本申請涉及顯示，尤其涉及一種有機發(fā)光晶體管及制備方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機發(fā)光晶體管(organic?light-emitting?transistor，olet)是一種結(jié)合了場效應晶體管(field-effect?transistor，fet)電開關(guān)功能與發(fā)光二極管(light?emittingdiode，led)發(fā)光特性的新型多功能光電器件，這種器件因其制程工藝簡單、潛在成本低的特點有望成為下一代平板顯示技術(shù)的有力競爭者。

2、但目前的有機發(fā)光晶體管顯示產(chǎn)品的使用性能有待提升。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請的目的在于提出一種有機發(fā)光晶體管，有利于提升器件工作過程中的電流穩(wěn)定性，減少亮度波動，提升器件性能。

2、基于上述目的，本申請?zhí)峁┝艘环N有機發(fā)光晶體管，該有機發(fā)光晶體管包括：

3、襯底；

4、輔助柵極，所述輔助柵極位于所述襯底的一側(cè)；

5、第一柵絕緣層，所述第一柵絕緣層位于所述輔助柵極遠離所述襯底的一側(cè)；

6、源極和漏極，所述源極和所述漏極位于所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)；

7、有機半導體層，所述有機半導體層位于所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)；

8、第二柵絕緣層，所述第二柵絕緣層位于所述有機半導體層遠離所述襯底的一側(cè)；

9、控制柵極，所述控制柵極位于所述第二柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)；

10、其中，所述輔助柵極用于對所述有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控。

11、在其中一種實施方式中，所述輔助柵極用于接收調(diào)控電壓，所述調(diào)控電壓用于調(diào)控電子和空穴在溝道內(nèi)的分布，以對所述有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控；

12、在其中一種實施方式中，所述調(diào)控電壓大于所述控制柵極的柵極電壓；

13、在其中一種實施方式中，所述調(diào)控電壓為恒定值。

14、在其中一種實施方式中，所述源極和漏極間隔設(shè)置且部分覆蓋所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)，部分所述有機半導體層覆蓋所述源極和所述漏極遠離所述襯底的一側(cè)，部分所述有機半導體層覆蓋所述第一柵絕緣層未被所述源極和所述漏極覆蓋的區(qū)域。

15、在其中一種實施方式中，所所述輔助柵極的材料包括鋁、鉬、銅或ito中的至少一種；

16、在其中一種實施方式中，所述源極的材料包括鋁、鉬、銅或ito中的至少一種；所述漏極的材料包括鋁、鉬、銅或ito中的至少一種。

17、在其中一種實施方式中，所述第一柵絕緣層的材料包括氧化硅、二氧化鉿中的至少一種；

18、在其中一種實施方式中，所述第二柵絕緣層的材料包括二氧化鉿；

19、在其中一種實施方式中，所述第二柵絕緣層的材料與所述第一柵絕緣層的材料不同。

20、在其中一種實施方式中，所述控制柵極包括透明導電材料；

21、在其中一種實施方式中，所述透明導電材料包括氧化銦錫；

22、在其中一種實施方式中，所述有機半導體層包括有機發(fā)光材料；

23、在其中一種實施方式中，所述有機發(fā)光材料包括alq3、c8-btbt中的至少一種。

24、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請還公開了一種有機發(fā)光晶體管的制備方法，其包括：

25、提供一襯底，在所述襯底的一側(cè)形成輔助柵極；其中，所述輔助柵極用于對所述有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控；

26、在所述輔助柵極遠離所述襯底的一側(cè)形成第一柵絕緣層；

27、在所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)形成源極和漏極；

28、在所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)形成有機半導體層；

29、在所述有機半導體層遠離所述襯底的一側(cè)形成第二柵絕緣層；

30、在所述第二柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)形成控制柵極。

31、在其中一種實施方式中，所述輔助柵極用于對所述有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控，包括：

32、所述輔助柵極用于接收調(diào)控電壓，所述調(diào)控電壓用于調(diào)控電子和空穴在溝道內(nèi)的分布，以對所述有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控；

33、在其中一種實施方式中，所述調(diào)控電壓大于所述控制柵極的柵極電壓；

34、在其中一種實施方式中，所述調(diào)控電壓為恒定值。

35、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請還公開了一種顯示面板，其包括上述任一項所述的有機發(fā)光晶體管。

36、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請還公開了一種顯示裝置，其包括上述的顯示面板。

37、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請?zhí)峁┑挠袡C發(fā)光晶體管，通過在有機半導體層遠離控制柵極的一側(cè)設(shè)置輔助柵極，通過輔助柵極對有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控，避免有機半導體層中的電子被第一柵絕緣層與有機半導體層的界面捕獲，保證器件工作過程的電流穩(wěn)定，避免出現(xiàn)亮度波動情況，從而有效提升器件的顯示性能。

技術(shù)特征：

1.一種有機發(fā)光晶體管，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光晶體管，其特征在于，所述輔助柵極用于接收調(diào)控電壓，所述調(diào)控電壓用于調(diào)控電子和空穴在溝道內(nèi)的分布，以對所述有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光晶體管，其特征在于，所述源極和漏極間隔設(shè)置且部分覆蓋所述第一柵絕緣層遠離所述襯底的一側(cè)，部分所述有機半導體層覆蓋所述源極和所述漏極遠離所述襯底的一側(cè)，部分所述有機半導體層覆蓋所述第一柵絕緣層未被所述源極和所述漏極覆蓋的區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光晶體管，其特征在于，所述輔助柵極的材料包括鋁、鉬、銅或ito中的至少一種；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光晶體管，其特征在于，所述第一柵絕緣層的材料包括氧化硅、二氧化鉿中的至少一種；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光晶體管，其特征在于，所述控制柵極包括透明導電材料；

7.一種有機發(fā)光晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光晶體管的制備方法，其特征在于，所述輔助柵極用于對所述有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控，包括：

9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項所述的有機發(fā)光晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N有機發(fā)光晶體管及制備方法、顯示面板、顯示裝置，該有機發(fā)光晶體管包括：襯底；輔助柵極，輔助柵極位于襯底的一側(cè)；第一柵絕緣層，第一柵絕緣層位于輔助柵極遠離襯底的一側(cè)；源極和漏極，源極和漏極位于第一柵絕緣層遠離襯底的一側(cè)；有機半導體層，有機半導體層位于第一柵絕緣層遠離襯底的一側(cè)；第二柵絕緣層，第二柵絕緣層位于有機半導體層遠離襯底的一側(cè)；控制柵極，控制柵極位于第二柵絕緣層遠離襯底的一側(cè)；其中，輔助柵極用于對有機發(fā)光晶體管的電性進行調(diào)控。本申請?zhí)峁┑挠袡C發(fā)光晶體管可以避免有機半導體層中的電子被第一柵絕緣層與有機半導體層的界面捕獲，保證器件工作過程的電流穩(wěn)定，避免出現(xiàn)亮度波動情況。

技術(shù)研發(fā)人員：郭濱,馬應海,劉雪,王夢森
受保護的技術(shù)使用者：合肥維信諾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10