括n型半導(dǎo)體晶棒切割得到的n粒籽及連接p粒籽構(gòu)成一組電堆;p粒籽包括p型半導(dǎo)體晶棒切割得到的p粒籽及連接n粒籽構(gòu)成一組電堆。
15、所述n型半導(dǎo)體晶棒由碲、秘、硒粉末按體積比例45~55:42~50:3~6混合后壓鑄然后拉晶成型得到。
16、所述p型半導(dǎo)體晶棒由碲、秘、銻粉末按體積比例50~60:12~23:22~34混合后壓鑄然后拉晶成型得到。
17、所述np電堆包括間隙交錯(cuò)呈陣列分布的p粒籽和n粒籽。
18、所述氣凝膠為隔熱氣凝膠。
19、所述步驟s2中以700℃~800℃進(jìn)行燒結(jié),所述絕緣層的主要成分為氧化鋁。
20、本發(fā)明的有益效果在于:通過(guò)鋁合金均溫板和氣凝膠的設(shè)置,使得溫差發(fā)電片的溫差大幅提升,并且基于燒結(jié)絕緣層的操作確保了對(duì)外絕緣的基本要求,使得鋁合金均溫板能夠用于溫差發(fā)電片的制作。
1.一種半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,還包括以下步驟:
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,所述步驟s6中,成對(duì)的鋁合金均溫板(1)以氣凝膠(4)所在面拼合時(shí),中間夾p粒籽和n粒籽通過(guò)銅片構(gòu)成串聯(lián)電路。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,所述n粒籽包括n型半導(dǎo)體晶棒切割得到的n粒籽及連接p粒籽構(gòu)成一組電堆;p粒籽包括p型半導(dǎo)體晶棒切割得到的p粒籽及連接n粒籽構(gòu)成一組電堆。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,所述n型半導(dǎo)體晶棒由碲、秘、硒粉末按體積比例45~55:42~50:3~6混合后壓鑄然后拉晶成型得到。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,所述p型半導(dǎo)體晶棒由碲、秘、銻粉末按體積比例50~60:12~23:22~34混合后壓鑄然后拉晶成型得到。
7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,所述np電堆(5)包括間隙交錯(cuò)呈陣列分布的p粒籽和n粒籽。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,所述氣凝膠(4)為隔熱氣凝膠。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體溫差發(fā)電片的制作方法,其特征在于,所述步驟s2中以700℃~800℃進(jìn)行燒結(jié),所述絕緣層(2)的主要成分為氧化鋁。