本申請涉及鈣鈦礦電池領(lǐng)域，尤其涉及一種鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法。

背景技術(shù)：

1、鈣鈦礦材料因其優(yōu)異的性能，在鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化工藝中被大量應(yīng)用。由于鈣鈦礦膜層主要為涂布工藝，在非真空鍍膜環(huán)境的成膜工藝下，更容易產(chǎn)生膜面針孔的問題。同時，鈣鈦礦核心發(fā)電層為有機(jī)材料，而電池的背電極主要為金屬或氧化物等無機(jī)材料，不同材料特性造成背電極的膜層附著力較差。

2、在p3激光刻劃后，刻線溝槽內(nèi)存在大量的導(dǎo)電顆粒，而鈣鈦礦材料的水氧不穩(wěn)定性，使得電池不能經(jīng)過超聲波清洗來有效去除但鈣鈦礦產(chǎn)品更容易產(chǎn)生嚴(yán)重的內(nèi)部微短路問題，從而影響電池的性能，降低其轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)岢隽艘环N鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，鈣鈦礦電池從下至上依次包括：基層、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸收層、電子傳輸層和背電極。

2、包括如下步驟：

3、步驟1，在基層上設(shè)置空穴傳輸層，在所述空穴傳輸層上進(jìn)行刻蝕，形成多條p1刻線，所述p1刻線的底部延伸至所述基層的上表面；

4、步驟2，在所述空穴傳輸層上設(shè)置鈣鈦礦吸收層；

5、步驟3，在所述鈣鈦礦吸收層上設(shè)置電子傳輸層，在所述鈣鈦礦吸收層上進(jìn)行刻蝕，形成多條p2刻線，所述p2刻線的底部延伸至所述空穴傳輸層的上表面，所述p1刻線與所述p2刻線間隔設(shè)置；

6、步驟4，在所述電子傳輸層上設(shè)置背電極，在所述背電極上進(jìn)行刻蝕，形成p3刻線，所述p3刻線的底部延伸至所述空穴傳輸層的上表面；

7、步驟5，在所述鈣鈦礦電池上增加反向電壓，對內(nèi)部微短路進(jìn)行熔斷。

8、在一種可實現(xiàn)的方式中，一條所述p1刻線、一條所述p2刻線和兩條所述p3刻線順次排列為一個刻線組，兩條所述p3刻線間隔且平行設(shè)置。

9、在一種可實現(xiàn)的方式中，所述p1刻線、所述p2刻線和兩個所述p3刻線順次排列，且相互平行設(shè)置；所述反向電壓的正負(fù)極分別設(shè)置在所述p1刻線和所述p3刻線的兩側(cè)。

10、在一種可實現(xiàn)的方式中，一個所述刻線組內(nèi)的兩條所述p3刻線之間的距離小于等于所述p2刻線與其相鄰的所述p3刻線之間的距離。

11、在一種可實現(xiàn)的方式中，一個所述刻線組內(nèi)的兩條所述p3刻線之間的距離為10μm-100μm。

12、在一種可實現(xiàn)的方式中，所述p3刻線的刻蝕寬度均為10μm-100μm。

13、在一種可實現(xiàn)的方式中，所述鈣鈦礦電池增加的反向電壓小于等于10v。

14、在一種可實現(xiàn)的方式中，所述p3刻線采用納秒激光設(shè)備或皮秒激光設(shè)備進(jìn)行刻蝕。

15、在一種可實現(xiàn)的方式中，所述p3刻線的刻蝕激光光源為532nm。

16、在一種可實現(xiàn)的方式中，所述反向電壓通過探針施加，所述探針沿所述p3刻線的刻蝕方向設(shè)置有多個。

17、本申請的有益效果：本申請的鈣鈦礦電池的制作方法，通過在背電極上進(jìn)行多次p3刻線的刻蝕，多個p3刻線增加電池的二次絕緣性，同時對刻蝕后的鈣鈦礦電池增加反向電壓，進(jìn)而對其內(nèi)部微短路進(jìn)行熔斷，從而改善其內(nèi)部微短路缺陷，從而達(dá)到提高激光刻劃后的鈣鈦礦電池性能。

18、根據(jù)下面參考附圖對示例性實施例的詳細(xì)說明，本申請的其它特征及方面將變得清楚。

技術(shù)特征：

1.一種鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，鈣鈦礦電池從下至上依次包括：基層、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸收層、電子傳輸層和背電極；其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，一條所述p1刻線、一條所述p2刻線和兩條所述p3刻線順次排列為一個刻線組，兩條所述p3刻線間隔且平行設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，所述p1刻線、所述p2刻線和兩個所述p3刻線順次排列，且相互平行設(shè)置；

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，一個所述刻線組內(nèi)的兩條所述p3刻線之間的距離小于等于所述p2刻線與其相鄰的所述p3刻線之間的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，一個所述刻線組內(nèi)的兩條所述p3刻線之間的距離為10μm-100μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，所述p3刻線的刻蝕寬度均為10μm-100μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，所述鈣鈦礦電池增加的反向電壓小于等于10v。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，所述p3刻線采用納秒激光設(shè)備或皮秒激光設(shè)備進(jìn)行刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，所述p3刻線的刻蝕激光光源為532nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，其特征在于，所述反向電壓通過探針施加，所述探針沿所述p3刻線的刻蝕方向設(shè)置有多個。

技術(shù)總結(jié)
本申請的鈣鈦礦電池的增強(qiáng)方法，通過在基層上設(shè)置空穴傳輸層，在空穴傳輸層上刻蝕P1刻線，在空穴傳輸層上設(shè)置鈣鈦礦吸收層，在鈣鈦礦吸收層上設(shè)置電子傳輸層，在鈣鈦礦吸收層上刻蝕P2刻線，在電子傳輸層上設(shè)置背電極，在背電極上進(jìn)行多次P3刻線的刻蝕，多個P3刻線增加電池的二次絕緣性，同時對刻蝕后的鈣鈦礦電池增加反向電壓，進(jìn)而對其內(nèi)部微短路進(jìn)行熔斷，從而改善其內(nèi)部微短路缺陷，從而達(dá)到提高激光刻劃后的鈣鈦礦電池性能。

技術(shù)研發(fā)人員：吳颯建,曹越先,李智鵬,劉吉雙,朱雨恬,周家駒,王建華,劉生忠,鄭德旭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中核光電科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10